CN106981298A - 记忆体模块及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种记忆体模块及其制造方法，记忆体模块包括基板、至少一记忆体、遮光膜及至少一发光二极管。基板包含电气线路及金手指，而基板的上部边缘具有切口。遮光膜为不透光性的铜泊所构成，靠近基板的上部边缘上，并具有切口及至少一开孔。记忆体是在基板上且靠近金手指而连接至电气线路。发光二极管设置于基板上并连接至电气线路，而且每个发光二极管是位于遮光膜的相对应开孔。因此，发光二极管可经开孔朝外发射光，并沿着基板的上部边缘形成特定的亮光图案、文字或线条，展现整体记忆体模块的文字光影、影像光影的明亮变化，增强视觉效应。

Description

记忆体模块及其制造方法

技术领域

本发明有关于一种记忆体模块及其制造方法，尤其是在基板上贴附不透光且具有多个开孔或镂空标记的遮光膜，并将发光二极管配置在相对应开孔中，使得发光二极管的光线可经开孔而射出或照射到镂空标记而显示特定的亮光图案、文字或线条，进而表现出光线明暗色彩的不同变化，同时展现出整体记忆体模块的文字光影、影像光影的明亮变化，改善并增强视觉效应。

背景技术

在印刷电路板(PCB)及相关的电子业界，所使用的电路模块一般是包括电路基板、电路装置，其中电路装置经导电线路连接至电性插排，并在电路装置及电性插排间的导电线路上设置多个发光二极管，使得发光二极管可在导电线路导通或不导通下而控制亮暗变化，提供标示或显示目前电路模块的操作状态。不过，发光二极管在无任何遮蔽物下容易使光线直射到眼睛，导致刺眼或不舒适。

为解决上述问题，在现有技术的M508053专利中，揭露一种电路模块，包括基板、至少一发光二极管、至少半透明的导光体，其中基板具有PCI-E插排，而PCI-E插排可用以电性插接至PCI-E插槽，而发光二极管是配置于基板中相对于PCI-E插排的一侧，并电性连接至PCI-E插排，尤其导光体是至少覆盖该至少一发光二极管。因此，发光二极管的光线可经导光体的折射与吸收后产生较为柔和与均匀的发射光，能避免发光二极管的光线直射眼睛而伤害视力。

然而，上述现有技术的缺点在于需配置特定结构的导光体，使得整体构造复杂而不利于设计、生产、组装，而且导光体会额外增加材料成本，严重影响产业的利用性，所以普及率始终无法提高。

因此，非常需要一种创新的记忆体模块及其制造方法，提供简易的遮光方式，利用不透光且具有多个开孔或镂空标记的遮光膜贴附到具有V型切口的基板上，且将发光二极管配置在相对应开孔中以使得发光二极管的光线可经开孔而射出或照射到镂空标记而显示特定的亮光图案、文字或线条，藉以表现出光线明暗色彩的不同变化而展现出整体记忆体模块的文字光影、影像光影的明亮变化，改善、增强视觉效应而解决上述现有技术的所有问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种记忆体模块，主要包括基板、至少一记忆体、遮光膜以及至少一发光二极管。基板具透光性及电气绝缘性并包含电气线路，而且基板的上部边缘具有切口，再者，基板的下部边缘具有金手指，连接至电气线路，其中金手指可用以插设至外部装置的插槽。

遮光膜为不透光性，可由铜箔藉另一蚀刻处理构成，并设置于基板上，并靠近上部边缘，而且遮光膜具有切口及至少一开孔，其中遮光膜的切口是对应于基板的切口，而开孔是配置成靠近基板的上部边缘而排列。

记忆体是设置于基板上且靠近金手指，并连接至电气线路。此外，发光二极管设置于基板上并连接至电气线路，而且每个发光二极管是位于遮光膜的相对应开孔。因此，发光二极管的发射光可经由开孔而朝外射出，并沿着基板的上部边缘形成特定的亮光图案、文字或线条，表现光线明暗色彩的不同变化，同时展现出整体记忆体模块的文字光影、影像光影的明亮变化，可改善并增强视觉效应。

上述的遮光膜也可配置成具有至少一镂空标记，如藉另一蚀刻处理而形成，且不具有任何开孔，同时发光二极管是设置在基板上且与遮光膜位于不同侧部表面上，以如遮光膜位于基板的正面，而发光二极管位于基板的背面，使得发光二极管可朝遮光膜的镂空标记发射光线而显示。

本发明的另一目的在于提供一种记忆体模块的制造方法，首先，对具透光性及电气绝缘性基板上的铜箔进行蚀刻处理而形成电气线路以及金手指，其中金手指是用以插设至外部装置的插槽，并连接至电气线路，而且基板的上部边缘具有切口。接着备制遮光膜，其中遮光膜为不透光性，并具有切口以及至少一开孔，而且开孔是配置成靠近切口。

然后，将该遮光膜贴附到基板上，使得遮光膜是设置于基板上且靠近上部边缘，且遮光膜的切口是对应于基板的切口，再将至少一记忆体设置于基板上且靠近金手指，并连接至电气线路。最后，将至少一发光二极管设置于遮光膜的相对应开孔内，其中发光二极管可经由金手指获得来自外部装置的电力而点亮发光，或是由基板上连接至电气线路的电子元件提供电力而点亮发光。

上述的遮光膜可备置成具有至少一镂空标记而不具有任何开孔，且发光二极管是设置在基板上且与遮光膜位于不同侧部表面上，以使得发光二极管可朝遮光膜的镂空标记发射光线而显示。

由于整体结构简单，且遮光膜为不透光并具有多个开孔或镂空标记，所以配置在相对应开孔中的发光二极管可经开孔而射出光线，或是光照射到镂空标记，因而显示特定的亮光图案、文字或线条，藉以展现出整体记忆体模块的文字光影、影像光影的明亮变化，增强视觉效应。

附图说明

图1显示依据本发明第一实施例记忆体模块的示意图。

图2显示依据本发明第二实施例记忆体模块的正面示意图。

图3显示依据本发明第二实施例记忆体模块的背面示意图。

图4显示依据本发明第三实施例记忆体模块的制造方法的操作流程示意图。

图5显示依据本发明第四实施例记忆体模块的制造方法的操作流程示意图。

其中，附图标记说明如下：

10 记忆体模块

11 基板

11A 切口

13 记忆体

15 遮光膜

17 发光二极管

18 金手指

19 电子元件

20 记忆体模块

21 基板

21A 切口

23 记忆体

25 遮光膜

25B 镂空标记

27 发光二极管

28 金手指

29 电子元件

S10～S18 步骤

S20～S28 步骤

具体实施方式

以下配合图示及附图标记对本发明的实施方式做更详细的说明，使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。

参阅图1，本发明第一实施例记忆体模块的示意图。如图1所示，本发明第一实施例的记忆体模块10主要包括基板11、至少一记忆体13、遮光膜15以及至少一发光二极管17，其中基板11具透光性及电气绝缘性并包含电气线路(图中未显示)，遮光膜15是由铜箔构成并为不透光性，且设置于基板11上而靠近基板11的上部边缘，记忆体13及发光二极管17是设置于该基板11上并连接至电气线路。

具体而言，基板11的上部边缘具有切口11A，比如V型切口，且遮光膜15也具有切口，并配置成是对应于基板11的切口11A，而较佳的，遮光膜15未完全遮盖到基板11的整个上部边缘，而是基板11的上部边缘具有未被遮光膜15遮盖的边缘区域，且该边缘区域具有预设宽度，不过并未用以限定本发明的范围，因此另一方式是，遮光膜15也可完全遮盖基板11的整个上部边缘。

此外，基板11的下部边缘具有金手指18，是连接至电气线路，其中金手指18可用以插设至外部装置的插槽，形成电气连接，而记忆体13是设置于靠近基板11的金手指18，并与遮光膜15相互隔离开。

更进一步而言，遮光膜15具有至少一开孔，是配置成靠近基板11的上部边缘而排列，同时每个发光二极管17是位于相对应的开孔内。例如，开孔是沿着V型切口而排列，且记忆体13是设置于基板11的同一侧部表面上，或设置于基板11的相对面的二侧部表面上，亦即正面及背面。因此，发光二极管17的发射光可经由开孔而朝外射出，并沿着基板11的上部边缘形成特定的亮光图案、文字或线条，进而表现出光线明暗色彩的不同变化，同时展现出整体记忆体模块10的文字光影、影像光影的明亮变化，改善并增强视觉效应。

更加具体而言，发光二极管17是经由金手指18而获得来自外部装置(图中未显示)的电力而点亮发光，或是由基板11上连接至电气线路的电子元件19提供电力而点亮发光，其中电子元件19可为电子开关或电子控制器。

参考图2及图3，分别为本发明第二实施例记忆体模块20的正面及背面示意图。如图2及图3所示，第二实施例的记忆体模块20是类似于第一实施例，并包括基板21、至少一记忆体23、遮光膜25以及至少一发光二极管27，其中基板21具透光性及电气绝缘性并包含电气线路(图中未显示)，遮光膜25是由铜箔构成并为不透光性，且设置于基板21的正面上且靠近基板21的上部边缘，而记忆体23是设置于基板21上并连接至电气线路，尤其，发光二极管27是设置于基板21的背面上并连接至电气线路。

此外，基板21的上部边缘具有切口21A，而遮光膜25也具有切口，是对应于基板21的切口21A。具体而言，遮光膜25还具有至少一镂空标记25B，且镂空标记25B可为图案、文字或线条，而在图2及图3中是以文字“V-color”当作实例以方便解释本发明的特点而已，并非用以限定本发明的范围。所以第二实施例与第一实施例的差异点在于第二实施例的遮光膜25具有镂空标记25B而非第一实施例中遮光膜15的开孔，使得发光二极管27所发射的光线是朝向遮光膜25的镂空标记25B而显示。再者，第二实施例的遮光膜25及发光二极管27是限定成分别设置于基板21的正面及背面上而非同一面上，第二实施例的其余技术特征是相同于第一实施例，因而以下不再赘述。

此外，为进一步改善显示镂空标记25B的视觉效应，可将发光二极管27是设置成靠近相对于镂空标记25B的下方边缘，因此，发光二极管27的发射光可由下往上而朝向镂空标记25B。

进一步参考图4，依据本发明第三实施例记忆体模块的制造方法的操作流程示意图，其中第三实施例记忆体模块的制造方法主要是包括步骤S10、S12、S14、S16、S18，用制作图1的记忆体模块10。

具体而言，在第三实施例制造方法的步骤S10中，主要是针对透光性及电气绝缘性的基板上的铜箔进行蚀刻处理，使得铜箔形成电气线路以及金手指，其中金手指可是用以插设至外部装置的插槽，并连接至电气线路，尤其是，基板的上部边缘具有切口，比如V型切口。

接着进行步骤S12，备制遮光膜，其中遮光膜是由铜箔构成并为不透光性，且可藉另一蚀刻处理而具有切口以及至少一开孔，尤其开孔是配置成靠近切口。较佳的，遮光膜的开孔是沿着V型切口而排列。然后在步骤S14中，将遮光膜贴附到基板上，其中遮光膜是设置成靠近基板的上部边缘，以使得遮光膜的切口是对应于该基板的切口。较佳的，遮光膜可未完全遮盖到基板的上部边缘，而使得基板的上部边缘露出具有预设宽度的特定边缘区域。不过遮光膜也可视实际需要而完全遮盖基板的上部边缘。

进行步骤S16，将至少一记忆体设置于基板上且靠近金手指，并连接至电气线路，其中记忆体可设置于基板的同一侧部表面上，或设置于基板的相对面的二侧部表面上，亦即正面及背面。最后，步骤S18将每个发光二极管设置于遮光膜的相对应开孔内，其中发光二极管可经由金手指获得来自外部装置的电力而点亮发光，或是由基板上连接至电气线路的电子元件提供电力而点亮发光。

此外，再参考图5，依据本发明第四实施例记忆体模块的制造方法的操作流程示意图，其中第四实施例记忆体模块的制造方法是类似于上述第三实施例的制造方法，包括步骤S20、S22、S24、S26、S28，用以制作图2的记忆体模块20，分别类似于上述第三实施例的步骤S10、S12、S14、S16、S18，其主要差异点在于第四实施例的步骤S22所备制的遮光膜以及步骤S28的发光二极管配置方式，因而以下只说明步骤S22、S28，而步骤S20、S24、S26的处理内容不再赘述。

在步骤S22中，备制不透光性的遮光膜，且遮光膜具有切口以及至少一镂空标记，比如可藉另一蚀刻处理而形成，其中遮光膜的切口是对应于基板的切口，尤其是镂空标记可为图案、文字或线条。此外，步骤S28将至少一发光二极管设置于基板上，并连接至电气线路，其中发光二极管与遮光膜是位在基板的二不同侧部表面上，比如遮光膜位在基板的正面，而发光二极管是位于基板的背面，使得发光二极管所发射的光线可朝镂空标记而显示。

还可进一步将发光二极管设置成靠近相对于镂空标记的下方边缘，使得发光二极管的发射光可由下往上而朝向镂空标记，进而改善镂空标记的显示效应。

综上所述，本发明的主要特点在于不需使用任何导光元件或遮光元件，而是使用具遮光功能的遮光膜，尤其是利用不透光且具有多个开孔或镂空标记的遮光膜贴附到具有V型切口的基板上，且将发光二极管配置在相对应开孔中以使得发光二极管的光线可经开孔而射出或照射到镂空标记而显示特定的亮光图案、文字或线条，藉以表现出光线明暗色彩的不同变化，使得整体记忆体模块展现出文字光影、影像光影的明亮变化。所以本发明记忆体模块的整体结构简单，易于生产、组装，同时不仅解决发光二极管会刺眼的缺点，也改善整体的视觉效应。

本发明的另一特点在于遮光膜是由铜箔构成，且开孔或镂空标记可利用蚀刻处理而达成，不须开发特定的处理技术，所以可靠度相当高，并相当具有产业利用性。

由于本发明的技术内并未见于已公开的刊物、期刊、杂志、媒体、展览场，因而具有新颖性，且能突破目前的技术瓶颈而具体实施，确实具有进步性。此外，本发明能解决现有技术的问题，改善整体使用效率，而能达到具产业利用性的价值。

以上所述仅为用以解释本发明的较佳实施例，并非企图据以对本发明做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的发明精神下所作有关本发明的任何修饰或变更，皆仍应包括在本发明意图保护的范畴。

Claims (10)

1.一种记忆体模块，其特征在于，包括：

一基板，具透光性及电气绝缘性并包含一电气线路，且该基板的一上部边缘具有一切口，而该基板的一下部边缘具有一金手指，连接至该电气线路，且该金手指是用以插设至一外部装置的插槽；

一遮光膜，为不透光性，是设置于该基板上且靠近该上部边缘，且该遮光膜具有一切口，是对应于该基板的切口，并具有至少一开孔，是配置成靠近该基板的上部边缘而排列；

至少一记忆体，设置于该基板上且靠近该金手指，并连接至该电气线路；以及

至少一发光二极管，设置于该基板上，并连接至该电气线路，且每个发光二极管是位于该遮光膜的相对应开孔内，

其中该发光二极管是经由该金手指获得来自外部装置的电力而点亮发光，或是该发光二极管由该基板上连接至该电气线路的一电子元件提供电力而点亮发光。

2.根据权利要求1所述的记忆体模块，其特征在于，该基板的切口为一V型切口，而该遮光膜是由铜箔构成，且该开孔是沿着该V型切口而排列，且该至少一记忆体是设置于该基板的同一侧部表面上，或设置于该基板的相对面的二侧部表面上。

3.根据权利要求1所述的记忆体模块，其特征在于，该遮光膜未完全遮盖到该基板的上部边缘，而使得该基板的上部边缘露出具一预设宽度的一边缘区域。

4.一种记忆体模块，其特征在于，包括：

一基板，具透光性及电气绝缘性并包含一电气线路，而该基板的一上部边缘具有一切口，且该基板的一下部边缘具有一金手指，连接至该电气线路，且该金手指是用以插设至一外部装置的插槽；

一遮光膜，为不透光性，是设置于该基板上且靠近该上部边缘，且该遮光膜具有一切口，是对应于该基板的切口，并具有至少一镂空标记；

至少一记忆体，设置于该基板上且靠近该金手指，并连接至该电气线路；以及

至少一发光二极管，设置于该基板上，并连接至该电气线路，且该至少一发光二极管与该遮光膜是位在该基板的二不同侧部表面上，

其中该发光二极管是经由该金手指获得来自外部装置的电力而点亮发光，或是该发光二极管由该基板上连接至该电气线路的一电子元件提供电力而点亮发光，以使得该发光二极管所发射的光线是朝向该遮光膜的镂空标记。

5.根据权利要求4所述的记忆体模块，其特征在于，该基板的切口为一V型切口，而该遮光膜是由铜箔构成，且该至少一记忆体是设置于该基板的同一侧部表面上，或设置于该基板的相对面的二侧部表面上。

6.根据权利要求4所述的记忆体模块，其特征在于，该遮光膜未完全遮盖到该基板的上部边缘，而使得该基板的上部边缘露出具一预设宽度的一边缘区域，且该至少一发光二极管是设置成靠近相对于该至少一镂空标记的下方边缘。

7.一种记忆体模块的制造方法，其特征在于，包括：

对具透光性及电气绝缘性的一基板上的一铜箔进行一蚀刻处理，使得该铜箔形成一电气线路以及一金手指，且该金手指是用以插设至一外部装置的插槽，并连接至该电气线路，而该基板的一上部边缘具有一切口；

备制一遮光膜，且该遮光膜是由铜箔构成并为不透光性，且藉一另一蚀刻处理而具有一切口以及至少一开孔，而该至少一开孔是配置成靠近该切口；

将该遮光膜贴附到该基板上，且该遮光膜是设置于该基板上且靠近该上部边缘，以使得该遮光膜的切口是对应于该基板的切口；

将至少一记忆体设置于该基板上且靠近该金手指，并连接至该电气线路；以及

将至少一发光二极管设置于该遮光膜的相对应开孔内，

其中该发光二极管是经由该金手指获得来自外部装置的电力而点亮发光，或是该发光二极管由该基板上连接至该电气线路的一电子元件提供电力而点亮发光。

8.根据权利要求7所述的记忆体模块的制造方法，其特征在于，该基板的切口为一V型切口，而该遮光膜的开孔是沿着该V型切口而排列，且该至少一记忆体是设置于该基板的同一侧部表面上，或设置于该基板的相对面的二侧部表面上，该遮光膜未完全遮盖到该基板的上部边缘，而使得该基板的上部边缘露出具一预设宽度的一边缘区域。

9.一种记忆体模块的制造方法，其特征在于，包括：

对具透光性及电气绝缘性的一基板上的一铜箔进行一蚀刻处理，使得该铜箔形成一电气线路以及一金手指，且该金手指是用以插设至一外部装置的插槽，并连接至该电气线路，而该基板的一上部边缘具有一切口；

备制一遮光膜，且该遮光膜是由铜箔构成并为不透光性，且藉一另一蚀刻处理而具有一切口以及至少一镂空标记；

将该遮光膜贴附到该基板上，且该遮光膜是设置于该基板上且靠近该上部边缘，以使得该遮光膜的切口是对应于该基板的切口；

将至少一记忆体设置于该基板上且靠近该金手指，并连接至该电气线路；以及

将至少一发光二极管设置于该基板上，并连接至该电气线路，且该至少一发光二极管与该遮光膜是位在该基板的二不同侧部表面上，

其中该发光二极管是经由该金手指获得来自外部装置的电力而点亮发光，或是该发光二极管由该基板上连接至该电气线路的一电子元件提供电力而点亮发光。

10.根据权利要求7所述的记忆体模块的制造方法，其特征在于，该基板的切口为一V型切口，而该至少一记忆体是设置于该基板的同一侧部表面上，或设置于该基板的相对面的二侧部表面上，该遮光膜未完全遮盖到该基板的上部边缘，而使得该基板的上部边缘露出具一预设宽度的一边缘区域，且该至少一发光二极管是设置成靠近相对于该至少一镂空标记的下方边缘。