CN106774777B - 一种用于非冗余电源实现冗余的电路 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种用于非冗余电源实现冗余的电路，用于解决现有技术无法将非冗余ATX电源用于需要冗余功能的系统中的技术问题。本发明实施例包括：至少两个隔离电路、输出端；所述隔离电路包括：具备ORING功能的控制芯片、与所述控制芯片数量相同的MOS管、与所述控制芯片数量相同的输入端。本发明实施例通过具备ORING功能的控制芯片控制关断或导通与所述控制芯片数量相同的MOS管，从而实现两个以上电源的冗余。
Description
技术领域
本发明涉及冗余电源领域，尤其涉及一种用于非冗余电源实现冗余的电路。
背景技术
ATX电源作用是把交流220V的电源转换为计算机内部使用的直流5V，12V，24V的电源。与AT电源相比，ATX电源增加了“+3.3V、+5VSB、PS－ON。
隔离冗余方式是指一台或者多台UPS作为第一级电源保护设备，另外一台机器作为二级电源，备用使用。一级电源有各自的负载总线,二级电源为所有一级电源设备提供旁路电源。工作时二级电源空载运行，但是，在一个周波的时间内要求它可以承担从0％到100％的负载。当一级电源从市电模式切换到旁路模式时，转换开关会自动将其与二级电源断开。
然而现有非冗余ATX电源一般不使用冗余功能，若用户需要使用具备有冗余功能的ATX电源，需要重新购买价格昂贵的电源。因此，现有技术无法将非冗余ATX电源用于需要冗余功能的系统中是本领域人员需要解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种用于非冗余电源实现冗余的电路，用于解决现有技术无法将非冗余ATX电源用于需要冗余功能的系统中的技术问题。
本发明实施例提供一种用于非冗余电源实现冗余的电路，包括：至少两个隔离电路、输出端；
所述隔离电路包括：具备ORING功能的控制芯片、与所述控制芯片数量相同的MOS管、与所述控制芯片数量相同的输入端；
所述控制芯片的VDD端通过第一电容接地并通过第一电阻连接所述输入端；
所述控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；
所述控制芯片的BYP端通过第二电容连接所述输入端；
所述控制芯片的A端连接所述输入端并通过第三电容连接所述输出端并通过第四电容接地；
所述控制芯片的C端连接所述输出端；
所述控制芯片的GATE端连接所述MOS管的栅极；
所述MOS管的源极连接所述输入端；
所述MOS管的漏极连接所述输出端；
所述MOS管的源极连接第一二极管的正极，所述MOS管的漏极连接所述第一二极管的负极。
优选地，所述隔离电路还包括第二电阻；
所述控制芯片的RSET端通过所述第二电阻接地。
优选地，所述隔离电路的输入端通过第五电容接地。
优选地，所述第五电容为储能电容。
优选地，所述输出端通过第六电容接地。
优选地，所述第六电容为储能电容。
优选地，所述隔离电路具体为两个隔离电路，两隔离电路通过自身所述MOS管的漏极相连接。
所述隔离电路具体包括第一隔离电路和第二隔离电路；
所述第一隔离电路包括：具备ORING功能的第一控制芯片U1、第一MOS管MOS1、第一输入端VIN1；
所述第一控制芯片的VDD端通过电容C3接地并通过电阻R1连接所述第一输入端；
所述第一控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；
所述第一控制芯片的BYP端通过电容C1连接所述第一输入端；
所述第一控制芯片的A端连接所述第一输入端并通过电容C2连接所述输出端并通过电容C4接地；
所述第一控制芯片的C端连接所述输出端；
所述第一控制芯片的GATE端连接所述第一MOS管的栅极；
所述第一MOS管的源极连接所述第一输入端；
所述第一MOS管的漏极连接所述输出端；
所述第一MOS管的源极连接第一二极管的正极，所述第一MOS管的漏极连接所述第一二极管的负极；
所述第二隔离电路包括：具备ORING功能的第二控制芯片U2、第二MOS管MOS2、第二输入端VIN2；
所述第二控制芯片的VDD端通过电容C7接地并通过电阻R4连接所述第二输入端；
所述第二控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；
所述第二控制芯片的BYP端通过电容C8连接所述第二输入端；
所述第二控制芯片的A端连接所述第二输入端并通过电容C6连接所述输出端并通过电容C5接地；
所述第二控制芯片的C端连接所述输出端；
所述第二控制芯片的GATE端连接所述第二MOS管的栅极；
所述第二MOS管的源极连接所述第二输入端；
所述第二MOS管的漏极连接所述输出端；
所述第二MOS管的源极连接第二二极管的正极，所述第二MOS管的漏极连接所述第二二极管的负极。
优选地，所述两个隔离电路还包括电阻R2和电阻R3；
所述第一控制芯片的RSET端具体通过所述R2接地；
所述第二控制芯片的RSET端具体通过所述R3接地。
优选地，所述两个隔离电路还包括电容EC1、电容EC2、电容EC3、电容EC4；
所述第一输入端通过所述电容EC1接地；
所述输出端分别通过所述电容EC2、所述电容EC3接地；
所述第二输入端通过所述电容EC4接地。
优选地，所述电容EC1、所述电容EC2、所述电容EC3、所述电容EC4具体为储能电容。
本发明实施例提供一种用于非冗余电源实现冗余的系统，包括上述的一种用于非冗余电源实现冗余的电路、与所述隔离电路数量相同的ATX电源；
所述ATX电源的电源输出端分别连接所述隔离电路，用于通过所述隔离电路输出电能。
优选地，本系统还包括ATX供电系统；
所述一种用于非冗余电源实现冗余的电路的输出端连接所述ATX供电系统；
所述ATX供电系统用于提供电源输出至负载。
从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：
本发明实施例通过具备ORING功能的控制芯片控制关断或导通与所述控制芯片数量相同的MOS管，从而实现两个以上电源的冗余，解决了现有技术无法将非冗余ATX电源用于需要冗余功能的系统中的技术问题。
此外，本发明实施例还通过储能电容为输入端和输出端储能与滤波。
本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的系统采用ATX电源通过隔离电路，进而输出电能，为负载供电，实现了非冗余电源的冗余供电。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例中提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路的一个实施例的电路示意图；
图2为本发明实施例中提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路的另一个实施例的电路示意图；
图3为本发明实施例中提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路的另一个实施例的电路示意图；
图4为本发明实施例中提供的一种用于非冗余电源实现冗余的系统的一个实施例的示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种用于非冗余电源实现冗余的电路，用于解决现有技术无法将非冗余ATX电源用于需要冗余功能的系统中的技术问题。
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明实施例提供一种用于非冗余电源实现冗余的电路的一个实施例，包括：至少两个隔离电路、输出端；
隔离电路包括：具备ORING功能的控制芯片、与控制芯片数量相同的MOS管、与控制芯片数量相同的输入端；
控制芯片的VDD端通过第一电容接地并通过第一电阻连接输入端；
控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；
控制芯片的BYP端通过第二电容连接输入端；
控制芯片的A端连接输入端并通过第三电容连接输出端并通过第四电容接地；
控制芯片的C端连接输出端；
控制芯片的GATE端连接MOS管的栅极；
MOS管的源极连接输入端；
MOS管的漏极连接输出端；
MOS管的源极连接第一二极管的正极，MOS管的漏极连接第一二极管的负极。
以上是对本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路的一个实施例进行详细的描述，以下将对本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路的另一个实施例进行详细的描述。
请参阅图2，本发明实施例提供一种用于非冗余电源实现冗余的电路的另一个实施例，包括：至少两个隔离电路、输出端；
隔离电路包括：具备ORING功能的控制芯片、与控制芯片数量相同的MOS管、与控制芯片数量相同的输入端；
控制芯片的VDD端通过第一电容接地并通过第一电阻连接输入端；
控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；
控制芯片的BYP端通过第二电容连接输入端；
控制芯片的A端连接输入端并通过第三电容连接输出端并通过第四电容接地；
控制芯片的C端连接输出端；
控制芯片的GATE端连接MOS管的栅极；
MOS管的源极连接输入端；
MOS管的漏极连接输出端；
MOS管的源极连接第一二极管的正极，MOS管的漏极连接第一二极管的负极。
隔离电路还包括第二电阻；
控制芯片的RSET端通过第二电阻接地。
隔离电路的输入端通过第五电容接地。
第五电容为储能电容。
输出端通过第六电容接地。
第六电容为储能电容。
图1中的倒三角符号是接地符号。
以上是对本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路的另一个实施例进行详细的描述，以下将对本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路的另一个实施例进行详细的描述。
请参阅图3，本发明实施例提供一种用于非冗余电源实现冗余的电路的另一个实施例，包括：两个隔离电路，两隔离电路通过自身所述MOS管的漏极相连接，具体包括第一隔离电路和第二隔离电路，输出端VOUT1；
第一隔离电路包括：具备ORING功能的第一控制芯片U1、第一MOS管MOS1、第一输入端VIN1；
第一控制芯片的VDD端通过电容C3接地并通过电阻R1连接第一输入端VIN1；
第一控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；
第一控制芯片的BYP端通过电容C1连接第一输入端VIN1；
第一控制芯片的A端连接第一输入端VIN1并通过电容C2连接输出端VOUT1并通过电容C4接地；
第一控制芯片的C端连接输出端VOUT1；
第一控制芯片的GATE端连接第一MOS管的栅极；
第一MOS管的源极连接第一输入端VIN1；
第一MOS管的漏极连接输出端VOUT1；
第一MOS管的源极连接第一二极管的正极，第一MOS管的漏极连接第一二极管的负极；
第二隔离电路包括：具备ORING功能的第二控制芯片U2、第二MOS管MOS2、第二输入端VIN2；
第二控制芯片的VDD端通过电容C7接地并通过电阻R4连接第二输入端VIN2；
第二控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；
第二控制芯片的BYP端通过电容C8连接第二输入端VIN2；
第二控制芯片的A端连接第二输入端VIN2并通过电容C6连接输出端VOUT1并通过电容C5接地；
第二控制芯片的C端连接输出端VOUT1；
第二控制芯片的GATE端连接第二MOS管的栅极；
第二MOS管的源极连接第二输入端VIN2；
第二MOS管的漏极连接输出端VOUT1；
第二MOS管的源极连接第二二极管的正极，第二MOS管的漏极连接第二二极管的负极。
两个隔离电路还包括电阻R2和电阻R3；
第一控制芯片的RSET端具体通过R2接地；
第二控制芯片的RSET端具体通过R3接地。
两个隔离电路还包括电容EC1、电容EC2、电容EC3、电容EC4；
第一输入端VIN1通过电容EC1接地；
输出端VOUT1分别通过电容EC2、电容EC3接地；
第二输入端VIN2通过电容EC4接地。
电容EC1、电容EC2、电容EC3、电容EC4具体为储能电容。
需要说明的是，在图3中VIN1与VIN2代表不同电源的输入，经过由具备ORING功能的控制芯片(U1/U2)，去控制N沟道MOS的导通，到MOS导通后，合为VOUT1电压给系统供电，EC1/EC2/EC3/EC4为储能与滤波电容。
以上是对本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路的另一个实施例进行详细的描述，以下将对本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的系统的一个实施例进行详细的描述。
本发明实施例提供一种用于非冗余电源实现冗余的系统的一个实施例，包括上述的一种用于非冗余电源实现冗余的电路、与隔离电路数量相同的ATX电源；
ATX电源的电源输出端分别连接隔离电路，用于通过隔离电路输出电能。
本系统还包括ATX供电系统；
本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路的输出端连接ATX供电系统；
ATX供电系统用于提供电源输出至负载。
请参阅图4，本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的系统的其中一个应用例包括两个ATX电源包括第一电源和第二电源、4个本发明实施例提供的一种用于非冗余电源实现冗余的电路(图4中的本发明电路)，以及ATX供电系统。
每个用于非冗余电源实现冗余的电路中包括两个隔离电路，两个隔离电路分别连接第一电源的输出端和第二电源的输出端：图4中5VSB1、12V1、5V1、3.3V1都是第一电源的输出端，5VSB2、12V2、5V2、3.3V2都是第二电源的输出端，5VSB1和5VSB2分别连接一个用于非冗余电源实现冗余的电路中的两个隔离电路；12V1和12V2分别连接另一个用于非冗余电源实现冗余的电路中的两个隔离电路；5V1和5V2分别连接另一个用于非冗余电源实现冗余的电路中的两个隔离电路；3.3V1和3.3V2分别连接另一个用于非冗余电源实现冗余的电路中的两个隔离电路。
每个用于非冗余电源实现冗余的电路的输出端连接ATX供电系统：第一个用于非冗余电源实现冗余的电路的输出端为5VSB；第二个用于非冗余电源实现冗余的电路的输出端为12V；第三个用于非冗余电源实现冗余的电路的输出端为5V；第四个用于非冗余电源实现冗余的电路的输出端为3.3V。
需要说明的是，本方案功能是将非冗余ATX构架的电源用于具备冗余的系统需求中。本发明实施例实现非冗余电源满足冗余系统的使用；实现不同的ATX电源可用于同一系统上；实现使用功耗小，系统供电效率高。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (6)
1.一种用于非冗余电源实现冗余的电路，其特征在于，包括：至少两个隔离电路、输出端；
所述输出端通过第六电容接地，所述第六电容为储能电容；
所述隔离电路包括：具备ORING功能的控制芯片、与所述控制芯片数量相同的MOS管、与所述控制芯片数量相同的输入端，所述隔离电路的输入端通过第五电容接地，所述第五电容为储能电容；
所述控制芯片的VDD端通过第一电容接地并通过第一电阻连接所述输入端；
所述控制芯片的A端连接所述输入端并通过第三电容连接所述输出端并通过第四电容接地；
所述MOS管的源极连接所述输入端；
所述MOS管的漏极连接所述输出端；
所述MOS管的源极连接第一二极管的正极，所述MOS管的漏极连接所述第一二极管的负极；
所述控制芯片的RSVD端、GND端接地；
所述控制芯片的C端连接所述输出端；
所述控制芯片的GATE端连接所述MOS管的栅极；
所述控制芯片的VDD端通过第一电阻与控制芯片的A端连接；
所述控制芯片的A端通过第三电容与控制芯片的C端连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于非冗余电源实现冗余的电路，其特征在于，所述隔离电路还包括第二电阻；
所述控制芯片的RSET端通过所述第二电阻接地。
3.根据权利要求1所述的一种用于非冗余电源实现冗余的电路，其特征在于，所述隔离电路还包括第二电容；
所述控制芯片的BYP端通过第二电容连接所述输入端。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的一种用于非冗余电源实现冗余的电路，其特征在于，所述隔离电路具体为两个隔离电路，两个隔离电路通过自身所述MOS管的漏极相连接。
5.一种用于非冗余电源实现冗余的系统，其特征在于，包括如权利要求1至3中任意一项所述的一种用于非冗余电源实现冗余的电路、与所述隔离电路数量相同的ATX电源；
所述ATX电源的电源输出端分别连接所述隔离电路，用于通过所述隔离电路输出电能。
6.根据权利要求5所述的一种用于非冗余电源实现冗余的系统，其特征在于，还包括ATX供电系统；
所述一种用于非冗余电源实现冗余的电路的输出端连接所述ATX供电系统；
所述ATX供电系统用于提供电源输出至负载。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 233 Kezhu Road, Guangzhou hi tech Industrial Development Zone, Guangdong 510670 Patentee after: VTRON GROUP Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 233 Kezhu Road, Guangzhou hi tech Industrial Development Zone, Guangdong 510670 Patentee before: VTRON TECHNOLOGIES Ltd. Country or region before: China |
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| CP03 | Change of name, title or address | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240408 Address after: 528000, Room 802, Building 10, No. 13 Xiancha Road, Chancheng District, Foshan City, Guangdong Province (Residence Declaration) Patentee after: Foshan Saierfeis Electronic Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 233 Kezhu Road, Guangzhou hi tech Industrial Development Zone, Guangdong 510670 Patentee before: VTRON GROUP Co.,Ltd. Country or region before: China |
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| TR01 | Transfer of patent right |