CN106997888A - 发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光二极管显示装置,包括基板、印刷线路和焊点结构、多个发光二极管芯片以及波长转换层。本发明通过将多个发光二极管芯片于基板的第一表面的焊点结构电学连接,并由设置在发光二极管芯片上方的波长转换层将发光二极管芯片发出的光转换为预定波长的光,由于不需要将发光二极管芯片预先封装以作为显示屏的像素点,因此可采用更小的发光二极管芯片,并由发光二极管芯片上方的波长转换层转换光色,以形成显示屏的像素点,可以使得显示屏的像素点更小,从而可以提高单位面积响度密度,进而提高显示屏分辨率、减小显示屏体积,以适用于当前便携式、穿戴式显示设备、办公娱乐显示设备等场合。

Description

发光二极管显示装置
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种发光二极管显示装置。
背景技术
发光二极管(LED)是利用半导体材料的电子与空穴结合时,其能阶转变所产生的能量变化而释放出光的原理制作而成,由于其具有体积小、重量轻、响应时间短等诸多优点,已被大量应用于显示领域。其中LED显示屏被广泛用于显示文字、图像、视频信号等各种信息。
现有技术中,特定光色的LED芯片通常被事先封装成单灯,或辅以波长转换材料变换不同光色,或由若干不同或相同颜色的LED芯片组合形式封装。现有的LED显示屏通常将这些单灯或封装结构以特定形式排列形成点阵模块并施以特定的电学连接,由驱动控制电路连接并驱动。
例如CN105185249 A公开了一种发光二极管显示器,由多个发光二极管单元排列成阵列,以垂直或者水平的方式设置于电路板上。其发光二极管单元包含了一个透镜密封至少三个发光二极管芯片,以及第一导线与第二导线将发光二极管芯片连接到电路板或者电源。且波长转换材料可以被加入透镜内或者设置于透镜的表面上,以改变发光二极管芯片所发出的光线颜色。
上述现有技术是采用封装后的“单灯”做为显示屏的像素点,再将这些像素点二次电学连接进而控制。受限于LED芯片的封装及尺寸,这些像素点尺寸往往比较大,单位面积像素密度偏低,这就导致现有技术LED显示屏分辨率的提高受限,或者为了达到所需的高分辨率而使LED显示屏的体积过大,导致其应用场地受限,尤其是在当前便携式、穿戴式显示设备、办公娱乐显示设备等等场合无法应用。
发明内容
本发明提供一种发光二极管显示装置,以减小像素点尺寸,提高单位面积响度密度,从而提高LED显示屏分辨率、减小LED显示屏体积,以适用于当前便携式、穿戴式显示设备、办公娱乐显示设备等等场合。
本发明提供一种发光二极管显示装置,包括:
基板,所述基板的第一表面设置有电学连接的印刷线路和焊点结构;所述焊点结构为由多个具有第一电学属性的第一焊点和具有第二电学属性的第二焊点所构成的阵列;
多个发光二极管芯片,每一所述发光二极管芯片包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一焊点电学连接,所述第二电极与所述第二焊点电学连接;
设置在所述发光二极管芯片上方的波长转换层,用于将所述发光二极管芯片发出的光转换为预定波长的光。
进一步的,所述发光二极管芯片为小电流低亮度发光二极管芯片,所述发光二极管芯片尺寸为20-200μm;
所述第一电极和所述第二电极的面积之和占所述发光二极管芯片面积的50%-90%。
进一步的,多个所述发光二极管芯片具有相同的发光波长、发光亮度和显色特性,由一个或者多个所述发光二极管芯片构成所述发光二极管显示装置的像素单元。
可选的,所述波长转换层为涂覆在所述发光二极管芯片之上的波长转换材料;
所述波长转换材料以预设阵列涂覆在所述发光二极管芯片之上,所述波长转换材料为层状结构涂布,或由点状喷涂在指定的所述发光二极管芯片上,或混入封装胶材中间接涂布,其中所述封装胶材为环氧树脂或硅胶。
可选的,所述波长转换层为可拆卸的设置于所述发光二极管芯片之上的光色转换基板,所述光色转换基板为柔性或刚性的透明材料,以预设阵列在所述透明材料的表面涂覆或内部混合有波长转换材料。
进一步的,所述发光二极管芯片设置有反光层,用于限制和阻隔所述发光二极管芯片侧面和底面的出光;所述反光层设置于所述发光二极管芯片底面上除第一电极和第二电极之外的表面及所述发光二极管芯片的侧面。
进一步的,所述发光二极管显示装置还包括,
隔离层,设置于所述基板第一表面,所述隔离层呈网格状分布,厚度为200-500μm,每一所述发光二极管芯片设置于所述隔离层的一个网格内,所述隔离层用于阻隔相邻的所述发光二极管芯片之间的光学干扰。
进一步的,所述印刷线路包括第一导线组、第二导线组、第一电气接点和第二电气接点,所述第一电气接点和所述第二电气接点设置于基板的预定位置,用于与外部的发光二极管显示装置控制电路电学连接;所述第一导线组连接所述第一焊点和所述第一电气接点,所述第二导线组连接所述第二焊点和所述第二电气接点;
所述第一导线组和所述第二导线组分别由若干条彼此隔离或相互存在串并联关系的金属线构成,所述金属线的宽度为4-30μm,厚度为1-5μm;
所述金属线的材料为铝、铜、金或银,通过蒸镀、电镀或沉积方式形成于所述基板的第一表面;所述第一导线组和所述第二导线组电学隔离且属性相异。
进一步的,所述发光二极管显示装置还包括,
散热板,设置于所述基板的第二表面,通过导热胶材或机械锁扣与所述基板连接,所述散热板的热传导率高于所述基板的热传导率,用于将基板上的热量导出;
所述散热板上设置有被动电路,与所述第一电气接点和所述第二电气接点电学连接,用于提供与所述外部的发光二极管显示装置控制电路电学连接的接口。
进一步的,所述发光二极管显示装置还包括外壳,用于保护所述基板、所述发光二极管芯片以及所述波长转换层。
本发明提供的发光二极管显示装置,通过将多个发光二极管芯片于基板的第一表面的焊点结构电学连接,并由设置在发光二极管芯片上方的波长转换层将发光二极管芯片发出的光转换为预定波长的光,由于不需要将发光二极管芯片预先封装以作为显示屏的像素点,因此可以采用更小的发光二极管芯片,并由发光二极管芯片上方的波长转换层转换光色,以形成显示屏的像素点,可以使得显示屏的像素点更小,从而可以提高单位面积响度密度,进而提高显示屏分辨率、减小显示屏体积,以适用于当前便携式、穿戴式显示设备、办公娱乐显示设备等等场合。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的发光二极管显示装置的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的发光二极管显示装置的基板上印刷线路和焊点结构的示意图;
图3为本发明实施例提供的一种发光二极管芯片的结构示意图;
图4为本发明另一实施例提供的一种发光二极管芯片的结构示意图;
图5为本发明实施例提供发光二极管显示装置中波长转换层的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的发光二极管显示装置的结构示意图,图2为本发明实施例提供的发光二极管显示装置的基板上印刷线路和焊点结构的示意图。如图1-2所示,本发明实施例提供了一种发光二极管显示装置,包括:基板100、印刷线路和焊点结构、多个发光二极管芯片300以及波长转换层400。
其中,基板100的第一表面设置电学连接的印刷线路和焊点结构;焊点结构为由多个具有第一电学属性的第一焊点211和具有第二电学属性的第二焊点212所构成的阵列;多个发光二极管芯片300,每一发光二极管芯片300包括第一电极311和第二电极312,第一电极311与第一焊点211电学连接,第二电极312与第二焊点212电学连接;波长转换层400设置在发光二极管芯片300上方,用于将发光二极管芯片300发出的光转换为预定波长的光。
本实施例中,基板100的材料可以是硅、金属、陶瓷、玻璃、树脂材料等,或者是其组合。根据材料种类的不同,可以应用于不同的发光二极管显示装置中,对应的发光二极管显示装置的结构也可以做相应的调整、改变。虽然本实施例图2中所示的基板100是矩形,但也可以是正方形、圆形或者多边形,除此之外,它的尺寸、长短边比例、半径等尺度参数亦可以根据设计需求而调整。当基板100选择导电材料时,基板100第一表面之上可以设置有一绝缘层(图中未示出),例如有机材料或者无机绝缘材料,使得基板100的第一表面具备电学绝缘属性,确保位于其上的印刷线路、焊点彼此之间绝缘。
印刷线路可包括第一导线组231、第二导线组232、第一电气接点221和第二电气接点222,如图2所示,第一电气接点221和第二电气接点222设置于基板100的预定位置,用于与外部的发光二极管显示装置控制电路电学连接,本实施例中第一电气接点221和第二电气接点222分别呈阵列排布在基板100的两侧,当然也可以设置在其他位置;第一导线组231连接第一焊点211和第一电气接点221,第二导线组232连接第二焊点212和第二电气接点222;第一导线组231和第二导线组232分别由若干条彼此隔离或相互存在串并联关系的金属线构成,金属线的宽度为4-30μm,厚度为1-5μm;金属线的材料为铝、铜、金或银,通过蒸镀、电镀或沉积方式形成于基板100的第一表面;第一导线组231和第二导线组232电学隔离且属性相异。具体的例如,当第一电气接点221与供电电路的正极连接、第二电气接点222与供电电路的负极连接时,通过第一导线组231,可实现第一焊点211与第一电气接点221的电连接,从而可以使与第一焊点211电连接的发光二极管300的第一电极311接通供电电路的正极,通过第二导线组232,可实现第二焊点212与第二电气接点222的电连接,从而可以使与第二焊点212电连接的发光二极管300的第二电极312接通供电电路的负极。
在多数情况下,复杂的印刷线路设计需要处理第一导线组231和第二导线组232交叉点的绝缘问题。例如在形成第一导线组231和第一电气接点221后,以蒸发、沉积等方式覆盖以绝缘材料,例如氧化硅,再对绝缘材料施以光刻和蚀刻工艺,裸露出预设区域,而与第二导线组232交叉点部分被绝缘材料所隔离。此时再形成第二导线组232及第二电气接点222,以此类推。需要说明的是,印刷线路可根据具体需要进行设计,图2中第一导线组231、第二导线组232仅仅是示意图,具体第一导线组231、第二导线组232如何排布并不作为本发明的关注点。
第一焊点211和第二焊点212呈阵列排列,与印刷线路构成电学连接,第一焊点211与第二焊点212属性相异,第一焊点211具有第一电学属性,第二焊点212具有第二电学属性,具体的,例如第一焊点211为与正极连接的焊点,第二焊点212为与负极连接的焊点,或者相反。第一焊点211和第二焊点212由金属构成,形成方式可以是蒸镀、电镀、沉积等,每一组第一焊点211和第二焊点212根据发光二极管芯片300的尺寸确定对应的大小、形状、距离。根据芯片结构的不同,预设的第一焊点211和第二焊点212可以被设计成柱状、或者台面,或者平面,且形状不限于方形、圆形、L形、多边形等各种形状。视印刷电路的不同,各焊点之电路通断状态可以被单独控制,也可以被逻辑关联控制。
多个发光二极管芯片300,每一发光二极管芯片300包括第一电极311和第二电极312,第一电极311与第一焊点211电学连接,第二电极312与第二焊点212电学连接。发光二极管芯片300采用可以倒装结构(如图3所示)或垂直结构(如图4所示),当然并不仅限于这两种结构。具体的,发光二极管芯片300具有依序设置的衬底301、第一导电性半导体层302、主动层303以及第二导电性半导体层304,第一电极311与第一导电性半导体层302电连接,第二电极312与第二导电性半导体层304电连接。其中,倒装结构的发光二极管芯片300第一电极311和第二电极312位于发光二极管芯片300的底面上,可以采用焊料焊接或者共晶焊接,使得第一电极311与第一焊点211形成接触,第二电极312与第二焊点212形成接触;垂直结构的发光二极管芯片300第一电极311位于发光二极管芯片300的上表面,第二电极312位于发光二极管芯片300的底面,可以采用焊料或者共晶焊接使得第二电极312与第二焊点212形成接触,采用打线320使得第一电极311与第一焊点211形成电学连接。
波长转换层400设置于发光二极管芯片300之上,通过波长转换层400可将发光二极管芯片300发出的光转换为预定波长的光;其中波长转换层400可以为涂覆在发光二极管芯片300之上的波长转换材料,也可以为可拆卸的设置于发光二极管芯片300之上的光色转换基板,光色转换基板表面涂覆或内部混合有波长转换材料。
本实施例的发光二极管显示装置,通过将多个发光二极管芯片300于基板100的第一表面的焊点结构电学连接,并由设置在发光二极管芯片300上方的波长转换层400将发光二极管芯片300发出的光转换为预定波长的光,由于不需要将发光二极管芯片300预先封装以作为显示屏的像素点,因此可以采用更小的发光二极管芯片300,并由发光二极管芯片300上方的波长转换层400转换光色,以形成显示屏的像素点,可以使得显示屏的像素点更小,从而可以提高单位面积响度密度,进而提高显示屏分辨率、减小显示屏体积,以适用于当前便携式、穿戴式显示设备、办公娱乐显示设备等等场合。
进一步的,发光二极管芯片300为小电流低亮度发光二极管芯片300,发光二极管芯片300尺寸为20-200μm;第一电极311和第二电极312的面积之和占发光二极管芯片300面积的50%-90%。
需要说明的是,为了迎合发光亮度之需求,通常发光二极管芯片300需要具有一定的发光面积,或者具备大电流注入特性,而在本实施例的显示装置中,发光二极管被定义为小电流低亮度应用,因此,为了获得更佳显示分辨率,本实施例中的发光二极管芯片300可以更加微小。例如参照现有便携式室内显示屏的尺度,本实施例所述的发光二极管芯片300尺寸可以在20-200μm之间,从而可以提高便携式室内显示屏的分辨率。
本实施例中,第一电极311和第二电极312的面积之和占发光二极管芯片300面积的50%-90%,这一比例可被优先确保发光二极管芯片300的焊接质量。由于对于被用于显示装置的发光二极管阵列,发光二极管芯片300焊接强度直接决定了显示装置的坏点率,显而易见的,对于常规发光二极管芯片300而言这一面积占比将明显影响发光芯片之光效亮度指标,而本实施例则通过确保发光二极管芯片300的焊接质量,降低显示装置的坏点率,从而提高显示装置的稳定性和可靠性。需要说明的是,对于垂直结构的发光二极管芯片300需要保证足够大的第一电极311的面积,以确保打线焊接的可靠性。
进一步的,多个发光二极管芯片300具有相同的发光波长、发光亮度和显色特性,由一个或者多个发光二极管芯片300构成发光二极管显示装置的像素单元。
本实施例中,发光二极管芯片300可以被事先约定光电属性,以确保被用于点阵显示后具有准确一致的发光波长、发光亮度和显色特性,或者确保在应用波长转换材料后具有一致的转换效果,可以杜绝发光点阵之坏点率。
需要说明的是,现有技术中发光二极管芯片300容易获得但不局限于红色、蓝色、黄色、绿色等各种光色。发光亮度和显色特性也可根据设计需要进行选择。当然,本实施例也可以采用不同发光波长的发光二极管芯片300,以预定的阵列排列,则波长转换层400以相应的陈列进行涂覆。
本实施例中,波长转换层400可以为涂覆在发光二极管芯片300之上的波长转换材料,也可以为可拆卸的设置于发光二极管芯片300之上的光色转换基板,通过波长转换层400可将发光二极管芯片300发出的光转换为预定波长的光。
具体的,波长转换层400为涂覆在发光二极管芯片300之上的波长转换材料;波长转换材料以预设阵列涂覆在发光二极管芯片300之上,波长转换材料为层状结构涂布,或由点状喷涂在指定的发光二极管芯片300上,或混入封装胶材中间接涂布,其中封装胶材为环氧树脂或硅胶。
在本实施例中,波长转换材料选择性涂覆在焊接后的发光二极管芯片300上,波长转换材料可包含至少一种材料选自于蓝色荧光粉、黄色荧光粉、绿色荧光粉、红色荧光粉等材料群组。根据发光二极管显示装置的显色需求,可以采取不同光色发光二极管芯片300和不同荧光粉之方案组合,例如可以采用图5的排列方案,本实施例中并不局限。例如单色显示装置可以不需要涂覆荧光粉,直接以发光二极管芯片300之原色显示,或者仅涂覆一种荧光粉,显示出转换后单一光色;双色显示装置可以涂覆一或两种荧光粉;或者采用两种不同光色发光二极管芯片300。以红、绿、蓝三色为基础色之全色域显示装置,可以选择采用红、绿、蓝三种光色之发光二极管芯片300阵列排列,或者阵列涂覆可以转换三基色之三色荧光粉转换配色。
可选的,波长转换层400还可以为可拆卸的设置于发光二极管芯片300之上的光色转换基板,光色转换基板为柔性或刚性的透明材料,以预设阵列在透明材料的表面涂覆或内部混合有波长转换材料。
光色转换基板设置于焊接后发光二极管芯片300点阵之上,位于发光二极管芯片300点阵出光面同侧。光色转换基板由透明材料构成,且可以是柔性材料,当然也可为刚性材料。透明材料之上喷涂或透明材料内部混合有至少一种波长转换材料,同样波长转换材料可包含至少一种材料选自于蓝色荧光粉、黄色荧光粉、绿色荧光粉、红色荧光粉等材料群组。光色转换基板可以被提前预制且容易更换,在发光二极管芯片300焊接工序后,可直接装配,以简化装配工艺提高生产效率。通过对不同光色转换基板的更换,可以在相同的发光二极管芯片300点阵上变换不同显示色彩。当芯片发射的第一波长光线穿过光色转换基板后,由光色转换基板的第一波长转换材料转换而成第二波长光线;当更换携带有第二波长转换材料的光色转换基板后,第一波长光线穿过光色转换基板形成第三波长光线。同样,单色显示装置可采用喷涂或混合单一波长转换材料的光色转换基板;双色显示装置可采用喷涂或混合一或两种波长转换材料的光色转换基板;以红、绿、蓝三色为基础色之全色域显示装置,可以选择采用红、绿、蓝三种波长转换材料在光色转换基板以预定阵列排列,例如可以采用图5的排列方案。若干种波长转换材料依照发光二极管芯片300之排列间距呈点阵排列,使得位于基板100上的发光二极管芯片300与光色转换基板上的波长转换材料阵列一一对应,如此可以实现全色域之光色变换。
