CN106971933A - 具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法 - Google Patents
具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106971933A CN106971933A CN201710209730.6A CN201710209730A CN106971933A CN 106971933 A CN106971933 A CN 106971933A CN 201710209730 A CN201710209730 A CN 201710209730A CN 106971933 A CN106971933 A CN 106971933A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- spraying mechanism
- cleaning
- shower
- etching chamber
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 72
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 69
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 16
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 Polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供一种具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法。该清洗组件包括第一喷淋机构和第二喷淋机构,第一喷淋机构用于喷淋蚀刻液,第二喷淋机构设置于第一喷淋机构的上方,第二喷淋机构用于在第一喷淋机构停止喷淋蚀刻液时喷淋清洗液,以对第一喷淋机构进行清洗。基于此,本发明能够对蚀刻腔室内进行随时清洗,减少蚀刻液挥发产生的结晶体,降低由结晶体导致的危害。
Description
技术领域
本发明涉及显示终端制造技术领域,具体涉及一种具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法。
背景技术
在LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的制程中,蚀刻工艺是非常重要的一环。蚀刻工艺是利用化学药品对基板表面的金属进行腐蚀,从而达到去除部分金属以形成预定图案的目的。当前,蚀刻工艺一般采用容易挥发的草酸溶液,在蚀刻设备闲置过久时挥发的草酸溶液容易在蚀刻腔室内结晶,所产生的结晶体不仅会划伤损伤待蚀刻元件,影响LCD的显示品质,而且可能会被操作人员吸入,对人体造成伤害。然而,当前仅能在蚀刻设备保养时清洗蚀刻腔室内的结晶体,这种定时清洗无法有效的减少结晶体以及降低由结晶体导致的危害。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法,能够对蚀刻腔室内进行随时清洗,减少蚀刻液挥发产生的结晶体,降低由结晶体导致的危害。
本发明一实施例的蚀刻腔室内的清洗组件,蚀刻腔室内设置有第一喷淋机构,用于喷淋蚀刻液,以对所述蚀刻腔室内的待蚀刻元件进行蚀刻,所述清洗组件包括第二喷淋机构,所述第二喷淋机构设置于所述第一喷淋机构的上方,用于在所述第一喷淋机构停止喷淋蚀刻液时喷淋清洗液,以对所述第一喷淋机构进行清洗。
本发明一实施例的具有自动清洗功能的蚀刻腔室,其清洗组件包括第一喷淋机构和第二喷淋机构,第一喷淋机构用于喷淋蚀刻液,以对蚀刻腔室内的待蚀刻元件进行蚀刻,第二喷淋机构设置于第一喷淋机构的上方,第二喷淋机构用于在第一喷淋机构停止喷淋蚀刻液时喷淋清洗液,以对第一喷淋机构进行清洗。
本发明一实施例的蚀刻腔室的清洗方法,包括:
将第二喷淋机构设置于第一喷淋机构的上方,所述第一喷淋机构用于喷淋蚀刻液以对蚀刻腔室内的待蚀刻元件进行蚀刻;
在第一喷淋机构停止喷淋蚀刻液时,第二喷淋机构喷淋清洗液,对第一喷淋机构进行清洗。
有益效果:本发明在蚀刻喷淋机构上方设置清洗喷淋机构,能够在蚀刻喷淋机构停止喷淋蚀刻液时喷淋清洗液,实现随时对蚀刻腔室内进行清洗,而不必仅在蚀刻腔室进行保养时才进行清洗,从而减少蚀刻液挥发产生的结晶体,降低由结晶体导致的危害。
附图说明
图1是本发明一实施例的具有清洗组件的蚀刻腔室的结构俯视图;
图2是图1所示具有清洗组件的蚀刻腔室的结构侧视图;
图3是图1所示一个喷淋管上的多个喷淋嘴的分布示意图;
图4是本发明一实施例的蚀刻腔室的清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下,下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
请参阅图1和图2,分别为本发明一实施例的具有清洗组件的蚀刻腔室的结构俯视图和结构侧视图。所述蚀刻腔室10内设置有第一喷淋机构11和滚轮组件12。第一喷淋机构11相当于当前的蚀刻喷淋机构,可以包括管体111以及设置于管体111上的喷淋嘴,管体111用于通入蚀刻液,喷淋嘴用于在与管体111导通时喷淋蚀刻液,例如草酸溶液,以对蚀刻腔室10内的待蚀刻元件进行蚀刻。滚轮组件12可以包括滚轮121和传动轴122,滚轮121用于承载待蚀刻元件,例如LCD的设置有ITO(Indium tin oxide,氧化铟锡)的玻璃基板,传动轴122可以在电机等驱动机构的驱动下以传动轴122的中线为轴线进行绕轴旋转,从而带动固定于其上的滚轮121转动,以此传动设置有ITO的玻璃基板按照预定蚀刻方向进行移动。
所述蚀刻腔室10的清洗组件包括位于第一喷淋机构11上方的第二喷淋机构13,该第二喷淋机构13用于在第一喷淋机构11停止喷淋蚀刻液时喷淋清洗液,以对第一喷淋机构11进行清洗。所述该第二喷淋机构13相当于蚀刻腔室10内增加的一清洗喷淋机构,该第二喷淋机构13可以位于蚀刻腔室10的封盖(cover)的下方,只要在第一喷淋机构11停止喷淋蚀刻液时,该清洗喷淋机构都可以随时对蚀刻腔室10内进行清洗,而不必仅在蚀刻腔室10进行保养时才进行清洗。
其中,本实施例可以根据蚀刻液选择对应的清洗液,例如清洗液可以为去离子水,通过去离子水溶解草酸溶液挥发产生的结晶体。
相比较于现有技术,本实施例的清洗组件在蚀刻腔室10进行保养之外,有更多时机对蚀刻腔室内部进行清洗,减少在第一喷淋机构11的管体111接头及其上方、以及蚀刻腔室10的封盖等位置的结晶体,从而降低由结晶体导致的危害,例如避免结晶体避免损伤滚轮组件12以及设置有ITO的玻璃基板,以确保LCD的显示品质。另外,在对蚀刻设备进行保养而打开蚀刻腔室时,本实施例能够减少结晶体被操作人员吸入的几率,从而降低对人体造成伤害的风险。
在实际应用场景中,第二喷淋机构13可以包括电机、喷淋管131以及设置于喷淋管131上的多个喷淋嘴(nozzle)132。喷淋管131内部中空并用于通入清洗液。电机与喷淋管131连接并用于驱动喷淋管131以喷淋管131的中线为轴线进行绕轴旋转,从而带动多个喷淋嘴132旋转。在旋转过程中,如图2箭头方向所示,喷淋嘴132可以绕轴以360°角度喷淋清洗液,从而在上下左右四个方向对蚀刻腔室10内部进行清洗,提高清洗效果,进一步减少蚀刻液挥发产生的结晶体。
其中,喷淋管131可以采用耐酸碱材质制得,其材质包括但不限于PVC(Polyvinylchloride,聚氟乙烯)、PE(Polyethylene,聚乙烯)、PP(Polypropylene,聚丙烯)、PFA(Polytetrafluoro ethylene,聚四氟乙烯)。并且,本发明一实施例可以由PLC(Programmable Logic Controller,可编程逻辑控制器)控制喷淋管131和喷淋嘴132的旋转方向极易转速,还可以控制喷淋嘴132的喷淋量。
另外,各个喷淋嘴132喷淋清洗液的形状可以呈圆锥状,以较大的喷淋面积提高单个喷淋嘴132的清洗面积。
结合图1和图3所示,在本发明一实施例中,多个喷淋嘴132可以呈螺旋状分布于喷淋管131的表面,能够确保在喷淋管131旋转过程的任意时刻内各个方向上均有喷淋管131喷淋清洗液,从而实现以较少数量的喷淋管131实现良好的清洗效果。
请参阅图4,为本发明一实施例的蚀刻腔室的清洗方法。所述蚀刻腔室的清洗方法可以包括以下步骤S41和S42。
S41:将第二喷淋机构设置于第一喷淋机构的上方,所述第一喷淋机构用于喷淋蚀刻液以对所述蚀刻腔室内的待蚀刻元件进行蚀刻。
S42:在第一喷淋机构停止喷淋蚀刻液时,第二喷淋机构喷淋清洗液,对第一喷淋机构进行清洗。
本实施例的清洗方法可以基于上述实施例的清洗组件,基于此,在步骤S42中,可以向第二喷淋机构的内部中空的喷淋管通入清洗液,由电机驱动喷淋管绕轴旋转,并带动喷淋管上的喷淋嘴旋转,通过喷淋嘴喷淋清洗液,从而对蚀刻腔室内部进行清洗。其中,多个喷淋嘴可以呈螺旋状分布于喷淋管的表面。
由于本实施例的清洗方法采用上述清洗组件,因此具有与其相同的有益效果。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,例如各实施例之间技术特征的相互结合,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种蚀刻腔室内的清洗组件,其特征在于,所述蚀刻腔室内设置有第一喷淋机构,用于喷淋蚀刻液,以对所述蚀刻腔室内的待蚀刻元件进行蚀刻,所述清洗组件包括第二喷淋机构,所述第二喷淋机构设置于所述第一喷淋机构的上方,用于在所述第一喷淋机构停止喷淋蚀刻液时喷淋清洗液,以对所述第一喷淋机构进行清洗。
2.根据权利要求1所述的清洗组件,其特征在于,所述第二喷淋机构包括喷淋管以及设置于所述喷淋管上的多个喷淋嘴,所述喷淋管内部中空并用于通入清洗液,所述喷淋嘴用于喷淋清洗液。
3.根据权利要求2所述的清洗组件,其特征在于,所述多个喷淋嘴呈螺旋状分布于所述喷淋管的表面。
4.根据权利要求2或3所述的清洗组件,其特征在于,所述第二喷淋机构还包括与所述喷淋管连接的电机,所述电机用于驱动所述喷淋管绕轴旋转,从而带动所述喷淋嘴旋转。
5.根据权利要求1所述的清洗组件,其特征在于,所述喷淋嘴喷淋清洗液的形状包括圆锥状。
6.一种具有自动清洗功能的蚀刻腔室,其特征在于,所述蚀刻腔室包括上述权利要求1~5任一项所述的清洗组件。
7.一种蚀刻腔室的清洗方法,其特征在于,所述清洗方法包括:
将第二喷淋机构设置于第一喷淋机构的上方,所述第一喷淋机构用于喷淋蚀刻液以对所述蚀刻腔室内的待蚀刻元件进行蚀刻;
在所述第一喷淋机构停止喷淋蚀刻液时,所述第二喷淋机构喷淋清洗液,对所述第一喷淋机构进行清洗。
8.根据权利要求7所述的清洗方法,其特征在于,所述第二喷淋机构包括内部中空的喷淋管以及设置于所述喷淋管上的多个喷淋嘴,
所述第二喷淋机构喷淋清洗液,包括:
向所述喷淋管通入清洗液;
通过所述喷淋嘴喷淋清洗液。
9.根据权利要求8所述的清洗方法,其特征在于,所述多个喷淋嘴呈螺旋状分布于所述喷淋管的表面。
10.根据权利要求8或9所述的清洗方法,其特征在于,所述第二喷淋机构还包括与所述喷淋管连接的电机,
所述第二喷淋机构喷淋清洗液,还包括:
所述电机驱动所述喷淋管绕轴旋转,并带动所述喷淋嘴旋转。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710209730.6A CN106971933B (zh) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710209730.6A CN106971933B (zh) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106971933A true CN106971933A (zh) | 2017-07-21 |
