CN106997897B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示装置及其制造方法,属于显示技术领域。所述显示装置包括:显示屏、第一防静电图案以及电子元器件,电子元器件包括第二防静电图案,第一防静电图案和电子元器件嵌套设置在显示屏上远离出光侧的一侧。本申请解决了显示装置的制造成本较高的问题,提高了显示装置的制造成本。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(英文:Active-matrix organic light emittingdiode;简称:AMOLED)显示装置包括AMOLED显示屏。
相关技术中,为了减少AMOLED显示屏周围的静电干扰,通常在AMOLED显示屏的一侧设置防静电层。示例的,防静电层可以为整层的铜。
由于相关技术中,防静电层的材质为铜,且铜的价格较高,因此,AMOLED显示装置的制造成本较高。
发明内容
为了解决显示装置的制造成本较高的问题,本申请提供了一种显示装置及其制造方法。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示屏、第一防静电图案以及电子元器件,所述电子元器件包括第二防静电图案,
所述第一防静电图案和所述电子元器件嵌套设置在所述显示屏上远离出光侧的一侧。
可选的,所述电子元器件为近距离无线通讯NFC芯片,所述第二防静电图案为:电磁干扰EMI屏蔽图案。
可选的,所述第一防静电图案在所述显示屏上的正投影面积与所述电子元器件在所述显示屏上的正投影面积的比为69:1。
可选的,所述显示屏上远离出光侧的一侧设置有遮光层;
所述遮光层远离所述显示屏的一侧设置有缓冲层;
所述缓冲层远离所述遮光层的一侧设置有电磁波吸收层;
所述电磁波吸收层远离所述缓冲层的一侧设置有导热层;
所述导热层远离所述电磁波吸收层的一侧设置有所述第一防静电图案。
可选的,所述电子元器件还包括:设置在所述第二防静电图案远离所述显示屏一侧的电子元器件主体。
可选的,所述显示屏上远离出光侧的一侧设置有保护层,
所述保护层覆盖所述第一防静电图案和所述电子元器件。
另一方面,提供了一种显示装置的制造方法,所述方法包括:
提供显示屏;
在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件,使得所述第一防静电图案与所述电子元器件嵌套,所述电子元器件包括第二防静电图案。
可选的,所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件,包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成所述第一防静电图案;
提供所述电子元器件;
将所述电子元器件设置在所述显示屏上远离出光侧的一侧,使得所述第一防静电图案与所述电子元器件嵌套。
可选的,所述电子元器件还包括电子元器件主体,所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件,包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成防静电层,所述防静电层包括所述第一防静电图案和所述第二防静电图案;
提供所述电子元器件主体;
将所述电子元器件主体设置在所述第二防静电图案远离所述显示屏的一侧。
可选的,所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成所述第一防静电图案,包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧形成防静电材质层;
采用一次构图工艺对所述防静电材质层进行处理,得到所述第一防静电图案。
可选的,所述电子元器件为近距离无线通讯NFC芯片,所述第二防静电图案为:电磁干扰EMI屏蔽图案。
可选的,所述第一防静电图案在所述显示屏上的正投影面积与所述电子元器件在所述显示屏上的正投影面积的比为69:1。
可选的,在所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件之前,所述方法还包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧形成遮光层;
在所述遮光层远离所述显示屏的一侧形成缓冲层;
在所述缓冲层远离所述遮光层的一侧形成电磁波吸收层;
在所述电磁波吸收层远离所述缓冲层的一侧形成导热层;
所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件,包括:在所述导热层远离所述电磁波吸收层的一侧,形成所述第一防静电图案以及电子元器件。
可选的,所述电子元器件还包括:设置在所述第二防静电图案远离所述显示屏一侧的电子元器件主体。
可选的,在所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件之后,所述方法还包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧形成保护层,所述保护层覆盖所述第一防静电图案和所述电子元器件。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
由于起到防静电作用的第一防静电图案并非整层的防静电材质,且第一防静电图案中镶嵌有电子元器件中的第二防静电图案,也即可以复用电子元器件中的第二防静电图案作为显示屏的防静电层,从而减少了整个显示装置所需的防静电材质的量,进而减少制造整个显示装置的成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1-1为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图;
图1-2为本发明实施例提供的一种第一防静电图案和电子元器件的嵌套示意图;
图2为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种显示装置的制造方法的方法流程图;
图4为本发明实施例提供的另一种显示装置的制造方法的方法流程图;
图5为本发明实施例提供的一种显示装置的局部结构示意图;
图6为本发明实施例提供的另一种显示装置的局部结构示意图;
图7为本发明实施例提供的又一种显示装置的局部结构示意图;
图8为本发明实施例提供的再一种显示装置的局部结构示意图;
图9为本发明实施例提供的一种形成第一防静电图案和电子元器件的方法流程图;
图10为本发明实施例提供的一种形成防静电材质层的示意图;
图11为本发明另一实施例提供的一种显示装置的局部结构示意图;
图12为本发明实施例提供的一种电子元器件的结构示意图;
图13为本发明另一实施例提供的另一种显示装置的局部结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
图1-1为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图,如图1-1所示,该显示装置10可以包括:显示屏101、显示屏101对应的第一防静电图案102以及电子元器件103,电子元器件103包括第二防静电图案104。
第一防静电图案102和电子元器件103嵌套设置在显示屏101上远离出光侧的一侧。
综上所述,由于本发明实施例提供的显示装置中,起到防静电作用的第一防静电图案并非整层的防静电材质,且第一防静电图案中镶嵌有电子元器件中的第二防静电图案,也即可以复用电子元器件中的第二防静电图案作为显示屏的防静电层,从而减少了整个显示装置所需的防静电材质的量,进而减少制造整个显示装置的成本。
图1-2为本发明实施例提供的一种第一防静电图案和电子元器件的嵌套示意图,从图1-2可以看出,本发明实施例中以电子元器件103嵌套在第一防静电图案102中为例,实际应用中,第一防静电图案102也可以嵌套在电子元器件103中,本发明实施例对此不做限定。
示例的,图1-1中的电子元器件103可以为近距离无线通讯(英文:Near FieldCommunication;简称:NFC)芯片,第二防静电图案104可以为:电磁干扰(英文:Electromagnetic Interference;简称:EMI)屏蔽图案。第一防静电图案102在显示屏上的正投影面积与电子元器件103在显示屏上的正投影面积的比可以为69:1。可选的,显示屏的尺寸可以为:100毫米×70毫米,电子元器件103的尺寸可以为:10毫米×10毫米,电子元器件103的边缘与显示屏的边缘的最小距离可以大于或等于10毫米。
进一步的,电子元器件103还可以包括:设置在第二防静电图案104远离显示屏101一侧的电子元器件主体X。从而将电子元器件主体X和显示屏101有效的隔绝开来,防止显示屏101和电子元器件主体X之间的电磁干扰。需要说明的是,本发明实施例中以电子元器件主体设置在第二防静电图案远离显示屏的一侧为例,实际应用中,还可以将电子元器件主体设置在第二防静电图案靠近显示屏的一侧,本发明实施例对此不作限定。可选的,第一防静电图案102的材质可以与第二防静电图案104的材质相同。
相关技术中,显示装置包括显示屏和NFC芯片,显示屏上远离出光侧的一侧设置有用于显示屏的防静电层,NFC芯片包括NFC芯片主体和EMI屏蔽图案。但相关技术中,用于显示屏的防静电层和用于NFC芯片主体的EMI屏蔽图案并没有嵌套在一起,使得显示屏和NFC芯片主体共同所需的防静电材质较多。
而本发明实施例中,显示屏101上远离出光侧的一侧设置有第一防静电图案102和电子元器件103,电子元器件103包括第二防静电图案104,且第一防静电图案102与电子元器件103相互嵌套。第一防静电图案102和电子元器件103中的第二防静电图案104均用于显示屏的防静电,而第二防静电图案104同时还可以用于电子元器件主体(如NFC芯片主体)的防静电。且这样一来,相对于相关技术,显示屏和电子元器件主体共同所需的防静电材质较少。
需要说明的是,本发明实施例中以电子元器件为NFC芯片为例,实际应用中,电子元器件还可以为除NFC芯片之外的其他电子元器件,本发明实施例对此不作限定。
图2为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图,如图2所示,在图1-1的基础上,显示屏101上远离出光侧的一侧设置有遮光层105;遮光层105远离显示屏101的一侧设置有缓冲层106;缓冲层106远离遮光层105的一侧设置有电磁波吸收层107;电磁波吸收层107远离缓冲层106的一侧设置有导热层108;导热层108远离电磁波吸收层107的一侧设置有第一防静电图案102。
其中,遮光层可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯基材通过印刷工艺制成,遮光层能够对背光源发出的光线中即将射入显示屏的黑矩阵区域的光线进行遮挡,以提升显示屏的显示效果。缓冲层可以为泡棉,缓冲层用于增强显示屏的抗缓冲能力,防止在显示屏摇晃或碰撞后显示屏的碎裂。导热层的材质可以为石墨,导热层能够将显示屏在工作过程中产生的热量传导至显示屏外,起到为显示屏散热的效果。示例的,第一防静电图案的材质可以为铜箔,或者其他导体。
可选的,请继续参考图2,显示屏101上远离出光侧的一侧可以设置有保护层109,保护层109覆盖第一防静电图案102和电子元器件103。示例的,保护层的材质可以为绝缘材质。由于第一防静电图案以及电子元器件在与氧气接触的过程中会被氧化,从而失去第一防静电图案和电子元器件原有的特性,因此,在显示屏101上远离出光侧的一侧设置能够覆盖第一防静电图案102和电子元器件103的保护层,能够防止第一防静电图案102和电子元器件103被氧化,从而能够保证第一防静电图案102和电子元器件103能够保持原有的特性。
遮光层、缓冲层、电磁波吸收层、导热层、第一防静电图案、电子元器件和保护层可以统称为显示屏的带(英文:tape)结构。
需要说明的是,本发明实施例中的显示屏可以为液晶显示屏、有机发光二极体(英文:organic light emitting diode;简称:OLED)显示屏或者有源矩阵有机发光二极体(英文:Active-matrix organic light emitting diode;简称:AMOLED)显示屏,或者其他类型的显示屏,本发明实施例对此不做限定。
综上所述,由于本发明实施例提供的显示装置中,起到防静电作用的第一防静电图案并非整层的防静电材质,且第一防静电图案中镶嵌有电子元器件中的第二防静电图案,也即可以复用电子元器件中的第二防静电图案作为显示屏的防静电层,从而减少了整个显示装置所需的防静电材质的量,进而减少制造整个显示装置的成本。
图3为本发明实施例提供的一种显示装置的制造方法的方法流程图,如图3所示,该显示装置的制造方法可以包括:
步骤301、提供显示屏;
步骤302、在显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案和电子元器件,使得第一防静电图案与电子元器件嵌套,电子元器件包括第二防静电图案。
综上所述,由于本发明实施例提供的显示装置的制造方法所制造的显示装置中,起到防静电作用的第一防静电图案并非整层的防静电材质,且第一防静电图案中镶嵌有电子元器件中的第二防静电图案,也即可以复用电子元器件中的第二防静电图案作为显示屏的防静电层,从而减少了整个显示装置所需的防静电材质的量,进而减少制造整个显示装置的成本。
图4为本发明实施例提供的另一种显示装置的制造方法的方法流程图,如图4所示,该显示装置的制造方法可以包括:
步骤401、提供显示屏。
示例的,本发明实施例中的显示屏可以为液晶显示屏、OLED显示屏或者OLED显示屏,或者其他类型的显示屏,本发明实施例对此不做限定。
步骤402、在显示屏上远离出光侧的一侧形成遮光层。
如图5所示,在得到显示屏101之后,可以在显示屏上远离出光侧的一侧形成遮光层105,示例的,遮光层可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯基材通过印刷工艺制成。需要说明的是,显示屏具有出光侧,显示屏上远离出光侧的一侧也即是出光侧的对侧。
步骤403、在遮光层远离显示屏的一侧形成缓冲层。
如图6所示,在形成遮光层105之后,可以在遮光层105远离显示屏的一侧形成缓冲层106。缓冲层106可以为泡棉,缓冲层106用于增强显示屏101的抗缓冲能力。
步骤404、在缓冲层远离遮光层的一侧形成电磁波吸收层。
如图7所示,在形成缓冲层106之后,可以在缓冲层106远离显示屏101的一侧形成电磁波吸收层107。
步骤405、在电磁波吸收层远离缓冲层的一侧形成导热层。
如图8所示,在形成电磁波吸收层107之后,可以在电磁波吸收层107远离缓冲层的一侧形成导热层108。示例的,导热层108的材质可以为石墨,导热层108能够起到为显示屏101散热的效果。
步骤406、在导热层远离电磁波吸收层的一侧,形成第一防静电图案和电子元器件,使得第一防静电图案与电子元器件嵌套,电子元器件包括第二防静电图案。
示例的,电子元器件可以为NFC芯片,第二防静电图案可以为:EMI屏蔽图案。第一防静电图案在显示屏上的正投影面积与电子元器件在显示屏上的正投影面积的比可以为69:1。电子元器件还可以包括:设置在第二防静电图案远离显示屏一侧的电子元器件主体,从而将电子元器件主体和显示屏有效的隔绝开来,防止显示屏和电子元器件主体之间的电磁干扰。
相关技术中,显示装置包括显示屏和NFC芯片,显示屏上远离出光侧的一侧设置有用于显示屏的防静电层,NFC芯片包括NFC芯片主体和EMI屏蔽图案。但相关技术中,用于显示屏的防静电层和用于NFC芯片主体的EMI屏蔽图案并没有嵌套在一起,使得显示屏和NFC芯片主体共同所需的防静电材质较多。
而本发明实施例中,显示屏远离出光侧的一侧设置有第一防静电图案和包括第二防静电图案的电子元器件,且第一防静电图案与电子元器件相互嵌套。第一防静电图案和第二防静电图案均可以用于显示屏的防静电,而第二防静电图案同时还可以用于电子元器件主体(如NFC芯片主体)的防静电。且这样一来,相对于相关技术,显示屏和电子元器件主体共同所需的防静电材质较少。需要说明的是,本发明实施例中以电子元器件为NFC芯片为例,实际应用中,电子元器件还可以为除NFC芯片之外的其他电子元器件,本发明实施例对此不作限定。
示例的,步骤406的实现方式可以多种多样,本发明实施例中对其中的两种实现方式进行具体分析:
一方面,如图9所示,步骤406可以包括:
步骤4061、在导热层远离电磁波吸收层的一侧,形成第一防静电图案。
如图10所示,可以首先在导热层远离显示屏的一侧形成防静电材质层A,示例地,可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文:PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition;简称:PECVD)等方法在衬底基板020上沉积一层金属材料,得到防静电材质层A。
如图11所示,在形成防静电材质层A之后,可以采用一次构图工艺对防静电材质层A进行处理,得到第一防静电图案102。其中,一次构图工艺包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离,因此,采用一次构图工艺对金属材质层进行处理包括:在防静电材质层A上涂覆一层光刻胶,然后采用掩膜版对光刻胶进行曝光,使光刻胶形成完全曝光区和非曝光区,之后采用显影工艺进行处理,使完全曝光区的光刻胶被去除,非曝光区的光刻胶保留,之后对完全曝光区在防静电材质层A上的对应区域进行刻蚀,刻蚀完毕后剥离非曝光区的光刻胶即可得到第一防静电图案102。
步骤4062、提供电子元器件。
如图12所示,电子元器件103可以包括电子元器件主体X和第二防静电图案104,示例的,电子元器件可以为NFC芯片,NFC芯片可以包括NFC芯片主体和EMI屏蔽层,在步骤4062中可以提供NFC芯片。
步骤4063、将电子元器件设置在显示屏上远离出光侧的一侧,使得第一防静电图案与电子元器件嵌套。
如图13所示,在步骤4063中可以将电子元器件设置在显示屏上远离出光侧的一侧,从而使得第一防静电图案102与电子元器件103能够相互嵌套。需要说明的是,图13中以电子元器件103嵌套在第一防静电图案102中为例,实际应用中第一防静电图案102也可以嵌套在电子元器件103中,本发明实施例对此不做限定。
另一方面,在步骤406中,首先可以在导热层远离电磁波吸收层的一侧,形成防静电层,防静电层包括第一防静电图案和第二防静电图案。然后,需要提供电子元器件主体,并将电子元器件主体设置在第二防静电图案远离显示屏的一侧。
步骤407、在显示屏上远离出光侧的一侧形成保护层,保护层覆盖第一防静电图案和电子元器件。
如图2所示,在形成显示屏101的第一防静电图案102和电子元器件103之后,可以在显示屏101上远离出光侧的一侧形成(如涂覆)保护层109,使得保护层109覆盖第一防静电图案102和电子元器件103。
综上所述,由于本发明实施例提供的显示装置的制造方法所制造的显示装置中,起到防静电作用的第一防静电图案并非整层的防静电材质,且第一防静电图案中镶嵌有电子元器件中的第二防静电图案,也即可以复用电子元器件中的第二防静电图案作为显示屏的防静电层,从而减少了整个显示装置所需的防静电材质的量,进而减少制造整个显示装置的成本。
本发明实施例提供的显示装置实施例和显示装置的制造方法实施例可以互相参考,本发明实施例对此不做限定。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成,也可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
以上所述仅为本申请的可选实施例,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:显示屏、第一防静电图案以及电子元器件,所述电子元器件包括:第二防静电图案,以及设置在所述第二防静电图案远离所述显示屏一侧的电子元器件主体;
所述第一防静电图案和所述电子元器件嵌套设置在所述显示屏上远离出光侧的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述电子元器件为近距离无线通讯NFC芯片,所述第二防静电图案为:电磁干扰EMI屏蔽图案。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述第一防静电图案在所述显示屏上的正投影面积与所述电子元器件在所述显示屏上的正投影面积的比为69:1。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述显示屏上远离出光侧的一侧设置有遮光层;
所述遮光层远离所述显示屏的一侧设置有缓冲层;
所述缓冲层远离所述遮光层的一侧设置有电磁波吸收层;
所述电磁波吸收层远离所述缓冲层的一侧设置有导热层;
所述导热层远离所述电磁波吸收层的一侧设置有所述第一防静电图案。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示屏上远离出光侧的一侧设置有保护层,
所述保护层覆盖所述第一防静电图案和所述电子元器件。
6.一种显示装置的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供显示屏;