进一步的,发光二极管芯片300设置有反光层,用于限制和阻隔发光二极管芯片300侧面和底面的出光;反光层设置于发光二极管芯片300底面上除第一电极311和第二电极312之外的表面及发光二极管芯片300的侧面。
本实施例中,反光层(图中未示出)位于发光二极管芯片300底面上除第一电极311和第二电极312之外的表面(即除第一电极311、第二电极312之外的第二导电性半导体层之上),且完全包覆住由第一导电性半导体层、一主动层以及一第二导电性半导体层所形成的侧壁。反光层材料可以是金属材料,也可以是氧化物非金属材料,或者是其组合。反光层之功用在于限制和阻隔发光二极管芯片300位于芯片侧面和位于非出光面的出光,而非用于提高芯片出光之亮度。又一种情况下,反光层也可以被预设于基板100之上,或者加工成相应形状,做为本实施例基于同样发明目的之增强或替代方案。
进一步的,发光二极管显示装置还包括隔离层,设置于基板100第一表面,隔离层呈网格状分布,厚度为200-500μm,每一发光二极管芯片300设置于隔离层的一个网格内,隔离层用于阻隔相邻的发光二极管芯片300之间的光学干扰。
本实施例中,基板100上还可以设置隔离层(图中未示出),隔离层呈网格状分布,用于阻隔相邻的发光二极管芯片300之间的光学干扰,每一发光二极管芯片300设置于隔离层的一个网格内,隔离层厚度在200-500μm,可高于发光二极管芯片300的高度,以阻隔相邻发光二极管芯片300之间源自芯片底部和侧面的光学干扰。
进一步的,如图1所示,发光二极管显示装置还包括散热板500,设置于基板100的第二表面,通过导热胶材或机械锁扣与基板100连接,散热板500的热传导率高于基板100的热传导率,用于将基板100上的热量导出。
散热板500上设置有被动电路,与第一电气接点221和第二电气接点222电学连接,用于提供与外部的发光二极管显示装置控制电路电学连接的接口。
散热板500被设置于基板100的第二表面,可以选择依靠导热胶材与基板100连接,导热胶材可以为导热硅脂,或者依靠机械锁扣与基板100连接。散热板500的热传导率高于基板100的热传导率,散热板500可以是由金属构成,或者是由陶瓷等高热传导率材料构成,也可以是由含有金属填充物的树脂构成,用于帮助工作状态下基板100产生的热量有效导出。散热板500还可以设置有通孔,以增大散热面积,加快散热效率。散热板500还可以设置被动电路(图中未示出),被动电路对应于基板100的第一电气接点221、第二电气接点222电学连接,提供与外部的发光二极管显示装置控制电路电学连接的接口,从而可以与控制电路形成响应。当然被动电路也可以不设置在散热板500上,例如可直接设置在基板100上,此处不做限定。
进一步的,发光二极管显示装置还包括外壳600,用于保护基板100、发光二极管芯片300以及波长转换层400。
本实施例中,发光二极管显示装置外还可设置外壳600,以用于对显示装置中的基板100、发光二极管芯片300、光色转换材料等组件提供保护和结构支撑,当然还可以包括封装胶水。视发光二极管显示装置的大小、形状、结构、功能等的不同,所述封装胶水和外壳600可以做不同形式的变换。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管显示装置,其特征在于,包括:
基板,所述基板的第一表面设置有电学连接的印刷线路和焊点结构;所述焊点结构为由多个具有第一电学属性的第一焊点和具有第二电学属性的第二焊点所构成的阵列;
多个发光二极管芯片,每一所述发光二极管芯片包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一焊点电学连接,所述第二电极与所述第二焊点电学连接;
设置在所述发光二极管芯片上方的波长转换层,用于将所述发光二极管芯片发出的光转换为预定波长的光。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置,其特征在于,
所述发光二极管芯片为小电流低亮度发光二极管芯片,所述发光二极管芯片尺寸为20-200μm;
所述第一电极和所述第二电极的面积之和占所述发光二极管芯片面积的50%-90%。
3.根据权利要求2所述的发光二极管显示装置,其特征在于,
多个所述发光二极管芯片具有相同的发光波长、发光亮度和显色特性,由一个或者多个所述发光二极管芯片构成所述发光二极管显示装置的像素单元。
4.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置,其特征在于,
所述波长转换层为涂覆在所述发光二极管芯片之上的波长转换材料;
所述波长转换材料以预设阵列涂覆在所述发光二极管芯片之上,所述波长转换材料为层状结构涂布,或由点状喷涂在指定的所述发光二极管芯片上,或混入封装胶材中间接涂布,其中所述封装胶材为环氧树脂或硅胶。
5.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置,其特征在于,
所述波长转换层为可拆卸的设置于所述发光二极管芯片之上的光色转换基板,所述光色转换基板为柔性或刚性的透明材料,以预设阵列在所述透明材料的表面涂覆或内部混合有波长转换材料。
6.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置,其特征在于,
所述发光二极管芯片设置有反光层,用于限制和阻隔所述发光二极管芯片侧面和底面的出光;所述反光层设置于所述发光二极管芯片底面上除第一电极和第二电极之外的表面及所述发光二极管芯片的侧面。
7.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置,其特征在于,还包括,
隔离层,设置于所述基板第一表面,所述隔离层呈网格状分布,厚度为200-500μm,每一所述发光二极管芯片设置于所述隔离层的一个网格内,所述隔离层用于阻隔相邻的所述发光二极管芯片之间的光学干扰。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的发光二极管显示装置,其特征在于,
所述印刷线路包括第一导线组、第二导线组、第一电气接点和第二电气接点,所述第一电气接点和所述第二电气接点设置于基板的预定位置,用于与外部的发光二极管显示装置控制电路电学连接;所述第一导线组连接所述第一焊点和所述第一电气接点,所述第二导线组连接所述第二焊点和所述第二电气接点;
所述第一导线组和所述第二导线组分别由若干条彼此隔离或相互存在串并联关系的金属线构成,所述金属线的宽度为4-30μm,厚度为1-5μm;
所述金属线的材料为铝、铜、金或银,通过蒸镀、电镀或沉积方式形成于所述基板的第一表面;所述第一导线组和所述第二导线组电学隔离且属性相异。
9.根据权利要求8所述的发光二极管显示装置,其特征在于,还包括,
散热板,设置于所述基板的第二表面,通过导热胶材或机械锁扣与所述基板连接,所述散热板的热传导率高于所述基板的热传导率,用于将基板上的热量导出;
所述散热板上设置有被动电路,与所述第一电气接点和所述第二电气接点电学连接,用于提供与所述外部的发光二极管显示装置控制电路电学连接的接口。
10.根据权利要求9所述的发光二极管显示装置,其特征在于,还包括外壳,用于保护所述基板、所述发光二极管芯片以及所述波长转换层。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108305930A (zh) * 2018-03-20 2018-07-20 澳洋集团有限公司 荧光粉胶、大功率led器件及其制作方法
CN108447407A (zh) * 2018-02-09 2018-08-24 武汉华星光电技术有限公司 一种微晶粒发光二极管显示面板
CN108831903A (zh) * 2018-07-17 2018-11-16 佛山市国星光电股份有限公司 一种led显示单元组及显示面板
WO2019071768A1 (zh) * 2017-10-10 2019-04-18 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 发光装置及使用该发光装置的汽车照明装置
CN112201739A (zh) * 2020-10-30 2021-01-08 上海中航光电子有限公司 发光结构、背光模组、显示模组以及显示装置
WO2021134794A1 (zh) * 2020-01-03 2021-07-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制备方法及背光模组

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101325195A (zh) * 2007-05-24 2008-12-17 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置
US20090194774A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-06 Kismart Corporation Light source module with wavelength converting structure and the method of forming the same
CN101800270A (zh) * 2009-02-11 2010-08-11 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置及其封装方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101325195A (zh) * 2007-05-24 2008-12-17 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置
US20090194774A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-06 Kismart Corporation Light source module with wavelength converting structure and the method of forming the same
CN101800270A (zh) * 2009-02-11 2010-08-11 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置及其封装方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019071768A1 (zh) * 2017-10-10 2019-04-18 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 发光装置及使用该发光装置的汽车照明装置
CN108447407A (zh) * 2018-02-09 2018-08-24 武汉华星光电技术有限公司 一种微晶粒发光二极管显示面板
CN108305930A (zh) * 2018-03-20 2018-07-20 澳洋集团有限公司 荧光粉胶、大功率led器件及其制作方法
CN108831903A (zh) * 2018-07-17 2018-11-16 佛山市国星光电股份有限公司 一种led显示单元组及显示面板
WO2021134794A1 (zh) * 2020-01-03 2021-07-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制备方法及背光模组
CN113348411A (zh) * 2020-01-03 2021-09-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制备方法及背光模组
US11894394B2 (en) 2020-01-03 2024-02-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, method for preparing array substrate, and backlight module
CN112201739A (zh) * 2020-10-30 2021-01-08 上海中航光电子有限公司 发光结构、背光模组、显示模组以及显示装置
CN112201739B (zh) * 2020-10-30 2022-02-15 上海中航光电子有限公司 发光结构、背光模组、显示模组以及显示装置

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