CN106784187A - 一种提高led芯片出光效率的制备工艺方法 - Google Patents
一种提高led芯片出光效率的制备工艺方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106784187A CN106784187A CN201611208003.XA CN201611208003A CN106784187A CN 106784187 A CN106784187 A CN 106784187A CN 201611208003 A CN201611208003 A CN 201611208003A CN 106784187 A CN106784187 A CN 106784187A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- nano
- layer
- light extraction
- extraction efficiency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 28
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 18
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 claims description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 claims 5
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 claims 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种提高LED芯片出光效率的方法，将纳米图形化透明电极和蓝宝石衬底结合起来，即在一个LED芯片上先纳米图形化蓝宝石衬底，然后生长LED芯片，最后在纳米图形化透明电极ITO层。本发明是把最底层的蓝宝石衬底和芯片最外层的透明电极同时纳米图形化，可以有效地提高LED芯片的发光效率。本发明利用纳米球掩膜刻蚀的方法制备纳米结构，适合批量大面积地生产，价格低廉。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种提高LED芯片出光效率的制备工艺方法。
背景技术
作为传统灯具的替代产品，发光二极管(LED)照明发展前景广阔，被誉为新一代的光源。LED光源是直接将电能转化为光能，能量转换效率相当高，理论上它只需要白炽灯１０％的能耗或者是荧光灯５０％的能耗。但是,目前LED的发光效率依然较低，严重制约了LED的应用与发展。究其原因是半导体材料与周围空气存在较大的折射率差，根据Snell定律，大多数光子在界面会发生全反射，被材料再吸收或者形成波导模，最终只有少数的光子能出射到空气中。为了解决上述问题,人们发展了许多方法来解决上述问题，从而提高LED芯片的出光效率。例如常见的方法有芯片形状的变化（2006 Appl. Phys. Lett. 89071109），纳米图形化表面技术（2012 IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 48 891；2012 App. Phys. Express 5,022101；2008 Displays 29 254），利用电极反射（2006Appl. Phys. Lett. 88 013501）和制作光子晶体（2009 Appl. Phys. Lett. 94 123106；2007 Appl. Phys. Lett.91 181109）等等。
一般而言，为了极大效率地提高LED的出光效率，往往可以把多种纳米结构结合起来，从而可以极大效率地提高LED的出光效率。对于目前常见的商业化LED芯片，其衬底一般是蓝宝石衬底，而其出光面一般是铟锡氧化物（indium tin oxide，ITO）透明电极，因此本发明主要是把一个常规的LED芯片同时纳米图形化蓝宝石衬底层和透明电极出光层，从而极大地提高LED的出光效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高LED芯片出光效率的制备工艺方法，先在蓝宝石衬底上制备纳米结构，然后按照普通的工艺生长LED结构，制备厚金电极，最后再在透明电极上制备纳米结构，从而极大地提高LED的出光效率。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出一种同时纳米图形化蓝宝石衬底层和透明电极出光层的制备工艺方法，包括以下步骤：
1）在蓝宝石护衬底上制备单层的二氧化硅纳米球，利用ICP刻蚀，在蓝宝石衬底上刻蚀出周期性的纳米结构。
2）在蓝宝石衬底上进行常规的芯片生长过程，先生长非掺杂GaN层，再生长n掺杂GaN层，然后生长3-5层量子阱层，接着生长p掺杂GaN层，制作成为常规的平面结构LED芯片。
3）在LED基片上沉积一定厚度的ITO（约200-400nm）作为透明电极，然后再进行常规的厚金电极制备工艺，包括涂光刻胶，第一次曝光，湿刻ITO，ICP刻GaN台阶，去胶，再涂光刻胶；第二次曝光，镀厚金等，从而完成制作厚金电极的制作。
4）在已经制备好厚金电极的LED芯片上制作单层密排的聚苯乙烯（PS）纳米球，然后利用氧离子刻蚀PS纳米球，可以有效地控制其直径，再进行ICP刻蚀，可以将透明电极ITO表面刻蚀处周期性的纳米柱阵列；通过改变氧离子刻蚀和ICP刻蚀时间可以有效地控制ITO纳米柱阵列的尺寸和高度，从而使样品具有较好的电学和光学特性。
本发明的制备工艺，利用干刻法进行刻蚀，刻蚀时使用的气体选自BCl3、Cl2、Ar之一或者几种的组合。
借由上述技术方案，本发明具有的优点是：
1、本发明是把最底层的蓝宝石衬底和芯片最外层的透明电极同时纳米图形化，可以有效地提高LED芯片的发光效率。
2、本发明利用纳米球掩膜刻蚀的方法制备纳米结构，适合批量大面积地生产，价格低廉。
2、本发明的制备方法巧妙，是一种新型微纳结构LED的设计和制备工艺。
附图说明
以下结合附图及实施例对本制备工艺做进一步说明：
图中标示如下：101-蓝宝石衬底；102-蓝宝石衬底的纳米柱阵列；103-非掺杂GaN；104-n掺杂GaN；105-多量子阱；106-p掺杂GaN；107-ITO透明电极；108-p厚金属电极；109-纳米小球；110-n厚金属电极；111-ITO纳米柱阵列结构。
图1为在蓝宝石衬底制备纳米柱阵列结构示意图。
图2为纳米图形化蓝宝石衬底后的LED芯片结构示意图。
图3为在LED芯片透明电极制备单层密排PS纳米球示意图。
图4为在LED芯片透明电极制备单层密排PS纳米球，然后利用氧等离子刻蚀PS纳米球示意图。
图5为进行感应耦合等离子（ICP）刻蚀，将LED基片的ITO层刻蚀出周期性的纳米柱阵列示意图。
图6为同时纳米图形化蓝宝石衬底和ITO透明电极示意图。
图7是本发明的制备工艺方法流程图。
图8为数值模拟纳米图形化ITO透明电极时表面结构图。
图9为数值模拟纳米图形化ITO透明电极时截面结构图。
图10为数值模拟纳米图形化蓝宝石衬底表面结构图。
图11为数值模拟纳米图形化蓝宝石衬底截面结构图。
图12为数值模拟同时纳米图形化蓝宝石衬底表面和ITO透明电极时表面结构图。
图13为数值模拟同时纳米图形化蓝宝石衬底表面和ITO透明电极时截面结构图。
图14为在LED透明电极表面制备周期450nm纳米柱时与参考样品的出光强度的比值，其中x轴为发光波长，y轴为增强倍数。
图15为在蓝宝石衬底表面制备周期450nm纳米柱时与参考样品的出光强度的比值，其中x轴为发光波长，y轴为增强倍数。
图16为同时纳米图形化蓝宝石衬底表面和ITO透明电极表面结构时与参考样品的出光强度的比值，其中x轴为发光波长，y轴为增强倍数。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对一种提高LED芯片出光效率的制备工艺方法进一步说明。
本发明的制备工艺方法其步骤如下：
（1）图1为在蓝宝石衬底制备纳米柱阵列结构示意图。在蓝宝石101基片上制备单层密排的PS纳米球，然后利用ICP刻蚀，ICP刻蚀可以选择BCl3和Ar气，ICP功率为1200Ｗ，偏压功率为325Ｗ。在氯仿溶液中去掉剩余的PS纳米球，最后获得如图1所示结构。102为周期性的蓝宝石纳米结构。
（2）图2为纳米图形化蓝宝石衬底后的LED芯片结构示意图。LED芯片的完整生长工艺如下：在蓝宝石衬底102上沉积一层非掺杂GaN103，再生长一层n掺杂GaN104，然后生长多量子阱105，最后生长p掺杂GaN106。沉积一定厚度的铟锡金属氧化物（ITO）107作为透明电极，然后再进行常规的加电极处理，例如涂光刻胶，第一次曝光，湿刻ITO，ICP刻GaN台阶，去胶，再涂光刻胶，第二次曝光，镀p厚金108和n厚金110等, 如图2所示。
（3）图3为在LED芯片透明电极制备单层密排PS纳米球示意图。图4为在LED芯片透明电极制备单层密排PS纳米球，然后利用氧等离子刻蚀PS纳米球示意图。图5为进行感应耦合等离子（ICP）刻蚀，将LED基片的ITO层刻蚀出周期性的纳米柱阵列示意图。图6为同时纳米图形化蓝宝石衬底和ITO透明电极示意图。在LED芯片上制备ITO纳米结构的工艺如下：首先利用单层密排的聚苯乙烯（PS）纳米球108分布在LED基片的表面，如图3所示；然后利用氧离子刻蚀PS纳米球，可以有效地控制其直径，如图4所示；再进行感应耦合等离子（ICP）刻蚀，可以将LED基片的ITO层刻蚀出周期性的纳米柱阵列, 如图5所示;去掉PS小球，可以在ITO层得到周期性的圆台形的纳米柱阵列，如图6所示。
图7是本发明的制备工艺方法流程图。
通过改变氧离子刻蚀和ICP刻蚀时间可以有效地控制ITO层纳米柱阵列的尺寸和高度，从而使样品具有较好的电学和光学特性。
本发明是在已经纳米图形化p型GaN层的LED基片的基础上将其透明电极也进行纳米图形化，可以进一步提高纳米图形化LED的出光效率。为了表明该方法的有效性，图8-9数值模拟时纳米图形化ITO透明电极表面结构示意图，图10-11为纳米图形化蓝宝石衬底表面结构示意图，图12-13为同时纳米图形化蓝宝石衬底表面和ITO透明电极表面结构示意图，图14是在LED透明电极表面制备周期450nm纳米柱时的增强倍数，图15是在蓝宝石衬底表面制备周期450nm纳米柱时的增强倍数，图16是同时纳米图形化蓝宝石衬底表面和ITO透明电极表面结构时增强倍数。结果表明，同时纳米图形化蓝宝石衬底表面和ITO透明电极表面结构的LED具有最大的萃取效率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，故凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (7)
1.一种提高LED芯片出光效率的制备工艺方法，其特征在于：将纳米图形化透明电极和蓝宝石衬底结合起来，即在一个LED芯片上先纳米图形化蓝宝石衬底，然后生长LED芯片，最后在纳米图形化透明电极ITO层。
2.根据权利要求1所述的提高LED芯片出光效率的制备工艺方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
a、首先纳米图形化LED的蓝宝石衬底，刻蚀出周期性的纳米柱陈列，然后生长非掺杂GaN层，再生长n掺杂GaN层，然后生长3-5层量子阱层，接着生长p掺杂GaN层，沉积ITO透明电极，最后利用传统工艺制备厚金电极；
b、在制作好厚金电极的LED芯片上制备周期性的ITO纳米柱阵列，在制作好厚金电极的LED芯片上制备单层的纳米球掩膜，先用氧离子刻蚀微球，控制微球的尺寸，而LED表面并未被刻蚀；然后以此微球为模板，来获得不同的占空比的纳米球掩膜，接着再利用干刻法来刻蚀LED样品，将LED基片的透明电极ITO层刻蚀出周期性的纳米柱阵列；将残余的PS纳米球去掉。
3.根据权利要求2所述的提高LED芯片出光效率的制备工艺方法，其特征在于：步骤a中，在蓝宝石衬底上制备单层密排的纳米球阵列作为掩膜，然后刻蚀蓝宝石层得到纳米图形。
4.根据权利要求3所述的提高LED芯片出光效率的制备工艺方法，其特征在于：在蓝宝石衬底层制备单层密排的纳米球，所述纳米球可以是单分散的聚苯乙烯微球、单分散的二氧化硅微球，所述单分散的微球直径在200nm-2um之间。
5.根据权利要求2所述的提高LED芯片出光效率的制备工艺方法，其特征在于：步骤b中，在LED芯片上制备单层的纳米球阵列，所述纳米球是单分散的聚苯乙烯微球，所述单分散的微球直径在200nm-2um之间。
6.根据权利要求5所述的提高LED芯片出光效率的制备工艺方法，其特征在于：在LED芯片上有ITO层的纳米结构，其可以是周期性的纳米柱或纳米洞，或者是其他的周期性结构，或者是无序的纳米结构。
7.根据权利要求2所述的提高LED芯片出光效率的制备工艺方法，其特征在于：步骤b中，所述刻蚀时使用的气体选自BCl3、Cl2、Ar之一或者几种的组合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611208003.XA CN106784187A (zh) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 一种提高led芯片出光效率的制备工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611208003.XA CN106784187A (zh) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 一种提高led芯片出光效率的制备工艺方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106784187A true CN106784187A (zh) | 2017-05-31 |
Family
ID=58920049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611208003.XA Pending CN106784187A (zh) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 一种提高led芯片出光效率的制备工艺方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106784187A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111384287A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111933769A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-13 | 广东技术师范大学 | 一种周期性的折射率分层渐变的纳米结构led的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101877330A (zh) * | 2009-04-30 | 2010-11-03 | 和椿科技股份有限公司 | 具有周期结构的蓝宝石基板 |
| CN105845791A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-08-10 | 广东技术师范学院 | 一种高效率纳米结构led及其设计和制备方法 |
-
2016
- 2016-12-23 CN CN201611208003.XA patent/CN106784187A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101877330A (zh) * | 2009-04-30 | 2010-11-03 | 和椿科技股份有限公司 | 具有周期结构的蓝宝石基板 |
| CN105845791A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-08-10 | 广东技术师范学院 | 一种高效率纳米结构led及其设计和制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111384287A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111384287B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-06-22 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111933769A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-13 | 广东技术师范大学 | 一种周期性的折射率分层渐变的纳米结构led的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102157640B (zh) | 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 | |
| CN104465917B (zh) | 图案化光电基板及其制作方法 | |
| CN101702419B (zh) | 一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法 | |
| CN106449902B (zh) | 在发光二极管芯片的量子阱附近制备纳米金属结构的方法 | |
| CN103227249A (zh) | 一种双层纳米图形化led的制备工艺方法 | |
| CN103022277A (zh) | 一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法 | |
| CN106784232A (zh) | 一种利用周期性散射结构提高led芯片出光效率的方法 | |
| CN101488551B (zh) | 一种GaN基发光二极管的制备方法 | |
| Fu et al. | Enhanced light extraction of light-emitting diodes via nano-honeycomb photonic crystals | |
| CN208000936U (zh) | 一种基于表面等离激元增强的led光电器件 | |
| CN106784187A (zh) | 一种提高led芯片出光效率的制备工艺方法 | |
| CN104332532A (zh) | 一种高光效发光二极管的制作方法 | |
| CN102751417B (zh) | 带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法 | |
| CN110808315A (zh) | 一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法 | |
| CN101345280A (zh) | 一种GaN基发光二极管及其制造方法 | |
| CN103035787A (zh) | 一种高亮度led芯片及其制造方法 | |
| CN102751418B (zh) | 带有ZnO微米和纳米复合结构的LED管芯及其制备方法 | |
| CN102185069B (zh) | 具有多重环带结构分布图形的衬底及其制法与应用 | |
| CN104393127B (zh) | 一种倒装结构发光二极管及其制作方法 | |
| CN109192836B (zh) | 一种渐变折射率纳米结构结合纳米透镜的led结构的制备方法 | |
| CN106449929A (zh) | 一种提高led芯片出光效率的制备工艺方法 | |
| CN103715319B (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| CN104576873B (zh) | 利用微结构形成表面电浆的方法 | |
| CN104701729B (zh) | 硅基激光器及其制备方法 | |
| CN201910440U (zh) | 一种外延结构的GaN基材料发光二极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170531 |