CN106861693A - 一种铜基复合金属氧化物介晶材料及其制备方法和用途 - Google Patents
一种铜基复合金属氧化物介晶材料及其制备方法和用途 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106861693A CN106861693A CN201710223212.XA CN201710223212A CN106861693A CN 106861693 A CN106861693 A CN 106861693A CN 201710223212 A CN201710223212 A CN 201710223212A CN 106861693 A CN106861693 A CN 106861693A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- based composite
- composite metal
- mesomorphic material
- mesomorphic
- copper based
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 147
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 61
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 35
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 22
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 22
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 21
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 claims description 18
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 18
- 239000012467 final product Substances 0.000 claims description 17
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 11
- ZNCPFRVNHGOPAG-UHFFFAOYSA-L sodium oxalate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)C([O-])=O ZNCPFRVNHGOPAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- IRXRGVFLQOSHOH-UHFFFAOYSA-L dipotassium;oxalate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C(=O)C([O-])=O IRXRGVFLQOSHOH-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000009938 salting Methods 0.000 claims description 10
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229940039790 sodium oxalate Drugs 0.000 claims description 8
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 238000007038 hydrochlorination reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 abstract 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 23
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 18
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 18
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 17
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000003965 capillary gas chromatography Methods 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 6
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N chromium(III) oxide Inorganic materials O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(II,III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 example Such as Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000731 high angular annular dark-field scanning transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910018067 Cu3Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000976924 Inca Species 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007470 ZnO—Al2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate Chemical compound [Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001981 cobalt nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000003937 drug carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical class [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000013033 photocatalytic degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- XUGSDIOYQBRKGF-UHFFFAOYSA-N silicon;hydrochloride Chemical compound [Si].Cl XUGSDIOYQBRKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/72—Copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/76—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36
- B01J23/80—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36 with zinc, cadmium or mercury
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/76—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36
- B01J23/825—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36 with gallium, indium or thallium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/40—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by dimensions, e.g. grain size
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/50—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their shape or configuration
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
- C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
- C01B33/10763—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明提供了一种铜基复合金属氧化物介晶材料及其制备方法和用途,所述铜基复合金属氧化物介晶材料由取向一致的纳米晶排列构成;所述纳米晶包括铜的氧化物纳米晶和M的氧化物纳米晶;所述铜基复合金属氧化物介晶材料的中值粒径为0.4~3μm;其中,M选自Ga、In或过渡金属元素中的任意一种元素或至少两种元素的组合。本发明铜基复合金属氧化物介晶材料是极具潜力的催化剂和光电材料。所述铜基复合金属氧化物介晶材料作为催化剂相较于不加催化剂、商业CuO催化剂与非定向排列组装而成的铜基氧化物微纳米材料,可显著提高多相催化反应的收率和选择性。例如,用于硅氢氯化反应的催化剂时对多晶硅原料三氯氢硅的选择性为95.0%以上。
Description
技术领域
本发明涉及微纳米材料合成技术领域,尤其涉及一种铜基复合金属氧化物介晶材料及其制备方法和用途。
背景技术
介晶(mesocrystal)是一类由纳米晶体有序聚集并自组装而成的具有介尺度(几百纳米到几个微米)的纳米粒子超结构非经典晶体。由于结合了单个纳米颗粒和有序介尺度结构使得介晶产生一些新的集合特性,在催化、气敏、光电、生物医学、能源转化等方面具有广泛的应用前景,已成为人们关注的热点。
各种介晶材料通过不同的合成方法逐步被制备出来。Liu等人总结了近几年合成出来的介晶材料大概有50多种(Y.Q.Liu等,CrystEngComm,2014,16,5948.),按照其组分分类,主要包括单金属介晶材料、单元金属氧化物介晶材料和复杂化合物介晶材料。这些介晶材料的合成方法大多采用水热法和溶剂热法,过程中往往使用聚合物和表面活性剂,增加制备成本,还会产生一些环境污染。
介晶材料的性能和应用总体来说还处于初期探索阶段。目前国内外的研究主要集中于光催化降解反应使用的TiO2、CuO、ZnO等介晶材料性能(M.G.Ma等,Curr.Opin.In.,2014,19,56.);其次,金属氧化物介晶材料在锂离子电池和超级电容器等电化学能源以及气敏方面的研究也有报道(M.G.Ma等,Curr.Opin.In.,2014,19,56;S.Z.Deng等,J.Am.Chem.Soc.,2012,134,4905.);在生物医学方面,由超顺磁性纳米颗粒组成的Fe3O4介晶材料可以用作药物载体和磁力学治疗(T.Wang等,J.Am.Chem.Soc.,2012,134,18225.)。
由于金属氧化物介晶材料相对于其它介晶材料具有更加广泛的用途,文献报道的多是单元金属氧化物介晶材料,而二元/多元金属复合氧化物介晶材料的合成与应用几乎没有报道,尤其是还未见到介晶材料应用于化学工业催化的研究。二元/多元金属复合氧化物介晶材料极有可能类似于纳米晶杂合体系表现出独特的功能特性(M.R.Buck等,Nat.Chem.,2012,4,37.)。因此,发展低成本、环境友好和简便通用的方法制备多元金属氧化物介晶材料,以及探索其在传统化学工业领域的催化研究具有重要意义。
三氯氢硅(SiHCl3)是生产太阳能多晶硅的原料,也是生产硅烷偶联剂和其它有机硅产品的重要中间体,它是通过硅氢氯化反应,即氯化氢气体(HCl)和硅粉(Si)直接反应得到,反应方程式如下所示。2015年我国三氯氢硅产量约25万吨,目前工业生产中没有使用催化剂,三氯氢硅选择性为80-85%(CN101665254A,CN101279734B),提高其选择性并降低生产成本对于太阳能行业具有重要的意义。
CN106378133A公开了一种硅氢氯化生产三氯氢硅的催化剂,是通过将粒径为5~100μm的铜基活性组分和可选的助剂混合得到的,提高了硅粉的转化率,三氯氢硅选择性在87%-92.4%范围内,依靠现有技术中降低材料尺寸等方法很难在催化活性、尤其是选择性上有所突破。
发明内容
鉴于Cu基金属氧化物在传统化工行业有着广泛重要的应用,本发明提供了一种铜基复合金属氧化物介晶材料及其制备方法和用途。该方法采用廉价易得的原料,不添加任何聚合物或表面活性剂,通过简单的工艺步骤可以合成铜基复合金属氧化物介晶材料;可作为一种高效的多相反应催化剂。例如,将其用于催化硅氢氯化反应生产三氯氢硅,能够显著提高三氯氢硅的选择性和收率。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
本发明的目的之一在于提供一种铜基复合金属氧化物介晶材料,所述铜基复合金属氧化物介晶材料由取向一致的纳米晶排列构成;所述纳米晶包括铜的氧化物纳米晶和M的氧化物纳米晶。
所述铜基复合金属氧化物介晶材料的中值粒径为0.4~3μm,例如0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm、1.5μm、1.6μm、1.7μm、1.8μm、1.9μm、2μm、2.1μm、2.2μm、2.3μm、2.4μm、2.5μm、2.6μm、2.7μm、2.8μm、2.9μm或3μm等。
其中,M选自Ga、In或过渡金属元素中的任意一种元素或至少两种元素的组合,例如,所述过渡金属元素为Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn或Cd等。M的氧化物包括Ga、In或过渡金属元素的氧化物中的任意一种或至少两种的组合,其中,典型但非限制性的组合为:V2O5、ZnO和Ga2O3的组合,MnO2、NiO和In2O3的组合,Cr2O3和In2O3的组合,CoO和Fe3O4的组合,Cr2O3、NiO和TiO2的组合。
本发明所述铜基复合金属氧化物介晶材料的中值粒径优选为0.8~2.5μm。
优选地,所述铜基复合金属氧化物介晶材料为橄榄球状。Cu元素和金属元素M均匀分散于橄榄球中。橄榄球状的铜基复合金属氧化物介晶材料具有更多的缺陷位,能进一步提高催化选择性和收率。
优选地,所述铜基复合金属氧化物介晶材料具有介孔结构。
优选地,所述铜基复合金属氧化物介晶材料的平均孔径为4~20nm,例如4nm、6nm、8nm、10nm、12nm、14nm、16nm、18nm或20nm等,优选7~12nm。
本发明中所述金属M优选包括In、Mn、Fe、Co、Ni或Zn中的任意一种或至少两种的组合。
本发明中,所述铜基复合金属氧化物介晶材料中的不同氧化物纳米晶之间形成纳米尺度界面。纳米尺度界面提供高效的电荷传输通道,进一步提高介晶材料的催化活性和选择性。
本发明的目的之二在于提供如目的之一所述铜基复合金属氧化物介晶材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)将Cu前驱体盐和金属M前驱体盐溶解混合,得到盐溶液,向所得盐溶液中加入草酸和/或草酸盐,沉淀反应后得到混合液;
或,将草酸和/或草酸盐溶解,再加入Cu前驱体盐和金属M前驱体盐,混合,沉淀反应后得到混合液;
其中,所述盐溶液中Cu前驱体盐的浓度为0.002~0.04mol/L,例如0.002mol/L、0.004mol/L、0.008mol/L、0.01mol/L、0.012mol/L、0.015mol/L、0.02mol/L、0.025mol/L、0.03mol/L、0.035mol/L或0.04mol/L等;所述加入草酸和/或草酸盐与所述去离子水的摩尔体积比≥0.02mol/L,例如0.02mol/L、0.04mol/L、0.08mol/L、0.1mol/L、0.12mol/L、0.15mol/L、0.2mol/L、0.25mol/L、0.3mol/L、0.35mol/L或0.4mol/L等;若草酸和/或草酸盐与所述去离子水的摩尔体积比小于0.02mol/L,几乎得不到产物沉淀。
(2)将步骤(1)所得混合液进行水热反应0.5~24h后,冷却、分离,收集固相;
例如,水热反应时间为0.5h、1.2h、2h、2.5h、3h、5h、8h、10h、12h、15h、16h、17h、18h、19h、20h、21h、22h、23h、23.5h或24h等。
(3)将步骤(2)所得固相在有氧气氛下焙烧,即得。
所述方法在用于制备微纳米材料的水热环境下,通过选择合适的反应物浓度、沉淀剂和水热反应时间,热力学和动力学原因协同作用下,得到铜基复合金属氧化物介晶材料。本发明的Cu前驱体盐的浓度高于0.04mol/L时得到的是多晶材料,而非介晶结构,Cu前驱体盐的浓度低于0.002mol/L时无产物生成。草酸和草酸盐既是沉淀剂也是形成介晶结构前体的结构导向剂。
本发明步骤(1)所述盐溶液中Cu前驱体盐的浓度为0.01~0.02mol/L。
优选地,步骤(1)所述Cu前驱体盐和所述金属M前驱体盐各自独立地选自硝酸盐、醋酸盐、氯盐或硫酸盐或溴盐中的任意一种或至少两种的组合,例如,Cu前驱体盐为硝酸铜而M前驱体盐为硫酸镍,Cu前驱体盐为氯化铜和硫酸铜的组合而M前驱体盐为硝酸钴和氯化锌的组合。
优选地,步骤(1)所述Cu前驱体盐中Cu与所述金属M前驱体盐中M的摩尔比为(1~100):1,例如1:1、2:1、5:1、10:1、15:1、20:1、25:1、30:1、35:1、40:1、45:1、50:1、55:1、60:1、65:1、70:1、75:1、80:1、85:1、90:1、95:1或100:1等,优选(5~20):1。
优选地,步骤(1)中所述溶解用的溶剂为去离子水。
优选地,步骤(1)中所述混合方式为搅拌。
本发明步骤(1)中所述草酸盐优选包括草酸铵、草酸钠或草酸钾中的任意一种或至少两种的组合,其中典型但非限制性的组合为:草酸铵和草酸钾的组合,草酸钠和草酸铵的组合,草酸钠和草酸钾的组合,草酸钠、草酸铵和草酸钾的组合。
优选地,步骤(1)所述加入草酸和/或草酸盐或草酸盐与所述去离子水的摩尔体积比为0.02~0.4mol/L。
优选地,步骤(1)所述沉淀反应的时间为0.1~12h,例如0.1h、0.2h、0.5h、0.8h、1h、1.5h、2h、2.5h、3h、3.5h、4h、4.5h、5h、5.5h、6h、6.5h、7h、7.5h、8h、8.5h、9h、9.5h、10h、10.5h、11h、11.5h或12h等,优选0.5~4h。
优选地,步骤(1)所述沉淀反应的方式包括搅拌,所述搅拌的速率为400~1200r/min,例如400r/min、500r/min、600r/min、700r/min、800r/min、900r/min、1000r/min、1100r/min或1200r/min等,优选600~1000r/min。
本发明步骤(2)所述水热反应的温度优选为100~200℃,例如100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、180℃、190℃或200℃等,优选100~160℃。水热反应的温度影响产物的粒径。
优选地,步骤(2)所述水热反应的时间为2~6h。
本发明步骤(3)所述含氧气氛优选包括氧气和/或空气。
优选地,步骤(3)所述焙烧为:200~800℃下焙烧2~24h,例如焙烧温度为200℃、250℃、280℃、300℃、350℃、400℃、450℃、500℃、560℃、600℃、650℃、700℃、750℃或800℃等,焙烧时间为2h、2.5h、3h、5h、8h、10h、12h、15h、16h、17h、18h、19h、20h、21h、22h、23h、23.5h或24h等,优选350~500℃下焙烧3~12h。焙烧温度过高会破坏产物的结构。
优选地,步骤(3)所述固相经洗涤和干燥后在有氧气氛下焙烧。
优选地,所述干燥包括:60~200℃干燥4~24h,例如,干燥温度为60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、150℃、160℃、180℃或200℃等,干燥时间为4h、5h、8h、10h、12h、15h、16h、17h、18h、19h、20h、21h、22h、23h、23.5h或24h等,优选60~120℃下干燥8~12h。
作为本发明优选的技术方案,所述铜基复合金属氧化物介晶材料的制备方法包括如下步骤:
(1)将Cu前驱体盐和可选的金属M前驱体盐溶解于去离子水中,Cu与M的摩尔比为(1~100):1,得到盐溶液,向所得盐溶液中加入草酸和/或草酸铵、草酸钠或草酸钾中的任意一种或至少两种的组合,沉淀反应0.1~12h后得到混合液;
或,将草酸和/或草酸铵、草酸钠或草酸钾中的任意一种或至少两种的组合溶解于去离子水中,再加入Cu前驱体盐和可选的金属M前驱体盐,沉淀反应0.1~12h后得到混合液;
其中,所述Cu前驱体盐与所述去离子水的摩尔体积比为0.002~0.04mol/L;Cu前驱体盐和所述金属M前驱体盐各自独立地选自硝酸盐、醋酸盐、氯盐或硫酸盐或溴盐中的任意一种或至少两种的组合;
(2)将步骤(1)所得混合液转移至密闭反应器,100~200℃水热反应0.5~24h后,冷却、分离,收集固相;
(3)将步骤(2)所得固相洗涤,60~200℃干燥4~24h,之后200~800℃下在有氧气和/或空气中焙烧2~24h,即得。
本发明的目的之三在于提供如目的之一所述铜基复合金属氧化物介晶材料的用途,所述铜基复合金属氧化物介晶材料用于多相催化反应的催化剂,适用于所有需要传统氧化铜催化剂的多相催化反应。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
(1)本发明铜基氧化物介晶材料由取向一致的纳米晶排列构成,中值粒径为0.4~3μm,介晶结构的组成可以是多种金属氧化物介晶结构,是极具潜力的催化剂和光电材料。所述铜基复合金属氧化物介晶材料作为催化剂相较于不加催化剂、商业CuO催化剂与非定向排列组装而成的铜基氧化物微纳米材料,可显著提高多相催化反应的收率和选择性。例如,用于硅氢氯化反应的催化剂时对多晶硅原料三氯氢硅的选择性为95.0%以上,通过优化制备条件选择性可达96.6%;
(2)采用本发明制备方法工艺简单,重现性好,本发明方法所选用的原料价格低且对环境无污染,组分可控性好且分散均一,具有普适性,适合大规模化生产。
附图说明
图1是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的XRD图;
图2(a)是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的低倍率SEM图;图2(b)是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的高倍率SEM图;
图3是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的TEM图;
图4是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的HRTEM图;
图5(a)~图5(d)分别是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的HAADF-STEM图及元素、Cu、Zn、O的面扫描分布图;
图6是实施例8制得的三元介晶材料In2O3-ZnO-CuO的SEM图;
图7是实施例8制得的三元介晶材料In2O3-ZnO-CuO的TEM图;
图8是实施例8制得的三元介晶材料In2O3-ZnO-CuO的HRTEM图;
图9是实施例8制得的三元介晶材料In2O3-ZnO-CuO的元素面分布图;
图10是对比例6制得的二元微米材料CuO-ZnO的TEM图;
图11是实施例8催化反应后废触体的XRD图;
图12是实施例8催化反应后废触体在40~50°的XRD的放大图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了,所述实施例仅仅是帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。
本发明各实施例与对比例制得的铜基氧化物介晶材料通过以下方法进行测试:
在荷兰Panalytical公司(帕纳科)生产的X′Pert PRO MPD型多功能X射线衍射仪上进行XRD测试;在日本JEOL公司生产的JSM-7001F型扫描电子显微镜上观察其表面形貌;在日本JEOL公司生产的JEM-2010F型透射电子显微镜上观察其内部结构;在英国牛津公司生产的INCA X-MAX型能谱仪上测试元素分布情况;在美国Pekin-Elmer电感耦合等离子体原子发射光谱仪上进行ICP测试。
实施例1
一种CuO-ZnO二元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为0.8μm的橄榄球状,内部呈多孔状,CuO和ZnO之间形成了纳米尺度界面。
此CuO-ZnO二元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(NO3)2·3H2O和0.1mmolZn(NO3)2·6H2O溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.315g草酸,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于120℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
图1是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的XRD图,其中,"▼"代表CuO的特征衍射峰,"◆"为ZnO的特征衍射峰,从图中可以看出,该介晶材料为ZnO和CuO的二元复合结构;
图2(a)是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的低倍率SEM图;图2(b)是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的高倍率SEM图;从图中可以看出,粒子尺寸和形貌均一,粒子呈橄榄球状,粒径大小约为0.8μm;
图3是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的TEM图,从图中可以看出,制得的复合物介晶材料由纳米粒子组装而成,内部呈多孔状;
图4是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的HRTEM图,从图中可以看出,制得的复合物中CuO和ZnO有相同的取向排布,表明形成了介晶材料;且CuO与ZnO之间形成了纳米尺度界面;
图5(a)~图5(d)分别是实施例1制得的二元介晶材料CuO-ZnO的HAADF-STEM图及元素、Cu、Zn、O的面扫描分布图,图中显示Cu、Zn和O均匀分散于橄榄球中;
ICP测试结果显示,二元介晶材料CuO-ZnO中Cu与Zn的摩尔比为10:1。
实施例2
一种CuO-Co3O4二元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为2μm的球状,内部呈多孔状,CuO和CoO之间形成了纳米尺度界面。
此CuO-Co3O4二元介晶材料的制备方法如下:
1)将2.4mmolCu(NO3)2·3H2O和0.5mmolCo(NO3)2·6H2O溶解于60mL水中,搅拌混合6h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.105g草酸钠,搅拌12h;
3)然后放入100mL密闭反应器中于140℃条件下水热反应24h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于120℃干燥12h,在空气气氛下于200℃焙烧24h,即得。
实施例3
一种CuO-NiO二元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为1.5μm的球状,内部呈多孔状,CuO和NiO之间形成了纳米尺度界面。
此CuO-NiO二元介晶材料的制备方法如下:
1)将10mmolCu(NO3)2·3H2O和10mmolNi(NO3)2·6H2O溶解于600mL水中,搅拌混合12h;
2)在上述均匀混合溶液中加入21g草酸钾,搅拌6h;
3)然后放入1000mL密闭反应器中于120℃条件下水热反应0.5h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于200℃干燥4h,在空气气氛下于800℃焙烧2h,即得。
实施例4
一种CuO-MnO二元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为1μm的球状,内部呈多孔状,CuO和Mn2O5之间形成了纳米尺度界面。
此CuO-MnO二元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(SO4)2·5H2O和0.1mmolMnSO4·7H2O溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.434g草酸铵,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于110℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
实施例5
一种CuO-Fe2O3二元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为0.6μm的球状,内部呈多孔状,CuO和Fe2O3之间形成了纳米尺度界面。
此CuO-Fe2O3二元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(CH3COO)2·H2O和0.1mmolFe(CH3COO)3溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.470g草酸钠,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于100℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
实施例6
一种CuO-Ga2O3二元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为0.7μm的球状,内部呈多孔状,CuO和Ga2O3之间形成了纳米尺度界面。
此CuO-Ga2O3二元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCuCl2·2H2O和0.1mmolGaCl3溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.645g草酸钾,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于120℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
实施例7
一种CuO-In2O3二元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为0.5μm的球状,内部呈多孔状,CuO和In2O3之间形成了纳米尺度界面。
此ZnO-Al2O3二元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(NO3)2·3H2O和0.1mmolIn(NO3)3溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.315g草酸,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于100℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
实施例8
一种In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为0.5μm的球状,内部呈多孔状,CuO、ZnO和In2O3之间形成了纳米尺度界面。
此In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(NO3)2·3H2O、0.1mmolZn(NO3)2·6H2O和0.1mmolIn(NO3)3溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.315g草酸,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于100℃条件下水热反应6h;
4)将步骤(3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
图6是实施例8制得的In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料的SEM图,从图中可以看出,粒子尺寸和形貌均一,粒子也呈橄榄球状,粒径大小约为1μm;
图7是实施例8制得的In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料的TEM图,从图中可以看出,制得的复合物介晶材料由纳米粒子组装而成,内部呈多孔状;
图8是实施例8制得的In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料的HRTEM图,从图中可以看出,制得的复合物介晶材料中CuO、In2O3和ZnO有相同的取向排布,表明形成了介晶材料;且CuO、In2O3和ZnO之间形成了纳米尺度界面;
图9是实施例8制得的In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料的元素面分布图,图中显示Cu、Zn、In和O均匀分散于橄榄球中;
ICP测试结果显示,In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料中Cu:Zn:In=10:1:1(摩尔比)。
实施例9
一种In2O3-Fe2O3-CuO三元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为1μm的球状,内部呈多孔状,CuO、Fe2O3和In2O3之间形成了纳米尺度界面。
此In2O3-Fe2O3-CuO三元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(NO3)2·3H2O、0.01mmolFe(NO3)3·6H2O和0.001mmolIn(NO3)3溶解于60mL水中,搅拌混合6h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.105g草酸,搅拌12h;
3)然后放入100mL密闭反应器中于100℃条件下水热反应24h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于120℃干燥12h,在空气气氛下于200℃焙烧24h,即得。
实施例10
一种In2O3-NiO-CuO三元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为2.8μm的球状,内部呈多孔状,CuO、NiO和In2O3之间形成了纳米尺度界面。
此In2O3-NiO-CuO三元介晶材料的制备方法如下:
1)将10mmolCu(NO3)2·3H2O、10mmolNi(NO3)2·6H2O和10mmolIn(NO3)3溶解于600mL水中,搅拌混合12h;
2)在上述均匀混合溶液中加入21g草酸,搅拌6h;
3)然后放入1000mL密闭反应器中于200℃条件下水热反应0.5h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于200℃干燥4h,在空气气氛下于800℃焙烧2h,得到三元铜基复合金属氧化物介晶材料。
实施例11
一种Ga2O3-Fe2O3-CuO三元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为0.9μm的球状,内部呈多孔状,CuO、Fe2O3和Ga2O3之间形成了纳米尺度界面。
此Ga2O3-Fe2O3-CuO三元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(SO4)2·5H2O、0.1mmolFe2(SO4)3·7H2O和0.1mmolGa2(SO4)3溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.434g草酸铵,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于120℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
实施例12
一种In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为0.5μm的橄榄球状,内部呈多孔状,CuO、ZnO和In2O3之间形成了纳米尺度界面。
此In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(CH3COO)2·H2O、0.1mmolZn(CH3COO)2·2H2O和0.1mmolIn(CH3COO)3溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.470g草酸钠,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于120℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
实施例13
一种In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为0.55μm的橄榄球状,内部呈多孔状,CuO、ZnO和In2O3之间形成了纳米尺度界面。
此CuO-ZnO-In2O3三元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCuCl2·2H2O、0.1mmolZnCl2和0.1mmolInCl3溶解于60mL水中,
搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.645g草酸钾,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于120℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
实施例14
一种In2O3-ZnO-CuO三元介晶材料,为由取向一致的纳米粒子排布而成的粒径约为0.5μm的橄榄球状,内部呈多孔状,CuO、ZnO和In2O3之间形成了纳米尺度界面。
此CuO-ZnO-In2O3三元介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(NO3)2·3H2O、0.1mmolZn(NO3)2·6H2O和0.1mmolNi(NO3)2·6H2O溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.315g草酸,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于120℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,得到三元铜基复合金属氧化物介晶材料。
实施例15
铜基氧化物介晶材料用作硅氢氯化反应的催化剂。
硅氢氯化反应采用微型固定床装置进行,反应器内径为20cm,长度为50cm,评价过程如下:将10gSi粉和0.2g实施例1~15的Cu基复合氧化物介晶材料催化剂均匀混合后,研磨混合形成触体;反应时,首先通入N2吹扫反应系统1h,然后切换为HCl气体,流速为25mL/min,经过预热后与触体在300℃发生反应,反应压力为0.1MPa,反应时间为4h;反应后的产物从反应器下端流出,经冷凝管冷凝后采用甲苯收集,多余尾气用碱液吸收后排空;收集的混合液定容后通过毛细管气相色谱(Agilent 7890A,KB-210色谱柱,TCD检测器)进行定量分析。检测结果如表1所示。
对比例1
与实施例15的区别仅在于:不使用任何催化剂,具体如下:
生产三氯氢硅:在固定床(反应器内径为20cm,长度为50cm)中先加入10gSi粉,通入N2吹扫反应系统1h;然后切换为HCl气体,流速为25mL/min,经过预热后与触体在300℃发生反应,反应压力为0.1MPa,反应时间为4h;反应后的产物经冷凝管冷凝后采用甲苯收集,多余尾气用碱液吸收后排空;收集的混合液定容后通过毛细管气相色谱(Agilent 7890A,KB-210色谱柱,TCD检测器)进行定量分析(见表1)。
对比例2
与实施例16的区别仅在于:用0.2g商业CuO催化剂代替0.2g铜基氧化物介晶材料。
收集的混合液定容后通过毛细管气相色谱(Agilent 7890A,KB-210色谱柱,TCD检测器)进行定量分析(见表1)。
对比例3
与实施例16的区别仅在于:用单元ZnO介晶材料代替0.2g铜基氧化物介晶材料。
收集的混合液定容后通过毛细管气相色谱(Agilent 7890A,KB-210色谱柱,TCD检测器)进行定量分析(见表1)。
对比例4
与实施例16的区别仅在于:用单元CuO介晶材料和单元ZnO介晶材料的机械混合物(CuO与ZnO的摩尔比为10:1)代替0.2g铜基氧化物介晶材料。
收集的混合液定容后通过毛细管气相色谱(Agilent 7890A,KB-210色谱柱,TCD检测器)进行定量分析(见表1)。
对比例5
与实施例2的区别仅在于:用碳酸钠代替草酸钠,但保证碳酸根离子的添加量与实施例2相同。
对比例6
一种CuO-ZnO二元微米材料,非定向排列的纳米粒子组装而成的粒径约0.8μm的微米球,内部呈多孔状,CuO和ZnO之间无纳米尺度界面。
此CuO-ZnO二元微米材料的制备方法与实施例1的区别仅在于:水热反应时间不同,具体如下:
1)将1mmolCu(NO3)2·3H2O和0.1mmolZn(NO3)2·6H2O溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.315g草酸,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于120℃条件下水热反应0.2h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
从图10可以看出,制得的复合物中CuO和ZnO非定向排布,表明无介晶结构;且CuO与ZnO之间更不存在纳米尺度界面,证明对比例6得到的只是非定向排列的纳米粒子组装而成的微米球。
收集的混合液定容后通过毛细管气相色谱(Agilent 7890A,KB-210色谱柱,TCD检测器)进行定量分析(见表1)。
对比例7
一种单元CuO介晶材料,为由取向一致的CuO纳米粒子排布而成的粒径约为0.8μm的橄榄球状,内部呈多孔状。
此单元CuO介晶材料的制备方法如下:
1)将1mmolCu(NO3)2·3H2O溶解于60mL水中,搅拌混合0.1h;
2)在上述均匀混合溶液中加入0.315g草酸,搅拌0.1h;
3)然后放入80mL密闭反应器中于120℃条件下水热反应6h;
4)将步骤3)反应得到的固体洗涤,于60℃干燥24h,在空气气氛下于400℃焙烧3h,即得。
收集的混合液定容后通过毛细管气相色谱(Agilent 7890A,KB-210色谱柱,TCD检测器)进行定量分析(见表1)。
表1
注:反应条件:预热温度为325℃,反应温度为300℃,反应压力为常压,HCl流速为25mL/min,反应时间为4h。
产物选择性:目标产物的质量与所有反应产物质量总和的比值。
Si转化率通过如下公式计算:
其中,W反应前和W反应后分别为反应前和Si重量和反应后的Si质量。
活性:单位时间单位质量催化剂(活性组分以CuO计)所转化的硅粉质量,单位g/h/g催化剂。
“-”表示无催化活性。
从表1可以看出,与不加催化剂、商业CuO催化剂、单元ZnO和单元CuO介晶材料及它们的机械混合物相比,本发明的铜基氧化物介晶材料对三氯氢硅的选择性和收率显著增加,催化活性成倍提高,通过优化条件得到的铜基氧化物介晶材料对三氯氢硅选择性可达96.6%。此外,与现有技术中纳米粒子不定向排列组装成的铜基氧化物微纳米材料相比,本发明的铜基氧化物介晶材料催化效率进一步提高,而催化选择性的提高是不可预期的,这与其特殊的介晶结构有关,导致形成更多的Cu3Si活性相(见图11和图12),从而提高对三氯氢硅的选择性和收率,是现有技术中仅通过设计孔结构和降低尺寸难以实现的。
申请人声明,以上所述仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,所属技术领域的技术人员应该明了,任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种铜基复合金属氧化物介晶材料,其特征在于,所述铜基复合金属氧化物介晶材料由取向一致的纳米晶排列构成;所述纳米晶包括铜的氧化物纳米晶和金属M的氧化物纳米晶;
所述铜基复合金属氧化物介晶材料的中值粒径为0.4~3μm;
其中,金属M选自Ga、In或过渡金属元素中的任意一种元素或至少两种元素的组合。
2.如权利要求1所述的铜基复合金属氧化物介晶材料,其特征在于,所述铜基复合金属氧化物介晶材料的中值粒径为0.8~2.5μm;
优选地,所述铜基复合金属氧化物介晶材料为橄榄球状;
优选地,所述铜基复合金属氧化物介晶材料具有介孔结构;
优选地,所述铜基复合金属氧化物介晶材料的平均孔径为4~20nm,优选7~12nm。
3.如权利要求1或2所述的铜基复合金属氧化物介晶材料,其特征在于,所述金属M包括Ga、In、Mn、Fe、Co、Ni或Zn中的任意一种或至少两种的组合。
4.如权利要求1~3任一项所述的铜基复合金属氧化物介晶材料,其特征在于,所述铜基复合金属氧化物介晶材料中不同氧化物纳米晶之间形成纳米尺度界面。
5.如权利要求1~4任一项所述铜基复合金属氧化物介晶材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将Cu前驱体盐和金属M前驱体盐溶解混合,得到盐溶液,向所得盐溶液中加入草酸和/或草酸盐,沉淀反应后得到混合液;
或,将草酸和/或草酸盐溶解,再加入Cu前驱体盐和金属M前驱体盐,混合,沉淀反应后得到混合液;
其中,所述盐溶液中Cu前驱体盐的浓度为0.002~0.04mol/L;所述加入草酸和/或草酸盐与所述去离子水的摩尔体积比≥0.02mol/L;
(2)将步骤(1)所得混合液进行水热反应0.5~24h后,冷却、分离,收集固相;
(3)将步骤(2)所得固相在有氧气氛下焙烧,即得。
6.如权利要求5所述铜基复合金属氧化物介晶材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述盐溶液中Cu前驱体盐的浓度为0.01~0.02mol/L。
优选地,步骤(1)所述Cu前驱体盐和所述金属M前驱体盐各自独立地选自硝酸盐、醋酸盐、氯盐或硫酸盐或溴盐中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,步骤(1)所述Cu前驱体盐中Cu与所述金属M前驱体盐中M的摩尔比为(1~100):1,优选(5~20):1;
优选地,步骤(1)中所述溶解用的溶剂为去离子水;
优选地,步骤(1)中所述混合方式为搅拌。
7.如权利要求5或6所述铜基复合金属氧化物介晶材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述草酸盐包括草酸铵、草酸钠或草酸钾中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,步骤(1)所述加入草酸和/或草酸盐与所述去离子水的摩尔体积比为0.02~0.4mol/L;
优选地,步骤(1)所述沉淀反应的时间为0.1~12h,优选0.5~4h;
优选地,步骤(1)所述沉淀反应的方式包括搅拌,所述搅拌的速率为400~1200r/min,优选600~1000r/min。
8.如权利要求5~7任一项所述铜基复合金属氧化物介晶材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述水热反应的温度为100~200℃,优选100~160℃;
优选地,步骤(2)所述水热反应的时间2~6h。
9.如权利要求5~7任一项所述铜基复合金属氧化物介晶材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述含氧气氛包括氧气和/或空气;
优选地,步骤(3)所述焙烧为:200~800℃下焙烧2~24h,优选350~500℃下焙烧3~12h;
优选地,步骤(3)所述固相经洗涤和干燥后在有氧气氛下焙烧;
优选地,所述干燥包括:60~200℃干燥4~24h,优选60~120℃下干燥8~12h。
10.如权利要求1~4任一项所述铜基复合金属氧化物介晶材料的用途,其特征在于,所述铜基复合金属氧化物介晶材料用于多相催化反应的催化剂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710223212.XA CN106861693B (zh) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | 一种铜基复合金属氧化物介晶材料及其制备方法和用途 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710223212.XA CN106861693B (zh) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | 一种铜基复合金属氧化物介晶材料及其制备方法和用途 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106861693A true CN106861693A (zh) | 2017-06-20 |
CN106861693B CN106861693B (zh) | 2019-07-05 |
Family
ID=59160027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710223212.XA Active CN106861693B (zh) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | 一种铜基复合金属氧化物介晶材料及其制备方法和用途 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106861693B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109569642A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-04-05 | 重庆工商大学 | 一种含铜-锰的双组分氧化物的共沉淀制备方法 |
CN113559862A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-10-29 | 北京工商大学 | 原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂及其制备方法 |
CN113600213A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-11-05 | 北京工商大学 | 铜基氧化物/磷化物复合介晶材料及其制备方法和应用 |
CN114392742A (zh) * | 2022-01-28 | 2022-04-26 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种氧化铜粉末催化剂及其应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102631919A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-08-15 | 渤海大学 | 铜-钛氧化物介晶材料的制备方法 |
CN104525217A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-22 | 华东理工大学 | 一种棒状多孔半导体介晶催化材料的制备方法 |
CN104925861A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-09-23 | 浙江大学 | 一种形貌、尺寸可控的TiO2介孔单晶及其制备方法 |
CN104955771A (zh) * | 2013-01-31 | 2015-09-30 | 国立大学法人大阪大学 | 金属氧化物介晶体及其制造方法 |
CN105582935A (zh) * | 2016-03-07 | 2016-05-18 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种铜锌复合氧化物、其制备方法及用途 |
-
2017
- 2017-04-07 CN CN201710223212.XA patent/CN106861693B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102631919A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-08-15 | 渤海大学 | 铜-钛氧化物介晶材料的制备方法 |
CN104955771A (zh) * | 2013-01-31 | 2015-09-30 | 国立大学法人大阪大学 | 金属氧化物介晶体及其制造方法 |
CN104525217A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-22 | 华东理工大学 | 一种棒状多孔半导体介晶催化材料的制备方法 |
CN104925861A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-09-23 | 浙江大学 | 一种形貌、尺寸可控的TiO2介孔单晶及其制备方法 |
CN105582935A (zh) * | 2016-03-07 | 2016-05-18 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种铜锌复合氧化物、其制备方法及用途 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
YANAN GUO ET AL.: "Sensitive, Selective, and Fast Detection of ppb-Level H2S Gas Boosted by ZnO-CuO Mesocrystal", 《NANOSCALE RESEARCH LETTERS》 * |
YU ZHANG ET AL.: "Hierarchical zinc-copper oxide hollow microspheres as active Rochow reaction catalysts: The formation and effect of charge transferable interfaces", 《JOURNAL OF CATALYSIS》 * |
YU ZHANG ET AL.: "Promoting effect of In2O3 on CuO for the Rochow reaction: The formation of P–N junctions at the hetero-interfaces", 《JOURNAL OF CATALYSIS》 * |
ZHENFENG BIAN ET AL.: "A nanocomposite superstructure of metal oxides with effective charge transfer interfaces", 《NATURE COMMUNICATIONS》 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109569642A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-04-05 | 重庆工商大学 | 一种含铜-锰的双组分氧化物的共沉淀制备方法 |
CN113559862A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-10-29 | 北京工商大学 | 原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂及其制备方法 |
CN113600213A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-11-05 | 北京工商大学 | 铜基氧化物/磷化物复合介晶材料及其制备方法和应用 |
CN113600213B (zh) * | 2021-06-21 | 2022-04-22 | 北京工商大学 | 铜基氧化物/磷化物复合介晶材料及其制备方法和应用 |
CN114392742A (zh) * | 2022-01-28 | 2022-04-26 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种氧化铜粉末催化剂及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106861693B (zh) | 2019-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Yang et al. | Syntheses and applications of noble-metal-free CeO2-based mixed-oxide nanocatalysts | |
Shen et al. | Built-in electric field induced CeO2/Ti3C2-MXene Schottky-junction for coupled photocatalytic tetracycline degradation and CO2 reduction | |
Diarmand-Khalilabad et al. | g-C3N4 nanosheets decorated with carbon dots and CdS nanoparticles: novel nanocomposites with excellent nitrogen photofixation ability under simulated solar irradiation | |
Liu et al. | A facile solvothermal approach of novel Bi2S3/TiO2/RGO composites with excellent visible light degradation activity for methylene blue | |
CN106861693B (zh) | 一种铜基复合金属氧化物介晶材料及其制备方法和用途 | |
Xie et al. | Synthesis of nanorod-shaped cobalt hydroxycarbonate and oxide with the mediation of ethylene glycol | |
CN109304476A (zh) | 碳包覆过渡金属纳米复合材料及其制备方法和应用 | |
CN110711581B (zh) | 一种铜基复合金属氧化物介晶微球及其制备方法和用途 | |
CN105582935B (zh) | 一种铜锌复合氧化物、其制备方法及用途 | |
Huang et al. | 3D nanospherical CdxZn1− xS/reduced graphene oxide composites with superior photocatalytic activity and photocorrosion resistance | |
CN103301843B (zh) | 一种高分散负载型铜基催化剂及其制备方法和应用 | |
Hong et al. | One-pot hydrothermal synthesis of Zinc ferrite/reduced graphene oxide as an efficient electrocatalyst for oxygen reduction reaction | |
CN103145199B (zh) | 一种四氧化三钴/石墨烯复合纳米材料的制备方法 | |
CN107649160A (zh) | 一种石墨烯负载过渡族金属单分散原子催化剂及其制备方法和应用 | |
CN103641165B (zh) | 一种以天然矿物为模板制备二氧化钛纳米管的方法 | |
CN107597109A (zh) | 纳米金属氧化物掺杂的负载型金催化剂及其制备方法与应用 | |
CN109663595A (zh) | 一种铜基复合金属氧化物中空微球、其制备方法及用途 | |
Yan et al. | Preparation and catalytic behavior of reduced graphene oxide supported cobalt oxide hybrid nanocatalysts for CO oxidation | |
CN113740390B (zh) | 一种镍掺杂氧化铟纳米颗粒及其制备方法与应用 | |
CN109663611A (zh) | 一种单层氮化碳复合铁酸锌z型催化剂的制备方法及其固氮应用 | |
CN107552034A (zh) | 一种简单、快速制备碳掺杂氧化锌纳米片的方法 | |
Tong et al. | Improvement of catalytic activity in selective oxidation of styrene with H2O2 over spinel Mg–Cu ferrite hollow spheres in water | |
Sahoo et al. | Morphology of ZnO triggered versatile catalytic reactions towards CO2 fixation and acylation of amines at optimized reaction conditions | |
CN102060333B (zh) | 一种制备锰氧化物纳米材料的方法 | |
CN113594476B (zh) | 一种氮化碳改性的甲醇电催化剂及其制备方法和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211102 Address after: 225400 26 Taixing Road, Taixing Economic Development Zone, Taizhou, China Patentee after: TAIXING SMELTING PLANT Co.,Ltd. Address before: 100190 No. two, No. 1, North Haidian District, Beijing, Zhongguancun Patentee before: Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences |