CN106855676A - 反射型显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000011514 reflex Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 12
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000003471 mutagenic agent Substances 0.000 description 3
- 231100000707 mutagenic chemical Toxicity 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAIUNKRWKOVEES-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine Chemical compound CC1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=C(C)C=2)=C1 UAIUNKRWKOVEES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRNWIFYIFSBPAU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(dimethylamino)phenyl]-n,n-dimethylaniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C1=CC=C(N(C)C)C=C1 YRNWIFYIFSBPAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 tetrafluoroborates Chemical class 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 235000015511 Liquidambar orientalis Nutrition 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004870 Styrax Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Inorganic materials O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLLMMMHXIMRJEC-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine;perchloric acid Chemical compound CCCC[NH3+].[O-]Cl(=O)(=O)=O BLLMMMHXIMRJEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(IV) oxide Inorganic materials O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract
披露了一种反射型显示装置，所述反射型显示装置包括：彼此面对的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板的每一个包括显示区域和反射区域；设置在所述显示区域中的显示元件；和设置在所述反射区域中的反射控制元件，所述反射控制元件用于控制外部入射的光的反射率。所述反射型显示装置可通过在显示图像时控制反射区域的反射率而提高对比度。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年12月9日提交的韩国专利申请第10-2015-0174718号的权益，为了所有目的，通过引用将该专利申请结合在此，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种反射型显示装置。
背景技术
近来，随着信息时代的进步，用于处理和显示大量信息的显示器领域已得到快速发展。为了响应这一趋势，各种显示装置已被引入并受到关注。这些显示装置包括液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置、场致发射显示(FED)装置、电致发光显示(ELD)装置和有机发光显示(OLED)装置。
近来，显示装置已具备纤薄外形、轻重量和低功耗的特性，由此显示装置的应用领域不断增加。特别是，显示装置已被用作大部分电子装置和移动装置中的用户界面之一。
此外，近来，正在积极研究包括反射区域和显示区域的反射型显示装置。反射型显示装置在不显示图像时可通过反射光而被用作反射镜，而在显示图像时充当一般的显示装置。
然而，根据相关技术，因为即使在显示图像时也始终保持高反射率，所以相关技术的反射型显示装置不会控制反射率并且对比度低。因此，所述反射型显示装置不能适当地作为显示装置进行操作。
图1是图解传统的反射型显示装置的一个像素结构的平面图，所述反射型显示装置包括顶部发光型有机发光二极管，图2是沿图1中所示的线I-I’截取的截面图。
参照图1和图2，传统的反射型显示装置包括显示区域和反射区域。
在显示区域上形成有薄膜晶体管T，其中所述薄膜晶体管T包括第一基板10、有源层11、栅极绝缘体12、栅极电极13、层间电介质14、源极电极15和漏极电极16，并且钝化层20和平坦化层30按适当的顺序形成在薄膜晶体管T上。
阳极电极40和辅助电极50形成在平坦化层30上。辅助电极用于降低稍后将描述的阴极电极80的电阻。堤部60形成在阳极电极40和辅助电极50上以界定像素区域，有机发光层70形成在由堤部60界定的像素区域中，并且阴极电极80形成在有机发光层70上。
黑矩阵91和滤色器92形成在在第二基板90上。
反射金属93布置在第二基板90的反射区域上。当显示区域上不显示图像时，反射金属93可充当反射光的反射镜。
然而，即使在显示区域上显示图像时，反射金属也保持高反射率，由此对比度降低，因而反射型显示装置不能适当地作为显示装置进行操作。
上述相关技术是基于发明人为了得到本发明所掌握的技术信息或者通过得到本发明的过程所获得的技术信息，并不一定是在提交本发明的申请之前对公众已知的技术。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的反射型显示装置。
本发明的一个优点是提供一种可通过在显示图像时控制反射区域的反射率而提高对比度的反射型显示装置。
本发明的另一个优点是提供一种能够通过控制反射区域的反射率而同时实现反射模式和显示模式的反射型显示装置。
在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于本领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的目的和其他优点。
为实现这些目的和其它优点，并根据本发明的目的，如这里具体和概括地描述的，根据本发明的反射型显示装置包括：彼此面对的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板的每一个包括显示区域和反射区域；设置在所述显示区域中的显示元件；和设置在所述反射区域中的反射控制元件，所述反射控制元件用于控制外部入射的光的反射率。
应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括来给本发明提供进一步理解且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是图解传统的反射型显示装置的一个像素的平面图；
图2是沿图1中所示的线I-I’截取的截面图；
图3是图解根据本发明一个实施方式的反射型显示装置的一个像素的平面图；
图4是沿图3中所示的线II-II’截取的截面图；
图5A和图5B是图解本发明实施方式的优点的视图；
图6A是图解同时实现显示模式和反射模式的视图；
图6B是图解仅实现显示模式的视图；
图6C是图解仅实现反射模式的视图；
图7是图解根据本发明另一个实施方式的反射型显示装置的视图；
图8是图解根据本发明其他实施方式的反射型显示装置的视图。
具体实施方式
将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式从而使该公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给本领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。
为了描述本发明的实施方式而在附图中披露的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，可添加另外的部分，除非使用了“仅”。单数形式的术语可包括复数形式，除非有相反指示。
在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如当位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”时，可在两个部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。
将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来将元件彼此区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一元件可能被称为第二元件，相似地，第二元件可能被称为第一元件。
所属领域技术人员能够充分理解，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。
下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施方式。
图3是图解根据本发明一个实施方式的反射型显示装置的一个像素的平面图，图4是沿图3中所示的线II-II’截取的截面图。
参照图3和图4，根据本发明一个实施方式的反射型显示装置包括彼此面对的第一基板105和第二基板405，第一基板105和第二基板405的每一个包括显示区域和反射区域。反射型显示装置进一步包括挡墙280，挡墙280设置在第一基板105与第二基板405之间，挡墙280将反射区域与显示区域彼此分隔开。显示区域设置有显示元件200，反射区域包括反射控制元件400。首先将描述反射区域，随后描述显示区域。
设置在反射区域中的反射控制元件400布置在第一基板105与第二基板405之间，反射控制元件400包括透明电极430、反射电极440、反向层(counter layer)450、电致变色层460和电解质层470。
透明电极430设置在第二基板405的一个表面上以面向第一基板105，反射电极440设置在第一基板105的一个表面上以面向第二基板405。由于反射电极440用于在反射模式期间反射光，因此反射电极440可以是不透明电极。
透明电极430可以是但不限于氧化银(例如，AgO、Ag2O或Ag2O3)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化钨(例如，WO2、WO3或W2O3)、氧化镁(例如，MgO)、氧化钼(例如，MoO3)、氧化锌(例如，ZnO)、氧化锡(例如，SnO2)、氧化铟(例如，In2O3)、氧化铬(例如，CrO3或Cr2O3)、氧化锑(例如，Sb2O3或Sb2O5)、氧化钛(例如，TiO2)、氧化镍(例如，NiO)、氧化铜(例如，CuO或Cu2O)、氧化钒(例如，V2O3或V2O5)、氧化钴(例如，CoO)、氧化铁(例如，Fe2O3或Fe3O4)、氧化铌(例如，Nb2O5)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、铝掺杂氧化锌(ZAO)、铝掺杂氧化锡(例如，TAO)或氧化锑锡(ATO)。
反向层450设置在透明电极430的一个表面上以面向第一基板105，电致变色层460设置在反射电极440的一个表面上以面向第二基板405。
反向层450和电致变色层460彼此具有以下关系。当反向层450进行氧化反应时，电致变色层460进行还原反应，当反向层450进行还原反应时，电致变色层460进行氧化反应。
也就是说，当向透明电极430和反射电极440的每一个施加电压时，反向层450和电致变色层460进行电化学氧化-还原反应，由此反向层450和电致变色层460的颜色发生变化。
例如，当向透明电极430施加正电压并且向反射电极440施加负电压时，在电致变色层460中发生还原反应，并且在反向层450中发生氧化反应。由于电致变色层460通过还原反应变为诸如黑色之类的预定颜色，因此电致变色层460可吸收入射光。也就是说，只有用于在显示元件200中显示图像的显示模式可进行操作。在此情形中，由于用于反射光的反射模式不进行操作，因此当显示模式进行操作时可提高对比度。
此外，当向透明电极430施加负电压并且向反射电极440施加正电压时，在反向层450中发生还原反应，并且在电致变色层460中发生氧化反应。由于电致变色层460通过氧化反应变为透明的，因此电致变色层460可透过入射光，从而反射电极440实现用于反射光的反射模式。
反向层450相当于使电致变色层460顺利地进行氧化-还原反应的辅助层。反向层450可包括反向材料，所述反向材料在发生氧化反应时通过吸收预定颜色而具有该预定颜色并且通过还原反应而变为透明的。所述反向材料可以是TMPD(N,N,N',N'-四甲基-1,4-苯二胺)、TMB(3,3',5,5'-四甲基联苯胺)、NTMB(N,N,N',N'-四甲基联苯胺)或DAB(3,3'-二氨基联苯胺)。可省略掉反向层450。
电致变色层460可包括诸如透明导电氧化物(TCO)之类的芯材料(core material)以及与所述芯材料混合的电致变色材料。所述芯材料可以是TiO2、In2O3、SnO2、RuO2或通过用TiO2对ITO进行表面处理所获得的材料。所述电致变色材料在发生还原反应时通过吸收预定颜色而具有该预定颜色，并且所述电致变色材料可以是在发生氧化反应时变为透明的材料。例如，所述电致变色材料可以是1,1'-二苄基-4,4'-联吡啶双四氟硼酸盐。优选地，所述芯材料与通过还原反应而具有各种颜色的电致变色材料混合，以提高电致变色层460的光吸收功能。
电解质层470可包括电解质、聚合物和UV引发剂。所述电解质可以是高氯酸锂、叔丁基高氯酸铵、叔丁基氟硼酸铵、或三氟甲磺酸四丁基铵盐。所述聚合物可以是丙烯酸酯基聚合物、聚酯基聚合物或环氧基聚合物。所述UV引发剂可以是安息香醚基UV引发剂或胺基UV引发剂。可通过沉积具有粘性的液晶材料并接着对所述液晶材料进行UV硬化而形成电解质层470。电解质层470提供正离子和负离子，以使电致变色层460和反向层450进行氧化-还原反应。
设置在反射区域中并控制外部入射的光的反射率的反射控制元件400可进行操作以反射或吸收外部入射的光，但不限于此。也就是说，反射控制元件400可通过反射或吸收全部或一部分入射光来控制反射率。
下文中，将描述图4中所示的包括显示元件200的显示区域。
第一驱动元件100、第二驱动元件300、钝化层165、平坦化层170、阳极电极180、辅助电极190、堤部220、阻挡部230、有机发光层240和阴极电极250形成在第一基板105上。黑矩阵210和滤色器260形成在第二基板405上。
第一驱动元件100是通过驱动显示元件200而用于发射光的薄膜晶体管，第一驱动元件100包括有源层110、栅极绝缘膜120、栅极电极130、层间电介质140、源极电极150和漏极电极160。
第二驱动元件300是通过驱动反射区域的反射控制元件400而用于控制反射率的薄膜晶体管。尽管第二驱动元件300图示在显示区域中，但第二驱动元件300并不限于显示区域。例如，第二驱动元件300可布置在显示区域或反射区域中。此外，第二驱动元件300无需设置在每一个像素中，可使用一个第二驱动元件300来驱动所有像素的反射控制元件400。此外，第二驱动元件300并不是必需的，可使用第一驱动元件100来驱动反射区域的反射控制元件400。
第二驱动元件300包括有源层110、栅极绝缘膜120、栅极电极130、层间电介质140、源极电极350和漏极电极360。源极电极350连接至反射区域的反射电极440并施加电压。然而，不限于该情形，源极电极350可延伸至反射区域并且可充当反射电极440。下文中，将省略第二驱动元件300与第一驱动元件100的重复描述，以避免重复。
有源层110在基板105上形成为与栅极电极130重叠。有源层110可由基于硅的半导体材料或者基于氧化物的半导体材料制成。
栅极绝缘膜120形成在有源层110上。栅极绝缘膜120用于将有源层110与栅极电极130绝缘。栅极绝缘膜120可由以下无机绝缘材料制成，例如氧化硅膜(SiOX)、氮化硅膜(SiNX)、或SiOX和SiNX的多层，但不限于此。
栅极电极130形成在栅极绝缘膜120上。栅极电极130形成为与有源层110重叠，在二者之间插入有栅极绝缘膜120。
层间电介质140形成在栅极电极130上。层间电介质140可由与栅极绝缘膜120相同的无机绝缘材料形成，例如氧化硅膜(SiOX)、氮化硅膜(SiNX)、或SiOX和SiNX的多层，但不限于此。
在层间电介质140上形成彼此面对的源极电极150或350以及漏极电极160或360。前述栅极绝缘膜120和前述层间电介质140设置有第一接触孔CH1和第三接触孔CH3以及第二接触孔CH2和第四接触孔CH4，其中第一接触孔CH1和第三接触孔CH3暴露有源层110的一个端部区域，第二接触孔CH2和第四接触孔CH4暴露有源层110的另一个端部区域。源极电极150和350通过第二接触孔CH2和第四接触孔CH4与有源层110的所述另一个端部区域连接，漏极电极160和360通过第一接触孔CH1和第三接触孔CH3与有源层110的所述一个端部区域连接。此外，源极电极150或350可包括下部源极电极151或351、中央源极电极152或352、以及上部源极电极153或353。此外，第二驱动元件300的源极电极350通过第六接触孔CH6与反射区域的反射电极440连接。
下部源极电极151或351形成在层间电介质140与中央源极电极152或352之间并且可用于增强层间电介质140与中央源极电极152或352之间的粘合力。此外，下部源极电极151或351保护中央源极电极152或352的下表面，以防止中央源极电极152或352的下表面被腐蚀。
中央源极电极152或352形成在下部源极电极151或351与上部源极电极153或353之间。中央源极电极152或352可由具有低电阻的金属铜(Cu)制成，但不必限于此。上部源极电极153或353形成在中央源极电极152或352的上表面上，从而可防止中央源极电极152或352的上表面被腐蚀。
类似于前述源极电极150或350，漏极电极160或360可包括下部漏极电极161或361、中央漏极电极162或362、以及上部漏极电极163或363。为了避免重复的描述，将省略相同的描述。
前述第一驱动元件100和第二驱动元件300可被修改为本领域技术人员已知的各种结构，不限于所示出的上述结构。例如，尽管在附图中第一驱动元件100和第二驱动元件300形成为其中栅极电极130形成在有源层110上方的顶栅结构，但第一驱动元件100和第二驱动元件300可形成为其中栅极电极130形成在有源层110下方的底栅结构。
钝化层165形成在第一驱动元件100和第二驱动元件300上，更具体地说，钝化层165形成在源极电极150和350以及漏极电极160和360上。钝化层165用于保护第一驱动元件100和第二驱动元件300，钝化层165可由例如SiOX或SiNX的无机绝缘材料制成，但不限于此。
平坦化层170形成在钝化层165上。平坦化层170用于将设置有第一驱动元件100和第二驱动元件300的基板105的上部平坦化。平坦化层170可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂之类的有机绝缘材料制成，但并不限于此。
阳极电极180和辅助电极190形成在平坦化层170上。也就是说，阳极电极180和辅助电极190彼此形成在同一层上。前述钝化层165和前述平坦化层170设置有暴露源极电极150的第五接触孔CH5，源极电极150和阳极电极180通过第五接触孔CH5彼此连接。阳极电极180可包括下部阳极电极181和上部阳极电极182，辅助电极190可包括下部辅助电极191和上部辅助电极192。
堤部220形成在阳极电极180和辅助电极190上。堤部220在暴露阳极电极180的上表面的同时形成在阳极电极180的一侧和另一侧上。堤部220可通过形成为暴露阳极电极180的上表面而获得显示图像的区域。
堤部220在暴露辅助电极190的上表面的同时形成在辅助电极190的一侧和另一侧上。堤部220可通过形成为暴露辅助电极190的上表面而获得辅助电极190与阴极电极250之间的电连接空间。
阻挡部230形成在辅助电极190上。阻挡部230与堤部220分隔开预定距离，辅助电极190和阴极电极250通过阻挡部230与堤部220之间的分隔区域彼此电连接。
如果不形成阻挡部230，为了使辅助电极190的上表面不被有机发光层240覆盖，当沉积有机发光层240时需要覆盖辅助电极190的上表面的掩模图案。然而，如果形成阻挡部230，当沉积有机发光层240时，阻挡部230的上表面充当屋檐(eaves)，从而使有机发光层240不沉积在所述屋檐下方，因此不需要覆盖辅助电极190的上表面的掩模图案。
阻挡部230形成为具有比其下表面宽的上表面。阻挡部230可包括第一阻挡部231和第二阻挡部232，其中第一阻挡部231形成在第二阻挡部232下方。
有机发光层240形成在阳极电极180上。有机发光层240可包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。有机发光层240可被修改为本领域技术人员已知的各种类型。
阴极电极250形成在有机发光层240上。由于阴极电极250形成在发射光的表面上，因此阴极电极250由透明导电材料制成。由于阴极电极250由透明导电材料制成，因此其具有高电阻。因此，阴极电极250与辅助电极190连接，以降低阴极电极250的电阻。也就是说，阴极电极250通过阻挡部230与堤部220之间的分隔区域与辅助电极190连接。由于阴极电极250可通过诸如溅射之类的沉积工艺形成，该工艺不具有良好的沉积材料的直线性，因此在阴极电极250的沉积工艺过程中阴极电极250可沉积在阻挡部230与堤部220之间的分隔区域上。
尽管未示出，但可在阴极电极250上额外地形成封装层，以防止发生水分渗透。
如上所述，根据本发明实施方式的反射型显示装置可包括显示区域和反射区域，因此可以显示模式和反射模式进行操作。此外，反射模式和显示模式可同时进行操作。
例如，当在显示区域中驱动显示元件200以显示图像时，反射区域中的反射控制元件400用于吸收光而不反射光，由此可提高对比度。
例如，当在显示区域中不驱动显示元件200从而不显示图像时，反射区域中的反射控制元件400用于反射光而不吸收光，由此反射控制元件400可以以反射物体的反射模式进行操作。
例如，当在显示区域中驱动显示元件200以显示图像时，反射区域中的反射控制元件400用于同时反射光或吸收光，可执行反射模式和显示模式两种模式。
图5A和图5B是图解根据本发明的反射型显示装置的反射区域的优点的视图。
参照图5A，反射区域中的反射控制元件400可用于反射光。也就是说，当向透明电极430施加负电压并且向反射电极440施加正电压时，在反向层450中发生还原反应，并且在电致变色层460中发生氧化反应。由于电致变色层460通过氧化反应变为透明的，因此电致变色层460可通过原样透过入射光而实现其中光在反射电极440中被反射的反射模式。
参照图5B，反射区域中的反射控制元件400可用于吸收光。也就是说，当向透明电极430施加正电压并且向反射电极440施加负电压时，在电致变色层460中发生还原反应，并且在反向层450中发生氧化反应。由于电致变色层460通过还原反应变为诸如黑色之类的预定颜色，因此电致变色层460可吸收入射光。在此情形中，只有用于显示图像的显示模式可进行操作。
图6A至6C简要图解了实现根据本发明的反射型显示装置的每个模式时的一个像素。
图6A是图解在根据本发明实施方式的反射型显示装置中同时实现显示模式和反射模式的视图。在显示区域中驱动显示元件200以显示图像，并且在反射区域中驱动反射控制元件400，由此运行显示模式和反射模式。以这种方式，可同时操作两种模式，驱动元件100和300的每一个可通过控制电压强度而控制元件200和400的每一个的操作。
图6B是图解对应于图5B的显示模式的视图。也就是说，参照图5B和图6B，反射区域中的反射控制元件400可用于吸收光。当向透明电极430施加正电压并且向反射电极440施加负电压时，在电致变色层460中发生还原反应，并且在反向层450中发生氧化反应。由于电致变色层460通过还原反应变为诸如黑色之类的预定颜色，因此电致变色层460可吸收入射光。在此情形中，只有用于在显示元件200中显示图像的显示模式可进行操作。
图6C是图解对应于图5A的反射模式的视图。也就是说，参照图5A和图6C，反射区域中的反射控制元件400可用于反射光。也就是说，当向透明电极430施加负电压并且向反射电极440施加正电压时，在反向层450中发生还原反应，并且在电致变色层460中发生氧化反应。由于电致变色层460通过氧化反应变为透明的，因此电致变色层460可通过原样透过入射光而实现其中光在反射电极440中被反射的反射模式。
图7是图解根据本发明第二实施方式的反射型显示装置的视图。
图7图解了给图4中所示的本发明第一实施方式添加一些元件，将省略图4的重复描述。
参照图7，根据本发明第二实施方式的反射型显示装置可进一步包括位于反射区域上的反射挡墙290。
反射挡墙290形成在反射区域上的电解质层470中并且在反向层450与电致变色层460之间保持预定间隙。示出了三个反射挡墙290，但并不限于该附图。例如，可在反向层450与电致变色层460之间形成多个反射挡墙290。
如图所示，反射挡墙290的宽度从电致变色层460向着反向层450变窄，但并不限于所示的示例。例如，反射挡墙290的宽度可以是均匀的，或者可向着电致变色层460变窄。
尽管未示出反射挡墙290的平面图，但反射挡墙290在平面图上可具有各种形状。例如，反射挡墙290可具有但不限于条纹图案、点图案或蜂窝图案。
反射挡墙290可由透明材料形成。在此情形中，反射挡墙290可由光刻胶、光硬化聚合物和聚二甲基硅氧烷中的任何一种形成，但并不限于此。
如上所述，根据本发明第二实施方式的反射型显示装置可以以反射模式和显示模式被驱动，并且可进一步包括位于反射区域上的电解质层470中的反射挡墙290，以保持预定间隙。
图8是图解根据本发明第三实施方式的反射型显示装置的视图。
图8图解了给图4中所示的本发明第一实施方式添加一些元件，将省略图4的重复描述。
参照图8，在根据本发明第三实施方式的反射型显示装置中，反射电极440设置在平坦化层170上。也就是说，与图4中所示的第一实施方式不同，位于显示区域上的平坦化层170延伸至反射区域，因而平坦化层170设置在钝化层165和反射电极440之间。之后，在钝化层165和平坦化层170中形成用于将反射电极440与第二驱动元件300的源极电极350连接的第六接触孔CH6。
平坦化层170可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂之类的有机绝缘材料制成，但并不限于此。
在前述的根据本发明第三实施方式的反射型显示装置中，平坦化层170设置在包括显示区域和反射区域的整个表面上，由此可减少掩模的数量，从而可简化工艺步骤。
如上所述，根据本发明的一个实施方式，能够获得以下优点。
首先，当在显示区域上显示图像时，光在反射区域中被吸收，由此可提高对比度。
其次，当在显示区域上不显示图像时，光在反射区域中被反射，由此可驱动反射模式。
第三，当对反射率进行控制以在显示区域上显示图像时，可提高对比度。
最后，能够获得可在显示区域上显示图像并且同时在反射区域中反射光的反射型显示装置。
对于本领域的技术人员显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的情况下，能够对本发明做出各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的本发明的修改和变化。
Claims (15)
1.一种反射型显示装置，包括：
彼此面对的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板的每一个包括显示区域和反射区域；
设置在所述显示区域中的显示元件；和
设置在所述反射区域中的反射控制元件，所述反射控制元件用于控制外部入射的光的反射率。
2.根据权利要求1所述的反射型显示装置，进一步包括：
驱动所述显示元件的第一驱动元件；和
驱动所述反射控制元件的至少一个第二驱动元件。
3.根据权利要求1所述的反射型显示装置，进一步包括驱动所述显示元件和所述反射控制元件的第一驱动元件。
4.根据权利要求1所述的反射型显示装置，其中所述反射型显示装置以其中所述显示元件被驱动的显示模式和其中所述反射控制元件被驱动的反射模式进行驱动，并且
所述反射控制元件设置成在所述反射模式被驱动时反射外部入射的光并且在所述显示模式被驱动时吸收外部入射的光。
5.根据权利要求4所述的反射型显示装置，其中所述反射控制元件设置成部分地反射外部入射的光并且部分地吸收外部入射的光，并且所述反射模式和所述显示模式被同时驱动。
6.根据权利要求1所述的反射型显示装置，进一步包括挡墙，所述挡墙设置在所述第一基板与所述第二基板之间，所述挡墙将所述反射区域与所述显示区域彼此分隔开。
7.根据权利要求1所述的反射型显示装置，其中所述反射控制元件包括：
反射电极，所述反射电极位于所述第一基板的一个表面上以面向所述第二基板；
透明电极，所述透明电极布置在所述第二基板的一个表面上以面向所述第一基板；
设置在所述反射电极上的电致变色层；和
布置在所述电致变色层与所述透明电极之间的电解质层。
8.根据权利要求7所述的反射型显示装置，其中所述反射控制元件进一步包括设置在所述透明电极上的反向层。
9.根据权利要求8所述的反射型显示装置，其中当所述电致变色层进行氧化反应时，所述反向层进行还原反应，并且当所述电致变色层进行还原反应时，所述反向层进行氧化反应。
10.根据权利要求7所述的反射型显示装置，其中所述电解质层进一步包括反射挡墙，所述反射挡墙保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隙。
11.根据权利要求8所述的反射型显示装置，其中所述电解质层进一步包括反射挡墙，所述反射挡墙保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隙。
12.根据权利要求1所述的反射型显示装置，其中所述显示元件包括阳极电极、设置在所述阳极电极上的有机发光层和设置在所述有机发光层上的阴极电极。
13.根据权利要求12所述的反射型显示装置，其中所述显示元件进一步包括：
辅助电极；
堤部，所述堤部形成在所述阳极电极和所述辅助电极上并且暴露所述阳极电极的上表面和所述辅助电极的上表面；和
阻挡部，所述阻挡部形成在所述辅助电极上并与所述堤部分隔开预定距离，
其中所述辅助电极和所述阴极电极通过所述阻挡部与所述堤部之间的分隔区域彼此电连接。
14.根据权利要求2所述的反射型显示装置，其中在所述显示元件与所述第一驱动元件之间设置有钝化层和平坦化层，并且所述钝化层还设置在所述反射控制元件与所述第二驱动元件之间。
15.根据权利要求14所述的反射型显示装置，其中所述平坦化层还设置在所述反射控制元件与所述第二驱动元件之间。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2015-0174718 | 2015-12-09 | ||
| KR1020150174718A KR102665737B1 (ko) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 반사형 표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106855676A true CN106855676A (zh) | 2017-06-16 |
| CN106855676B CN106855676B (zh) | 2020-11-10 |
Family
ID=57539163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610934165.5A Active CN106855676B (zh) | 2015-12-09 | 2016-11-01 | 反射型显示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10325968B2 (zh) |
| EP (1) | EP3179302B1 (zh) |
| KR (1) | KR102665737B1 (zh) |
| CN (1) | CN106855676B (zh) |
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2015
- 2015-12-09 KR KR1020150174718A patent/KR102665737B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-11-01 CN CN201610934165.5A patent/CN106855676B/zh active Active
- 2016-11-01 US US15/340,104 patent/US10325968B2/en active Active
- 2016-12-09 EP EP16203229.6A patent/EP3179302B1/en active Active
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| US20170170243A1 (en) | 2017-06-15 |
| US10325968B2 (en) | 2019-06-18 |
| KR102665737B1 (ko) | 2024-05-10 |
| EP3179302A1 (en) | 2017-06-14 |
| CN106855676B (zh) | 2020-11-10 |
| KR20170068028A (ko) | 2017-06-19 |
| EP3179302B1 (en) | 2021-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |