CN106935273B - eMMC测试系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种eMMC测试系统及方法。所述系统包括:第一电源单元、第二电源单元、第一断电单元、第二断电单元、第一放电单元、第二放电单元、计算机和主控单元。本发明实施例提供的一种eMMC测试系统及方法,实现断电时间点的精确控制,从而提高eMMC产品断电测试的效率。

Description

eMMC测试系统及方法
技术领域
本发明实施例涉及系统测试技术,尤其涉及一种eMMC测试系统及方法。
背景技术
eMMC全称为Embedded MultiMedia Card,是一种嵌入式非易失性存储器系统,由闪存和闪存控制器两部组成。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个闪存控制器,它采用BGA封装,并采用统一闪存接口管理闪存。eMMC现在的目标应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品,它规格的标准逐渐从eMMC4.3世代发展到eMMC4.5世代,eMMC5.0也已问世。eMMC具有统一、高速的数据接口从而实现前后兼容、存储密度高。其电路简单,成本很低,开发容易,因此被广泛应用。
在eMMC产品有效性验证过程中,经常会对eMMC发生断电时的状态进行测试,我们要求断电时间点可以是eMMC执行读操作、写操作、数据传输、命令发送等操作过程中的任意时间点。针对不同断电时间点的断电测试,我们对eMMC有不同的数据写入要求,但传统的测试手段难以准确控制测试所需的断电时间点。
发明内容
本发明实施例提供一种eMMC测试系统及方法,以实现断电时间点的精确控制,从而提高eMMC产品断电测试的效率。
第一方面,本发明实施例提供了一种eMMC断电测试系统,该系统包括:
第一电源单元,用于给待测eMMC第一电压接口供电;
第二电源单元,用于给待测eMMC第二电压接口供电;
第一断电单元,连接eMMC第一电压接口和第一电源单元,用于根据第一断电指令控制第一电源单元与eMMC的断电和通电;
第二断电单元,连接eMMC第二电压接口和第二电源单元,用于根据第二断电指令控制第二电源单元与eMMC的断电和通电;
第一放电单元,与eMMC第一电压接口和第一断电单元连接,用于根据放电指令对eMMC供电电路进行放电;
第二放电单元,与eMMC第二电压接口和第二断电单元连接,用于根据放电指令对eMMC供电电路进行放电;
计算机,与主控单元连接,用于测试参数的输入和测试结果的显示;
主控单元,与待测eMMC、计算机、第一断电单元、第二断电单元、第一放电单元和第二放电单元连接,用于执行计算机发送的测试命令,并检测eMMC的运行时间点;当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,主控单元产生第一断电指令和第二断电指令发送给所述第一断电单元和第二断电单元,并产生放电指令发送给所述第一放电单元和第二放电单元;所述主控单元用于识别到eMMC重新上电后,访问eMMC中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机显示出来。
第二方面,本发明实施例还提供了一种eMMC断电测试方法,该方法包括:
计算机向主控单元发送测试命令;
主控单元检测eMMC的运行时间点;
当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,主控单元分别向第一断电单元和第二断电单元发送第一断电指令和第二断电指令,并向第一放电单元和第二放电单元发送放电指令;
第一断电单元和第二断电单元收到第一断电指令和第二断电指令,断开第一电源单元和第二电源单元与eMMC的第一电压接口和第二电压接口的电性连接,停止通电;
第一放电单元和第二放电单元收到放电指令,对eMMC供电电路进行放电;eMMC重新上电后,主控单元访问eMMC中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机显示出来。
本发明通过主控单元实时检测eMMC的运行时间点,同时控制断电单元和放电单元对待测eMMC的通电、断电和放电,实现断电时间点的精确控制,从而提高eMMC产品断电测试的效率。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的一种eMMC断电测试系统的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种三输入逻辑与门的电路结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种第一电源单元的电路结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种第二电源单元的电路结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种第一断电单元的电路结构示意图;
图6是本发明实施例提供的一种第二断电单元的电路结构示意图;
图7是本发明实施例提供的一种第一放电单元的电路结构示意图;
图8是本发明实施例提供的一种第二放电单元的电路结构示意图;
图9是本发明实施例二提供的一种eMMC断电测试方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1是本发明实施例一提供的eMMC断电测试系统的结构示意图,本实施例可适用于eMMC的断电测试,该eMMC断电测试系统10具体包括:第一电源单元11、第二电源单元18、第一断电单元12、第二断电单元17、第一放电单元13、第二放电单元16、计算机14和主控单元15。
