CN106933162A - 快速执行器驱动电路及快速执行器 - Google Patents

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CN106933162A CN201710284089.2A CN201710284089A CN106933162A CN 106933162 A CN106933162 A CN 106933162A CN 201710284089 A CN201710284089 A CN 201710284089A CN 106933162 A CN106933162 A CN 106933162A
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Abstract

本发明揭示了一种快速执行器驱动电路及快速执行器，包括BOOST升压模块、高压电源模块、第一高边驱动模块、执行器负载模块、单片机、信号调整模块和低边驱动模块，BOOST升压模块分别与高压电源模块和单片机电连接；第一高边驱动模块分别与高压电源模块、执行负载模块和单片机电连接；低边驱动模块分别与执行负载模块和信号调整模块电连接；信号调整模块还与单片机电连接。本发明提供一种快速执行器驱动电路及快速执行器，通过增加低边驱动模块提高工作反应动作的速度，降低反应时间；通过设置电流信号调整模块，提高监测的精度是工作反应更准确；通过添加低压电源模块和第二高边驱动模块，使电路工作适用范围更广。

Description

快速执行器驱动电路及快速执行器
技术领域
本发明涉及电子信息领域，特别是涉及到一种快速执行器驱动电路及快速执行器。
背景技术
驱动电路(Drive Circuit)，位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路。
驱动电路的基本任务，就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号，以保证器件按要求可靠导通或关断。
执行器(final controlling element)是自动化技术工具中接收控制信息并对受控对象施加控制作用的装置。执行器也是控制系统正向通路中直接改变操纵变量的仪表，由执行机构和调节机构(包括驱动电路和机构组件)组成。
随着市场需求越来越严格化，以及电子技术的快速发展推动了执行器数字化和智能化发展的步伐，而与之对应的驱动电路的反应时间也倍受关注，传统的驱动电路反应动作慢，时间长，不能及时满足系统的反应需求。
发明内容
本发明的主要目的为提供一种快速执行器驱动电路，以解决工作反应动作慢，时间长的问题。
本发明提出一种快速执行器驱动电路，包括BOOST升压模块、高压电源模块、第一高边驱动模块、执行器负载模块、单片机、信号调整模块和低边驱动模块，
上述BOOST升压模块分别与上述高压电源模块和单片机电连接；
上述第一高边驱动模块分别与上述高压电源模块、执行负载模块和单片机电连接；
上述低边驱动模块分别与上述执行负载模块和信号调整模块电连接；
上述信号调整模块还与上述单片机电连接；
上述低边驱动模块接收上述执行器负载模块的采样信号，并将其放大预设倍数后得到电平信号，发送上述电平信号至上述信号调整模块，上述信号调整模块接收到电平信号后生成调整信号，并发送至上述单片机，上述单片机根据接收到的调整信号，控制上述BOOST升压模块对上述高压电源模块进行升压，上述高压电源模块升压后生成高电平作为上述第一高边驱动模块的驱动电源，上述第一高边驱动模块还根据接收到的上述单片机的操作信号生成斩波，并发送至上述执行器负载模块。
进一步地，上述的快速执行器驱动电路，还包括低压电源模块和第二高边驱动模块，
上述第二高边驱动模块分别与上述低压电源模块、单片机和执行器负载模块电连接；
上述低压电源模块生成低电平作为上述第二高边驱动模块的驱动电源，上述第二高边驱动模块还根据接收到的上述单片机的操作信号生成斩波，并发送至上述执行器负载模块。
进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述低压电源模块提供的工作电压为24V。
进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述第二高边驱动模块和第一高边驱动模块电路结构相同。
进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述第一高边驱动模块包括驱动芯片U1、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4
上述二极管D1分别与上述驱动芯片U1的端口VCC和端口VB连接，其中二极管D1的正极与端口VCC连接；上述电阻R1设于上述二极管D1与端口VCC之间；上述驱动芯片U1还通过端口VCC与上述压电源模块连接；
上述二极管D2分别与上述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接，其中二极管D2的正极与端口VS连接；上述电容C1分别与上述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接；上述驱动芯片U1的端口HO通过上述电阻R2与上述执行器负载模块连接；
上述二极管D3并联于上述电阻R2的两端，且上述二极管D3的负极连接于上述端口HO和电阻R2之间；
上述电阻R3分别与上述驱动芯片U1的端口VS和端口CS连接；
上述电容C2分别与上述驱动芯片U1的端口VCC和端口COM连接；
上述驱动芯片U1还通过端口CS和端口VS与上述执行器负载模块连接；上述电阻R4分别与上述驱动芯片U1的端口IN和端口COM连接；上述驱动芯片U1还通过端口IN与上述单片机连接。
进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述信号调整模块包括电流信号调整模块。
进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述电流信号调节模块包括电阻R6、电阻R7、采样电阻R8、电阻R9、三极管Q1、放大器A1、补偿电路U7和驱动门U8，
上述三极管Q1的基极与放大器A1的输出端连接；上述三极管Q1的集电极与放大器A1的正相输入端连接，上述放大器A1的正相输入端还通过上述电阻R9与上述采样电阻R8连接；上述放大器A1的反相输入端通过上述补偿电路U7与地线连接，上述放大器A1的反相输入端还通过上述电阻R6与上述采样电阻R8连接；
上述三极管Q1的发射极通过电阻R7与地线连接，且，上述三极管Q1的发射极还与驱动门U8的一端连接；
进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述低边驱动模块包括电阻R5、电极管D4、电极管D5、电极管D6、电极管D7、电流源U2、电流源U3、倒相放大器U4、倒相放大器U5、倒相放大器U6、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4，
上述MOS管M1的栅极与漏极连接，且上述电阻R5、二极管D4和驱动门U4依次串联于上述MOS管M1的栅极和漏极之间，其中，上述二极管D4的正极与上述电阻R5连接；上述MOS管M1的栅极通过上述二极管D5与源极连接，其中上述二极管D5的正极与上述MOS管M1的源极连接；上述MOS管M1的栅极还通过电阻R5与上述执行器负载模块连接；
上述MOS管M1的漏极与MOS管M2的漏极连接，上述MOS管M2的漏极通过上述倒相放大器U4与M2栅极连接，其中上述倒相放大器U4的输入端与上述MOS管M2的漏极连接；上述MOS管M2的源极通过上述电流源U3与电流源U2连接，上述MOS管M2的源极还通过上述电流源U3与上述MOS 管M3的源极连接；上述MOS管M2的栅极依次与倒相放大器U5和倒相放大器U6连接；
上述MOS管M3和MOS管M4的栅极分别与上述倒相放大器U6连接；上述MOS管M3的源极通过上述二极管D6和二极管D7与上述MOS管M4的源极连接；上述MOS管M3的漏极与上述MOS管M4的漏极连接，并与上述信号调整模块连接；上述MOS管M3的源极还与上述执行器负载模块连接。
进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述BOOST升压模块包括处理芯片U9、电感器LBOOST、电感器LINPUT、二极管DBOOST、MOS管M5、电阻RCS、电阻RFBL、电阻RFBH，
上述处理芯片U9的端口SWO与上述MOS管M5的栅极连接；上述处理芯片U9的端口SWCS与上述MOS管M5的源极连接，并通过上述电阻RCS与地线连接；上述处理芯片U9的端口SGND连接于上述电阻RCS与地线之间；上述处理芯片U9的端口FB通过上述电阻RFBH与上述高压电源模块连接，通过上述电阻RFBL与地线连接；上述处理芯片U9的端口IN通过上述电感器LINPUT与上述内部电源连接，且上述处理芯片U9的端口IN与上述电感器LBOOST连接；上述处理芯片U9的端口EN和端口SYNC与上述单片机连接；
上述MOS管M5的漏极通过上述二极管DBOOST与上述高压电源模块连接，其中，上述二极管的负极与上述高压电源模块连接，上述MOS管M5的漏极还与上述电感器LBOOST连接。
一种快速执行器，包括任意一项上述的快速执行器驱动电路。
本发明提供一种快速执行器驱动电路及快速执行器，通过增加低边驱动模块提高工作反应动作的速度，降低反应时间；通过设置电流信号调整模块，提高监测的精度是工作反应更准确；通过添加低压电源模块和第二高边驱动模块，使电路工作适用范围更广。
附图说明
图1为本发明一实施例中的快速执行器驱动电路的模块结构示意图；
图2为本发明一实施例中的快速执行器驱动电路的模块结构示意图；
图3为本发明一实施例中的快速执行器驱动电路的第一高边驱动模块的结构示意图；
图4为本发明一实施例中的快速执行器驱动电路的电流信号调节模块的结构示意图；
图5为本发明一实施例中的快速执行器驱动电路的低边驱动模块的结构示意图；
图6为本发明一实施例中的快速执行器驱动电路的BOOST升压模块的结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
参照图1，本发明提出一实施例的一种快速执行器驱动电路，包括BOOST升压模块10、高压电源模块20、第一高边驱动模块30、执行器负载模块40、单片机50、信号调整模块60和低边驱动模块70，
上述BOOST升压模块10分别与上述高压电源模块20和单片机50电连接；
上述第一高边驱动模块30分别与上述高压电源模块20、执行负载模块和单片机50电连接；
上述低边驱动模块70分别与上述执行负载模块和信号调整模块60电连接；
上述信号调整模块60还与上述单片机50电连接，其中，上述信号调整模块60一般包括电压信号调整模块60和电流信号调整模块60两种，在本发明实施例中，优选为电流信号调整模块60；
上述低边驱动模块70接收上述执行器负载模块40的采样信号，并将其放大预设倍数后得到电平信号，发送上述电平信号至上述信号调整模块60，上述信号调整模块60接收到电平信号后生成调整信号，并发送至上述单片机50，上述单片机50根据接收到的调整信号，控制上述BOOST升压模块10对上述高压电源模块20进行升压，上述高压电源模块20升压后生成高电平作为上述第一高边驱动模块30的驱动电源，上述第一高边驱动模块30还根据接收到的上述单片机50的操作信号生成斩波，并发送至上述执行器负载模块40。
参照图2，在本实施例中，上述的快速执行器驱动电路，还包括低压电源模块80和第二高边驱动模块90，
上述第二高边驱动模块90分别与上述低压电源模块80、单片机50和执行器负载模块40电连接。
上述低压电源模块80生成低电平作为上述第二高边驱动模块90的驱动电源，上述第二高边驱动模块90还根据接收到的上述单片机50的操作信号生成斩波，并发送至上述执行器负载模块40。
在本实施例中，上述的快速执行器驱动电路，上述低压电源模块80提供的工作电压为24V，其中，上述低压电源模块80提供的工作电压一般为15V-60V，优选为24V。
在本实施例中，上述的快速执行器驱动电路，上述第二高边驱动模块和第一高边驱动模块电路结构相同。
参照图3，在本实施例中，上述的快速执行器驱动电路，上述第一高边驱动模块30包括驱动芯片U1、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4
上述二极管D1分别与上述驱动芯片U1的端口VCC和端口VB连接，其中二极管D1的正极与端口VCC连接；上述电阻R1设于上述二极管D1与端口VCC之间；上述驱动芯片U1还通过端口VCC与上述压电源模块连接；
上述二极管D2分别与上述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接，其中二极管D2的正极与端口VS连接；上述电容C1分别与上述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接；上述驱动芯片U1的端口HO通过上述电阻R2与上述执行器负载模块40连接；
上述二极管D3并联于上述电阻R2的两端，且上述二极管D3的负极连接于上述端口HO和电阻R2之间；
上述电阻R3分别与上述驱动芯片U1的端口VS和端口CS连接；
上述电容C2分别与上述驱动芯片U1的端口VCC和端口COM连接；
上述驱动芯片U1还通过端口CS和端口VS与上述执行器负载模块40连接；上述电阻R4分别与上述驱动芯片U1的端口IN和端口COM连接；上述驱动芯片U1还通过端口IN与上述单片机50连接。
在产生斩波前，先打开低边驱动模块，上述电容C1通过上述端口VCC、电阻R1、二极管D1、执行器负载、低边驱动模块和电流调整模块进行充电，当上述电容C1两端电压高于预设值后，上述第一高边驱动模块30或第二高边驱动模块90开始产生斩波，用于使上述第一高边驱动模块30或第二高边驱动模块90导通。上述电阻R1的作用是防止上述电容C1过充，上述二极管D2是防止上述电容C1在过冲时两端产生负压，上述二极管D3和电阻R2用于协调上述第一高边驱动模块30或第二高边驱动模块90的导通和关断速度。
在本实施例中，上述的快速执行器驱动电路，上述信号调整模块60包括电流信号调整模块60，由于在工作过程中电路电压可能出现涌浪现象导致电压在某些时段中会出现偏差，使信号调整模块60的接收结果有误，因此，在本发明实施例中，优选为电流信号调整模块60。
参照图4，在本实施例中，上述的快速执行器驱动电路，上述电流信号调节模块包括电阻R6、电阻R7、采样电阻R8、电阻R9、三极管Q1、放大器A1、补偿电路U7和驱动门U8，
上述三极管Q1的基极与放大器A1的输出端连接；上述三极管Q1的集电极与放大器A1的正相输入端连接，上述放大器A1的正相输入端还通过上述电阻R9与上述采样电阻R8连接；上述放大器A1的反相输入端通过上述补偿电路U7与地线连接，上述放大器A1的反相输入端还通过上述电阻R6与上述采样电阻R8连接；
上述三极管Q1的发射极通过电阻R7与地线连接，且，上述三极管Q1的发射极还与驱动门U8的一端连接。
经过上述采样电阻R8两端的小电流信号通过上述电阻R9和电阻R6分别流向上述放大器A1的正相输入端和反输入端，从而产生一个差异电流Iin，再经过上述三极管Q1和电阻R7重新转换成电流信号，经过放大20倍之后发送至单片机50的FADC端口，该电流信号调节模块可达到0.01％精度。
参照图5，在本实施例中，上述的快速执行器驱动电路，上述低边驱动模块包括电阻R5、电极管D4、电极管D5、电极管D6、电极管D7、电流源U2、电流源U3、倒相放大器U4、倒相放大器U5、倒相放大器U6、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4，
上述MOS管M1的栅极与漏极连接，且上述电阻R5、二极管D4和驱动门U4依次串联于上述MOS管M1的栅极和漏极之间，其中，上述二极管D4的正极与上述电阻R5连接；上述MOS管M1的栅极通过上述二极管D5与源极连接，其中上述二极管D5的正极与上述MOS管M1的源极连接；上述MOS管M1的栅极还通过电阻R5与上述执行器负载模块40连接；
上述MOS管M1的漏极与MOS管M2的漏极连接，上述MOS管M2的漏极通过上述倒相放大器U4与M2栅极连接，其中上述倒相放大器U4的输入端与上述MOS管M2的漏极连接；上述MOS管M2的源极通过上述电流源U3与电流源U2连接，上述MOS管M2的源极还通过上述电流源U3与上述MOS管M3的源极连接；上述MOS管M2的栅极依次与倒相放大器U5和倒相放大器U6连接；
上述MOS管M3和MOS管M4的栅极分别与上述倒相放大器U6连接；上述MOS管M3的源极通过上述二极管D6和二极管D7与上述MOS管M4的源极连接；上述MOS管M3的漏极与上述MOS管M4的漏极连接，并与上述信号调整模块60连接；上述MOS管M3的源极还与上述执行器负载模块40连接。
上述执行器负载模块40一般输入2V-5V之间的低电平，优选为3.3V，经过每一级放大，产生15V、1A的输出电平，该电平用于控制低边开关管，使其导通的速度快，导通内阻低。
参照图6，在本实施例中，上述的快速执行器驱动电路，上述BOOST升压模块10包括处理芯片U9、电感器LBOOST、电感器LINPUT、二极管DBOOST、MOS管M5、电阻RCS、电阻RFBL、电阻RFBH，
上述处理芯片U9的端口SWO与上述MOS管M5的栅极连接；上述处理芯片U9的端口SWCS与上述MOS管M5的源极连接，并通过上述电阻RCS与地线连接；上述处理芯片U9的端口SGND连接于上述电阻RCS与地线之间；上述处理芯片U9的端口FB通过上述电阻RFBH与上述高压电源模块20连接，通过上述电阻RFBL与地线连接；上述处理芯片U9的端口IN通过上述电感器LINPUT与上述内部电源连接，且上述处理芯片U9的端口IN与上述电感器LBOOST连接；上述处理芯片U9的端口EN和端口SYNC与上述单片机50连接；
上述MOS管M5的漏极通过上述二极管DBOOST与上述高压电源模块20连接，其中，上述二极管的负极与上述高压电源模块20连接，上述MOS管M5的漏极还与上述电感器LBOOST连接；
其中，在本发明实施例中，上述BOOST升压模块10还包括电容CIN2、电容CCOMP1、电容CCOMP2、电容CSST、电容CIVCC、电容COUT、电阻RCOMP和电阻RFREO，上述处理芯片U9的端口IVCC通过电容CIVCC与地线连接；上述处理芯片U9的端口FB通过电阻RFBH和电容COUT与地线连接；上述处理芯片U9的端口IN通过电容CIN1与地线连接，还通过电感器LINPUT和电容CIN2与地线连接；上述处理芯片U9的端口COMP通过电容CCOMP2与地线连接，上述处理芯片U9的端口COMP还通过电阻RCOMP和电容CCOMP1与地线连接，且上述电阻RCOMP连接于上述处理芯片U9的端口COMP和电容CCOMP2之间；上述处理芯片U9的端口FREO通过电阻RFREO与地线连接；上述处理芯片U9的端口SST通过电容CSST与地线连接；上述处理芯片U9的端口GND与地线连接；
一种快速执行器，包括任意一项上述的快速执行器驱动电路。
上述快速执行器，改进了上述快速执行器驱动电路后，增加的低边驱动模块提高工作反应动作的速度，降低反应时间；改进的电流信号调整模块，提高监测的精度是工作反应更准确；增加的低压电源模块和第二高边驱动模块，使电路工作适用范围更广。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种快速执行器驱动电路，其特征在于，包括BOOST升压模块、高压电源模块、第一高边驱动模块、执行器负载模块、单片机、信号调整模块和低边驱动模块，
所述BOOST升压模块分别与所述高压电源模块和单片机电连接；
所述第一高边驱动模块分别与所述高压电源模块、执行负载模块和单片机电连接；
所述低边驱动模块分别与所述执行负载模块和信号调整模块电连接；
所述信号调整模块还与所述单片机电连接；
所述低边驱动模块接收所述执行器负载模块的采样信号，并将其放大预设倍数后得到电平信号，发送所述电平信号至所述信号调整模块，所述信号调整模块接收到电平信号后生成调整信号，并发送至所述单片机，所述单片机根据接收到的调整信号，控制所述BOOST升压模块对所述高压电源模块进行升压，所述高压电源模块升压后生成高电平作为所述第一高边驱动模块的驱动电源，所述第一高边驱动模块还根据接收到的所述单片机的操作信号生成斩波，并发送至所述执行器负载模块。
2.根据权利要求1所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，还包括低压电源模块和第二高边驱动模块，
所述第二高边驱动模块分别与所述低压电源模块、单片机和执行器负载模块电连接；
所述低压电源模块生成低电平作为所述第二高边驱动模块的驱动电源，所述第二高边驱动模块还根据接收到的所述单片机的操作信号生成斩波，并发送至所述执行器负载模块。
3.根据权利要求2所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述低压电源模块提供的工作电压为24V。
4.根据权利要求2所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述第二高边驱动模块和第一高边驱动模块电路结构相同。
5.根据权利要求4所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述第一高边驱动模块包括驱动芯片U1、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4
所述二极管D1分别与所述驱动芯片U1的端口VCC和端口VB连接，其中二极管D1的正极与端口VCC连接；所述电阻R1设于所述二极管D1与端口VCC之间；所述驱动芯片U1还通过端口VCC与所述压电源模块连接；
所述二极管D2分别与所述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接，其中二极管D2的正极与端口VS连接；所述电容C1分别与所述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接；所述驱动芯片U1的端口HO通过所述电阻R2与所述执行器负载模块连接；
所述二极管D3并联于所述电阻R2的两端，且所述二极管D3的负极连接于所述端口HO和电阻R2之间；
所述电阻R3分别与所述驱动芯片U1的端口VS和端口CS连接；
所述电容C2分别与所述驱动芯片U1的端口VCC和端口COM连接；
所述驱动芯片U1还通过端口CS和端口VS与所述执行器负载模块连接；所述电阻R4分别与所述驱动芯片U1的端口IN和端口COM连接；所述驱动芯片U1还通过端口IN与所述单片机连接。
6.根据权利要求1所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述信号调整模块包括电流信号调整模块。
7.根据权利要求6所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述电流信号调节模块包括电阻R6、电阻R7、采样电阻R8、电阻R9、三极管Q1、放大器A1、补偿电路U7和驱动门U8，
所述三极管Q1的基极与放大器A1的输出端连接；所述三极管Q1的集电极与放大器A1的正相输入端连接，所述放大器A1的正相输入端还通过所述电阻R9与所述采样电阻R8连接；所述放大器A1的反相输入端通过所述补偿电路U7与地线连接，所述放大器A1的反相输入端还通过所述电阻R6与所述采样电阻R8连接；
所述三极管Q1的发射极通过电阻R7与地线连接，且，所述三极管Q1的发射极还与驱动门U8的一端连接。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述低边驱动模块包括电阻R5、电极管D4、电极管D5、电极管D6、电极管D7、电流源U2、电流源U3、倒相放大器U4、倒相放大器U5、倒相放大器U6、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4，
所述MOS管M1的栅极与漏极连接，且所述电阻R5、二极管D4和驱动门U4依次串联于所述MOS管M1的栅极和漏极之间，其中，所述二极管D4的正极与所述电阻R5连接；所述MOS管M1的栅极通过所述二极管D5与源极连接，其中所述二极管D5的正极与所述MOS管M1的源极连接；所述MOS管M1的栅极还通过电阻R5与所述执行器负载模块连接；
所述MOS管M1的漏极与MOS管M2的漏极连接，所述MOS管M2的漏极通过所述倒相放大器U4与M2栅极连接，其中所述倒相放大器U4的输入端与所述MOS管M2的漏极连接；所述MOS管M2的源极通过所述电流源U3与电流源U2连接，所述MOS管M2的源极还通过所述电流源U3与所述MOS管M3的源极连接；所述MOS管M2的栅极依次与倒相放大器U5和倒相放大器U6连接；
所述MOS管M3和MOS管M4的栅极分别与所述倒相放大器U6连接；所述MOS管M3的源极通过所述二极管D6和二极管D7与所述MOS管M4的源极连接；所述MOS管M3的漏极与所述MOS管M4的漏极连接，并与所述信号调整模块连接；所述MOS管M3的源极还与所述执行器负载模块连接。
9.根据权利要求1-7任意一项所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述BOOST升压模块包括处理芯片U9、电感器LBOOST、电感器LINPUT、二极管DBOOST、MOS管M5、电阻RCS、电阻RFBL、电阻RFBH，
所述处理芯片U9的端口SWO与所述MOS管M5的栅极连接；所述处理芯片U9的端口SWCS与所述MOS管M5的源极连接，并通过所述电阻RCS与地线连接；所述处理芯片U9的端口SGND连接于所述电阻RCS与地线之间；所述处理芯片U9的端口FB通过所述电阻RFBH与所述高压电源模块连接，通过所述电阻RFBL与地线连接；所述处理芯片U9的端口IN通过所述电感器LINPUT与所述内部电源连接，且所述处理芯片U9的端口IN与所述电感器LBOOST连接；所述处理芯片U9的端口EN和端口SYNC与所述单片机连接；
所述MOS管M5的漏极通过所述二极管DBOOST与所述高压电源模块连接，其中，所述二极管的负极与所述高压电源模块连接，所述MOS管M5的漏极还与所述电感器LBOOST连接。
10.一种快速执行器，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的快速执行器驱动电路。
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