CN106952984B - 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法 - Google Patents

一种提高光敏电阻的光催化性能的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106952984B
CN106952984B CN201710174543.9A CN201710174543A CN106952984B CN 106952984 B CN106952984 B CN 106952984B CN 201710174543 A CN201710174543 A CN 201710174543A CN 106952984 B CN106952984 B CN 106952984B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photo resistance
vacuum
photocatalysis performance
heavy metal
quantum dot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710174543.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106952984A (zh
Inventor
李阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yancheng Sheyang Ronggang Industrial Co., Ltd
Original Assignee
Hefei Rende Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Rende Electronic Technology Co Ltd filed Critical Hefei Rende Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201710174543.9A priority Critical patent/CN106952984B/zh
Priority to CN201810627606.6A priority patent/CN108711585A/zh
Priority to CN201810627505.9A priority patent/CN108807597A/zh
Publication of CN106952984A publication Critical patent/CN106952984A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106952984B publication Critical patent/CN106952984B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/0296Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H01L31/02963Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe characterised by the doping material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

本发明公开了一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,该方法的具体步骤为:将粒径为3~15nm重金属量子点在水或浓度为70~80%的酒精超声分散10~40min后,滴到光敏电阻原制作材料中研磨均匀,其中重金属量子点的用量为光敏电阻原制作材料质量的0.01%~0.2%;然后在真空条件下以500~1000℃高温焙烧1~4小时;将光敏电阻原制作材料放入真空装置中冷却到,直至光敏电阻原材料冷却到室温条件下。本发明所提供的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,可以大大提高光敏电阻的光催化性能,制作成本低,通过重金属的量子点可控且均匀的与光敏电阻原材料混合,并且大多数在真空条件下进行的,防止光敏电阻原材料在焙烧后容易被空气氧化,在整个工艺流程中不会产生污染环境的有害物质。

Description

一种提高光敏电阻的光催化性能的方法
技术领域
本发明属于电子产品领域,具体涉及一种提高光敏电阻的光催化性能的方法。
背景技术
光敏电阻也称为光导管,常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铅等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下,其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电,在外加电场的作用下作漂移运动,电子奔向电源的正极,空穴奔向电源的负极,从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。
光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体制成的特殊电阻器,其工作原理是基于内光电效应。光照愈强,阻值就愈低,随着光照强度的升高,电阻阻值就迅速降低,亮电阻值可小至1KΩ。光敏电阻对光线十分敏感,其在无光照条件下,呈高阻状态,暗电阻一般可达1.5MΩ。光敏电阻的特殊性能,随着科技的发展将得到极其广泛的应用。
光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器,又称为光电导探测器;入射光强,电阻减少,入射光弱,电阻增大。还有另一种入射光弱,电阻减小,入射光强,电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转化(将光的变化转换为电的变化)。
常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器,它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性(及光谱特性)与人眼对可见光(0.4~0.76)μm的响应很接近,只要人眼可感受的光,都会引起阻值的变化。设计光控电路,都用白炽灯泡(小电珠)光线或自然光线作为控制光源,使设计大为简化。
考量一个光敏电阻的性能还与其的光催化性能至关重要,光催化反应中使用的半导体催化剂大多数为半导体金属氧化物和硫化物,这与半导体本身的光电特性相关,因为半导体能带是不连续的。一般半导体具有较大的禁带宽度,有时称为宽带隙半导体。
当光子能量高于半导体吸收阈值的光照射半导体时,半导体的价带电子发生带间跃迁,即从价带跃迁,从而产生光生电子和空穴。
因此光敏电阻的光催化性能对于光敏电阻是至关重要的。
发明内容
针对上述问题,本发明要解决的技术问题是提供一种可以使得光敏电阻的光催化性能的方法,也就是提高光敏电阻的光能与化学能转化的敏感度。
为实现上述目的,本发明的技术方案为:一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,该方法的具体步骤为:
步骤1:将粒径为3~15nm重金属量子点在水或浓度为70~80%的酒精超声分散10~40min后,滴到光敏电阻原制作材料中研磨均匀,其中重金属量子点的用量为光敏电阻原制作材料质量的0.01%~0.2%,所述重金属为铅、锌、铁、钴、镍、锰、镉、汞中的一种或者他们的混合物;
步骤2:然后在真空条件下以500~1000℃高温焙烧1~4小时;
步骤3:将光敏电阻原制作材料放入真空装置中冷却,直至光敏电阻原材料冷却到室温条件下,然后即可用加工过后的光敏电阻原材料来制作光敏电阻了。
优选地,所述步骤2中的真空条件所保持的真空条件为0.01MPa~0.08MPa,所述步骤3中的真空装置所保持的真空条件的真空度为0.02MPa~0.10MPa。
优选地,所述步骤2中的真空条件所保持的真空条件为0.02MPa~0.06MPa,所述步骤3中的真空装置所保持的真空条件的真空度为0.04MPa~0.08MPa。
优选地,所述重金属量子点的制备方法为:将浓度为40~60%的丙醇溶剂在70~110℃回流30~40min后,加入微调剂搅拌至完全溶解,再滴加含重金属的盐或酸,其中微调液和重金属的质量比为1:1.5~1:6,搅拌2~10min使溶液之间反应直至溶液颜色改变,之后再用纯净水洗涤,放入真空离心装置中干燥,即得到重金属量子点。
优选地,所述真空离心装置中所保持的真空条件的真空度为0.2MPa~0.6MPa。
优选地,所述微调剂按照质量分数包括,聚乙烯4~10份、苯乙烯3~6份、三氯乙烯3~10份、二甲苯4~8份。
优选地,所述真空离心装置的旋转轴线以相对于垂直方向倾斜的方式设置。
优选地,所述真空离心装置旋转轴线相对于垂直方向倾斜的角度为20~30°。
本发明的有益效果在于:本发明所提供的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,可以大大提高光敏电阻的光催化性能,制作成本低,通过重金属的量子点可控且均匀的与光敏电阻原材料混合,并且大多数在真空条件下进行的,防止光敏电阻原材料在焙烧后容易被空气氧化,在整个工艺流程中不会产生污染环境的有害物质,经济环保。
具体实施方式
实施例1
一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,该方法的具体步骤为:
步骤1:将粒径为3nm重金属量子点在水或浓度为70%的酒精超声分散10min后,滴到光敏电阻原制作材料中研磨均匀,其中重金属量子点的用量为光敏电阻原制作材料质量的0.01%,所述重金属为铅、锌、铁、钴、镍、锰、镉、汞中的一种或者他们的混合物;
步骤2:然后在真空条件下以500℃高温焙烧1小时;
步骤3:将光敏电阻原制作材料放入真空装置中冷却,直至光敏电阻原材料冷却到室温条件下,然后即可用加工过后的光敏电阻原材料来制作光敏电阻了。
所述步骤2中的真空条件所保持的真空条件为0.01MPa,所述步骤3中的真空装置所保持的真空条件的真空度为0.02MPa。
所述重金属量子点的制备方法为:将浓度为40%的丙醇溶剂在70℃回流30min后,加入微调剂搅拌至完全溶解,再滴加含重金属的盐或酸,其中微调液和重金属的质量比为1:1.5,搅拌2min使溶液之间反应直至溶液颜色改变,之后再用纯净水洗涤,放入真空离心装置中干燥,即得到重金属量子点。
所述真空离心装置中所保持的真空条件的真空度为0.2MPa。
所述微调剂按照质量分数包括,聚乙烯4份、苯乙烯3份、三氯乙烯3份、二甲苯4份。
所述真空离心装置的旋转轴线以相对于垂直方向倾斜的方式设置。
所述真空离心装置旋转轴线相对于垂直方向倾斜的角度为20°。
实施例2
一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,该方法的具体步骤为:
步骤1:将粒径为9nm重金属量子点在水或浓度为75%的酒精超声分散25min后,滴到光敏电阻原制作材料中研磨均匀,其中重金属量子点的用量为光敏电阻原制作材料质量的0.1%,所述重金属为铅、锌、铁、钴、镍、锰、镉、汞中的一种或者他们的混合物;
步骤2:然后在真空条件下以600℃高温焙烧2小时;
步骤3:将光敏电阻原制作材料放入真空装置中冷却,直至光敏电阻原材料冷却到室温条件下,然后即可用加工过后的光敏电阻原材料来制作光敏电阻了。
所述步骤2中的真空条件所保持的真空条件为0.04MPa,所述步骤3中的真空装置所保持的真空条件的真空度为0.05MPa。
所述重金属量子点的制备方法为:将浓度为50%的丙醇溶剂在90℃回流35min后,加入微调剂搅拌至完全溶解,再滴加含重金属的盐或酸,其中微调液和重金属的质量比为1:3,搅拌6min使溶液之间反应直至溶液颜色改变,之后再用纯净水洗涤,放入真空离心装置中干燥,即得到重金属量子点。
所述真空离心装置中所保持的真空条件的真空度为0.4MPa。
所述微调剂按照质量分数包括,聚乙烯6份、苯乙烯4份、三氯乙烯6份、二甲苯6份。
所述真空离心装置的旋转轴线以相对于垂直方向倾斜的方式设置。
所述真空离心装置旋转轴线相对于垂直方向倾斜的角度为25°。
实施例3
一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,该方法的具体步骤为:
步骤1:将粒径为15nm重金属量子点在水或浓度为80%的酒精超声分散40min后,滴到光敏电阻原制作材料中研磨均匀,其中重金属量子点的用量为光敏电阻原制作材料质量的0.2%,所述重金属为铅、锌、铁、钴、镍、锰、镉、汞中的一种或者他们的混合物;
步骤2:然后在真空条件下以1000℃高温焙烧4小时;
步骤3:将光敏电阻原制作材料放入真空装置中冷却,直至光敏电阻原材料冷却到室温条件下,然后即可用加工过后的光敏电阻原材料来制作光敏电阻了。
所述步骤2中的真空条件所保持的真空条件为0.08MPa,所述步骤3中的真空装置所保持的真空条件的真空度为0.10MPa。
所述重金属量子点的制备方法为:将浓度为60%的丙醇溶剂在110℃回流40min后,加入微调剂搅拌至完全溶解,再滴加含重金属的盐或酸,其中微调液和重金属的质量比为1:6,搅拌10min使溶液之间反应直至溶液颜色改变,之后再用纯净水洗涤,放入真空离心装置中干燥,即得到重金属量子点。
所述真空离心装置中所保持的真空条件的真空度为0.6MPa。
所述微调剂按照质量分数包括,聚乙烯10份、苯乙烯6份、三氯乙烯10份、二甲苯8份。
所述真空离心装置的旋转轴线以相对于垂直方向倾斜的方式设置。
所述真空离心装置旋转轴线相对于垂直方向倾斜的角度为30°。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,其特征在于,该方法的具体步骤为:
步骤1:将粒径为3~15nm重金属量子点在水或浓度为70~80%的酒精超声分散10~40min后,滴到光敏电阻原制作材料中研磨均匀,其中重金属量子点的用量为光敏电阻原制作材料质量的0.01%~0.2%,所述重金属为铅、锌、铁、钴、镍、锰、镉、汞中的一种或者它们的混合物;
步骤2:然后在真空条件下以500~1000℃高温焙烧1~4小时;
步骤3:将光敏电阻原制作材料放入真空装置中冷却,直至光敏电阻原材料冷却到室温条件下,然后即可用加工过后的光敏电阻原材料来制作光敏电阻了。
2.根据权利要求1所述的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,其特征在于,所述步骤2中的真空条件所保持的真空条件为0.01MPa~0.08MPa,所述步骤3中的真空装置所保持的真空条件的真空度为0.02MPa~0.10MPa。
3.根据权利要求2所述的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,其特征在于,所述步骤2中的真空条件所保持的真空条件为0.02MPa~0.06MPa,所述步骤3中的真空装置所保持的真空条件的真空度为0.04MPa~0.08MPa。
4.根据权利要求1所述的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,其特征在于,所述重金属量子点的制备方法为:将浓度为40~60%的丙醇溶剂在70~110℃回流30~40min后,加入微调剂搅拌至完全溶解,再滴加含重金属的盐或酸,其中微调液和重金属的质量比为1:1.5~1:6,搅拌2~10min使溶液之间反应直至溶液颜色改变,之后再用纯净水洗涤,放入真空离心装置中干燥,即得到重金属量子点。
5.根据权利要求4所述的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,其特征在于,所述真空离心装置中所保持的真空条件的真空度为0.2MPa~0.6MPa。
6.根据权利要求4所述的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,其特征在于,所述微调剂按照质量分数包括,聚乙烯4~10份、苯乙烯3~6份、三氯乙烯3~10份、二甲苯4~8份。
7.根据权利要求4所述的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,其特征在于,所述真空离心装置的旋转轴线以相对于垂直方向倾斜的方式设置。
8.根据权利要求7所述的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法,其特征在于,所述真空离心装置旋转轴线相对于垂直方向倾斜的角度为20~30°。
CN201710174543.9A 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法 Active CN106952984B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710174543.9A CN106952984B (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法
CN201810627606.6A CN108711585A (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法
CN201810627505.9A CN108807597A (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710174543.9A CN106952984B (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810627505.9A Division CN108807597A (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法
CN201810627606.6A Division CN108711585A (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106952984A CN106952984A (zh) 2017-07-14
CN106952984B true CN106952984B (zh) 2018-08-03

Family

ID=59473687

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810627505.9A Withdrawn CN108807597A (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法
CN201810627606.6A Withdrawn CN108711585A (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法
CN201710174543.9A Active CN106952984B (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810627505.9A Withdrawn CN108807597A (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法
CN201810627606.6A Withdrawn CN108711585A (zh) 2017-03-22 2017-03-22 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (3) CN108807597A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108807597A (zh) * 2017-03-22 2018-11-13 合肥仁德电子科技有限公司 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108831962B (zh) * 2018-06-27 2020-06-12 金华市小狸新材料科技有限责任公司 一种提高光敏电阻灵敏度的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372611B1 (en) * 1997-01-24 2002-04-16 Nec Corporation Semiconductor manufacturing method including gettering of metal impurities
CN105688939A (zh) * 2016-02-29 2016-06-22 长春理工大学 基于能带调制的双重量子点敏化氧化物复合光催化材料

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100372130C (zh) * 2005-11-12 2008-02-27 南阳利达光电有限公司电子公司 光敏电阻及其制备方法
CN101585006A (zh) * 2009-06-26 2009-11-25 上海大学 提高金属氧化物半导体材料光催化性能的方法
CN101857430B (zh) * 2010-06-23 2012-10-10 湖南先导电子陶瓷科技产业园发展有限公司 一种钛酸盐系列电子陶瓷纳米晶体材料的合成方法
CN103334081B (zh) * 2013-06-07 2016-05-18 徐东 一种低温硒化制备cigs薄膜的方法
KR101781976B1 (ko) * 2015-04-08 2017-10-23 한국과학기술연구원 나노구조 하이브리드 입자 및 그 제조방법, 그리고 상기 입자를 포함하는 장치
CN105206700B (zh) * 2015-10-09 2017-03-22 南阳师范学院 一种可见光光敏电阻及其制作方法
CN105336798B (zh) * 2015-10-09 2017-02-01 南阳师范学院 一种光敏电阻及其制作方法
CN108807597A (zh) * 2017-03-22 2018-11-13 合肥仁德电子科技有限公司 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372611B1 (en) * 1997-01-24 2002-04-16 Nec Corporation Semiconductor manufacturing method including gettering of metal impurities
CN105688939A (zh) * 2016-02-29 2016-06-22 长春理工大学 基于能带调制的双重量子点敏化氧化物复合光催化材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108807597A (zh) * 2017-03-22 2018-11-13 合肥仁德电子科技有限公司 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106952984A (zh) 2017-07-14
CN108807597A (zh) 2018-11-13
CN108711585A (zh) 2018-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yousefi et al. The effect of defect emissions on enhancement photocatalytic performance of ZnSe QDs and ZnSe/rGO nanocomposites
Wu et al. Facile synthesis of a novel full-spectrum-responsive Co2. 67S4 nanoparticles for UV-, vis-and NIR-driven photocatalysis
CN106952984B (zh) 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法
Yin et al. Structurally stabilizing and environment friendly triggers: double‐metallic lead‐free perovskites
Qileng et al. Portable dual‐modular immunosensor constructed from bimetallic metal–organic framework heterostructure grafted with enzyme‐mimicking label for rosiglitazone detection
CN105883905B (zh) 一种光电材料CsPbBr3的制备方法
Ali et al. Unraveling the surface states related Stokes shift dependent electrocatalytic activity of N-doped carbon quantum dots for photovoltaic applications
CN107744825A (zh) 一种WO3/g‑C3N4B光催化剂的构筑及其制备和应用
Wang et al. Solution processing of V 2 VI 3 chalcogenides with a deep eutectic solvent for enhanced visible-light-driven hydrogen production
WO2023108950A1 (zh) 一种Z型α-Fe2O3/ZnIn2S4复合光催化剂的制备方法和应用
CN115472705A (zh) 一种光敏电阻材料及其制备方法
CN110201685B (zh) 一种具有调节能带位置功能的氯氧化铋的制备方法及应用
CN105854867A (zh) 一种氧化锌/氧化锡锑复合纳米材料的制备方法
CN108144599A (zh) 一种铋基复合光催化剂降解印染废水的处理工艺
Gao et al. Synergistic effect of upconversion and plasmons in NaYF 4: Yb 3+, Er 3+, Tm 3+@ TiO 2–Ag composites for MO photodegradation
Li et al. Surface-sulfurized Ag2O nanoparticles with stable full-solar-spectrum photocatalytic activity
CN105749950A (zh) 一种碳-氮共掺杂纳米二氧化钛的制备方法
Paul et al. Stimuli responsive multicolour fluorescence emission in carbon nanodots and application in metal free hydrogen evolution from water
CN109437298B (zh) 一种硫代亚锑酸钠纳米材料的制备方法
CN104941625B (zh) 一种黑色氧化锌及其制备方法
CN108554427B (zh) 一种In2O3/BiOI半导体复合光催化剂及其制备方法和用途
CN113804736B (zh) 铋/铋氧硒金属半导体异质结的制备方法及其应用
Mehrabian et al. Experimental optimization of molar concentration to fabricate PbS quantum dots for solar cell applications
CN114935592A (zh) 一种硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料的制备方法及应用
CN110628429A (zh) 利用在水溶液中反应制备高效荧光零维钙钛矿的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201124

Address after: 224300 south of Haibin Road, huangshagang Town, Sheyang County, Yancheng City, Jiangsu Province

Patentee after: Yancheng Sheyang Ronggang Industrial Co., Ltd

Address before: Feixi County town of Hefei City School of Anhui Province, Chaohu road 230000

Patentee before: HEFEI RENDE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.