其中,第一电源单元11,用于给待测eMMC 20第一电压接口供电;第二电源单元18,用于给待测eMMC 20第二电压接口供电;第一断电单元12,连接eMMC 20第一电压接口和第一电源单元11,用于根据第一断电指令控制第一电源单元11与eMMC 20的断电和通电;第二断电单元17,连接eMMC 20第二电压接口和第二电源单元18,用于根据第二断电指令控制第二电源单元18与eMMC 20的断电和通电;第一放电单元13,与eMMC 20第一电压接口和第一断电单元12连接,用于根据放电指令对eMMC 20供电电路进行放电;第二放电单元16,与eMMC 20第二电压接口和第二断电单元17连接,用于根据放电指令对eMMC 20供电电路进行放电;计算机14,与主控单元15连接,用于测试参数的输入和测试结果的显示;主控单元15,与待测eMMC 20、计算机14、第一断电单元12、第二断电单元17、第一放电单元13和第二放电单元16连接,用于执行计算机14发送的测试命令,并检测eMMC 20的运行时间点;当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,主控单元15产生第一断电指令和第二断电指令发送给所述第一断电单元12和第二断电单元17,并产生放电指令发送给所述第一放电单元13和第二放电单元16;所述主控单元15用于识别到eMMC 20重新上电后,访问eMMC 20中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机14显示出来。
其中,断电指令为用于控制eMMC 20供电电路断电的高低电平信号,可以包括第一断电指令和第二断电指令;放电指令为用于控制eMMC 20供电电路放电的高低电平信号;所述断电时间点可以是eMMC 20在执行读操作、写操作、数据传输和命令发送过程中的任意时刻。例如,断电时间点是eMMC 20在执行写操作过程中的任意时刻,当主控单元15检测到的运行时间点为eMMC 20在执行写入数据时,主控单元15产生第一断电指令和第二断电指令发送给第一断电单元12和第二断电单元17,并产生放电指令发送给第一放电单元13和第二放电单元16;主控单元15识别到eMMC 20重新上电后,访问eMMC 20中的写入地址上的数据和未写入地址上的数据,并判断写入地址上的数据是否为新写入数据或之前写入数据,未写入地址上的数据是否为之前写入数据,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足条件的相应写入地址上的数据和未写入地址上的数据通过计算机14显示出来
本实施例技术方案,通过主控单元实时检测eMMC的运行时间点,同时控制断电单元和放电单元对待测eMMC的通电、断电和放电,实现断电时间点的精确控制,从而提高eMMC产品断电测试的效率。
优选的,所述主控单元15可以包括控制器和三输入逻辑与门。其中,控制器用于执行计算机14发送的测试命令,并检测eMMC 20的运行时间点;当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,控制器生成第一断电参数、第二断电参数和放电参数发送给三输入逻辑与门;所述控制器识别到eMMC重新上电后,访问eMMC 20中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机14显示出来;如图2所示,三输入逻辑与门,用于将接收到的第一断电参数(VCCQ_ENb1)作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出第一断电指令(VCCQ_ENb),并发送给第一断电单元12;将接收到的第二断电参数(VCC_ENb1)作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出第二断电指令(VCC_ENb),并发送给第二断电单元17,将接收到的第一断电参数(VCCQ_ENb1)、第二断电参数(VCC_ENb1)和放电参数(DISCHARGE)作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出放电指令(DISCHARGE_EN),并发送给第一放电单元13和第二放电单元16。其中,第一断电参数、第二断电参数和放电参数为控制器生成的用于控制第一断电指令、第二断电指令和放电指令的高低电平。
进一步的,所述主控单元15可以包括FPGA芯片,将FPGA芯片与待测eMMC20、计算机14、第一断电单元12、第二断电单元17、第一放电单元13和第二放电单元16连接,实时检测eMMC 20的运行时间点,同时通过第一断电指令、第二断电指令和放电指令控制第一断电单元12、第二断电单元17、第一放电单元13和第二放电单元16对待测eMMC 20的通电、断电和放电,实现断电时间点的精确控制。
具体的,如图3所示,所述第一电源单元11可以包括:第一变压器和第一跳线,其中第一变压器用于将输入电压(VIN)转换为eMMC所需电压,并作为第一输入电压;第一跳线,与第一变压器、控制器和第一断电单元连接,用于将第一输入电压或控制器中的电源(VCC_HOST)作为电源给eMMC的第一电压接口供电。
具体的,如图4所示,所述第二电源单元18可以包括:第二变压器和第二跳线,其中第二变压器用于将输入电压(VIN)转换为eMMC所需电压,并作为第二输入电压;第二跳线,与第二变压器、控制器和第二断电单元连接,用于将第二输入电压或控制器中的电源(VCC_HOST)作为电源给eMMC的第二电压接口供电。
优选的,如图5所示,所述第一断电单元12可以包括:第一场效应管(Q1)。其中,第一断电指令(VCCQ_ENb)作为第一场效应管栅极的输入,第一场效应管的源极连接第一电源单元11,第一场效应管的漏极连接eMMC 20的第一电压接口,第一断电指令(VCCQ_ENb)控制第一场效应管导通和断开,当第一场效应管断开时,第一电源单元11与eMMC 20的第一电压接口的连接断开,实现断电
优选的,如图6所示,所述第二断电单元17可以包括:第二场效应管(Q3)。其中,第二断电指令(VCC_ENb)作为第二场效应管栅极的输入,第二场效应管的源极连接第二电源单元18,第二场效应管的漏极连接eMMC 20的第二电压接口,第二断电指(VCC_ENb)控制第二场效应管导通和断开,当第二场效应管断开时,第二电源单元18与eMMC 20的第二电压接口的连接断开,实现断电。
进一步的,所述第一场效应管和第二场效应管可以为P沟道增强型场效应管。
例如,当第一断电参数为高电平时,经过三输入逻辑与门的运算生成的高电平作为第一断电指令,当把生成的高电平输入P沟道增强型场效应管的栅极时,P沟道增强型场效应管不导通,从而连接P沟道增强型场效应管源极和漏极两端的第一电源单元11和eMMC20电性断开,实现对eMMC 20的断电。
进一步的,如图7所示,所述第一放电单元13可以包括:第三场效应管(Q2)。其中,放电指令(DISCHARGE_EN)输入第三场效应管的栅极,第三场效应管的源极与地线连接,第三场效应管的漏极与eMMC第一电压接口连接,放电指令控制第三场效应管的导通和断开,当第三场效应管的导通时,eMMC 20第一电压接口与地线连接,实现放电。
进一步的,如图8所示,所述第二放电单元16可以包括:第四场效应管(Q4)。其中,放电指令(DISCHARGE_EN)输入第四场效应管的栅极,第四场效应管的源极与地线连接,第四场效应管的漏极与eMMC 20第二电压接口连接,放电指令控制第四场效应管的导通和断开,当第四场效应管的导通时,eMMC 20第二电压接口与地线连接,实现放电。
进一步的,所述第三场效应管和第四场效应管可以为N沟道增强型场效应管。
例如,当第一断电参数、第三断电参数和第一放电参数全部为高电平时,经过三输入逻辑与门的运算,生成高电平作为放电指令,将生成的高电平输入N沟道增强型场效应管的栅极,N沟道增强型场效应管的源极与地线连接,N沟道增强型场效应管的漏极与eMMC 20第一电压接口连接,使得N沟道增强型场效应管导通,从而eMMC 20供电电路与地线导通,实现放电。
实施例二
图9是本发明实施例二提供的eMMC断电测试方法的流程图,本实施例提出了一种eMMC断电测试方法,该方法可以适用于上述eMMC断电测试系统中,具体步骤包括:
S110、计算机向主控单元发送测试命令;
S120、主控单元检测eMMC的运行时间点;
S130、当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,主控单元分别向第一断电单元和第二断电单元发送第一断电指令和第二断电指令,并向第一放电单元和第二放电单元发送放电指令;
S140、第一断电单元和第二断电单元收到第一断电指令和第二断电指令,断开第一电源单元和第二电源单元与eMMC的第一电压接口和第二电压接口的电性连接,停止通电;
S150、第一放电单元和第二放电单元收到放电指令,对eMMC供电电路进行放电;eMMC重新上电后,主控单元访问eMMC中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机显示出来。
本实施例技术方案,通过主控单元实时检测eMMC的运行时间点,同时控制断电单元和放电单元对待测eMMC的通电、断电和放电,实现断电时间点的精确控制,从而提高eMMC产品断电测试的效率。
优选的,所述当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,主控单元分别向第一断电单元和第二断电单元发送第一断电指令和第二断电指令,并向第一放电单元和第二放电单元发送放电指令,可以包括:控制器执行计算机发送的测试命令,并检测eMMC的运行时间点;当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,控制器生成第一断电参数、第二断电参数和放电参数发送给三输入逻辑与门;如图2所示,将第一断电参数(VCCQ_ENb1)作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出第一断电指令(VCCQ_ENb),并发送给第一断电单元;将第二断电参数(VCC_ENb1)作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出第二断电指令(VCC_ENb),并发送给第二断电单元,将第一断电参数(VCCQ_ENb1)、第二断电参数(VCC_ENb1)和放电参数(DISCHARGE)作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出放电指令(DISCHARGE_EN),并发送给第二放电单元和第二放电单元;所述控制器识别到eMMC重新上电后,访问eMMC中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机显示出来。
进一步的,所述第一断电单元收到第一断电指令,断开第一电源单元与eMMC的第一电压接口的电性连接,停止供电,可以包括:第一断电单元利用收到的第一断电指令控制P沟道增强型场效应管断开,从而P沟道增强型场效应管连接的第一电源单元与eMMC的第一电压接口的电性连接断开,停止供电。
进一步的,所述第一放电单元收到放电指令,对eMMC供电电路进行放电,可以包括:第一放电单元利用收到的放电指令控制N沟道增强型场效应管,使得eMMC供电电路与地线连接,实现放电。
具体的,所述断电时间点可以包括:eMMC在执行读操作、写操作、数据传输和命令发送过程中的至少一个时刻。
优选的,所述主控单元可以包括:现场可编程门阵列FPGA芯片。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (17)

1.一种嵌入式多媒体卡eMMC断电测试系统,其特征在于,包括:
第一电源单元,用于给待测eMMC第一电压接口供电;
第二电源单元,用于给待测eMMC第二电压接口供电;
第一断电单元,连接eMMC第一电压接口和第一电源单元,用于根据第一断电指令控制第一电源单元与eMMC的断电和通电;
第二断电单元,连接eMMC第二电压接口和第二电源单元,用于根据第二断电指令控制第二电源单元与eMMC的断电和通电;
第一放电单元,与eMMC第一电压接口和第一断电单元连接,用于根据放电指令对eMMC供电电路进行放电;
第二放电单元,与eMMC第二电压接口和第二断电单元连接,用于根据放电指令对eMMC供电电路进行放电;
计算机,与主控单元连接,用于测试参数的输入和测试结果的显示;
主控单元,与待测eMMC、计算机、第一断电单元、第二断电单元、第一放电单元和第二放电单元连接,用于执行计算机发送的测试命令,并检测eMMC的运行时间点;当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,主控单元产生第一断电指令和第二断电指令发送给所述第一断电单元和第二断电单元,并产生放电指令发送给所述第一放电单元和第二放电单元;所述主控单元用于识别到eMMC重新上电后,访问eMMC中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机显示出来。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述主控单元包括:
控制器,用于执行计算机发送的测试命令,并检测eMMC的运行时间点;当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,控制器生成第一断电参数、第二断电参数和放电参数发送给三输入逻辑与门;所述控制器识别到eMMC重新上电后,访问eMMC中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机显示出来;
三输入逻辑与门,用于将接收到的第一断电参数作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出第一断电指令,并发送给第一断电单元;将接收到的第二断电参数作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出第二断电指令,并发送给第二断电单元,将接收到的第一断电参数、第二断电参数和放电参数作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出放电指令,并发送给第一放电单元和第二放电单元。
3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述控制器包括现场可编程门阵列FPGA芯片。
4.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述第一电源单元包括:
第一变压器,用于将输入电压转换为eMMC所需电压,并作为第一输入电压;
第一跳线,与第一变压器、控制器和第一断电单元连接,用于将第一输入电压或控制器中的电源作为电源给eMMC的第一电压接口供电。
5.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述第二电源单元包括:
第二变压器,用于将输入电压转换为eMMC所需电压,并作为第二输入电压;
第二跳线,与第二变压器、控制器和第二断电单元连接,用于将第二输入电压或控制器中的电源作为电源给eMMC的第二电压接口供电。
6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一断电单元包括:
第一场效应管,第一断电指令作为第一场效应管栅极的输入,第一场效应管的源极连接第一电源单元,第一场效应管的漏极连接eMMC的第一电压接口,第一断电指令控制第一场效应管导通和断开,当第一场效应管断开时,第一电源单元与eMMC的第一电压接口的连接断开,实现断电。
7.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第二断电单元包括:
第二场效应管,第二断电指令作为第二场效应管栅极的输入,第二场效应管的源极连接第二电源单元,第二场效应管的漏极连接eMMC的第二电压接口,第二断电指控制第二场效应管导通和断开,当第二场效应管断开时,第二电源单元与eMMC的第二电压接口的连接断开,实现断电。
8.根据权利要求6-7任一所述的系统,其特征在于,所述场效应管为P沟道增强型场效应管。
9.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一放电单元包括:
第三场效应管,放电指令输入第三场效应管的栅极,第三场效应管的源极与地线连接,第三场效应管的漏极与eMMC第一电压接口连接,放电指令控制第三场效应管的导通和断开,当第三场效应管的导通时,eMMC第一电压接口与地线连接,实现放电。
10.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第二放电单元包括:
第四场效应管,放电指令输入第四场效应管的栅极,第四场效应管的源极与地线连接,第四场效应管的漏极与eMMC第二电压接口连接,放电指令控制第四场效应管的导通和断开,当第四场效应管的导通时,eMMC第二电压接口与地线连接,实现放电。
11.根据权利要求9-10任一所述的系统,其特征在于,所述场效应管为N沟道增强型场效应管。
12.一种嵌入式多媒体卡eMMC断电测试方法,其特征在于,所述方法包括:
计算机向主控单元发送测试命令;
主控单元检测eMMC的运行时间点;
当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,主控单元分别向第一断电单元和第二断电单元发送第一断电指令和第二断电指令,并向第一放电单元和第二放电单元发送放电指令;
第一断电单元和第二断电单元收到第一断电指令和第二断电指令,断开第一电源单元和第二电源单元与eMMC的第一电压接口和第二电压接口的电性连接,停止通电;
第一放电单元和第二放电单元收到放电指令,对eMMC供电电路进行放电;eMMC重新上电后,主控单元访问eMMC中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机显示出来。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,主控单元分别向第一断电单元和第二断电单元发送第一断电指令和第二断电指令,并向第一放电单元和第二放电单元发送放电指令,包括:
控制器执行计算机发送的测试命令,并检测eMMC的运行时间点;当检测到的运行时间点与断电测试命令所设定的断电时间点一致时,控制器生成第一断电参数、第二断电参数和放电参数发送给三输入逻辑与门;
将第一断电参数作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出第一断电指令,并发送给第一断电单元;将第二断电参数作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出第二断电指令,并发送给第二断电单元,将第一断电参数、第二断电参数和放电参数作为三输入逻辑与门的输入,经过逻辑运算输出放电指令,并发送给第一放电单元和第二放电单元;
所述控制器识别到eMMC重新上电后,访问eMMC中的相应数据信息,并判断是否符合测试预设条件,如果满足条件则执行下一测试,否则停止测试,并将不满足测试预设条件的相应数据信息通过计算机显示出来。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一断电单元与P沟道增强型场效应管的栅极连接,所述P沟道增强型场效应管的源极与所述第一电源单元连接,所述P沟道增强型场效应管的漏极与所述eMMC的第一电压接口连接;
所述第一断电单元收到第一断电指令,断开第一电源单元与eMMC的第一电压接口的电性连接,停止供电,包括:
所述第一断电单元利用收到的第一断电指令控制所述P沟道增强型场效应管断开,从而所述P沟道增强型场效应管连接的第一电源单元与所述eMMC的第一电压接口的电性连接断开,停止供电。
15.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一放电单元与N沟道增强型场效应管的栅极连接,所述N沟道增强型场效应管的源极与地线连接,所述N沟道增强型场效应管的漏极与所述eMMC的供电电路连接;
所述第一放电单元收到放电指令,对eMMC供电电路进行放电,包括:
所述第一放电单元利用收到的放电指令控制所述N沟道增强型场效应管,使得所述eMMC供电电路与地线连接,实现放电。
16.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述断电时间点包括:
eMMC在执行读操作、写操作、数据传输和命令发送过程中的至少一个时刻。
17.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述主控单元包括:
现场可编程门阵列FPGA芯片。
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CN108269606B (zh) * 2018-01-10 2020-07-14 重庆金山医疗器械有限公司 一种用于eMMC芯片存储参数测试的方法及系统
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4705880B2 (ja) * 2006-05-09 2011-06-22 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体集積回路とそのテスト方法
JP5317690B2 (ja) * 2008-12-27 2013-10-16 株式会社東芝 メモリシステム
CN102628907B (zh) * 2012-04-27 2015-04-29 梅特勒-托利多(常州)精密仪器有限公司 电子设备断电持续时间的检测方法
KR102222463B1 (ko) * 2014-03-14 2021-03-03 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 타이머 설정 방법 및 구동 방법들

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