CN106960861A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106960861A CN106960861A CN201710019817.7A CN201710019817A CN106960861A CN 106960861 A CN106960861 A CN 106960861A CN 201710019817 A CN201710019817 A CN 201710019817A CN 106960861 A CN106960861 A CN 106960861A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display device
- discrete regions
- insulating barrier
- viewing area
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 74
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 21
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 18
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 241000271566 Aves Species 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 2
- 244000144992 flock Species 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
- E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
- E06B7/00—Special arrangements or measures in connection with doors or windows
- E06B7/28—Other arrangements on doors or windows, e.g. door-plates, windows adapted to carry plants, hooks for window cleaners
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47L—DOMESTIC WASHING OR CLEANING; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47L1/00—Cleaning windows
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
- E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
- E06B3/00—Window sashes, door leaves, or like elements for closing wall or like openings; Layout of fixed or moving closures, e.g. windows in wall or like openings; Features of rigidly-mounted outer frames relating to the mounting of wing frames
- E06B3/32—Arrangements of wings characterised by the manner of movement; Arrangements of movable wings in openings; Features of wings or frames relating solely to the manner of movement of the wing
- E06B3/34—Arrangements of wings characterised by the manner of movement; Arrangements of movable wings in openings; Features of wings or frames relating solely to the manner of movement of the wing with only one kind of movement
- E06B3/42—Sliding wings; Details of frames with respect to guiding
- E06B3/46—Horizontally-sliding wings
- E06B3/4636—Horizontally-sliding wings for doors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
公开了一种显示装置。在一方面，所述显示装置包括基底，所述基底包括显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域。显示装置还包括设置在所述显示区域中的多个显示元件。显示装置还包括设置在所述显示区域和所述外围区域中的绝缘层，其中，所述绝缘层具有设置在基底的外围区域中的非连续区域。
Description
本申请要求于2016年1月11日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0003335号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
描述的技术总体上涉及一种显示装置。
背景技术
通常，显示装置能够用作独立面板，或更频繁地，能够用作各种电子产品的组件。例如，显示装置可为诸如智能手机或平板电脑的移动装置的一部分。当在制造或使用期间在显示装置的显示区域出现裂纹时，存在图像显示的问题。例如，图像无法正确地显示在显示区域的破裂区域上。
发明内容
一个发明方面涉及一种显示装置，所述显示装置能够减少在制造或使用显示装置期间在显示区域中出现裂纹。
另一方面是一种显示装置，所述显示装置包括：基底，具有显示区域和在显示区域外侧并围绕显示区域的外围区域；多个显示元件，设置在显示区域中；绝缘层，设置在基底上方，并具有在基底的外围区域的至少一部分中的非连续区域。
根据一个或更多个实施例，基底可包括具有内向缩进的缩进部的边界，非连续区域可设置在缩进部和显示区域之间。
根据一个或更多个实施例，基底的缩进部可在朝向显示区域的方向上缩进。
根据一个或更多个实施例，非连续区域可沿显示区域的边界延伸。
根据一个或更多个实施例，绝缘层可包括具有第一非连续区域的第一绝缘层和具有第二非连续区域的第二绝缘层，非连续区域可包括第一非连续区域和第二非连续区域彼此叠置的部分。
根据一个或更多个实施例，第一绝缘层的第一非连续区域的侧表面和第二绝缘层的第二非连续区域的侧表面可形成连续表面。
根据一个或更多个实施例，绝缘层可在其最接近非连续区域的部分处直接接触基底的上表面。
根据一个或更多个实施例，显示装置还可包括虚设焊盘，虚设焊盘具有设置在基底的上方并在一个方向上延伸的部分。
根据一个或更多个实施例，虚设焊盘可包括非连续部分。
根据一个或更多个实施例，非连续部分的至少一部分可与非连续区域叠置。
根据一个或更多个实施例，显示装置可还包括具有附加非连续区域并覆盖虚设焊盘的附加绝缘层。
根据一个或更多个实施例，附加非连续区域的至少一部分可与非连续区域叠置。
根据一个或更多个实施例，绝缘层的非连续区域的侧表面与附加绝缘层的附加非连续区域的侧表面可形成连续表面。
根据一个或更多个实施例，虚设焊盘可包括非连续部分，附加非连续区域可与非连续区域和非连续部分叠置。
根据一个或更多个实施例，绝缘层的非连续区域的侧表面、虚设焊盘的非连续部分的侧表面以及附加绝缘层的附加非连续区域的侧表面在非连续区域、非连续部分和附加非连续区域彼此叠置的叠置部分处形成连续表面。
根据一个或更多个实施例，绝缘层可包括无机材料。
根据一个或更多个实施例，显示装置还可包括覆盖绝缘层的非连续区域的保护层。
根据一个或更多个实施例，显示装置还可包括覆盖多个显示元件的每个像素电极的边界的像素限定膜，保护层可包括与像素限定膜相同的材料。
根据一个或更多个实施例，像素限定膜可从显示区域延伸至外围区域中，保护层可为像素限定膜的一部分。
根据一个或更多个实施例，绝缘层可延伸至显示区域内。
另一方面是一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和与显示区域相邻的外围区域；多个显示元件，设置在显示区域中；绝缘层，设置在显示区域和外围区域中，其中，绝缘层具有设置在基底的外围区域中的非连续区域。
在上述显示装置中，基底具有外边界，所述外边界的一部分朝向显示区域缩进，其中，所述非连续区域设置在所述外边界的缩进部分和显示区域之间。在上述显示装置中，缩进部分的横截面具有半圆形状，其中，所述横截面与基底平行。在上述显示装置中，外边界具有非缩进部分，其中，非连续区域沿与基底的外边界的非缩进部分平行的方向延伸。在上述显示装置中，绝缘层包括具有第一非连续区域的第一绝缘层和具有第二非连续区域的第二绝缘层，其中，所述非连续区域包括在显示装置的深度维度上第一非连续区域和第二非连续区域彼此叠置的叠置部分。
在上述显示装置中，第一绝缘层的第一非连续区域的侧表面和第二绝缘层的第二非连续区域的侧表面形成连续表面。在上述显示装置中绝缘层在其最接近非连续区域处直接接触基底的上表面。上述显示装置还包括：虚设焊盘，包括设置在基底的上方并在一个方向上延伸的部分。在上述显示装置中，虚设焊盘包括非连续部分。在上述显示装置中，虚设焊盘的非连续部分在显示装置的深度维度上与非连续区域至少部分地叠置。上述显示装置还包括：附加绝缘层，包括附加非连续区域并覆盖虚设焊盘。
在上述显示装置中，附加非连续区域在显示装置的深度维度上与非连续区域至少部分地叠置。在上述显示装置中，绝缘层的非连续区域的侧表面与附加绝缘层的附加非连续区域的侧表面形成连续表面。在上述显示装置中，虚设焊盘包括非连续部分，其中，所述附加非连续区域在显示装置的深度维度上与非连续区域和非连续部分叠置。在上述显示装置中，绝缘层的非连续区域的侧表面、虚设焊盘的非连续部分的侧表面以及附加绝缘层的附加非连续区域的侧表面在非连续区域、非连续部分和附加非连续区域彼此叠置的叠置部分处形成连续表面。
在上述显示装置中，绝缘层由无机材料形成。上述显示装置还包括：保护层，覆盖绝缘层的非连续区域。上述显示装置还包括：像素限定膜，覆盖所述多个显示元件的每个像素电极的边界，其中，保护层由与像素限定膜相同的材料形成。在上述显示装置中，像素限定膜从显示区域延伸至外围区域，其中，保护层是像素限定膜的一部分。在上述显示装置中，绝缘层延伸至显示区域中。在上述显示装置中，绝缘层形成在显示区域和外围区域中，其中，绝缘层在显示区域中是连续的并从显示区域连续地延伸至显示区域与外围区域之间的边界。
另一方面是一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和与显示区域相邻的外围区域；多个显示元件，设置在显示区域中；绝缘层，设置在显示区域和外围区域中，其中，绝缘层在显示区域中是连续的，在外围区域中是不连续的。
在上述显示装置中，绝缘层包括：多层绝缘层，其中，开口形成在设置在外围区域中的绝缘层中，以暴露基底。在上述显示装置中，开口具有相对于基底倾斜的侧壁。上述显示装置还包括：保护层，覆盖设置在外围区域中的绝缘层并至少部分地填充开口。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显并更容易理解。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的平面图。
图2是沿图1的线II-II截取的剖视图。
图3是示意性地示出作为对比示例的显示装置的平面图。
图4是示意性地示出根据另一实施例的显示装置的平面图；
图5是示意性地示出根据另一实施例的显示装置的平面图。
图6是示意性地示出根据另一实施例的显示装置的剖视图；
图7是示意性地示出根据另一实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
本实施例可具有不同形式和各种实施例，并且不应被解释为受限于在此阐述的具体实施方式。因此，下文仅通过参照附图描述了实施例，以解释本说明书的方面。
现在将详细参考实施例，附图中示出了实施例的示例，其中同样的附图标记始终指示同样的元件。将省略其重复描述。
为了便于解释，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，由于附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意示出的，因此以下实施例不限于此。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并可以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或可代表彼此不垂直的不同方向。
如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个”的表达位于一列元件列之后时，修饰整列的元件而不修饰所述列中的单个元件。
在本公开中，术语“基本上”包括完全、几乎完全或者根据本领域技术人员在某些应用下的任何显著程度上的含义。此外，“形成、设置在……上方或者放置在……上方”也可以意味着“形成、设置或放置在……上”。术语“连接”包括电连接。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置10的平面图，图2是沿图1的线II-II截取的剖视图。图2示出了显示装置10为具有有机发光元件300的有机发光显示装置。
显示装置10包括基底100，基底100包括：显示区域DA，包括有机发光元件300作为显示元件；外围区域PA，作为非显示区域，设置在显示区域DA的外侧并围绕显示区域DA。基底100可包括诸如玻璃材料、金属材料和塑料材料的各种材料中的至少一种。
薄膜晶体管210设置在基底100的显示区域DA中，有机发光元件300也可设置在显示区域DA中并可电连接到薄膜晶体管210。在此，“有机发光元件300电连接到薄膜晶体管210”可理解为“像素电极310电连接到薄膜晶体管210”。此外，薄膜晶体管(未示出)可设置在基底100的外围区域PA中。设置在外围区域PA中的薄膜晶体管可为控制施加到显示区域DA的电信号的电路单元的一部分。
薄膜晶体管210可包括半导体层211、栅电极213、源电极215和漏电极217，薄膜晶体管210可包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。缓冲层110可设置在基底100上，可使基底100的表面平坦或防止外来物质渗透进半导体层211中，并且可包括氧化硅或氮化硅。半导体层211可设置在缓冲层110上。
栅电极213设置在半导体层211的上表面的上方，并根据施加到栅电极213的信号来与源电极215和漏电极217电通信。考虑到与相邻层的粘合性、将要堆叠的层的表面平坦度和可加工性，栅电极213可包括单层或多层，所述单层或多层包括在例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)之中的一种或更多种材料。这里，栅极绝缘层120可设置在半导体层211和栅电极213之间并可包括氧化硅和/或氮化硅，以使半导体层211和栅电极213彼此绝缘。
层间绝缘层130可设置在栅电极213的上表面的上方，并且可包括包含氧化硅或氮化硅的单层或多层。
源电极215和漏电极217设置在层间绝缘层130的上表面的上方。源电极215和漏电极217可通过形成在栅极绝缘层120和层间绝缘层130中的接触孔而电连接至半导体层211。考虑到导电性，源电极215和漏电极217可为单层或多层，所述单层或多层包括在例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)之中的一种或更多种材料。
保护膜140可被设置为覆盖薄膜晶体管210，以保护薄膜晶体管210。保护膜140可包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。保护膜140可包括单层或多层。
平坦化层(未示出)可设置在保护膜140的上方。虽然图2示出了保护膜140的上表面是平坦的，但是当保护膜140包括无机材料时，根据设置在保护膜140下方的薄膜晶体管210的曲线，保护膜140可具有弯曲的上表面。当有机发光元件300设置在薄膜晶体管210的上方时，平坦化层可通常使覆盖薄膜晶体管210的保护膜140的上表面平坦化。平坦化层可包括丙烯酰类有机材料或苯并环丁烯(BCB)。
如果需要的话，显示装置10可包括保护膜140和平坦化层两者，或者包括护膜140和平坦化层中的仅一个。
有机发光元件300可设置在显示区域DA中，可设置在平坦化层上方，并且可以包括像素电极310、对电极330、以及位于像素电极310和对电极330之间且具有发射层的中间层320。中间层320可在显示装置10的深度维度上与TFT 210叠置。
开口形成在保护膜140中，薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217中的至少一个通过开口被暴露。像素电极310设置在保护膜140或平坦化层的上方，并通过经由开口接触源电极215和漏电极217中的一个来电连接到薄膜晶体管210。像素电极310可以包括(半)透明电极或反射电极。当像素电极310包括(半)透明电极时，像素电极310可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化锌铝(AZO)。当像素电极310包括反射电极时，像素电极310可包括具有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或他们的混合物的反射层以及包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化锌铝(AZO)的层。然而，本公开不限于此。像素电极310可包括各种材料中的至少一种，像素电极310的结构可包括各种变型，例如，诸如单层和多层。
像素限定膜150可设置在平坦化层的上表面的上方。像素限定膜150包括与子像素对应的开口，即，至少暴露像素电极310的中心部分的开口，以限定像素。如图2中所示，像素限定膜150增大像素电极310与设置在像素电极310的上方的对电极330的边界之间的距离，以防止在像素电极310的边界处发生电弧。像素限定膜150可包括诸如聚酰亚胺的有机材料。
有机发光元件300的中间层320可包括小分子材料或聚合物。当中间层320包括小分子材料时，中间层320可包括包含空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)的单一或复杂的结构的堆叠结构，并可包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料。可根据真空沉积方法形成上述层。
当中间层320包括聚合物时，中间层320可包括包含HTL和发射层(EML)的结构。这里，HTL包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，EML包括聚苯撑乙烯撑(PPV)类聚合物或聚芴类聚合物。可根据丝网印刷或喷墨印刷方法或激光诱导热成像方法形成中间层320。
中间层320不限于上述材料和结构，并可具有各种结构和变型。
如图2中所示，对电极330设置在显示区域DA上方并覆盖显示区域DA。即，对电极330可为在多个有机发光元件300上方的单体，以与多个像素电极310对应。对电极330可包括(半)透明电极或反射电极。如果对电极330包括(半)透明电极，则对电极330可包括作为具有低可加工性的金属的包含锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或他们的混合物的层，以及ITO、IZO、ZnO或In2O3的(半)透明导电层。如果对电极330包括反射电极，对电极330可包括包含锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或他们的混合物的层。然而，对电极330的结构和材料不限于此，对电极330的结构和材料可包括各种变型。
上述缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可共同被称为绝缘层IL。缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130均可包括无机材料，诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅，包括无机材料的这些非导电层可被共同称为绝缘层IL。即，绝缘层IL可为包括无机化合物的多层。由于缓冲层110直接设置在基底100上，因此，绝缘层IL可被称为直接接触基底100的上表面并包括无机化合物的层。
绝缘层IL可设置在外围区域PA中，也可设置在显示区域DA中。因此，绝缘层IL可理解为从外围区域PA延伸至显示区域DA的层或理解为从显示区域DA延伸至外围区域PA的层。绝缘层IL可包括非连续区域或不连续区域，例如，如在图1和图2中所示，在基底100的外围区域PA的至少一部分中的第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA。即，绝缘层IL在绝缘层IL的最接近第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA的部分处接触基底100的上表面并包括具有无机材料的层。
例如，缓冲层110可为第一绝缘层，并可包括第一非连续区域110DA，栅极绝缘层120可为第二绝缘层并可包括第二非连续区域120DA，层间绝缘层130可为第三绝缘层并可包括第三非连续区域130DA。非连续区域可为第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA彼此叠置的区域。在图2中，第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA彼此匹配，缓冲层110的第一非连续区域110DA的侧表面、栅极绝缘层120的第二非连续区域120DA的侧表面、层间绝缘层130的第三非连续区域130DA的侧表面可形成从层间绝缘层130的顶表面到基底100的顶表面连续的连续表面CS。非连续区域110DA-130DA可形成暴露基底100的开口。在一些实施例中，如在图2中所示，开口具有相对于基底100倾斜的侧壁。在其他实施例中，开口具有基本垂直于基底100的侧壁。开口的侧壁可为弯曲的或线性的。当在显示装置的制造工艺期间同时使缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130图案化以形成第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA时，可形成连续表面CS。
相反，绝缘层IL可包括两层绝缘层，即，第一绝缘层和第二绝缘层。绝缘层IL的非连续区域可为第一绝缘层的第一非连续区域110DA与第二绝缘层的第二非连续区域120DA彼此叠置的区域。虽然绝缘层IL可包括多层绝缘层，即，第一绝缘层和第二绝缘层，虽然第一绝缘层的第一非连续区域110DA和第二绝缘层的第二非连续区域120DA可包括彼此叠置的区域但可以彼此部分重叠，但是第一绝缘层的第一非连续区域110DA的侧表面与第二绝缘层的第二非连续区域120DA的侧表面可以彼此不匹配，因此不形成连续表面CS。
在制造显示装置或在制造显示装置之后使用显示装置期间，压力会被施加到绝缘层IL。例如，由于诸如智能手机或智能平板的便携式电子装置通常具有触摸屏功能，因此当显示装置在其使用期间被重复地触摸时，压力被连续地施加到显示装置。除了上述压力之外，外部冲击也会施加到显示装置上。当压力被施加到显示装置时，绝缘层IL中会出现裂纹。如果裂纹没有出现在显示区域DA中而出现在外围区域PA中，则当裂纹出现时，此刻裂纹不会直接影响显示在显示区域DA上的图像。然而，一旦裂纹出现在绝缘层IL中，则即使小冲击也会延长绝缘层IL中的裂纹的长度和尺寸，之后，裂纹会从外围区域PA延伸至显示区域DA的内侧中。在这种情况下，在显示区域DA中会产生缺陷像素。
然而，在根据实施例的显示装置中，绝缘层IL的外围区域PA的至少一部分可包括第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA。当绝缘层IL包括第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA时，即使裂纹出现在绝缘层IL中并且裂纹的长度被延长，裂纹也可以不穿过或延伸超过第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA。因此，根据实施例的显示装置可防止或减少上述缺陷的出现。
具体地，如图1中所示，基底100可包括具有沿向内(-x)方向(即，沿着朝向显示区域DA的方向)缩进的缩进部(indent)ID，所述缩进部ID的与基底平行的横截面可以具有半圆形状。当显示装置是诸如智能手机或智能平板的电子装置的一部分时，电子装置可能需要在电子装置中包括按键或照相机单元的空间，即，缩进部ID。在这种情况下，具有缩进部ID的边界并非直线，因此，绝缘层IL的与缩进部ID相邻的一部分与绝缘层IL的其他部分相比会接收不均匀的力。因此，裂痕会出现在绝缘层IL的与缩进部ID相邻的部分处。具体地，如上所述，当按键设置在缩进部ID处并在电子装置的使用期间被多次点击时，外力被重复地施加到绝缘层IL的与缩进部ID相邻的部分，因此，裂纹会出现在绝缘层IL的与缩进部ID相邻的部分处。
如图3中所示，在对比的显示装置中，当裂纹出现在与缩进部ID相邻的绝缘层IL处时，裂纹的长度延长并延伸至显示区域DA中。在这种情况下，在显示区域DA中产生了缺陷像素。
然而，在根据实施例的显示装置中，绝缘层IL在外围区域PA的至少一部分中包括第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA。诸如，当绝缘层IL包括第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA时，即使裂纹出现在绝缘层IL中并且裂纹的长度延长，裂纹也无法通过穿过第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA而延长和延伸。因此，在根据实施例的显示装置中防止了或减少了缺陷。具体地，如在图1中所示，由于绝缘层IL包括在缩进部ID和显示区域DA之间的第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA，因此即使在绝缘层IL中在缩进部ID的附近出现裂纹，也可防止裂纹延伸至显示区域DA中。
如图4中所示，绝缘层IL的第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA可沿着显示装置的显示区域DA的边界延伸。虽然图4示出了绝缘层IL的第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA沿显示区域DA的缩进部ID的方向的边界延伸，但本公开不限与此。例如，绝缘层IL的第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA可围绕显示区域DA。此外，如图5中所示，在根据另一实施例的显示装置中，绝缘层IL的第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA可设置在显示区域DA和缩进部ID之间并可具有围绕缩进部ID的形状。此结构可应用到随后将描述的实施例和变型中。
同时，如图2中所示，还可提供保护层150’以覆盖绝缘层IL的第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA。如图2中所示，保护层150’可基本填充由第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA限定的开口。保护层150’也可部分地填充开口。保护层150’可包括与显示区域DA的像素限定膜150相同的材料。此外，保护层150’可与像素限定膜150为单一体。在这种情况下，像素限定膜150可从显示区域DA延伸至外围区域PA中，保护层150’可为像素限定膜150的一部分。保护层150’可包括诸如聚酰亚胺的有机材料，并可保护外围区域PA中的绝缘层IL。由于保护层150’包括有机材料，所以裂纹不出现在绝缘层IL中，或者即使裂纹出现在绝缘层IL中，裂纹的长度也不会在绝缘层IL中逐渐延长。这被应用到上述实施例和变型，也可应用到随后将描述的实施例和变型。
图6是示意性地示出根据另一实施例的显示装置20的剖视图。如图6中所示，显示装置20包括在外围区域PA中的虚设焊盘213’。虚设焊盘213’可具有设置在绝缘层IL上的至少一部分并可具有在一个方向(+x方向)上延伸的形状。虚设焊盘213’可包括与显示区域DA的栅电极213相同的材料并可设置在与显示区域DA的栅电极213同一层上。这里，如图6中所示，虚设焊盘213’可包括非连续部分213’DP。此外，非连续部分213’DP的至少一部分可与绝缘层IL的第一非连续区域110DA至第三非连续区域130DA叠置。
如上所述，当裂纹出现在外围区域PA的绝缘层IL中时，由于绝缘层IL包括第一至第三非连续区域110DA、120DA和130DA，因此可防止裂纹生长到显示区域DA中。然而，当裂纹出现在虚设焊盘213’中时，裂纹会沿着虚设焊盘213’在朝向显示区域DA的方向上生长。在这种情况下，当虚设焊盘231’在显示区域DA内部延伸时，会导致裂纹沿着虚设焊盘213’生长至显示区域DA中。虽然虚设焊盘213’未在显示区域DA内部延伸而在外围区域PA中延伸，但是裂纹会沿虚设焊盘213’生长然后会沿绝缘层IL的至少一层生长，以进一步在显示区域DA的内部生长。
然而，在根据另一实施例的显示设备中，虚设焊盘213’可包括非连续部分213’DP。因此，可有效防止裂纹沿虚设焊盘213’在朝向显示区域DA的方向上生长。
同时，图7示意性地示出了根据另一实施例的显示装置30的剖视图。如图7中所示，显示装置30包括覆盖虚设焊盘213’的附加绝缘层140’。附加绝缘层140’可包括与显示区域DA的保护层140相同的材料。此外，附加绝缘层140’可与保护层140为单一体。在这种情况下，保护层140可从显示区域DA延伸至外围区域PA，附加绝缘层140’可被理解为保护层140的一部分。
与保护层140类似，附加绝缘层140’可包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。当裂纹出现在附加绝缘层140’中时，裂纹会朝向显示区域DA的内部生长。因此，附加绝缘层140’也可包括附加非连续区域140’DA，并可防止裂纹生长到显示区域DA中。
附加非连续区域140’DA的至少一部分可与绝缘层IL的第一非连续区域110DA至第三非连续区域130DA叠置。图7示出了附加非连续区域140’DA与绝缘层IL的第一非连续区域110DA至第三非连续区域130DA匹配，因此，缓冲层110的第一非连续区域110DA的侧表面、栅极绝缘层120的第二非连续区域120DA的侧表面、层间绝缘层130的第三非连续区域130DA的侧表面、虚设焊盘213’的非连续部分213’DP的侧表面以及附加绝缘层140’的附加非连续区域140’DA的侧表面可形成连续表面CS。在显示装置的制造工艺中，缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘层130、虚设焊盘213’以及附加绝缘层140’同时被图案化以分别形成第一非连续区域120DA至第三非连续区域130DA、非连续部分213’DP和附加非连续区域140’DA。
同时，与在图7中示出的虚设焊盘213’不同，虚设焊盘213’可以不包括非连续部分213’DP。例如，考虑到在图5中示出的平面图，设置虚设焊盘213’的部分可不同于设置第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA的部分，即，虚设焊盘213’可不与第一非连续区域110DA、第二非连续区域120DA和第三非连续区域130DA叠置。在这种情况下，虚设焊盘213’可以不包括非连续部分213’DP。然而，当附加绝缘层140’覆盖虚设焊盘213’时，附加绝缘层140’可包括附加非连续区域140’DA。这里，附加绝缘层140’的附加非连续区域140’DA的至少一部分可与第一非连续区域110DA至第三非连续区域130DA叠置。此外，附加绝缘层140’的附加非连续区域140’DA的侧表面和第一非连续区域110DA至第三非连续区域130DA的侧表面可形成连续表面。如随后描述的，这可应用到前面描述的实施例及其变型中。
到目前为止，本公开示出了绝缘层IL在基底100的外围区域PA中包括第一非连续区域110DA至第三非连续区域130DA。然而，本公开不限于此。例如，存在于基底100的外围区域PA中并包括无机材料的绝缘层可包括非连续区域，从而可以防止出现在外围区域PA中的裂纹生长到显示区域DA中。如果显示装置包括此结构，则显示装置也在本公开的范围内。
应理解的是，在此描述的示例实施例应仅以描述性意思来考虑，而不是出于限制的目的。对每个实施例中的特征和方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他相似的特征或方面。
尽管已经参照附图描述了本发明的技术，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求限定的精神和范围的情况下，可在其中做出形式和细节上的各种变化。
Claims (21)
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域；
多个显示元件，设置在所述显示区域中；以及
绝缘层，设置在所述显示区域和所述外围区域中，其中，所述绝缘层具有设置在所述基底的所述外围区域中的非连续区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底具有外边界，所述外边界的一部分朝向显示区域缩进，其中，所述非连续区域设置在所述外边界的缩进部分和显示区域之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述缩进部分的横截面具有半圆形状，所述横截面与所述基底平行。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述外边界具有非缩进部分，其中，所述非连续区域沿与所述基底的外边界的所述非缩进部分平行的方向延伸。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括具有第一非连续区域的第一绝缘层和具有第二非连续区域的第二绝缘层，其中，所述非连续区域包括在显示装置的深度维度上所述第一非连续区域和所述第二非连续区域彼此叠置的叠置部分。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层的所述第一非连续区域的侧表面和所述第二绝缘层的所述第二非连续区域的侧表面形成连续表面。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层在其最接近所述非连续区域的部分处直接接触所述基底的上表面。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
虚设焊盘，包括设置在所述基底的上方并在一个方向上延伸的部分。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述虚设焊盘包括非连续部分。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述虚设焊盘的所述非连续部分在所述显示装置的深度维度上与所述非连续区域至少部分地叠置。
11.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
附加绝缘层，包括附加非连续区域并覆盖所述虚设焊盘。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述附加非连续区域在所述显示装置的深度维度上与所述非连续区域至少部分地叠置。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述绝缘层的所述非连续区域的侧表面与所述附加绝缘层的所述附加非连续区域的侧表面形成连续表面。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，虚设焊盘包括非连续部分，其中，所述附加非连续区域在所述显示装置的深度维度上与所述非连续区域和所述非连续部分叠置。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述绝缘层的所述非连续区域的侧表面、所述虚设焊盘的所述非连续部分的侧表面以及所述附加绝缘层的所述附加非连续区域的侧表面在所述非连续区域、所述非连续部分和所述附加非连续区域彼此叠置的叠置部分处形成连续表面。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层由无机材料形成。
17.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述绝缘层的所述非连续区域的保护层。
18.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素限定膜，覆盖所述多个显示元件的每个像素电极的边界，
其中，所述保护层由与所述像素限定膜相同的材料形成。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，像素限定膜从所述显示区域延伸至所述外围区域中，其中，所述保护层是所述像素限定膜的一部分。
20.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层延伸至所述显示区域中。
21.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层形成在所述显示区域和所述外围区域中，其中，所述绝缘层在所述显示区域中是连续的并从所述显示区域连续地延伸至所述显示区域和所述外围区域之间的边界。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2016-0003335 | 2016-01-11 | ||
| KR1020160003335A KR102490890B1 (ko) | 2016-01-11 | 2016-01-11 | 디스플레이 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106960861A true CN106960861A (zh) | 2017-07-18 |
| CN106960861B CN106960861B (zh) | 2022-03-04 |
Family
ID=59275930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710019817.7A Active CN106960861B (zh) | 2016-01-11 | 2017-01-11 | 显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10038038B2 (zh) |
| KR (1) | KR102490890B1 (zh) |
| CN (1) | CN106960861B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107180923A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
| WO2019144504A1 (en) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, fabrication method thereof, display panel and display apparatus |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102451725B1 (ko) | 2017-12-20 | 2022-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| WO2019187029A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| KR102581675B1 (ko) | 2018-04-06 | 2023-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102620972B1 (ko) * | 2018-10-23 | 2024-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102601826B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2023-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 조명 장치 |
| KR20200100238A (ko) * | 2019-02-15 | 2020-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101013718A (zh) * | 2006-01-31 | 2007-08-08 | Tdk株式会社 | El面板 |
| CN100497223C (zh) * | 2004-10-08 | 2009-06-10 | 芝浦机械电子装置股份有限公司 | 脆性材料的切割加工系统及其方法 |
| CN101766057A (zh) * | 2007-07-31 | 2010-06-30 | 住友化学株式会社 | 有机电致发光装置的制造方法 |
| CN102347454A (zh) * | 2003-06-27 | 2012-02-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制作方法 |
| CN103811672A (zh) * | 2012-11-09 | 2014-05-21 | Em微电子-马林有限公司 | 制造oled显示设备的方法、获得的oled显示设备以及包括其的时钟 |
| CN103915467A (zh) * | 2013-01-03 | 2014-07-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN104124258A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
| US20150022430A1 (en) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device |
| US20150036299A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device |
| CN105074802A (zh) * | 2013-02-15 | 2015-11-18 | 乐金显示有限公司 | 具有柔性显示器的电子装置 |
| US20150379908A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and display device including the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101366862B1 (ko) | 2007-03-30 | 2014-02-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101641356B1 (ko) | 2009-08-11 | 2016-07-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 패널의 제조 방법 |
| JP5081933B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2012-11-28 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置及び照明装置 |
| KR20120063746A (ko) * | 2010-12-08 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101916949B1 (ko) | 2011-11-03 | 2018-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102038075B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2019-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102103421B1 (ko) * | 2013-02-07 | 2020-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102048922B1 (ko) | 2013-02-13 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 디스플레이 장치 |
| KR102374751B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백플레인 기판 및 이를 적용한 플렉서블 디스플레이 |
-
2016
- 2016-01-11 KR KR1020160003335A patent/KR102490890B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-01-10 US US15/403,079 patent/US10038038B2/en active Active
- 2017-01-11 CN CN201710019817.7A patent/CN106960861B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102347454A (zh) * | 2003-06-27 | 2012-02-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制作方法 |
| CN100497223C (zh) * | 2004-10-08 | 2009-06-10 | 芝浦机械电子装置股份有限公司 | 脆性材料的切割加工系统及其方法 |
| CN101013718A (zh) * | 2006-01-31 | 2007-08-08 | Tdk株式会社 | El面板 |
| CN101766057A (zh) * | 2007-07-31 | 2010-06-30 | 住友化学株式会社 | 有机电致发光装置的制造方法 |
| CN103811672A (zh) * | 2012-11-09 | 2014-05-21 | Em微电子-马林有限公司 | 制造oled显示设备的方法、获得的oled显示设备以及包括其的时钟 |
| CN103915467A (zh) * | 2013-01-03 | 2014-07-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN105074802A (zh) * | 2013-02-15 | 2015-11-18 | 乐金显示有限公司 | 具有柔性显示器的电子装置 |
| CN104124258A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
| US20150022430A1 (en) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device |
| US20150036299A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device |
| US20150379908A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and display device including the same |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107180923A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
| WO2019144504A1 (en) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, fabrication method thereof, display panel and display apparatus |
| US11380866B2 (en) | 2018-01-26 | 2022-07-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate with water-blocking structure, fabrication method thereof, display panel and display apparatus |
| US11785801B2 (en) | 2018-01-26 | 2023-10-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate with water-blocking structure, fabrication method thereof, display panel and display apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106960861B (zh) | 2022-03-04 |
| KR20170084413A (ko) | 2017-07-20 |
| US20170200775A1 (en) | 2017-07-13 |
| US10038038B2 (en) | 2018-07-31 |
| KR102490890B1 (ko) | 2023-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106960861A (zh) | 显示装置 | |
| US11038008B2 (en) | Display apparatus having reduced defects | |
| CN104253241B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| EP3131132B1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the display apparatus | |
| US10424759B2 (en) | Method of manufacturing an organic light-emitting display | |
| KR102081288B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| CN102903857B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| CN107799553A (zh) | 显示装置 | |
| US10386978B2 (en) | Display apparatus | |
| CN103389822A (zh) | 柔性显示装置和利用此的感测弯曲的方法 | |
| KR20110024531A (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| US9412802B2 (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR20100107313A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR20140045838A (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치용 어레이 기판 | |
| CN107039488A (zh) | 显示装置 | |
| CN105514141A (zh) | 有机发光显示设备 | |
| KR20150024729A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| CN103579285A (zh) | 有机发光显示设备及其制造方法 | |
| US12127450B2 (en) | Display apparatus having reduced defects |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |