CN106972084A - 用于制备紫外led芯片的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：1）制备蓝宝石衬底；2）将蓝宝石衬底抛光；3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；5）在GaN外延顶面制备电极；6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片。本发明用于制备紫外LED芯片的方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，能提高紫外LED的性能。
Description
技术领域
本发明涉及用于制备紫外LED芯片的方法。
背景技术
紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途。
紫外LED的性能与紫外LED芯片息息相关，特别是紫外LED芯片的散热性能，很大程度上决定了紫外LED的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于制备紫外LED芯片的方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，且基底还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能，可靠性好，能提高紫外LED的性能。
为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：
1）制备蓝宝石衬底；
2）将蓝宝石衬底抛光；
3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；
4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；
5）在GaN外延顶面制备电极；
6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；
按重量份计，所述基底由以下组分组成：
34～41份聚苯乙烯，
28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，
2～4份碳化硅，
3～5份酒石酸钾钠，
2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，
2～5份二苯基丁二酮，
1～4份苯三唑，
2～3份纳米氧化铈，
6～8份乙二醇单硬脂酸酯，
2～7份硼酸钙，
1～4份四丁基锡，
1～2份二茂铁，
2～3份三聚磷酸钠，
4～6份α-烯基磺酸钠。
优选的，按重量份计，所述基底由以下组分组成：
34份聚苯乙烯，
28份氯磺化聚乙烯橡胶，
2份碳化硅，
3份酒石酸钾钠，
2份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，
2份二苯基丁二酮，
1份苯三唑，
2份纳米氧化铈，
6份乙二醇单硬脂酸酯，
2份硼酸钙，
1份四丁基锡，
1份二茂铁，
2份三聚磷酸钠，
4份α-烯基磺酸钠。
优选的，按重量份计，所述基底由以下组分组成：
41份聚苯乙烯，
32份氯磺化聚乙烯橡胶，
4份碳化硅，
5份酒石酸钾钠，
6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，
5份二苯基丁二酮，
4份苯三唑，
3份纳米氧化铈，
8份乙二醇单硬脂酸酯，
7份硼酸钙，
4份四丁基锡，
2份二茂铁，
3份三聚磷酸钠，
6份α-烯基磺酸钠。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种用于制备紫外LED芯片的方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，且基底还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能，可靠性好，能提高紫外LED的性能。
基底的性能是基于其材料的，而基底材料的性能是由其组分及配比所决定的，本发明对基底材料的组分及配比进行特殊优化，使基底材料具有优异的导热性能，且基底材料还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能，可靠性好，非常适用于紫外LED芯片。
基底材料的性能是由其组分及配比所决定的，而组分及配比的确定非简单地“加法”，即并非将各个组分的性能一一累加就可得出基底材料的性能；基底材料中的不同组分会相互影响，如果组分及其配比不相互协调，单个组分所带来的有益效果，会被其他组分消减甚至消除，严重的时候，不同组分相互抵触，起不到整体综合作用，产生负作用和次品。本发明通过大量创造性劳动、反复验证，得到基底材料的最优组分及配比，使得多个组分综合在一起、相互协调、并产生正向综合效应，最终使基底材料具有优异的导热性能，还进一步使基底材料具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃性能，基底可靠性好，非常适用于紫外LED芯片。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明具体实施的技术方案是：
实施例1
一种用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：
1）制备蓝宝石衬底；
2）将蓝宝石衬底抛光；
3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；
4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；
5）在GaN外延顶面制备电极；
6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；
按重量份计，所述基底由以下组分组成：
34～41份聚苯乙烯，
28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，
2～4份碳化硅，
3～5份酒石酸钾钠，
2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，
2～5份二苯基丁二酮，
1～4份苯三唑，
2～3份纳米氧化铈，
6～8份乙二醇单硬脂酸酯，
2～7份硼酸钙，
1～4份四丁基锡，
1～2份二茂铁，
2～3份三聚磷酸钠，
4～6份α-烯基磺酸钠。
实施例2
在实施例1的基础上，区别在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：
34份聚苯乙烯，
28份氯磺化聚乙烯橡胶，
2份碳化硅，
3份酒石酸钾钠，
2份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，
2份二苯基丁二酮，
1份苯三唑，
2份纳米氧化铈，
6份乙二醇单硬脂酸酯，
2份硼酸钙，
1份四丁基锡，
1份二茂铁，
2份三聚磷酸钠，
4份α-烯基磺酸钠。
实施例3
在实施例1的基础上，区别在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：
41份聚苯乙烯，
32份氯磺化聚乙烯橡胶，
4份碳化硅，
5份酒石酸钾钠，
6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，
5份二苯基丁二酮，
4份苯三唑，
3份纳米氧化铈，
8份乙二醇单硬脂酸酯，
7份硼酸钙，
4份四丁基锡，
2份二茂铁，
3份三聚磷酸钠，
6份α-烯基磺酸钠。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.用于制备紫外LED芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）制备蓝宝石衬底；
2）将蓝宝石衬底抛光；
3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；
4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；
5）在GaN外延顶面制备电极；
6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；
按重量份计，所述基底由以下组分组成：
34～41份聚苯乙烯，
28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，
2～4份碳化硅，
3～5份酒石酸钾钠，
2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，
2～5份二苯基丁二酮，
1～4份苯三唑，
2～3份纳米氧化铈，
6～8份乙二醇单硬脂酸酯，
2～7份硼酸钙，
1～4份四丁基锡，
1～2份二茂铁，
2～3份三聚磷酸钠，
4～6份α-烯基磺酸钠。
2.根据权利要求1所述的用于制备紫外LED芯片的方法，其特征在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：
34份聚苯乙烯，
28份氯磺化聚乙烯橡胶，
2份碳化硅，
3份酒石酸钾钠，
2份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，
2份二苯基丁二酮，
1份苯三唑，
2份纳米氧化铈，
6份乙二醇单硬脂酸酯，
2份硼酸钙，
1份四丁基锡，
1份二茂铁，
2份三聚磷酸钠，
4份α-烯基磺酸钠。
3.根据权利要求1所述的用于制备紫外LED芯片的方法，其特征在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：
41份聚苯乙烯，
32份氯磺化聚乙烯橡胶，
4份碳化硅，
5份酒石酸钾钠，
6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，
5份二苯基丁二酮，
4份苯三唑，
3份纳米氧化铈，
8份乙二醇单硬脂酸酯，
7份硼酸钙，
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