在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件,使得所述第一防静电图案与所述电子元器件嵌套,所述电子元器件包括:第二防静电图案,以及设置在所述第二防静电图案远离所述显示屏一侧的电子元器件主体。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件,包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成所述第一防静电图案;
提供所述电子元器件;
将所述电子元器件设置在所述显示屏上远离出光侧的一侧,使得所述第一防静电图案与所述电子元器件嵌套。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述电子元器件还包括电子元器件主体,所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件,包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成防静电层,所述防静电层包括所述第一防静电图案和所述第二防静电图案;
提供所述电子元器件主体;
将所述电子元器件主体设置在所述第二防静电图案远离所述显示屏的一侧。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成所述第一防静电图案,包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧形成防静电材质层;
采用一次构图工艺对所述防静电材质层进行处理,得到所述第一防静电图案。
10.根据权利要求6至9任一所述的方法,其特征在于,所述电子元器件为近距离无线通讯NFC芯片,所述第二防静电图案为:电磁干扰EMI屏蔽图案。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述第一防静电图案在所述显示屏上的正投影面积与所述电子元器件在所述显示屏上的正投影面积的比为69:1。
12.根据权利要求6至9任一所述的方法,其特征在于,在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件之前,所述方法还包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧形成遮光层;
在所述遮光层远离所述显示屏的一侧形成缓冲层;
在所述缓冲层远离所述遮光层的一侧形成电磁波吸收层;
在所述电磁波吸收层远离所述缓冲层的一侧形成导热层;
所述在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件,包括:在所述导热层远离所述电磁波吸收层的一侧,形成所述第一防静电图案以及电子元器件。
13.根据权利要求6至9任一所述的方法,其特征在于,在所述显示屏上远离出光侧的一侧,形成第一防静电图案以及电子元器件之后,所述方法还包括:
在所述显示屏上远离出光侧的一侧形成保护层,所述保护层覆盖所述第一防静电图案和所述电子元器件。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102524554B1 (ko) * 2017-12-28 2023-04-20 엘지디스플레이 주식회사 지문 인식이 가능한 표시 장치
CN108134014B (zh) * 2018-01-25 2020-01-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示模组及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7094624B2 (en) * 2001-12-29 2006-08-22 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
CN1917739A (zh) * 2005-08-18 2007-02-21 中华映管股份有限公司 防静电基板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI280073B (en) * 2005-09-15 2007-04-21 Au Optronics Corp Organic light emitting diode display panel
US9420734B2 (en) * 2014-04-01 2016-08-16 Advanced Micro Devices, Inc. Combined electromagnetic shield and thermal management device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7094624B2 (en) * 2001-12-29 2006-08-22 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
CN1917739A (zh) * 2005-08-18 2007-02-21 中华映管股份有限公司 防静电基板

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