CN106855199A - 一种量子点膜及背光模组 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了量子点膜，包括具有水氧阻隔能力的基底和均匀分布在所述基底上的多个量子点模块，所述量子点模块包括均匀分散有量子点的高分子材料，每个所述量子点模块的周围设置有阻隔层，所述阻隔层与所述基底将所述量子点模块夹在中间。本发明通过新型结构的量子点膜，解决了裁切封边问题，更具有产业化前景。

Description

一种量子点膜及背光模组
技术领域
本发明涉及量子点技术领域，尤其涉及一种量子点膜、背光模组。
背景技术
量子点是一种三维直径都在1‐20nm范围内的无机半导体发光纳米晶，由于其粒径小于或接近激子玻尔半径，量子点具有粒径可控、半峰宽窄、光稳定性强等优点，因而被广泛的应用于显示领域。
量子点膜片式量子点在显示领域应用的常见方式，其具有稳定性高、适于曲面显示、易于大规模制作的优点。现有结构的量子点膜片通常由两层阻隔膜与量子点层构成的夹心式结构，在大规模制作中需要裁切封边。此外，现有技术的量子点膜片需要大量的量子点。这两方面均造成了现有技术的量子点膜片成本高升，对量子点膜在显示领域的产业化造成阻碍。
发明内容
针对目前量子点膜需要裁切封边、量子点用量大的缺点，本发明旨在提供一种新型结构的量子点膜，更加有利于产业化应用。
本发明提供了一种量子点膜，包括具有水氧阻隔能力的基底和均匀分布在所述基底上的多个量子点模块，所述量子点模块包括均匀分散有量子点的高分子材料，每个所述量子点模块的周围设置有阻隔层，所述阻隔层与所述基底将所述量子点模块夹在中间。
优选地，所述量子点膜还包括填充在所述阻隔层之间的基质。
优选地，所述阻隔层包括环氧聚合物。
优选地，所述高分子材料包括丙烯酸类聚合物。
优选地，每个所述量子点模块的粒径范围为0.01‐2mm。
优选地，每个所述量子点模块的粒径范围为0.1‐1mm。
优选地，所述阻隔层的厚度范围为0.1‐2mm。
优选地，所述阻隔层的厚度范围为0.5‐1mm。
优选地，所述量子点模块中所述量子点的含量大于0.5％。
优选地，所述量子点包括II‐VI、IV‐VI、III‐V、I‐VI族化合物单一结构和复合结构量子点中的至少一种。
优选地，所述量子点为核壳结构，构成所述量子点的核包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP、InGaN、CdZnSe、CdZnSeS中的至少一种；构成所述量子点的壳包括ZnSe、ZnS、ZnSeS、ZnTe、CdSe、CdZnSe、CdZnSeS、CdTe中的至少一种。
本发明还提供了一种背光模组，包括光源和位于所述光源出光方向上的量子点膜，所述量子点膜包括如上所述的量子点膜。
本发明具有以下有益效果：本发明的量子点膜，量子点用量少，裁切方便，无需封边，更加有利于产业化应用。
附图说明
图1是本发明的一个具体实施例中的量子点膜示意图；
图2是本发明的一个具体实施例中的量子点膜示意图；
图3是本发明的一个具体实施例中的量子点膜示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式，对本发明实施例中的技术方案进行详细地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护范围。
如图1所示，本发明提供了一种量子点膜100，包括具有水氧阻隔能力的光学透明的基底102和均匀分布在102基底上的多个量子点模块104。量子点模块104包括均匀分散有量子点的高分子材料，每个量子点模块104的周围设置有光学透明的阻隔层106，阻隔层106与基底102将量子点模块104夹在中间。量子点模块104的粒径越小越好，越有利于裁切。在一个优选的实施方式中，量子点模块104的粒径范围0.01‐2mm，阻隔层106的厚度范围为0.1‐2mm。在另一个优选的实施方式中，量子点模块104的粒径范围0.1‐1mm，阻隔层106的厚度范围为0.5‐1mm。本发明的量子点膜制作完成后，可任意裁切，无需封边。
本发明的阻隔层106包括环氧聚合物，如环氧树脂。阻隔层106的水氧阻隔能力小于1*10‐2g m‐2day‐1。高分子材料包括丙烯酸类聚合物，如丙烯酸酯树脂。量子点模块由量子点分散在液态的光学透明胶体中，经固化而成。高分子材料的具体实施例包括以下物质中的至少一种：聚((甲基)丙烯酸甲酯)、聚((甲基)丙烯酸乙酯)，聚((甲基)丙烯酸正丙酯)、聚((甲基)丙烯酸丁酯)、聚((甲基)丙烯酸正戊酯)、聚((甲基)丙烯酸正己酯)、聚((甲基)丙烯酸环己酯)、聚((甲基)丙烯酸2‐乙基己酯)、聚((甲基)丙烯酸辛酯)、聚((甲基)丙烯酸异辛酯)、聚((甲基)丙烯酸正癸酯)、聚((甲基)丙烯酸异癸酯)、聚((甲基)丙烯酸月桂基酯)、聚((甲基)丙烯酸十六烷基酯)、聚((甲基)丙烯酸十八烷基酯)、聚((甲基)丙烯酸异冰片酯)、聚(异丁烯)、聚苯乙烯、聚(二乙烯基苯)、聚乙酸乙烯酯、聚异戊二烯、聚碳酸酯、聚丙烯腈、基于疏水性纤维的聚合物如乙基纤维素、有机硅树脂、聚(二甲基硅氧烷)、聚(乙烯基醚)、聚酯或任何疏水性基质材料例如蜡、石蜡、植物油、脂肪酸和脂肪酸脂。在一个优选实施方式中，量子点模块104中的量子点所占的质量分数大于0.5％。在一个优选实施方式中，高分子材料包括丙烯酸类环氧树脂。
本发明的量子点包括II‐VI、IV‐VI、III‐V、I‐VI族化合物单一结构或者复合结构量子点。核壳结构的量子点中，构成量子点的核包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP、InGaN、CdZnSe、CdZnSeS中的至少一种；构成量子点的壳包括ZnSe、ZnS、ZnSeS、ZnTe、CdSe、CdZnSe、CdZnSeS、CdTe中的至少一种。
在另一实施方式中，如图2所示，量子点膜200还包括填充在各个阻隔层206之间的基质208。基质材料包括以下物质中的至少一种：聚((甲基)丙烯酸甲酯)、聚((甲基)丙烯酸乙酯)，聚((甲基)丙烯酸正丙酯)、聚((甲基)丙烯酸丁酯)、聚((甲基)丙烯酸正戊酯)、聚((甲基)丙烯酸正己酯)、聚((甲基)丙烯酸环己酯)、聚((甲基)丙烯酸2‐乙基己酯)、聚((甲基)丙烯酸辛酯)、聚((甲基)丙烯酸异辛酯)、聚((甲基)丙烯酸正癸酯)、聚((甲基)丙烯酸异癸酯)、聚((甲基)丙烯酸月桂基酯)、聚((甲基)丙烯酸十六烷基酯)、聚((甲基)丙烯酸十八烷基酯)、聚((甲基)丙烯酸异冰片酯)、聚(异丁烯)、聚苯乙烯、聚(二乙烯基苯)、聚乙酸乙烯酯、聚异戊二烯、聚碳酸酯、聚丙烯腈、基于疏水性纤维的聚合物如乙基纤维素、有机硅树脂、聚(二甲基硅氧烷)、聚(乙烯基醚)、聚酯或任何疏水性基质材料例如蜡、石蜡、植物油、脂肪酸和脂肪酸脂。
在另一实施方式中，如图2所示，量子点膜300还包括填充在各个阻隔层306之间的基质308，以及覆盖在基质308表面的阻隔膜310。阻隔膜310进一步对水氧进行阻隔。
本发明还提供了一种背光模组，包括光源和位于光源出光方向上的量子点膜，所述量子点膜包括如上所述。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述背光模组和显示面板。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (12)

1.一种量子点膜，其特征在于，包括具有水氧阻隔能力的基底和均匀分布在所述基底上的多个量子点模块，所述量子点模块包括均匀分散有量子点的高分子材料，每个所述量子点模块的周围设置有阻隔层，所述阻隔层与所述基底将所述量子点模块夹在中间。
2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于：所述量子点膜还包括填充在所述阻隔层之间的基质。
3.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于：所述阻隔层包括环氧聚合物。
4.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于：所述高分子材料包括丙烯酸类聚合物。
5.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于：每个所述量子点模块的粒径范围为0.01‐2mm。
6.根据权利要求5所述的量子点膜，其特征在于：每个所述量子点模块的粒径范围为0.1‐1mm。
7.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于：所述阻隔层的厚度范围为0.1‐2mm。
8.根据权利要求7所述的量子点膜，其特征在于：所述阻隔层的厚度范围为0.5‐1mm。
9.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于：所述量子点模块中所述量子点的含量大于0.5％。
10.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于：所述量子点包括II‐VI、IV‐VI、III‐V、I‐VI族化合物单一结构和复合结构量子点中的至少一种。
11.根据权利要求10所述的量子点膜，其特征在于：所述量子点为核壳结构，构成所述量子点的核包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP、InGaN、CdZnSe、CdZnSeS中的至少一种；构成所述量子点的壳包括ZnSe、ZnS、ZnSeS、ZnTe、CdSe、CdZnSe、CdZnSeS、CdTe中的至少一种。
12.一种背光模组，其特征在于，包括光源和位于所述光源出光方向上的量子点膜，所述量子点膜包括如权利要求1‐11中任一所述的量子点膜。
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