CN106772170A - 一种uhf局部放电测量装置的校准方法 - Google Patents

一种uhf局部放电测量装置的校准方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种UHF局部放电测量装置的校准方法，包括步骤1：构建场强测量系统；步骤2：将UHF局部放电测量装置和参考场强仪置于场强测量系统内，测量同一个电场的场强；步骤3：比较UHF局部放电测量装置和参考场强仪的输出信号，确定UHF局部放电测量装置的测量准确度。与现有技术相比，本发明提供的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，通过建立一个相对稳定的电场环境，回避射频信号源在测量环境中衰减过大，难以控制的问题。

Description

一种UHF局部放电测量装置的校准方法
技术领域
本发明涉及高压输变电工程状体检修设备计量领域，具体涉及一种UHF局部放电测量装置的校准方法。
背景技术
UHF局部放电检测是测量GIS绝缘状况的有效手段，用于定量的测量GIS局部放电的电场信号，如果UHF局部放电检测装置无法有效检测GIS内部放电情况，将会造成GIS绝缘的破坏，从而造成相关事故的发生。运行经验表明，现阶段国内外各种型号的UHF局部放电检测装置的计量性能良莠不齐，迫切需要一种行之有效的UHF局部放电测量装置的校准方法来对各类UHF局部放电检测仪进行校准。
发明内容
为了满足现有技术的需要，本发明提供了一种UHF局部放电测量装置的校准方法。
本发明的技术方案是：
所述方法包括：
步骤1：构建场强测量系统；
步骤2：将所述UHF局部放电测量装置和参考场强仪置于所述场强测量系统内，测量同一个电场的场强；
步骤3：比较所述UHF局部放电测量装置和参考场强仪的输出信号，确定UHF局部放电测量装置的测量准确度。
优选的，所述场强测量系统包括射频信号源、功率放大器、GTEM小室和频谱仪；
所述射频信号源与功率放大器连接，该功率放大器通过同轴传输线接入GTEM小室；
所述参考场强仪放置在GTEM小室内，该参考场强仪的场强探头与频谱仪连接；
优选的，所述参考场强仪为全向场强仪；所述同轴传输线为50Ω带状传输线；
优选的，所述UHF局部放电测量装置包括主机和待测传感器；所述主机接收待测传感器的输出信号；
步骤2中将所述待测传感器与参考场强仪放置在所述GTEM小室的同一个测试区域内；
优选的，所述功率放大器包括第一放大器和第二放大器；
所述第一放大器的输出频率为300MHz～1GHz；
所述第二放大器的输出频率为800MHz～3GHz；
优选的，所述GTEM小室的测试区域的频率范围为300MHz～3GHz；
优选的，所述GTEM小室的测试区域的不确定度为±1dB；
优选的，所述射频信号源的输出信号为300MHz～3GHz的连续信号。
与最接近的现有技术相比，本发明的优异效果是：
1、本发明提供的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，通过建立一个相对稳定的电场环境，回避射频信号源在测量环境中衰减过大，难以控制的问题；
2、本发明提供的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，采用了300MHz～1GHz和800MHz～3GHz两个频率范围的放大器，解决了UHF局部放电频带较宽难以测量的问题。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1：本发明实施例中场强测量系统结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
本发明提供的一种UHF局部放电测量装置的校准方法的实施例为：
一、构建场强测量系统。
如图1所示，本实施例中场强测量系统包括射频信号源、功率放大器、GTEM小室、参考场强仪和频谱仪。其中，
1、射频信号源
射频信号源与功率放大器连接，该功率放大器通过同轴传输线接入GTEM小室。该同轴传输线为50Ω带状传输线。
射频信号源的输出信号为300MHz～3GHz的连续信号。
2、功率放大器
本实施例中功率放大器包括第一放大器和第二放大器。其中，
第一放大器的输出频率为300MHz～1GHz，第二放大器的输出频率为800MHz～3GHz。
3、参考场强仪
参考场强仪放置在GTEM小室内，该参考场强仪的场强探头与频谱仪连接，该参考场强仪为全向场强仪。
4、UHF局部放电测量装置
UHF局部放电测量装置包括主机和待测传感器；其中主机接收待测传感器的输出信号。
二、将UHF局部放电测量装置和参考场强仪置于场强测量系统内，测量同一个电场的场强。
本实施例中将待测传感器与参考场强仪放置在GTEM小室的同一个测试区域内，分别通过绝缘且不干扰电磁波的装置进行支撑和固定。
GTEM小室用于产生均匀的可以被校准的标准场环境，其测试区域的频率范围为300MHz～3GHz，GTEM小室的测试区域的不确定度为±1dB。本实施例中测试区域的频率范围与UHF局部放电测量装置的典型频率范围相同，其中测试区域的电场频率范围可以通过GTEM小室的集合尺寸和形状进行计算，并结合测量得到的输入参数获得。
三、比较UHF局部放电测量装置和参考场强仪的输出信号，确定UHF局部放电测量装置的测量准确度。
最后应当说明的是：所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

Claims (8)

1.一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤1：构建场强测量系统；
步骤2：将所述UHF局部放电测量装置和参考场强仪置于所述场强测量系统内，测量同一个电场的场强；
步骤3：比较所述UHF局部放电测量装置和参考场强仪的输出信号，确定UHF局部放电测量装置的测量准确度。
2.如权利要求1所述的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述场强测量系统包括射频信号源、功率放大器、GTEM小室和频谱仪；
所述射频信号源与功率放大器连接，该功率放大器通过同轴传输线接入GTEM小室；
所述参考场强仪放置在GTEM小室内，该参考场强仪的场强探头与频谱仪连接。
3.如权利要求2所述的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述参考场强仪为全向场强仪；所述同轴传输线为50Ω带状传输线。
4.如权利要求2所述的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述UHF局部放电测量装置包括主机和待测传感器；所述主机接收待测传感器的输出信号；
步骤2中将所述待测传感器与参考场强仪放置在所述GTEM小室的同一个测试区域内。
5.如权利要求2所述的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述功率放大器包括第一放大器和第二放大器；
所述第一放大器的输出频率为300MHz～1GHz；
所述第二放大器的输出频率为800MHz～3GHz。
6.如权利要求2所述的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述GTEM小室的测试区域的频率范围为300MHz～3GHz。
7.如权利要求2所述的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述GTEM小室的测试区域的不确定度为±1dB。
8.如权利要求2所述的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述射频信号源的输出信号为300MHz～3GHz的连续信号。
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