CN106971933B CN106971933B (zh) | 2018-10-19 |
Family
ID=59336964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710209730.6A Active CN106971933B (zh) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106971933B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107424945A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种湿制程机台的腔室 |
CN107424946A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种加工基板的设备 |
CN108212883A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于清洁湿法蚀刻机的缓冲单元的快门的装置和方法 |
CN108380564A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-08-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 具有自动清洗功能的显影腔室及其清洗组件、清洗方法 |
CN108511370A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-07 | 安徽三电光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池生产用蚀刻装置 |
CN110739372A (zh) * | 2019-08-28 | 2020-01-31 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 发光二极管外延生长反应腔的恢复方法及其外延生长方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040104199A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-06-03 | Nec Lcd Technologies Ltd | Combined wet etching method for stacked films and wet etching system used for same |
CN102473628A (zh) * | 2009-08-04 | 2012-05-23 | 诺发系统有限公司 | 用于半导体处理中的铜移除及平面化的湿蚀刻方法 |
CN104681471A (zh) * | 2015-03-12 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 湿法刻蚀设备 |
CN204544533U (zh) * | 2014-12-31 | 2015-08-12 | 安徽省大富光电科技有限公司 | 一种喷淋装置 |
CN104858195A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种喷淋装置和清洗设备 |
-
2017
- 2017-03-31 CN CN201710209730.6A patent/CN106971933B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040104199A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-06-03 | Nec Lcd Technologies Ltd | Combined wet etching method for stacked films and wet etching system used for same |
CN102473628A (zh) * | 2009-08-04 | 2012-05-23 | 诺发系统有限公司 | 用于半导体处理中的铜移除及平面化的湿蚀刻方法 |
CN204544533U (zh) * | 2014-12-31 | 2015-08-12 | 安徽省大富光电科技有限公司 | 一种喷淋装置 |
CN104681471A (zh) * | 2015-03-12 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 湿法刻蚀设备 |
CN104858195A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种喷淋装置和清洗设备 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107424945A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种湿制程机台的腔室 |
CN107424946A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种加工基板的设备 |
CN107424946B (zh) * | 2017-07-25 | 2020-02-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种加工基板的设备 |
CN107424945B (zh) * | 2017-07-25 | 2020-07-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种湿制程机台的腔室 |
CN108212883A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于清洁湿法蚀刻机的缓冲单元的快门的装置和方法 |
CN108380564A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-08-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 具有自动清洗功能的显影腔室及其清洗组件、清洗方法 |
CN108511370A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-07 | 安徽三电光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池生产用蚀刻装置 |
CN108511370B (zh) * | 2018-03-29 | 2020-06-30 | 安徽三电光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池生产用蚀刻装置 |
CN110739372A (zh) * | 2019-08-28 | 2020-01-31 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 发光二极管外延生长反应腔的恢复方法及其外延生长方法 |
CN110739372B (zh) * | 2019-08-28 | 2020-12-04 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 发光二极管外延生长反应腔的恢复方法及其外延生长方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106971933B (zh) | 2018-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106971933B (zh) | 具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法 | |
US10744544B2 (en) | Cleaning apparatus | |
JP5123122B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
TWI531423B (zh) | 處理杯洗淨方法,基板處理方法及基板處理裝置 | |
US11338336B2 (en) | Coating machine, coating system and cleaning method for coating machine | |
US20140261572A1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
CN105006424A (zh) | 单片式湿法清洗方法 | |
CN105983546A (zh) | 晶圆清洗方法 | |
CN203955646U (zh) | 晶圆清洗装置 | |
US20190244836A1 (en) | Apparatus and method for wet process on semiconductor substrate | |
CN103834948B (zh) | 一种双槽沟槽蚀刻机 | |
CN109887871B (zh) | 晶圆洗边装置其使用方法及一保护罩 | |
CN104246988A (zh) | 药液处理装置 | |
JP2014179566A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN108475630A (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
CN203782236U (zh) | 一种双槽沟槽蚀刻机 | |
CN108380564A (zh) | 具有自动清洗功能的显影腔室及其清洗组件、清洗方法 | |
CN206961798U (zh) | 基板处理装置和喷头清洗装置 | |
JP2014150135A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2014150136A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101121194B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN203707094U (zh) | 一种晶圆边缘清洗装置 | |
CN207154257U (zh) | 光学膜片清洗装置 | |
KR100894224B1 (ko) | 기판 세정용 롤브러시 구동장치 | |
KR20160116563A (ko) | 세정시스템의 관절장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: No.9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: No.9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |