CN106751529A - 高介电聚合复合物膜组合物、电容膜及其制备方法与封装方法 - Google Patents

高介电聚合复合物膜组合物、电容膜及其制备方法与封装方法 Download PDF

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Abstract

本发明为一种高介电聚合复合物膜组合物，其可作为高分子介电电容膜，用于封装电子组件。本发明之高介电聚合复合物膜组合物包含硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，其可提供形成之膜层具有高介电。本发明之高分子介电电容膜包含一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层，封装后可直接进行切割，无须额外黏附切割胶带，使封装制程更为简便及快速。

Description

高介电聚合复合物膜组合物、电容膜及其制备方法与封装 方法
技术领域
本发明系关于一种高介电聚合复合物膜组合物，其可做为高分子介电电容膜，用于封装电子产品，特别系半导体芯片及指纹辨识芯片。
背景技术
随着电子产品日趋薄型，如何藉由封装减少电子产品的体积及使用效能，系为目前所积极发展之技术。良好的封装材料必须提供高机械强度、耐温度变化、耐冲击、抗腐蚀及氧化等多种特性，以保护电子组件。惯用封装材料为高分子复合材料，主要成分为塑料材质，例如环氧树脂，其可并搭配其他材料，例如陶瓷或金属等成分，以调整封装材料之性能的特性。而适于封装电子组件之材料通常为高介电，具有较高的电容量。
常见的封装方法包含有真空热压成型及网版印刷成型。真空热压成型系将芯片置入压模具中，并使用粉状、粒状、片状、或团粒状的塑料或金属涂积在芯片上，在真空下经高温高压成型以封装芯片。网版印刷系将在芯片上覆盖网版后，将液状封装材料倒入该网版中，使封装材料硬化后即可封装芯片。
封装制程中，封装芯片会使用切割胶带以利于分切割电子组件，良好的切割胶带必须与其他封装用的积层膜紧密黏合，使切割时不易有切割边翘起及容易破裂等问题。
然而，目前惯用的封装方法之制程多为繁琐耗时；真空热压成型之封装方法必须得先将芯片置入压模具中，并使用粉状、粒状、片状、或团粒状的塑料或金属涂积在芯片上，在真空下经高温高压成型以封装芯片。而网版印刷之封装方法则需将在芯片上覆盖网版后，将液状封装材料倒入该网版中，使封装材料硬化后才可封装芯片。此外，由于封装过程过于复杂，若有一步骤执行不全，便会造成封装效果不佳。
发明内容
本发明的目的在于提升封装制程速度及封装效果，提供了一种高分子介电电容膜，其可直接黏附于电子组件进行封装，且由于已附有切割胶带，因此无须额外步骤积层切割胶带，即封装后便可直接进行切割，以提升制程效率。另外，本发明之高分子介电电容膜包含高介电聚合复合物膜层，其具有高介电之特性，可有效提升电子组件的电容性。
本发明采用以下技术方案：
一种用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末。
于较佳实施例中，该高介电材料粉末系选自由氧化铝、钛酸钡、氧化锆或二氧化钛所组成之群组。
于较佳实施例中，该硅氧烷化合物为N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷。
本发明提供了一种高分子介电电容膜，依序包括一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层；其中该高介电聚合复合物膜层系形成于该离形片之可剥离面上，且包含上述之任一项之组成物。
于较佳实施例中，该高介电聚合复合物膜层与该感压黏着层之间的黏着力为10～60cN/25mm。
于较佳实施例中，该高分子介电电容膜系用于指纹辨识芯片或半导体封装之用途。
本发明提供了一种上述之任一项之高分子介电电容膜之制备方法，其包含：(a)提供一离形片及一切割胶带，该切割胶带包含一感压黏着层及一基膜层；(b)混合热固性树脂、紫外光硬化树脂及硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，获得一高介电聚合复合物浆液；(c)将该高介电聚合复合物浆液涂覆于该离形片之可剥离面上，形成一湿膜，并烘烤形成一高介电聚合复合物膜层；(d)将该高介电聚合复合物膜层置于该切割胶带之感压黏着层之上，并加热加压贴合，获得该高分子介电电容膜。
本发明提供了一种半导体芯片之封装方法，该方法包含剥离上述之任一项之高分子介电电容膜之离形片后，将该高介电聚合复合物膜层黏着于一表面具有电路之半导体切割基板任意面。
本发明提供了一种指纹辨识芯片之封装方法，该方法包含：(a)提供一基板，该基板具有一对表面以及多个接垫，该对表面分别位于该基板的两侧，而该些接垫裸露于其中一该表面；(b)设置一指纹辨识芯片于该基板上；将至少一导线利用反向打线的方式电性连接其中至少一该接垫以及该指纹辨识芯片；(c)完成打线之后，剥离上述之任一项之高分子介电电容膜之离形片，将该高介电聚合复合物膜层积层于该基板上，该高介电聚合复合物膜层覆盖该指纹辨识芯片以及该导线。
于较佳实施例中，上述之封装方法中，该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为850～1300cN/25mm；且当该高介电聚合复合物膜层与该感压黏着层之间的黏着力为a，该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为b时，b/a为0.5～50，a<b。
附图说明
图1为本发明之高分子介电电容膜之示意图。
图2为本发明之高分子介电电容膜之制造方法示意图。
图3为本发明之半导体芯片之封装方法示意图。
图4为其他通用之半导体芯片之封装方法示意图。
图5为本发明之指纹辨识芯片之封装方法示意图。
上述图中的附图标记说明如下：
1 高介电聚合复合物膜层
1.1 高介电聚合复合物浆液
1’ 电容膜
3 离形片
5 压感黏着层
7 基膜层
9 半导体切割基板
11 电路
13 接垫
14 基板
15 导线
17 指纹辨识芯片
具体实施方式
本发明之用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末。
上述之热固性树脂、紫外光硬化树脂及硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末之比例为20～40wt％:5～15wt％:45～75wt％，例如：20wt％:5wt％:75wt％、25wt％:5wt％:70wt％、30wt％:5wt％:65wt％、35wt％:5wt％:60wt％、40wt％:5wt％:55wt％、20wt％:10wt％:70wt％、20wt％:15wt％:65wt％、25wt％:10wt％:65wt％、25wt％:15wt％:60wt％、30wt％:5wt％:65wt％、30wt％:10wt％:60wt％、30wt％:15wt％:55wt％、35wt％:5wt％:60wt％、35wt％:10wt％:55wt％、35wt％:15wt％:50wt％、40wt％:5wt％:55wt％、40wt％:10wt％:50wt％或40wt％:15wt％:45wt％。
上述之热固性树脂系选自聚苯醚树脂、聚亚酰胺树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯醇树脂、聚乙烯酚树脂、聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、聚胺基甲酸酯树脂、含氟高分子树脂、聚硅氧烷树脂、聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、聚苯乙烯树脂或聚乙烯树脂所组成之群组。且，上述之树脂可进一步具有反应性官能基团，例如羟基、羧基、烯基、胺基、酸酐基、马来酸酐基等。其中，具有反应性官能基的聚苯醚树脂包含具有丙烯酸基的聚苯醚树脂、具有乙烯基的聚苯醚树脂及具有羟基的聚苯醚树脂等；具有反应性官能基的苯乙烯共聚物或寡聚物包含苯乙烯-马来酸酐共聚物；具有反应性官能基的丁二烯共聚物或寡聚物包含聚丁二烯及丁二烯-苯乙烯等；环氧树脂包含双酚A型环氧树脂、溴化环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、缩水甘油基胺型环氧树脂、乙内酰脲型环氧树脂、脂环式环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、双-二甲酚型或双酚型环氧树脂或该些之混合物、双酚S型环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、四苯基酚醇(PHENYLOL)乙烷型环氧树脂、杂环式环氧树脂、二缩水甘油基苯甲酸脂树脂、四缩水甘油基二甲酚基乙烷树脂、含有萘基之环氧树脂、含氮之环氧树脂、具有二环戊二烯骨架之环氧树脂、缩水甘油基甲基丙烯酸酯共聚合系环氧树脂、环己基马来酰亚胺与缩水甘油基甲基丙烯酸酯之共聚合环氧树脂、CTBN改质环氧树脂等。
上述之紫外光硬化树脂之聚合单体可以系选自聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、碳酸酯(甲基)丙烯酸酯、环氧基(甲基)丙烯酸酯所组成之群组；此类(甲基)丙烯酸酯可以系由聚醇直接丙烯酸酯化，或由二异氰酸酯而胺基甲酸酯丙烯酸酯化之丙烯酸酯类。实例如N,N-二甲基丙烯酰胺、N-羟甲基丙烯酰胺、N,N-二甲基胺基丙基丙烯酰胺等之丙烯酰胺类；2-羟基乙基丙烯酸酯、2-羟基丙基丙烯酸酯等羟基烷基丙烯酸酯类；乙二醇、甲氧基四乙二醇、聚乙二醇、丙二醇等之二醇之二丙烯酸酯类；己二醇、三羟甲基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇、参-羟基乙基异三聚氰酸酯等之多元醇或此等之环氧乙烷加成物、环氧丙烷加成物、或ε-己内酯加成物等之多价丙烯酸酯类；苯氧基丙烯酸酯、双酚A二丙烯酸酯及此等酚类之环氧乙烷加成物、或环氧丙烷加成物等之多价丙烯酸酯类；丙三醇二环氧丙基醚、丙三醇三环氧丙基醚、三羟甲基丙烷三环氧丙基醚及三环氧丙基异三聚氰酸酯等之环氧丙基醚之多价丙烯酸酯类；N,N-二甲基胺基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丙基丙烯酸酯等之胺基烷基丙烯酸酯类。
上述之硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末系将硅氧烷化合物及高介电材料粉末均匀混合进行改质所完成；其中，该改质之温度及时间分别为40～100℃及30～90分钟，例如40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃或100℃，及30分、40分、50分、60分、70分、80分或90分，且以60℃及60分钟为较佳；且，当该硅氧烷化合物及高介电材料粉末均匀混合时系置于有机溶剂所完成，该有机溶剂包含四氢呋喃、甲基四氢呋喃、二恶烷、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、甲乙酮、甲基异丁酮、丙酮、二乙酮、二丙基甲酮、乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸二丙酯或碳酸甲乙酯等任一者或其等之组合，但不限于此等。
上述之该硅氧烷化合物包含N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、苯胺甲基三乙氧基硅烷、3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、3-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、3-氯丙基三乙氧基硅任一者或其等之组合。
上述之高介电材料粉末包含氧化铝、钛酸钡、氧化锆、二氧化钛或任一者或其等所组成之群组；其中，该高介电材料粉末于改质前，会使用处理剂使粉末之颗粒表面附有氢氧根离子，以与硅氧烷化合物之烷氧基反应以改质，该处理剂可使用双氧水或臭氧水等，但不限于此等。
本发明之高介电聚合复合物膜之组成物亦可进一步添加硬化剂或光起始剂。
上述之硬化剂系选自胺系硬化剂、胍胺系硬化剂、咪唑系硬化剂、酚系硬化剂、萘酚系硬化剂、酸酐系硬化剂所组成之群组，可为一种或并用二种以上，硬化剂之种类会依据热固型树脂或紫外线硬化树脂而适当选择。例如二胺基二苯基甲烷、二乙三胺、三乙四胺、二胺基二苯砜、异佛酮二胺、咪唑、胍衍生物、双氰胺、酞酸酐、偏苯三酸酐、均苯四甲酸酐、顺丁烯二酸酐、四氢酞酸酐、甲基四氢酞酸酐、甲基纳迪克酸酐、六氢酞酸酐、甲基六氢酞酸酐、二胺基二苯基甲烷、二乙三胺、三乙四胺、二胺基二苯基砜、异佛尔酮二胺、二氰二胺、邻苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、顺丁烯二酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基耐地酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、双酚A、双酚F、双酚S、茀双酚、萜烯二苯酚、4,4'-联苯酚、2,2'-联苯酚、3,3',5,5'-四甲基-[1,1'-联苯]-4,4'-二醇、对苯二酚、间苯二酚、萘二醇、三-(4-羟基苯基)甲烷、1,1,2,2-四(4-羟基苯基)乙烷、苯酚、烷基取代苯酚、萘酚、烷基取代萘酚、二羟基苯或二羟基萘等。
上述之光起始剂可选自苯偶姻及其烷基醚、苯乙酮、蒽醌、噻吨酮、缩酮、二苯甲酮、α-胺基苯乙酮类、酰基膦系、酰基氧化膦类、肟酯所组成之群组，例如1-羟基环己基-1-苯基酮，2-羟基-2-甲基-1-苯丙酮、,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基膦化氧、2,6-二甲基苯甲酰基二苯基膦化氧、2,6-二甲氧基苯甲酰基二苯基膦化氧、2,6-二环苯甲酰基二苯基膦化氧、2,3,5,6-四甲基苯甲酰基二苯基膦化氧、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基膦化氧、双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)2,4,4-三甲基-戊基膦化氧、2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸甲酯、2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸苯酯等。该光起始剂之含量相对于紫外线硬化性树脂100重量份，较佳为0.01～3重量份，更佳为0.1～1.5重量份。
本发明之高分子介电电容膜，依序包括一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层；其中该高介电聚合复合物膜系形成于该离形片之可剥离面上，且包含上述之任一项之组成物。如图1所示，本发明之高介电聚合复合物切割胶带包含离形片3、高介电聚合复合物膜层1、感压黏着层5及基膜层7。
上述之高介电聚合复合物膜层与感压黏着层之间的黏着力为10～60cN/25mm，例如10cN/25mm、15cN/25mm、20cN/25mm、25cN/25mm、30cN/25mm、35cN/25mm、40cN/25mm、45cN/25mm、50cN/25mm、55cN/25mm或60cN/25mm。
上述之高介电聚合复合物膜层之厚度为5至250微米，例如5微米、10微米、15微米、20微米、25微米、30微米、35微米、40微米、45微米、50微米、55微米、60微米、65微米、70微米、75微米、80微米、85微米、90微米、95微米、100微米、105微米、110微米、115微米、120微米、125微米、130微米、135微米、140微米、145微米、150微米、160微米、165微米、170微米、175微米、180微米、185微米、190微米、195微米或200微米。
上述之高介电聚合复合物膜层可提供介电常数为4～30，例如4、10、15、20、25或30。
上述之高分子介电电容膜系用于封装电子组件之用途，该电子组件包含指纹辨识芯片或半导体芯片，但不限于此等。
本发明之之高分子介电电容膜之制备方法，其包含：(a)提供一离形片及一切割胶带，该切割胶带包含一感压黏着层及一基膜层；(b)混合热固性树脂、紫外光硬化树脂及硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，获得一高介电聚合复合物浆液；(c)将该高介电聚合复合物浆液涂覆于该离形片之可剥离面上，形成一湿膜，并烘烤形成一高介电聚合复合物膜层；(d)将该高介电聚合复合物膜层置于该切割胶带之感压黏着层之上，并加热加压贴合，获得该高分子介电电容膜。如图2所示，高介电聚合复合物浆液1.1涂覆于离形片3形成一高介电聚合复合物膜层后，将其黏附于一切割胶带之感压黏着层5之上，经加热加压贴合，即完成高分子介电电容膜。
上述之步骤(d)中，该高介电聚合复合物膜层可先经预切割后置于该切割胶带之感压黏着层之上。
上述之高介电聚合复合物膜层与切割胶带之感压黏着层的黏着力为10～60cN/25mm，例如10cN/25mm、15cN/25mm、20cN/25mm、25cN/25mm、30cN/25mm、35cN/25mm、40cN/25mm、45cN/25mm、50cN/25mm、55cN/25mm或60cN/25mm。
上述之离形片可为卷状、片装或胶状之结构，材质可由下列材料制成之薄膜组成，例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚乙烯基氯、乙烯基氯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酸酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯、离子交联聚合物树脂、乙烯/(甲烯)丙烯酸共聚物、乙烯/(甲烯)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、醋酸纤维素、三醋酸纤维素、聚酰亚胺及含氟树脂。其中，以聚甲基戊烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、三醋酸纤维素及聚酰亚胺薄膜为较佳，原因在于其具较佳耐热性。此外，该第一离形片具有表面张力40毫牛顿/米或以下，较好为37毫牛顿/米或以下，更佳为35毫牛顿/米或以下，其低表面张力可经由选择适当材质的片材而达成。离形片1之厚度通常为5至300微米，较好为10至200微米，更佳为20至150微米。
上述之步骤(c)中，该涂覆之方法包含旋转涂覆、狭缝涂覆、流延涂覆、辊式涂覆、棒式涂覆、喷墨等涂覆方法来涂覆，并以旋转涂覆为佳，可使用的涂覆机包含辊刀涂覆机、凹版涂覆机、压模涂覆机及反向涂覆机等；其中，该烘烤条件为70～120℃，5～12分钟，例如70℃、75℃、80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、110℃及120℃；5分、6分、7分、8分、9分、10分、11分或12分钟；较佳为90℃，10分钟。低于该温度及时间，可能造成湿膜无法烘干为干膜，而高于该温度及时间则可能会形成该高介电聚合复合物膜层后，过热造成该高介电聚合复合物膜层卷曲或破裂。
上述之步骤(d)中，该加热加压贴合可使用卷对卷(Roll to Roll,R2R)的方法；其中，该加热温度为30～70℃，例如30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、60℃、65℃及70℃；其中，该加压压力为0.1～0.8MPa，例如0.1MPa、0.2MPa、0.3MPa、0.4MPa、0.5MPa、0.6MPa、0.7MPa及0.8MPa。
上述之切割胶带可使用通用之切割胶带，例如SD3004(日立化成)或SPV-224P(日东电工)，但不限于此等。
本发明之半导体芯片封装之方法，该方法包含剥离上述之任一项之高分子介电电容膜之离形片后，将该高介电聚合复合物膜层黏着于一表面具有电路之半导体切割基板任意面；其中，该高介电聚合复合物膜层黏着后，会使用热压机以积层该高分子介电电容膜完整黏附于该具有电路之半导体切割基板，该热压机之温度为80℃～140℃。如图3所示，将高分子介电电容膜之离形片3剥离，并把该高介电聚合复合物膜层1黏着于表面具有电路11之半导体切割基板9，经热压后完成封装。本发明之半导体芯片之封装方法与其他通用的封装方法相比，制程较为简便及快速；图4为其他通用之封装方法，其系先将一封装用胶带之离形片3’剥离后，将电容膜1’黏附于表面具有电路11之半导体切割基板9，再将切割胶带(包含压感黏着层5及基膜层7)黏附于该电容膜1’后才成封装。即，本发明之半导体芯片之封装方法较为简便，当本发明之高分子介电电容膜黏附于表面具有电路之半导体切割基板之时，便可立即进行切割，无须再多出一道程序黏附切割胶带。
本发明之指纹辨识芯片封装之方法，该方法包含：(a)提供一基板，该基板具有一对表面以及多个接垫，该对表面分别位于该基板的两侧，而该些接垫裸露于其中一该表面；(b)设置一指纹辨识芯片于该基板上；将至少一导线利用反向打线的方式电性连接其中至少一该接垫以及该指纹辨识芯片；(c)完成打线之后，剥离上述之任一项之高介电电容膜之离形片，将该高介电聚合复合物膜层积层于该基板上，该高介电聚合复合物膜层覆盖该指纹辨识芯片以及该导线；其中，该高介电聚合复合物膜层黏着后，会使用热压机以积层该高介电聚合复合物切割胶带完整黏贴于该指纹辨识芯片、该导线及该基板，该热压机之温度为60℃～140℃。如图5所示，基板14之表面附有多个接垫13，分别位于该基板14之两侧，设置一指纹辨识芯片17于该基板14后，将导线15连接该指纹辨识芯片17及接垫13后，将本发明之高介电电容膜之离形片剥离，黏附于该基板14，覆盖该指纹辨识芯片17、导线15及接垫13，经热压后完成封装。
上述之封装方法中，该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为850～1300cN/25mm，例如850cN/25mm、900cN/25mm、1000cN/25mm、1200cN/25mm或1300cN/25mm；且当该高介电聚合复合物膜层与切割胶带之感压黏着层间黏着力为a，该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为b时，b/a为0.5～50，a<b。
本发明之高分子介电电容膜提供快速简便之封装方法，可在封装完成后立即可进行切割，无须额外程序黏附切割胶带，且其之高介电聚合复合物膜层具有高介电并与电子组件紧密黏合，相较于通用之电容膜及封装方法具有较佳之优势。
[具体实施例]
在下文中，将利用具体实施例特别描写本发明所揭示之内容。然而，本发明所揭示之内容不限制于下列范例。
制备例1-硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末
将2000g钛酸钡置于5％双氧水溶液中，于30℃搅拌5分，真空干燥后得到钛酸钡后；将该钛酸钡及3g N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷置入四氢呋喃，于60℃搅拌60分，真空干燥以获得硅氧烷化合物改质之钛酸钡。
实施例1-本发明之高介电聚合复合物膜之组成物及使用其之高分子介电电容膜
将600g CTBN改质环氧树脂、52g双酚A二甲基丙烯酸酯、600g酚醛硬化剂、2800g制备例1之硅氧烷化合物改质之钛酸钡及0.5g 1-羟基环己基苯基甲酮混合成高介电聚合复合物浆液。
将该高介电聚合复合物浆液旋转涂布至聚对苯二甲酸乙二醇酯之离形片，形成厚度为60μm的湿膜，以连续式烘箱烘烤90℃、10分钟，且可同时使用紫外光照射辅助至少30秒(波长355nm)，形成高介电聚合复合物膜层后。将该具有离型片之高介电聚合复合物膜层置于一切割胶带(SD3004，日立化成)之压感黏着层之上，并经40℃加温0.2MPa下加压贴合，获得复合型高分子介电电容膜。
使用拉力机(EZ-TEST,SHIMADZU)测试该高介电聚合复合物膜层及该压感黏着层之间的黏着力为26cN/25mm。
比较例1-高介电聚合复合物膜之组成物及使用其之高分子介电电容膜
同实施例1之步骤制备高介电聚合复合物膜之组成物，及使用其以制备高分子介电电容膜，差异在于并未使用制备例1之硅氧烷化合物改质之钛酸钡，而单纯仅系使用2000g钛酸钡。
使用拉力机测试该高介电聚合复合物膜层及该压感黏着层之间的黏着力为28cN/25mm。
实施例2-本发明之高介电聚合复合物切割胶带封装半导体切割基板
剥离实施例1所制得之高分子介电电容膜之离形片，将其高分子介电聚合复合层黏着于半导体切割基板，使用热压机以60℃贴合。使用拉力机测试该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板的黏着力为1250cN/25mm；其高介电聚合复合物膜层之介电常数及介电损耗之测试值如表1所示。
比较例2-比较例1之高介电聚合复合物切割胶带贴合半导体芯片
剥离比较例1所制得之高分子介电电容膜剥离之离形片，将其高介电聚合复合层黏着于半导体切割基板，并使用热压机以60℃贴合。使用拉力机测试该高介电聚合复合物膜层与半导体芯片的黏着力为820cN/25mm；其高介电聚合复合物膜层之介电常数及介电损耗之测试值如表1所示。
表1

Claims (10)

1.一种用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其特征在于：包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末。
2.根据权利要求1所述用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其特征在于：该高介电材料粉末系选自由氧化铝、钛酸钡、氧化锆或二氧化钛所组成之群组。
3.根据权利要求2所述用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其特征在于：该硅氧烷化合物为N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷。
4.一种高分子介电电容膜，其特征在于：依序包括一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层；其中该高介电聚合复合物膜系形成于该离形片之可剥离面上，且包含如权利要求1至3任一项之组成物。
5.根据权利要求4所述的高分子介电电容膜，其特征在于：该高介电聚合复合物膜层与该感压黏着层间的黏着力为10～60cN/25mm。
6.根据权利要求4或5所述的高分子介电电容膜，其特征在于：其系用于指纹辨识芯片或半导体封装之用途。
7.一种根据权利要求4至6任一项所述的高分子介电电容膜之制备方法，其特征在于：包含：
(a)提供一离形片及一切割胶带，该切割胶带包含一感压黏着层及一基膜层；
(b)混合热固性树脂、紫外光硬化树脂及硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，获得一高介电聚合复合物浆液；
(c)将该高介电聚合复合物浆液涂覆于该离形片之可剥离面上，形成一湿膜，并烘烤形成一高介电聚合复合物膜层；
(d)将该高介电聚合复合物膜层置于该切割胶带之感压黏着层之上，并加热加压贴合，获得该高介电聚合复合物切割胶带。
8.一种半导体芯片之封装方法，其特征在于：该方法包含剥离权利要求4至6任一项之高分子介电电容膜之离形片后，将该高介电聚合复合物膜层黏着于一表面具有电路之半导体切割基板任意面。
9.一种指纹辨识芯片之封装方法，其特征在于：该方法包含：
(a)提供一基板，该基板具有一对表面以及多个接垫，该对表面分别位于该基板的两侧，而该些接垫裸露于其中一该表面；
(b)设置一指纹辨识芯片于该基板上；将至少一导线利用反向打线的方式电性连接其中至少一该接垫以及该指纹辨识芯片；
(c)完成打线之后，剥离权利要求4至6任一项之高分子介电电容膜之离形片，将该高介电聚合复合物膜层积层于该基板上，该高介电聚合复合物膜层覆盖该指纹辨识芯片以及该导线。
10.根据权利要求8或9所述的封装方法，其特征在于：该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为850～1300cN/25mm；且当该高介电聚合复合物膜层与切割胶带之感压黏着层间黏着力为a，该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为b时，b/a为0.5～50，a<b。
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