CN106883775A - 切割带一体型粘接片 - Google Patents

Abstract

本发明提供可以适宜地将隔离体自粘接片剥离的切割带一体型粘接片。一种切割带一体型粘接片，其具有切割带、层叠在切割带上的粘接片和层叠在粘接片上的隔离体，粘接片的厚度从中心部朝向端部减小。

Description

切割带一体型粘接片

技术领域

本发明涉及切割带一体型粘接片。

背景技术

迄今，作为半导体装置的制造中使用的芯片接合薄膜，将用于形成芯片接合薄膜的各成分溶解或分散在溶剂中制备粘接剂组合物溶液后，使其干燥，然后，切割成规定的形状(例如圆形)来制造(参见例如专利文献1)。

这种芯片接合薄膜有时以与切割带一体化的状态提供。该情况下，以依次层叠有切割带、芯片接合薄膜和隔离体的形态提供。

在半导体装置的制造工序中，有时存在使用晶圆粘贴装置一边将隔离体自芯片接合薄膜剥离、一边在剥离的部分粘贴半导体晶圆的工序。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-142370号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在使用晶圆粘贴装置一边将隔离体自芯片接合薄膜剥离、一边在剥离的部分粘贴半导体晶圆时，存在有时隔离体不自芯片接合薄膜剥离、连同芯片接合薄膜一起卷缩的问题。

本发明人等进行了深入研究，结果弄清，在芯片接合薄膜的端部的、粘接片与隔离体的接触部分处，粘接片相对于隔离体面成直角，应力集中在隔离体与芯片接合薄膜的界面。而应力集中的话，在剥离隔离体时，芯片接合薄膜会被隔离体拉拽而自切割带剥离。

本发明是鉴于前述问题而做出的，其目的在于提供可以适宜地将隔离体自粘接片剥离的切割带一体型粘接片。

用于解决问题的方案

本申请发明人等为了解决前述现有问题，针对切割带一体型粘接片进行了研究。结果发现，通过采用下述方案，可以适宜地将隔离体自粘接片剥离，从而完成了本发明。

即，本发明的切割带一体型粘接片的特征在于，

具有切割带、

层叠在前述切割带上的粘接片和

层叠在前述粘接片上的隔离体，

前述粘接片的厚度从中心部朝向端部减小。

根据前述方案，粘接片的厚度从中心部朝向端部减小。即，粘接片从中心部朝向端部变薄。因此，将隔离体自粘接片剥离时的剥离性优异。

需要说明的是，粘接片的中心部是指MD方向与TD方向的最长边的交点。此外，粘接片的端部是指粘接片的外周上的至少一点。此外，在本说明书中，MD方向表示制造粘接片时的方向。例如在通过丝网印刷制造的情况下，为印刷的方向。此外，TD方向是指与MD方向正交的方向。

在前述方案中，优选的是，设前述中心部的厚度为A、设距前述端部20μm的内侧部分的厚度为B时，B/A为0.9以下。

如果前述B/A为0.9以下，则将隔离体自粘接片剥离时的剥离性更优异。

在前述方案中，优选的是，通过在室温(23℃)、剥离速度300mm/min的条件下的T型剥离试验得到的切割带与粘接片的粘接力C为0.05N/100mm以上。

如果前述粘接力C为0.05N/100mm以上，则将隔离体自粘接片剥离时，能够抑制粘接片自切割带剥离。

在前述方案中，优选的是，通过在室温(23℃)、剥离速度300mm/min的条件下的180度剥离试验得到的隔离体与粘接片的粘接力D为2.5N/100mm以下。

如果前述粘接力D为2.5N/100mm以下，则将隔离体自粘接片剥离时的剥离性更加优异。

在前述方案中，优选的是，前述粘接力C与前述粘接力D之比C/D为1以上。

如果前述比C/D为1以上，则在将隔离体自粘接片剥离时，能够抑制粘接片被隔离体拉拽而自切割带剥离。

在前述方案中，优选的是，前述隔离体的厚度为10～75μm。

如果前述隔离体的厚度为10μm以上，则可获得用于通过胶带粘贴装置的工艺的刚性。而如果为75μm以下，则隔离体能够弯曲，因此切割带与粘接剂之间的剥离变得容易进行。

在前述方案中，优选的是，前述隔离体的弹性模量为1MPa～10GPa。

如果前述隔离体在23℃下的弹性模量为1MPa～10GPa，则获得隔离体适度弯曲的刚性，变得容易将隔离体自粘接片剥离。

附图说明

图1是本实施方式的切割带一体型粘接片的剖视示意图。

图2是图1所示的切割带一体型粘接片的局部放大图。

图3是用于对使用本实施方式的切割带一体型粘接片的半导体装置的制造方法进行说明的剖视示意图。

图4是用于对使用本实施方式的切割带一体型粘接片的半导体装置的制造方法进行说明的剖视示意图。

图5是用于对使用本实施方式的切割带一体型粘接片的半导体装置的制造方法进行说明的剖视示意图。

图6是用于对使用本实施方式的切割带一体型粘接片的半导体装置的制造方法进行说明的剖视示意图。

附图标记说明

10 切割带一体型粘接片

20 切割带

22 基材

24 粘合剂层

28 隔离体

30 粘接片

38 中心部

39 端部

40 半导体晶圆

50 半导体芯片

60 被粘物

70 接合引线

80 密封树脂

具体实施方式

以下对本实施方式的切割带一体型粘接片进行说明。此外，以下对粘接片为芯片接合薄膜的情况进行说明。图1是本实施方式的切割带一体型粘接片的剖视示意图。

(切割带一体型粘接片)

如图1所示，切割带一体型粘接片10具有切割带20、层叠在切割带20上的粘接片30和层叠在粘接片30上的隔离体28。切割带20在基材22上层叠粘合剂层24来构成。粘接片30设置在粘合剂层24上。隔离体28设置在粘接片30上。

需要说明的是，本实施方式中，对粘接片30层叠在粘合剂层24的表面的一部分上的情况进行说明。更具体而言，对粘接片30仅在粘合剂层24的与半导体晶圆的粘贴部分对应的部分26上形成的方案的情况进行说明。然而，本发明不限定于该例。也可以是本发明的粘接片层叠在粘合剂层的整面的方案。此外，也可以是在大于与半导体晶圆的粘贴部分对应的部分且小于粘合剂层的整面的部分层叠的方案。

(粘接片)

图2是图1所示的切割带一体型粘接片的局部放大图。需要说明的是，图2为了便于说明，相对于图1变更比例进行图示。此外，省略了切割带。

如图2所示，粘接片30的厚度从中心部38朝向端部39减小。对厚度减小的方式没有特别限定。例如可以是剖面形状呈圆弧状减少，也可以线性减少。

作为粘接片30的制造方法，可列举出丝网印刷、旋转涂布等。特别是在粘接片30含有填料的情况下，使用丝网印刷的话，从中心部38朝向端部39，填料量减少。结果，能够随着从中心部38朝向端部39而良好地减薄。

设中心部38的厚度为A、设距端部39 20μm的内侧部分的厚度为B时，B/A优选为0.9以下，更优选为0.85以下。如果前述B/A为0.9以下，则将隔离体28自粘接片30剥离时的剥离性更优异。此外，从在生产工序中传感器容易识别粘接片的端部的角度来看，前述B/A优选为0.05以上。

厚度B的下限值越小越优选，例如为0.1μm。此外，对厚度B的上限值没有特别限定，例如为200μm。

通过在室温(23℃)、剥离速度300mm/min的条件下的T型剥离试验得到的切割带20与粘接片30的粘接力C优选为0.05N/100mm以上，更优选为0.15N/100mm以上。如果前述粘接力C为0.05N/100mm以上，则将隔离体28自粘接片30剥离时，能够抑制粘接片30自切割带20剥离。前述粘接力C优选为5.0N/100mm以下，更优选为2.5N/100mm以下。如果前述粘接力C为5.0N/100mm以下，则在切割后，能够适宜地将粘接片30自切割带20剥离。

需要说明的是，这里所说的剥离力在切割带(构成切割带的粘合剂层)由紫外线固化型粘合剂形成的情况下，是指进行400mJ/cm²的紫外线照射后的剥离力。这是由于，这里的剥离力假设的是从切割带上拾取带粘接片的芯片的时刻的剥离力。

通过在室温(23℃)、剥离速度300mm/min的条件下的180度剥离试验得到的隔离体28与粘接片30的粘接力D优选为2.5N/100mm以下，更优选为1.5N/100mm以下。如果前述粘接力D为2.5N/100mm以下，则将隔离体28自粘接片30剥离时的剥离性更加优异。此外，从在运输使隔离体28不会自粘接片30剥离的角度来看，前述粘接力D例如为0.05N/100mm以上。

前述粘接力C与前述粘接力D之比C/D优选为1以上，更优选为2以上。如果前述比C/D为1以上，则在将隔离体28自粘接片30剥离时，能够抑制粘接片30被隔离体28拉拽而自切割带20剥离。

粘接片30优选含有热固化性树脂等固化性树脂。由此，能够提高热稳定性。

作为固化性树脂，可列举出：酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、或热固化性聚酰亚胺树脂等。特别优选会腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂。此外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。

作为环氧树脂，没有特别限定，例如可使用双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟基苯基乙烷型等二官能环氧树脂、多官能环氧树脂，或乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型或缩水甘油胺型等环氧树脂。这是由于，这些环氧树脂富含与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，耐热性等优异。

酚醛树脂发挥作为环氧树脂的固化剂的作用，例如可列举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。这些酚醛树脂当中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是由于，能够提高半导体装置的连接可靠性。

对于环氧树脂与酚醛树脂的配混比例，例如相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量，优选以酚醛树脂中的羟基为0.5～2.0当量的方式配混。更适宜的为0.8～1.2当量。即，这是由于，如果两者的配混比例不在前述范围内，则不进行充分的固化反应，固化物的特性变得容易劣化。

粘接片30优选含有在25℃下为液态的固化性树脂。由此，可获得良好的低温贴附性。在本说明书中，在25℃下为液态是指在25℃下粘度小于5000Pa·s。而在25℃下为固态是指在25℃下粘度为5000Pa·s以上。需要说明的是，粘度可以使用Thermo Scientific公司制造的型号HAAKE Roto VISCO1进行测定。

粘接片30优选含有热塑性树脂。作为热塑性树脂，可列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或氟树脂等。这些热塑性树脂当中，特别优选离子性杂质少且耐热性高、能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。

作为丙烯酸类树脂，并没有特别限定，可列举出以具有碳数30以下、特别是碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为前述烷基，例如可列举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。

此外，作为形成聚合物(丙烯酸类共聚物)的其他单体，并没有特别限定，例如可列举出：诸如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等的含羧基单体，诸如马来酸酐或衣康酸酐等的酸酐单体，诸如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等的含羟基单体，诸如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等的含磺酸基单体，或诸如2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等的含磷酸基单体。

丙烯酸类树脂当中，优选重均分子量为10万以上的，更优选为30万～300万的，进一步优选为50万～200万的。这是由于，如果在上述数值范围内，则粘接性和耐热性优异。需要说明的是，重均分子量是通过GPC(渗透凝胶色谱)测定并通过聚苯乙烯换算算出的值。

粘接片30中的热塑性树脂和固化性树脂的总含量优选为5重量％以上，更优选为10重量％以上。如果为5重量％以上，则容易保持作为薄膜的形状。此外，热塑性树脂和固化性树脂的总含量优选为70重量％以下，更优选为60重量％以下。如果为70重量％以下，则能够抑制热收缩。

在粘接片30中，热塑性树脂的重量/固化性树脂的重量优选为50/50～10/90，更优选为40/60～15/85。如果热塑性树脂的比率多于50/50，则存在热稳定性变差的倾向。而如果热塑性树脂的比率少于10/90，则存在薄膜化变难的倾向。

粘接片30根据用途可以含有填料。前述填料的配混使弹性模量的调节、导电性的调节等成为可能。作为前述填料，可列举出无机填料、有机填料、金属填料。作为前述无机填料，没有特别限制，例如可列举出：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、二氧化硅等。作为前述金属填料，可列举出：铜填料、银填料、银被覆铜系填料等。这些可以单独使用或并用2种以上。

前述填料的平均粒径优选在0.01～10μm的范围内，更优选为0.1～5μm。通过使前述填料的平均粒径在0.01～10μm的范围内，能够适宜地使粘接片30的厚度从中心部38朝向端部39减少。需要说明的是，填料的平均粒径是通过光度式的粒度分布仪(HORIBA制造、装置名；LA-910)求出的值。

粘接片30可以含有热固化促进剂。由此，能够促进环氧树脂与酚醛树脂等固化剂的热固化。

作为前述热固化促进剂，没有特别限定，例如可列举出：四苯基硼酸四苯基鏻(商品名：TPP-K)、四苯基鏻二氰胺(商品名：TPP-DCA)、四对甲苯基硼酸四苯基鏻(商品名：TPP-MK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等磷-硼类固化促进剂(均为北兴化学工业株式会社制造)。

此外，作为前述促进剂，例如可列举出：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、偏苯三酸1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪异氰脲酸加成物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等咪唑类固化促进剂(均为四国化成工业株式会社制造)。

其中，从薄膜状粘接剂的保存性的角度来看，优选潜伏性优异的四苯基硼酸四苯基鏻(商品名：TPP-K)、四苯基鏻二氰胺(商品名：TPP-DCA)。

此外，从薄膜状粘接剂的保存性的角度来看，优选潜伏性优异的2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)。

前述促进剂的含量可以适当设定，相对于从薄膜状粘接剂的构成材料中扣除导电性颗粒后的材料的100重量份，优选为0.6～15重量份，更优选为0.8～10重量份。

粘接片30除了前述成分以外还可以适当含有薄膜制造中常规使用的配混剂、例如交联剂等。

(隔离体)

作为隔离体28，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、纸等。

它们可以通过氟类剥离剂、丙烯酸长链烷基酯类剥离剂等剥离剂进行表面涂布。

隔离体28的厚度优选为10～75μm，更优选为25～50μm。如果隔离体28的厚度为10μm以上，则可获得用于通过胶带粘贴装置的工艺的刚性。而如果为75μm以下，则隔离体能够弯曲，因此切割带与粘接剂之间的剥离变得容易进行。

隔离体28在23℃下的弹性模量优选为1MPa～10GPa，更优选为10MPa～5GPa。如果前述隔离体在23℃下的弹性模量为1MPa～10GPa，则获得隔离体28适度弯曲的刚性，变得容易将隔离体28自粘接片剥离。

(切割带)

如图1所示，切割带20具备基材22和配置在基材22上的粘合剂层24。

基材22构成切割带20的强度母体，优选具有紫外线透过性。作为基材22，例如可列举出：低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳纶(纸)、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素类树脂、有机硅树脂、金属(箔)、纸等。

基材22的表面为了提高与邻接的层的密合性、保持性等，可以实施惯用的表面处理、例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射处理等化学或物理处理、基于底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂布处理。

对基材22的厚度没有特别限制，可以适当确定，一般为5～200μm左右。

作为粘合剂层24的形成中使用的粘合剂，没有特别限制，例如可以使用丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂等常规压敏性粘接剂。作为压敏性粘接剂，从半导体晶圆、玻璃等忌讳污染的电子部件的利用超纯水、醇等有机溶剂的清洁洗涤性等角度来看，优选以丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。

作为丙烯酸类聚合物，例如可列举出使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳数1～30、特别是碳数4～18的直链状或支链状的烷基酯等)和(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)中的1种或2种以上作为单体成分的丙烯酸类聚合物等。需要说明的是，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的(甲基)全部同义。

丙烯酸类聚合物为了改善内聚力、耐热性等，根据需要，可以含有与可与前述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其他单体成分对应的单元。作为这种单体成分，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些可共聚的单体成分可以使用1种或2种以上。这些可共聚的单体的用量优选为全部单体成分的40重量％以下。

进而，丙烯酸类聚合物为了进行交联，还可以根据需要而含有多官能性单体等作为共聚用单体成分。作为这种多官能性单体，例如可列举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。从粘合特性等角度来看，多官能性单体的用量优选为全部单体成分的30重量％以下。

丙烯酸类聚合物通过使单一单体或2种以上的单体混合物进行聚合来得到。聚合可以以溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等中的任一方式进行。从防止对清洁的被粘物的污染等角度来看，优选低分子量物质的含量小。从该角度来看，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为30万以上，进一步优选为40万～300万左右。

此外，在前述粘合剂中，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分子量，也可以适当采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可列举出添加聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺类交联剂等所谓的交联剂进行反应的方法。使用外部交联剂的情况下，其用量根据与要交联的基础聚合物的平衡、进一步根据作为粘合剂的使用用途来适当确定。一般，相对于前述基础聚合物100重量份，优选配混5重量份左右以下、进一步为0.1～5重量份。进而，在粘合剂中，根据需要，除了前述成分以外，还可以使用现有公知的各种赋粘剂、防老剂等添加剂。

粘合剂层24可以由辐射线固化型粘合剂形成。辐射线固化型粘合剂能够通过紫外线等辐射线的照射而使交联度增大而容易地使其粘合力降低。

通过仅对图1所示的粘合剂层24的与工件粘贴部分对应的部分26进行辐射线照射，能够形成与其他部分的粘合力的差。该情况下，由未固化的辐射线固化型粘合剂形成的部分与粘接片30粘合，能够确保进行切割时的保持力。此外，可以在由未固化的辐射线固化型粘合剂形成的部分固定晶圆环。

辐射线固化型粘合剂可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键等辐射线固化性的官能团且显示粘合性的物质。作为辐射线固化型粘合剂，例如可例示出：在前述丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂等常规压敏性粘合剂中配混有辐射线固化性的单体成分、低聚物成分的添加型的辐射线固化型粘合剂。

作为进行配混的辐射线固化性的单体成分，例如可列举出：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。此外，辐射线固化性的低聚物成分可列举出氨基甲酸酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其分子量为100～30000左右的范围的是适合的。辐射线固化性的单体成分、低聚物成分的配混量可以根据前述粘合剂层的种类来适当确定能够降低粘合剂层的粘合力的量。一般，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为5～500重量份，优选为40～150重量份左右。

此外，作为辐射线固化型粘合剂，除了前述说明的添加型的辐射线固化型粘合剂以外，还可列举出使用在聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型的辐射线固化型粘合剂。内在型的辐射线固化型粘合剂不需要含有或不大量含有属于低分子成分的低聚物成分等，因此能够形成稳定的层结构的粘合剂层而低聚物成分等不会随着时间经过在粘合剂中移动，故优选。

前述具有碳-碳双键的基础聚合物可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键且具有粘合性的聚合物。作为这种基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物作为基本骨架的聚合物。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可列举出前述例示的丙烯酸类聚合物。

对在前述丙烯酸类聚合物中导入碳-碳双键的方法没有特别限制，可以采用各种方法，而在聚合物侧链导入碳-碳双键在分子设计上是容易的。例如可列举出下述方法：预先使丙烯酸类聚合物与具有官能团的单体共聚后，在维持碳-碳双键的辐射线固化性的状态下使具有可与该官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物进行缩合或加成反应。

作为这些官能团的组合的例子，可列举出：羧酸基与环氧基、羧酸基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等。这些官能团的组合当中，从反应追踪的容易性来看，优选羟基与异氰酸酯基的组合。此外，为利用这些官能团的组合来生成前述具有碳-碳双键的丙烯酸类聚合物的这种组合时，官能团可以位于丙烯酸类聚合物和前述化合物中的任意侧，前述优选的组合中，优选丙烯酸类聚合物具有羟基、前述化合物具有异氰酸酯基的情况。该情况下，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，例如可列举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。此外，作为丙烯酸类聚合物，可使用共聚前述例示的含羟基单体、2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚的醚类化合物等得到的聚合物。

前述内在型的辐射线固化型粘合剂可以单独使用前述具有碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，也可以以不使特性变差的程度配混前述辐射线固化性的单体成分、低聚物成分。相对于基础聚合物100重量份，辐射线固化性的低聚物成分等通常在30重量份的范围内，优选为0～10重量份的范围。

前述辐射线固化型粘合剂在通过紫外线等进行固化的情况下含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物；苯偶酰二甲基缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯基-1,1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，光聚合引发剂的配混量例如为0.05～20重量份左右。

此外，作为辐射线固化型粘合剂，例如可列举出日本特开昭60-196956号公报中公开的、含有具有2个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物以及羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐类化合物等光聚合引发剂的橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂等。

在前述辐射线固化型的粘合剂层24中，根据需要，也可以含有通过辐射线照射而着色的化合物。通过使粘合剂层24含有通过辐射线照射而着色的化合物，能够仅使被辐射线照射的部分着色。通过辐射线照射而着色的化合物是在辐射线照射前为无色或浅色、通过辐射线照射而变有色的化合物，例如可列举出隐色染料等。通过辐射线照射而着色的化合物的使用比例可以适当设定。

对粘合剂层24的厚度没有特别限定，从芯片切断面的缺损防止、粘接片30的固定保持的兼顾性等角度来看，优选为1～50μm左右。优选为2～30μm，进一步优选为5～25μm。

(切割带一体型粘接片的制造方法)

粘接片30例如可以通过如下方法制造：制作含有用于构成粘接片30的各前述成分的粘接剂组合物溶液，对粘接剂组合物溶液进行丝网印刷到隔离体28上后，使该涂布膜干燥。

作为粘接剂组合物溶液中使用的溶剂，没有特别限定，优选能够均匀溶解、混炼或分散前述各成分的有机溶剂。例如可列举出：二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、环己酮等酮类溶剂、甲苯、二甲苯等。

丝网印刷优选使用开口部的形状为所期望的粘接片30的形状(俯视形状)的丝网。作为丝网印刷的条件，优选设定为以下数值范围内。通过设定为以下条件，能够使粘接片30的厚度从中心部38朝向端部39适宜地减少。

<丝网印刷的条件>

100～600目丝网

网丝直径5～100μm

丝网与隔离体28的间隙0.1～100mm

印刷压力1～100psi

需要说明的是，粘接片30通过在与隔离体28不同的基材隔离体上进行丝网印刷，然后转印至隔离体28也可得到。

切割带20可以通过现有公知的方法制造，在此省略说明。

接着，将切割带20的粘合剂层24与粘接片30贴合。由此，可得到切割带一体型粘接片10。

(半导体装置的制造方法)

本实施方式的半导体装置的制造方法至少包括下述工序：

准备切割带一体型粘接片的工序；

在前述切割带一体型粘接片上粘贴半导体晶圆的工序；

将前述半导体晶圆与前述粘接片一起切割而形成带粘接片的半导体芯片的工序；

从前述切割带拾取前述带粘接片的半导体芯片的工序，以及，

将拾取的前述带粘接片的半导体芯片芯片接合到被粘物上的工序。

以下参照图3～图6对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。图3～5是用于对使用本实施方式的切割带一体型粘接片的半导体装置的制造方法进行说明的剖视示意图。

首先，准备切割带一体型粘接片10。

接着，如图3所示，在粘接片30上粘贴半导体晶圆40。作为半导体晶圆40，可列举出：硅晶圆、硅碳化物晶圆、化合物半导体晶圆等。作为化合物半导体晶圆，可列举出：氮化镓晶圆等。

在于粘接片30上粘贴半导体晶圆40时，自粘接片30剥离隔离体28并且在粘接片30上粘贴半导体晶圆40。本实施方式由于粘接片30的厚度从中心部38朝向端部39减小，因此将隔离体28自粘接片30剥离时的剥离性优异。

作为粘贴方法，例如可列举出通过压接辊等按压手段进行按压的方法等。作为粘贴压力，优选在0.05～10MPa的范围内。此外，对粘贴温度没有特别限定，例如优选在23～90℃的范围内。

接着，如图4所示，进行半导体晶圆40的切割。即，将半导体晶圆40与粘接片30一起切断成规定尺寸，形成带粘接片30的半导体芯片50。切割按常法进行。此外，本工序例如可以采用进行切入至切割带一体型粘接片10的被称为全切的切断方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别限定，可以使用现有公知的装置。半导体晶圆40由于通过切割带一体型粘接片10固定，因此能够抑制芯片缺损、芯片飞溅，并且还能够抑制半导体晶圆40的破损。

接着，如图5所示，从切割带20拾取带粘接片30的半导体芯片50。作为拾取的方法，没有特别限定，可以采用现有公知的各种方法。例如可列举出从切割带20侧通过针形件将单个的半导体芯片50顶起、通过拾取装置拾取被顶起的半导体芯片5的方法等。

作为拾取条件，在防止碎裂方面，优选将针形件顶起速度设定为5～100mm/秒，更优选设定为5～10mm/秒。

在粘合剂层24为紫外线固化型的情况下，拾取可以在对该粘合剂层24照射紫外线后进行。由此，粘合剂层24对粘接片30的粘合力降低，半导体芯片50的剥离变容易。结果，可以不损伤半导体芯片50地进行拾取。对紫外线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限定，适当根据需要而设定即可。

接着，如图6所示，通过粘接片30将所拾取的半导体芯片50芯片接合至被粘物60。作为被粘物60，可列举出引线框、TAB薄膜、基板或另行制作的半导体芯片等。被粘物60例如可以是可容易变形的变形型被粘物，也可以是难以变形的非变形型被粘物(半导体晶圆等)。

作为前述基板，可以使用现有公知的基板。此外，作为前述引线框，可以使用Cu引线框、42合金引线框等金属引线框，由玻璃环氧、BT(双马来酰亚胺-三嗪)、聚酰亚胺等形成的有机基板。然而，本发明并不限定于这些，还包括可安装半导体芯片、与半导体芯片电连接来使用的电路基板。

作为芯片接合条件，优选压力为0.01MPa～5MPa。此外，对芯片接合时的温度没有特别限定，例如优选在23～200℃的范围内。

接着，通过加热带半导体芯片50的被粘物60使粘接片30热固化，使半导体芯片50与被粘物60粘着。对于加热温度，可以在80～200℃、优选在100～175℃、更优选在100～140℃下进行。此外，对于加热时间，可以以0.1～24小时、优选以0.1～3小时、更优选以0.2～1小时进行。此外，加热固化可以在加压条件下进行。作为加压条件，优选在1～20kg/cm²的范围内，更优选在3～15kg/cm²的范围内。加压下的加热固化例如可以在填充有非活性气体的室内进行。在上述条件下加热时，粘接片30充分热固化。结果，能够在之后的引线接合工序中抑制不利情况发生。

接着，进行用接合引线70将被粘物60的端子部(内部引线)的前端和半导体芯片50上的电极极板(未图示)进行电连接的引线接合工序。作为接合引线70，例如可使用金线、铝线或铜线等。对于进行引线接合时的温度，在23～300℃、优选在23～250℃的范围内进行。此外，对于其加热时间，进行数秒～数分钟(例如为1秒～1分钟)。接线在加热至前述温度范围内的状态下通过组合使用基于超声波的振动能量和基于施加加压的压接能量来进行。

接着，根据需要而进行通过密封树脂80对半导体芯片50进行密封的密封工序。本工序为了保护搭载于被粘物60的半导体芯片50、接合引线70而进行。本工序通过用模具将密封用的树脂成型来进行。作为密封树脂80，例如使用环氧类的树脂。树脂密封时的加热温度优选为165℃以上，更优选为170℃以上，该加热温度优选为185℃以下，更优选为180℃以下。由此使密封树脂80固化。需要说明的是，本密封工序也可以采用将半导体芯片50埋入片状的密封用片的方法(参见例如日本特开2013-7028号公报)。此外，除了利用模具的密封树脂的成型以外，还可以是向箱型容器中注入硅胶的凝胶密封型。

接着，可以根据需要而对密封物进一步加热(后固化工序)。由此，可以使在密封工序中固化不充分的密封树脂80完全固化。本工序中的加热温度根据密封树脂的种类而不同，例如在165～185℃的范围内，加热时间为0.5～8小时左右。

上述实施方式中，对本发明的粘接片为作为芯片接合薄膜的粘接片30的情况进行了说明，但本发明的粘接片不限定于该例。作为本发明的粘接片，例如可列举出倒装芯片型半导体背面用薄膜、底部填充片。

底部填充片是指用于填充基板与倒装芯片连接在基板上的半导体芯片的间隙的片。

倒装芯片型半导体背面用薄膜是指粘贴在倒装芯片连接的半导体芯片的背面(与倒装芯片连接面处于相反侧的面)的薄膜。

本发明的粘接片为底部填充片的情况下，在将组成、含量变更为具有作为底部填充片的功能的程度的基础上，可以采用与粘接片30同样的构成。

本发明的粘接片为倒装芯片型半导体背面用薄膜的情况下，在将组成、含量变更为具有作为倒装芯片型半导体背面用薄膜的功能的程度的基础上，可以采用与粘接片30同样的构成。

实施例

以下使用实施例对本发明进行详细说明，但本发明在不超出其主旨的情况下并不限于以下实施例。

对实施例中使用的成分进行说明。

丙烯酸类树脂：根上工业株式会社制造的W-116.3

酚醛树脂：明和化成株式会社制造的MEH-7800H

环氧树脂A：三菱化学株式会社制造的EPIKOTE 828

环氧树脂B：DIC株式会社制造的HP-4700

二氧化硅填料：(Admatechs Co.,Ltd.制造的SO-C2)

银被覆铜系填料：三井金属工业株式会社制造的1200YP(银的被覆量20重量％)

[切割带一体型粘接片的制作]

<对于实施例1～4>

按照表1中记载的配混比，将表1中记载的各成分溶解、分散于甲乙酮，制得浓度30～60重量％的粘接剂组合物溶液。作为隔离体，准备进行了有机硅脱模处理的厚度38μm、宽度370mm的卷状的PET薄膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜)。对所准备的PET薄膜的单面进行开口部的直径为330mm的丝网印刷，然后，在120℃下干燥3分钟，形成粘接剂组合物层。这里的丝网印刷的条件设定为：使用200目丝网、网丝直径40μm，使丝网与PET薄膜的间隙为1mm，以10psi的印刷压力进行印刷，使得在干燥后形成厚度30μm的粘接片。

使用层压机在40℃下将PET薄膜与形成直径330mm的圆形的粘接片的层叠物贴合于切割带(P-2130、日东电工株式会社制造、直径370mm的圆形)。由此，得到实施例1～4的切割带一体型粘接片。

<对于比较例1～2>

按照表1中记载的配混比，将表1中记载的各成分溶解、分散于甲乙酮，制得浓度50重量％的粘接剂组合物溶液。作为隔离体，准备进行了有机硅脱模处理的厚度38μm、宽度370mm的卷状的PET薄膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜)。

将制得的粘接剂组合物溶液涂布在所准备的PET薄膜的单面后，在130℃下干燥2分钟，由此制得厚度30μm的粘接片。用切刀将所得粘接片切成直径330mm的圆形。需要说明的是，此时PET薄膜未切断。此外，对于切成圆形的外侧，自PET薄膜剥离。

使用层压机在40℃下将PET薄膜与形成直径330mm的圆形的粘接片的层叠物贴合于切割带(P-2130、日东电工株式会社制造、直径370mm的圆形)。由此，得到比较例1～2的切割带一体型粘接片。

(粘接片的厚度的测定)

使用冷冻切片机将实施例和比较例的粘接片切断，使剖面露出。通过SEM观察其剖面，测定厚度。具体而言，测定中心部的厚度A和距端部20μm的内侧部分的厚度B。结果示于表1。此外，比B/A也一并示于表1。

(切割带与粘接片的粘接力C的测定)

用手压辊在切割带一体型粘接片的切割带侧粘贴粘合带(BT-315、日东电工株式会社制造)。接着，切断成100mm×100mm的尺寸。然后，使用拉伸试验器(AGS-J、株式会社岛津制作所制造)在室温(23℃)、剥离速度300mm/min的条件下进行T型剥离试验。结果示于表1。

(隔离体与粘接片的粘接力D的测定)

将切割带一体型粘接片在带有隔离体的状态下切断成100mm×100mm的尺寸。然后，使用拉伸试验器(AGS-J、株式会社岛津制作所制造)在室温(23℃)、剥离速度300mm/min的条件下进行180度剥离试验。结果示于表1。此外，粘接力C与粘接力D之比C/D也一并示于表1。

(隔离体的弹性模量的测定)

将实施例、比较例中使用的隔离体制成长度120mm、宽度10mm的长条状。接着，在室温(23℃)、卡盘间距50mm、拉伸速度300mm/min下沿MD方向进行拉伸试验，测定伸长量的变化。结果，根据所得S-S曲线求出5％伸长时的弹性模量作为弹性模量。结果示于表1。

(卷缩评价)

作为粘贴装置使用日东精机株式会社制造的DR-3000II，一边将PET薄膜自所制作的切割带一体型粘接片剥离，一边将硅晶圆粘贴于粘接片。粘贴条件如下。

<粘贴条件>

粘贴装置：日东精机株式会社制造、DR-3000II

粘贴速度：5mm/sec

粘贴压力：0.15MPa

粘贴时的工作台温度：80℃

<评价方法>

在上述条件下各进行5次在硅晶圆上的贴合，将只要有1次PET薄膜(隔离体)未顺利剥离、粘接片发生卷缩的情况评价为×，将粘接片1次都没有发生卷缩的情况评价为○。结果示于表1。

[表1]

【表1】

Claims (7)

1.一种切割带一体型粘接片，其特征在于，具有切割带、层叠在所述切割带上的粘接片和层叠在所述粘接片上的隔离体，

所述粘接片的厚度从中心部朝向端部减小。

2.根据权利要求1所述的切割带一体型粘接片，其特征在于，设所述中心部的厚度为A、设距所述端部20μm的内侧部分的厚度为B时，B/A为0.9以下。

3.根据权利要求1所述的切割带一体型粘接片，其特征在于，通过在室温23℃、剥离速度300mm/min的条件下的T型剥离试验得到的切割带与粘接片的粘接力C为0.05N/100mm以上。

4.根据权利要求1所述的切割带一体型粘接片，其特征在于，通过在室温23℃、剥离速度300mm/min的条件下的180度剥离试验得到的隔离体与粘接片的粘接力D为2.5N/100mm以下。

5.根据权利要求4所述的切割带一体型粘接片，其特征在于，所述粘接力C与所述粘接力D之比C/D为1以上。

6.根据权利要求1所述的切割带一体型粘接片，其特征在于，所述隔离体的厚度为10～75μm。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的切割带一体型粘接片，其特征在于，所述隔离体在23℃下的弹性模量为1MPa～10GPa。