CN106773375B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板上设置有下层电极和上层狭缝电极，所述彩膜基板上设置有附加电极，所述附加电极位于各上层狭缝电极间隙的上方，用于与所述上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场。对于实现相同的透过率、响应时间和视角，本发明实施例的驱动电压仅为现有显示面板驱动电压的80％，有效降低了驱动电压。显示面板驱动电压的降低，不仅可以降低显示面板的功耗，而且提高了GOA电路以及相关芯片的使用可靠性。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为液晶显示面板，液晶显示面板包括对盒的薄膜晶体管阵列(Thin Film Transistor，TFT)基板和彩膜(Color Filter，CF)基板，液晶(LiquidCrystal，LC)分子填充在阵列基板和彩膜基板之间，通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶偏转的电场，实现灰阶显示。

目前，TFT-LCD按照显示模式可以分为：扭曲向列(Twisted Nematic，TN)型、平面转换(In Plane Switching，IPS)型和高级超维场转换(Advanced Super DimensionSwitch，ADS)型。其中，ADS模式液晶显示器因具备广视角、高开口率、高穿透率、高分辨率、响应速度快、低功耗、低色差等优点而得到广泛的应用，成为液晶显示领域的重要技术之一。

图1为现有技术ADS模式液晶显示面板的结构示意图。如图1所示，现有ADS模式液晶显示面板的主体结构包括对盒(CELL)而成的阵列基板10和彩膜基板20，液晶30填充在阵列基板10和彩膜基板20之间，阵列基板10包括基板11以及依次形成的公共电极12、绝缘层13和像素电极14，公共电极12用于提供公共电压信号，像素电极14用于提供显示用像素电压信号，公共电极12与像素电极14之间形成的电场控制液晶的偏转；彩膜基板20包括基板以及形成在基板上的彩膜层，彩膜层用于实现彩色显示。

ADS模式显示面板的工作原理是狭缝电极层与板状电极层之间产生的多维电场，驱动液晶偏转。图2为图1所示结构形成多维电场的示意图。如图2所示，对于最大亮度对应的液晶排布，接近阵列基板的液晶由于靠近电场，驱动液晶偏转的驱动力较大，液晶偏转正常，而接近彩膜基板的液晶由于远离电场，使液晶处于有效电场的控制弱区，液晶偏转速度慢且偏转程度不足。为了保证接近彩膜基板的区域具有驱动液晶有效偏转的电场，业界通常采用增加显示面板驱动电压的解决方法。

经本申请发明人研究发现，现有技术这种增加驱动电压的解决方式极大地增加了显示面板的功耗。此外，随着120HZ及阵列基板行驱动GOA(Gate IC On Array)等技术的引入，增加驱动电压会影响相关电路/芯片的使用可靠性。因此，降低显示面板的驱动电压，成为新产品开发需要解决的技术问题之一。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以降低显示面板的驱动电压。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板上设置有下层电极和上层狭缝电极，所述彩膜基板上设置有附加电极，所述附加电极位于各上层狭缝电极间隙的上方，用于与所述上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场。

可选地，所述附加电极的宽度为0.5～0.8μm，宽度/像素间距比为5～10％。

可选地，所述附加电极的像素间距与所述上层狭缝电极的像素间距相同。

可选地，所述上层狭缝电极为像素电极，所述附加电极为施加公共电压的条状透明电极；或，所述上层狭缝电极为公共电极，所述附加电极为施加像素电压的条状透明电极。

可选地，所述彩膜基板包括基板以及在所述基板上依次形成的黑矩阵、彩膜层和平坦层，所述附加电极设置在所述平坦层上；或者，所述附加电极设置在所述彩膜层上，或者，所述附加电极设置在所述基板上。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：

制备包括附加电极的彩膜基板，所述附加电极用于与阵列基板的上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场；

所述彩膜基板与阵列基板对盒。

可选地，所述制备包括附加电极的彩膜基板包括：

在基板上依次形成黑矩阵、彩膜层和平坦层；通过构图工艺在所述平坦层上形成附加电极；或者，

在基板上依次形成黑矩阵和彩膜层；通过构图工艺在所述彩膜层上形成附加电极；在形成所述附加电极的基板上形成平坦层；或者，

通过构图工艺在基板上形成黑矩阵和附加电极；在形成所述黑矩阵和附加电极的基板上依次形成彩膜层和平坦层。

可选地，所述通过构图工艺在基板上形成黑矩阵和附加电极包括：

在基板上依次沉积透明导电层和树脂层，并在树脂层上涂布光刻胶；

采用灰度掩膜板或半色调掩膜板对光刻胶层进行阶梯曝光并显影，在黑矩阵位置保留第一厚度的光刻胶，在附加电极位置保留第二厚度的光刻胶，其余位置无光刻胶，第一厚度大于第二厚度；

刻蚀掉无光刻胶位置的树脂层和透明导电层；

通过灰化工艺去除第二厚度的光刻胶，暴露出附加电极位置的树脂层；

刻蚀掉暴露出的树脂层，剥离光刻胶后形成附加电极和黑矩阵。

可选地，所述附加电极为条状透明电极，所述附加电极的宽度w为0.5～0.8μm，宽度/像素间距比为5～10％，所述附加电极的像素间距与所述上层狭缝电极的像素间距相同。

本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过在彩膜基板上设置附加电极，彩膜基板的附加电极与阵列基板的上层狭缝电极之间形成附加电场，附加电场有效增加了彩膜基板附近区域的横向电场强度，使得彩膜基板附近区域的液晶在该附加电场的驱动下，偏转速度加快，实现了正常偏转。对于实现相同的透过率、响应时间和视角，本发明实施例的驱动电压仅为现有显示面板驱动电压的80％，有效降低了驱动电压。显示面板驱动电压的降低，不仅可以降低显示面板的功耗，而且提高了GOA电路以及相关芯片的使用可靠性。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

图1为现有技术ADS模式液晶显示面板的结构示意图；

图2为图1所示结构形成多维电场的示意图；

图3为本发明显示面板第一实施例的结构示意图；

图4为图3所示结构形成多维电场的示意图；

图5为本发明第一实施例与现有结构驱动电压仿真结果图；

图6为本发明第一实施例制备方法的流程图；

图7为本发明第二实施例彩膜基板的结构示意图；

图8为本发明第三实施例彩膜基板的结构示意图；

图9a-图9e为本发明第三实施例形成黑矩阵和附加电极的示意图；

图10为本发明显示面板第四实施例的结构示意图。

附图标记说明:

10—阵列基板；	20—彩膜基板；	30—液晶；
			40—附加电极；	11—基板；	12—公共电极；
13—绝缘层；	14—像素电极；	21—基板；
			22—彩膜结构层；	201—黑矩阵；	202—彩膜层；
203—平坦层；	300—光刻胶；	301—透明导电层；
			302—树脂层。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

第一实施例

图3为本发明显示面板第一实施例的结构示意图，图4为图3所示结构形成多维电场的示意图。如图3所示，本实施例所提供的显示面板的主体结构包括对盒而成的阵列基板10和彩膜基板20，液晶30填充在阵列基板10和彩膜基板20之间，阵列基板10上形成有像素电极14，像素电极14作为阵列基板10的上层狭缝电极，彩膜基板20上形成有附加电极40。具体地，阵列基板10包括基板11以及依次形成在基板11上的薄膜晶体管(未示出)、公共电极12、绝缘层13和像素电极14，公共电极12作为下层电极，像素电极14作为上层狭缝电极，公共电极12与像素电极14一起形成多维电场，构成ADS模式显示面板。彩膜基板20包括基板21、形成在基板上的彩膜结构层22、以及形成在彩膜结构层22上的附加电极40，彩膜结构层22包括黑矩阵、彩膜层和平坦层。其中，附加电极40为施加公共电压的条状透明电极，用于与阵列基板10上作为上层狭缝电极的像素电极14之间形成附加电场，以驱动彩膜基板附近区域的液晶实现正常偏转，如图4所示。

本实施例中，彩膜基板上附加电极的位置可以设置在阵列基板上各个像素电极间隙的上方，即每个附加电极位于相邻两个像素电极之间。优选地，附加电极位于像素电极间隙中间点的正上方。该结构布置可以使彩膜基板的附加电极与阵列基板的像素电极之间尽可能形成横向电场，并尽量减少纵向电场分量，以降低液晶显示的透过率损失。

本实施例中，附加电极的像素间距(Pitch)为6～10μm，优选为8μm，或者设置成与像素电极的像素间距相同。像素间距Pitch是指电极的宽度w与电极之间的间距s之和。此外，附加电极的宽度w为0.5～0.8μm，优选为0.6μm，或者占比w/Pitch为5～10％，优选为7.5％。当附加电极的像素间距设置成与像素电极的像素间距相同时，附加电极的占比为像素电极的占比的1/3～1/4左右。本发明实施例将附加电极的占比设置成像素电极的占比的1/3～1/4左右，有效保证了液晶显示面板的光学、响应时间和视角等性能不受影响。

图5为本发明第一实施例与现有结构驱动电压仿真结果图，其中，实线为本实施例显示面板，附加电极的宽度w为0.6μm，虚线为现有显示面板，未设置附加电极。如图5所示，对于同样达到最大透过率，现有显示面板的驱动电压为8V左右，而本实施例显示面板的驱动电压对应为6.5V左右。也就是说，对于达到同样的透过率，与现有显示面板驱动电压相比，本实施例显示面板的驱动电压下降了1.5V。同时，仿真结果还表明，本实施例显示面板采用6.5V驱动电压的响应时间和视角等性能，与现有显示面板采用8V驱动电压的响应时间和视角等性能相同。

下面通过显示面板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。

图6为本发明第一实施例制备方法的流程图。如图6所示，本实施例显示面板制备方法包括：

S10、制备包括附加电极的彩膜基板，所述附加电极用于与阵列基板上作为上层狭缝电极的像素电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场；

S20、所述彩膜基板与阵列基板对盒。

本实施例中，首先通过构图工艺制备彩膜基板，彩膜基板包括附加电极，同时通过构图工艺制备阵列基板，阵列基板上包括像素电极。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺，各膜层材料、工艺、参数等均是已知的。之后，在阵列基板的显示区域滴涂液晶，在彩膜基板的非显示区域涂覆封框胶，彩膜基板与阵列基板进行对位，使彩膜基板的附加电极位于阵列基板上各像素电极间隙的上方，用于彩膜基板的附加电极与阵列基板的像素电极形成附加电场；在真空条件下进行压合和封框胶固化，形成显示面板。实际制备中，制备彩膜基板可以先于阵列基板，也可以在制备阵列基板之后，或两者同时进行；封框胶也可以涂覆在阵列基板上，液晶也可以滴涂在彩膜基板上；每侧基板各液/体/胶的制备次序可结合实际需要进行调整，在此不做具体的限定。

本实施例中，制备阵列基板包括在基板上形成薄膜晶体管、栅线和数据线、栅绝缘层、公共电极、绝缘层和像素电极，在此不做具体的限定。阵列基板还可以包括其他膜层，如取向层等，本领域技术人员能够根据公知常识以及现有技术获知，这里不作具体限定。

本实施例中，制备包括附加电极的彩膜基板包括：

S101、在基板上形成彩膜结构层；

S102、通过构图工艺在彩膜结构层上形成附加电极。

本实施例中，彩膜结构层包括黑矩阵(Black Matrix，BM)、彩膜层(Color Filter，CF)和平坦层(Over Coating，OC)，在基板上形成彩膜结构层包括：通过构图工艺在基板上形成黑矩阵，在形成有黑矩阵的基板上依次形成彩膜层和平坦层。通过构图工艺在彩膜结构层上形成附加电极包括：在彩膜结构层上沉积一层透明导电层；在透明导电层上涂覆一层光刻胶；使用掩膜板对光刻胶进行曝光并显影，去除附加电极位置以外区域的光刻胶，即暴露出附加电极位置以外区域的透明导电层；通过刻蚀工艺刻蚀掉暴露的透明导电层；剥离光刻胶后形成条状透明的附加电极。实际实施时，形成附加电极后还包括形成液晶配向层等处理。其中，沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。本实施例中，透明导电层是透明且导电的材料，如氧化铟锡ITO。

第二实施例

本实施例所提供的显示面板的主体结构与第一实施例相同，包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板，液晶填充在阵列基板和彩膜基板之间，阵列基板包括基板以及依次形成在基板上的薄膜晶体管、公共电极、绝缘层和像素电极，公共电极作为下层电极，像素电极作为上层狭缝电极，彩膜基板上形成有附加电极，其中，附加电极为施加公共电压的条状透明电极，用于与阵列基板上作为上层狭缝电极的像素电极之间形成附加电场，以驱动彩膜基板附近区域的液晶实现正常偏转。图7为本发明第二实施例彩膜基板的结构示意图。如图7所示，与第一实施例不同的是，彩膜基板20包括基板21、形成在基板上的黑矩阵201、彩膜层202、形成在彩膜层202上的附加电极40、以及平坦层203，即本实施例的附加电极设置在彩膜层上。

本实施例通过将附加电极设置在彩膜层上，其上覆盖平坦层，使得所制备的彩膜基板的表面平坦，不仅消除了后续取向膜处理出现涂布不均的情况，而且可以减低平坦层的厚度，有利于显示面板的薄型化和显示品质。本实施例附加电极的材料、位置、像素间距、宽度、占比等参数与第一实施例相同，降低驱动电压的原理和效果也与第一实施例相同，这里不再赘述。

本实施例显示面板的制备流程参见图6所示，其中S10中制备包括附加电极的彩膜基板包括：

S111、在基板上依次形成黑矩阵和彩膜层；

S112、通过构图工艺在所述彩膜层上形成附加电极；

S113、在形成所述附加电极的基板上形成平坦层。

本实施例中，在基板上依次形成黑矩阵和彩膜层包括：通过构图工艺在基板上形成黑矩阵，在形成有黑矩阵的基板上形成彩膜层。通过构图工艺在彩膜层上形成附加电极包括：在彩膜层上沉积一层透明导电层；在透明导电层上涂覆一层光刻胶；使用掩膜板对光刻胶进行曝光并显影，去除附加电极位置以外区域的光刻胶，即暴露出附加电极位置以外区域的透明导电层；通过刻蚀工艺刻蚀掉暴露的透明导电层；剥离光刻胶后形成条状透明的附加电极。实际实施时，在形成平坦层后还包括形成液晶配向层等处理。其中，形成彩膜层和平坦层是现有成熟的制备工艺。

第三实施例

本实施例所提供的显示面板的主体结构与第一实施例相同，包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板，液晶填充在阵列基板和彩膜基板之间，阵列基板包括基板以及依次形成在基板上的薄膜晶体管、公共电极、绝缘层和像素电极，公共电极作为下层电极，像素电极作为上层狭缝电极，彩膜基板上形成有附加电极，其中，附加电极为施加公共电压的条状透明电极，用于与阵列基板上作为上层狭缝电极的像素电极之间形成附加电场，以驱动彩膜基板附近区域的液晶实现正常偏转。图8为本发明第三实施例彩膜基板的结构示意图。如图8所示，与第一实施例不同的是，彩膜基板20包括基板21、形成在基板上的黑矩阵201和附加电极40、彩膜层202以及平坦层203，即本实施例的附加电极设置在基板上。

本实施例通过将附加电极设置在基板上，通过一次构图工艺同时形成黑矩阵和附加电极，避免了因设置附加电极增加新的构图工艺，提高了生产效率。同时，由于平坦层的覆盖，使得所制备的彩膜基板的表面相对平坦，不仅可以减低平坦层的厚度，而且消除了后续取向膜处理出现涂布不均的情况，有利于显示面板的薄型化和显示品质。本实施例附加电极的材料、位置、像素间距、宽度、占比等参数与第一实施例相同，降低驱动电压的原理和效果也与第一实施例相同，这里不再赘述。

本实施例显示面板的制备流程参见图6所示，其中S10中制备包括附加电极的彩膜基板包括：

S121、通过构图工艺在基板上形成黑矩阵和附加电极；

S122、在形成所述黑矩阵和附加电极的基板上依次形成彩膜层和平坦层。

图9a-图9e为本发明第三实施例形成黑矩阵和附加电极的示意图。本实施例中，在基板上依次形成黑矩阵和附加电极包括：在基板21上依次沉积透明导电层301和树脂层302，并在树脂层302上涂布光刻胶300，如图9a所示；采用灰度掩膜板或半色调掩膜板对光刻胶层进行阶梯曝光并显影，在黑矩阵位置保留第一厚度的光刻胶，在附加电极位置保留第二厚度的光刻胶，其余位置无光刻胶，第一厚度大于第二厚度，如图9b所示；通过刻蚀工艺刻蚀掉无光刻胶位置的树脂层302和透明导电层301，如图9c所示；通过灰化工艺去除第二厚度的光刻胶，暴露出附加电极位置的树脂层302，如图9d所示；通过刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的树脂层，剥离光刻胶后形成条状透明的附加电极40和黑矩阵201，如图9e所示。最后，在形成所述黑矩阵和附加电极的基板上依次形成彩膜层和平坦层。实际实施时，在形成平坦层后还包括形成液晶配向层等处理。

第四实施例

本实施例所提供的显示面板的主体结构与前述实施例相同，包括对盒而成的阵列基板10和彩膜基板20，液晶30填充在阵列基板10和彩膜基板20之间。图10为本发明显示面板第四实施例的结构示意图。如图10所示，本实施例的阵列基板包括基板11以及依次形成在基板上的薄膜晶体管(未示出)、像素电极14、绝缘层13和公共电极12，像素电极14作为下层电极，公共电极12作为上层狭缝电极，像素电极14与公共电极12一起形成多维电场，构成ADS模式显示面板。彩膜基板20上形成有附加电极40，其中，附加电极40为施加像素电压的条状透明电极，用于与阵列基板10上作为上层狭缝电极的公共电极12之间形成附加电场，以驱动彩膜基板附近区域的液晶实现正常偏转。

本实施例中，阵列基板的结构与前述第一～第三实施例中阵列基板的结构有所不同。前述第一～第三实施例中，阵列基板的像素电极作为上层狭缝电极，公共电极作为下层电极，阵列基板上作为上层狭缝电极的像素电极与彩膜基板上施加公共电压的附加电极形成附加电场。本实施例中，阵列基板的公共电极作为上层狭缝电极，像素电极作为下层电极，阵列基板上作为上层狭缝电极的公共电极与彩膜基板上施加像素电压的附加电极形成附加电场。本实施例中，彩膜基板可以采用前述第一～第三实施例的结构及其制备方式，这里不再赘述。

第五实施例

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括前述任一实施例的显示面板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的上述显示面板及其制备方法、显示装置，通过在彩膜基板上设置附加电极，彩膜基板的附加电极与阵列基板的上层狭缝电极之间形成附加电场，附加电场有效增加了彩膜基板附近区域的横向电场强度，使得彩膜基板附近区域的液晶在该附加电场的驱动下，偏转速度加快，实现了正常偏转。对于实现相同的透过率、响应时间和视角，本实施例的驱动电压仅为现有显示面板驱动电压的80％，有效降低了驱动电压。显示面板驱动电压的降低，不仅可以降低显示面板的功耗，而且提高了GOA电路以及相关芯片的使用可靠性。

在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间件间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (6)

1.一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板上设置有下层电极和上层狭缝电极，其特征在于，所述彩膜基板上设置有附加电极，所述附加电极和黑矩阵通过一次构图工艺同时形成；所述附加电极位于各上层狭缝电极间隙的上方，用于与所述上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场；所述附加电极的像素间距与所述上层狭缝电极的像素间距相同，所述附加电极的宽度/像素间距比为像素电极的宽度/像素间距比的1/3～1/4，所述附加电极的宽度为0.5～0.8μm，宽度/像素间距比为5～10％，使得在相同透过率、响应时间和视角情况下，显示面板的驱动电压降低20％。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述上层狭缝电极为像素电极，所述附加电极为施加公共电压的条状透明电极；或，所述上层狭缝电极为公共电极，所述附加电极为施加像素电压的条状透明电极。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括基板以及在所述基板上依次形成的黑矩阵、彩膜层和平坦层，所述附加电极设置在所述平坦层上；或者，所述附加电极设置在所述彩膜层上，或者，所述附加电极设置在所述基板上。

4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～3任一所述的显示面板。

5.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

制备包括附加电极的彩膜基板，包括：通过一次构图工艺在基板上同时形成黑矩阵和附加电极；在形成所述黑矩阵和附加电极的基板上依次形成彩膜层和平坦层；所述附加电极用于与阵列基板的上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场；所述附加电极的像素间距与所述上层狭缝电极的像素间距相同，所述附加电极的宽度/像素间距比为像素电极的宽度/像素间距比的1/3～1/4；所述附加电极为条状透明电极，所述附加电极的宽度w为0.5～0.8μm，宽度/像素间距比为5～10％，使得在相同透过率、响应时间和视角情况下，显示面板的驱动电压降低20％；

所述彩膜基板与阵列基板对盒。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在基板上同时形成黑矩阵和附加电极包括：

在基板上依次沉积透明导电层和树脂层，并在树脂层上涂布光刻胶；

采用灰度掩膜板或半色调掩膜板对光刻胶层进行阶梯曝光并显影，在黑矩阵位置保留第一厚度的光刻胶，在附加电极位置保留第二厚度的光刻胶，其余位置无光刻胶，第一厚度大于第二厚度；

刻蚀掉无光刻胶位置的树脂层和透明导电层；

通过灰化工艺去除第二厚度的光刻胶，暴露出附加电极位置的树脂层；

刻蚀掉暴露出的树脂层，剥离光刻胶后形成附加电极和黑矩阵。