CN106851521A - 一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法 - Google Patents

一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106851521A
CN106851521A CN201611133276.2A CN201611133276A CN106851521A CN 106851521 A CN106851521 A CN 106851521A CN 201611133276 A CN201611133276 A CN 201611133276A CN 106851521 A CN106851521 A CN 106851521A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
acid
layer
acid solution
capacitor microphone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201611133276.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106851521B (zh
Inventor
许盛玉
陈秋玉
吴伟昌
吕丽英
黎家健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AAC Technologies Pte Ltd
Original Assignee
AAC Technologies Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AAC Technologies Pte Ltd filed Critical AAC Technologies Pte Ltd
Priority to CN201611133276.2A priority Critical patent/CN106851521B/zh
Publication of CN106851521A publication Critical patent/CN106851521A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106851521B publication Critical patent/CN106851521B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2231/00—Details of apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor covered by H04R31/00, not provided for in its subgroups
    • H04R2231/003—Manufacturing aspects of the outer suspension of loudspeaker or microphone diaphragms or of their connecting aspects to said diaphragms

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

本发明提供了一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法，所述酸溶液由按重量比值1:2至1:5的强酸和缓冲酸混合形成，所述强酸的PH<3，所述缓冲酸为NH4F和HF的混合物。与相关技术相比，利用该酸溶液，可以有效去除牺牲氧化物层而对其他硅电容麦克风构造上的材料影响非常小，利用此种工艺制作出来的硅电容麦克风灵敏度高、一致性好、稳定性高。

Description

一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法
【技术领域】
本发明涉及硅电容麦克风技术领域，尤其涉及一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法。
【背景技术】
随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。
而目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，简称MEMS)，相关技术中，MEMS麦克风包括基底、背板和振膜。随着硅电容麦克风尺寸的减少，传统的蚀刻法在对牺牲氧化物层进行蚀刻以形成声腔时，容易损坏振膜、背板等结构，从而无法控制平坦度、可靠性，容易发生屈曲，难以释放应力梯度，严重影响硅电容麦克风的性能。
因此，有必要提供一种新的酸溶液及硅电容麦克风的制作方法以解决上述问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法，其在释放牺牲氧化物层时，减少酸溶液对背板层和硅振膜层的影响。
本发明的技术方案如下：一种酸溶液，所述酸溶液由按重量比值1:2至1:5的强酸和缓冲酸混合形成，所述强酸的PH<3，所述缓冲酸为NH4F和HF的混合物。
优选的，所述强酸为HCL。
优选的，所述强酸和缓冲酸的重量比值为2:5。
本发明还提供了一种硅电容麦克风的制作方法，包括如下步骤：
提供从上至下依次设置的硅振膜层、背板层和硅基底，所述硅振膜层与所述背板层相对并间隔设置，所述背板层的中央处设有声孔，所述硅基底对应所述背板层的中央处设有与所述声孔连通的背腔，所述硅振膜层与所述背板层之间以及所述声孔内设有牺牲氧化物层；
利用所述酸溶液去除所述牺牲氧化物层，得到硅电容麦克风。
优选的，所述牺牲氧化物层为氧化硅层。
与相关技术相比，本发明具有如下技术效果：本发明提供的硅电容麦克风的制作方法按重量比值1:2至1:5提供强酸和缓冲酸，混合以形成酸溶液，利用该酸溶液来释放牺牲氧化物层以形成声腔，显著减少了酸溶液对背板层和硅振膜层的影响，有效控制了平坦度和可靠性，制作出来的硅电容麦克风灵敏度高、一致性好、稳定性高。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1为本发明硅电容麦克风的制作方法中形成声腔的结构示意图；
图2为图1中去除牺牲氧化物层后的结构示意图。
【具体实施方式】
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种酸溶液，所述酸溶液由按重量比值1:2至1:5的强酸和缓冲酸混合形成。所述强酸的PH<3，优选的为HCL，所述缓冲酸为NH4F和HF的混合物。在本发明优选的实施方式中，所述强酸和缓冲酸的重量比值为2:5。
本发明提供的所述酸溶液对不同材料的腐蚀选择性能，具体如下表所示：
可以看出，在所述酸溶液由按重量比值1:2至1:5的强酸和缓冲酸混合形成时，该酸溶液的选择性最好。
本发明还提供了一种硅电容麦克风的制作方法，包括如下步骤：
如图1所示，提供从上至下依次设置的硅振膜层1、背板层2和硅基底3，所述硅振膜层1与所述背板层2相对并间隔设置，所述背板层2的中央处设有声孔20，所述硅基底3对应所述背板层2的中央处设有与所述声孔20连通的背腔30，所述硅振膜层1与所述背板层2之间以及所述声孔20内设有牺牲氧化物层4；
一并参照图2所示，利用所述酸溶液去除所述牺牲氧化物层4，得到硅电容麦克风。在本实施方式中，所述牺牲氧化物层为氧化硅层。
与相关技术相比，本发明提供的硅电容麦克风的制作方法按重量比值1:2至1:5提供强酸和缓冲酸，混合以形成酸溶液，利用该酸溶液可以有效的去除作为牺牲层的氧化硅层而对其他MEMS构造上的材料(例如：氮化硅，多晶硅等)保留下来，显著减少了酸溶液对所述背板层2和所述硅振膜层1的影响，有效控制了平坦度和可靠性，制作出来的硅电容麦克风灵敏度高、一致性好、稳定性高。
以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种酸溶液，其特征在于，所述酸溶液由按重量比值1:2至1:5的强酸和缓冲酸混合形成，所述强酸的PH<3，所述缓冲酸为NH4F和HF的混合物。
2.根据权利要求1所述的酸溶液，其特征在于，所述强酸为HCL。
3.根据权利要求1所述的酸溶液，其特征在于，所述强酸和缓冲酸的重量比值为2:5。
4.一种硅电容麦克风的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供从上至下依次设置的硅振膜层、背板层和硅基底，所述硅振膜层与所述背板层相对并间隔设置，所述背板层的中央处设有声孔，所述硅基底对应所述背板层的中央处设有与所述声孔连通的背腔，所述硅振膜层与所述背板层之间以及所述声孔内设有牺牲氧化物层；
利用如权利要求1至3任意一项权利要求所述的酸溶液去除所述牺牲氧化物层，得到硅电容麦克风。
5.根据权利要求4所述的硅电容麦克风的制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化物层为氧化硅层。
CN201611133276.2A 2016-12-10 2016-12-10 一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法 Active CN106851521B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611133276.2A CN106851521B (zh) 2016-12-10 2016-12-10 一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611133276.2A CN106851521B (zh) 2016-12-10 2016-12-10 一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106851521A true CN106851521A (zh) 2017-06-13
CN106851521B CN106851521B (zh) 2020-07-14

Family

ID=59139148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611133276.2A Active CN106851521B (zh) 2016-12-10 2016-12-10 一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106851521B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107628588A (zh) * 2017-08-31 2018-01-26 瑞声科技(新加坡)有限公司 一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1771036A2 (en) * 2005-09-26 2007-04-04 Yamaha Corporation Capacitor microphone and diaphragm therefor
CN102427023A (zh) * 2011-12-06 2012-04-25 上海集成电路研发中心有限公司 一种硅纳米线的制备方法
CN102479694A (zh) * 2010-11-30 2012-05-30 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种金属栅极及mos晶体管的形成方法
CN203039908U (zh) * 2013-01-28 2013-07-03 苏州敏芯微电子技术有限公司 电容式微硅麦克风
US9008349B2 (en) * 2008-07-07 2015-04-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Speaker diaphragm, speaker, and electronic equipment and mobile device using the speaker
CN105120417A (zh) * 2015-09-23 2015-12-02 苏州敏芯微电子技术有限公司 单片集成芯片及其制作方法
CN105992109A (zh) * 2015-03-17 2016-10-05 Dsp集团有限公司 基于mems的扬声器实现

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1771036A2 (en) * 2005-09-26 2007-04-04 Yamaha Corporation Capacitor microphone and diaphragm therefor
US9008349B2 (en) * 2008-07-07 2015-04-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Speaker diaphragm, speaker, and electronic equipment and mobile device using the speaker
CN102479694A (zh) * 2010-11-30 2012-05-30 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种金属栅极及mos晶体管的形成方法
CN102427023A (zh) * 2011-12-06 2012-04-25 上海集成电路研发中心有限公司 一种硅纳米线的制备方法
CN203039908U (zh) * 2013-01-28 2013-07-03 苏州敏芯微电子技术有限公司 电容式微硅麦克风
CN105992109A (zh) * 2015-03-17 2016-10-05 Dsp集团有限公司 基于mems的扬声器实现
CN105120417A (zh) * 2015-09-23 2015-12-02 苏州敏芯微电子技术有限公司 单片集成芯片及其制作方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
利萨•格迪斯、林斌彦: "《MEMS材料与工艺手册》", 30 March 2014 *
郑志霞: "《硅微机械传感器技术》", 31 December 2012, 浙江大学出版社 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107628588A (zh) * 2017-08-31 2018-01-26 瑞声科技(新加坡)有限公司 一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106851521B (zh) 2020-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101588529A (zh) 硅基电容麦克风及其制造方法
CN203368757U (zh) 具有强化结构的mems麦克风
CN101854578B (zh) 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法
CN103402160A (zh) Mems麦克风及其工作控制方法
CN108111958A (zh) 麦克风及其制造方法
CN106851521A (zh) 一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法
CN105430581A (zh) 麦克风结构及其形成方法
CN201426176Y (zh) 硅电容麦克风
CN101883306B (zh) 振膜及包括该振膜的电容麦克风
CN101835080A (zh) 硅基麦克风
CN201995118U (zh) 一种振膜及麦克风
CN110087173A (zh) 具有软支撑结构的mems压电扬声器及其制备方法
CN104754480A (zh) 微型机电系统麦克风及其制造方法
CN101808262A (zh) 电容式麦克风
CN103491490A (zh) 一种mems麦克风结构及其制造方法
MY146154A (en) Radio frequency mems switch
CN103369452B (zh) 电容式硅麦克风的制备方法
CN101959109A (zh) 微机电系统麦克风
CN107628588A (zh) 一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法
CN106303888A (zh) 麦克风的制造方法
CN102209287B (zh) Mems麦克风芯片及其制造方法
CN102036159A (zh) 硅基麦克风制造方法
CN201639771U (zh) 电容麦克风
CN101835085A (zh) 硅基电容麦克风的制作方法
CN201345734Y (zh) 硅基麦克风

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant