CN106739630A - 防伪材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种防伪材料及其制备方法，该防伪材料的制备方法包括以下步骤：(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末并进行高温加压处理，得到液相的混合物一；(2)制备混合物二：混合Si粉末和H2并进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；(3)导入培养基：混合混合物一和混合物二，并进行超声波处理，将经过处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于培养基生成至少一层二维纳米片；(5)剥离：对二维纳米片进行剥离处理，将至少一层二维纳米片与培养基剥离，获得所述防伪材料，得到防伪材料不易被仿冒。

Description

防伪材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及防伪材料领域，尤其涉及一种防伪材料及其制备方法。
背景技术
目前市场上的防伪材料多以微观颗粒的物理随机排列作为识别被标识物的真伪，通过光刻或者蚀刻的方式得到这些微观颗粒活着符号。生产工艺复杂，对原材料的要求极高，生产效率低下，并且现有的微观颗粒防伪技术无法直观存储被标识物信息，如生产品类、生产厂家、生产批次等，现有技术只能通过防伪颗粒同其他电子技术进行绑定后完成信息的存储和溯源，同时，物理识别的方式仍然有一定的被仿冒的风险。
发明内容
本发明的主要目的在于解决防伪材料制备工艺复杂、容易被仿冒的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供的一种防伪材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，得到液相的混合物一；
(2)制备混合物二：混合Si粉末和H2，对Si粉末和H2进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；
(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；
(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；
(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。
优选的，所述固定形态的培养基设有牺牲层，在步骤(3)中，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域；在步骤(4)中，于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片；在步骤(5)中，对所述二维纳米片进行剥离处理，将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离，获得所述防伪材料，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。
优选的，所述混合物二与所述混合物一的质量比大于3倍。
优选的，所述步骤(1)中，B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为4～13:4～13:0～5:7～17:5～15。
优选的，所述步骤(1)中，对B、N、Mo、C和S粉末在离心混合筛中进行混合，混合的时间为10～18个小时，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，所述高温加压处理是在热压炉进行，所述高温加压处理的条件为：在保护气体作用下，真空度为2.5～7个大气压，温度为1000～1800度，压力为30～40Mpa。
优选的，所述步骤(2)中，H2和Si粉末的摩尔比为1～5:0.5～3。
优选的，所述步骤(2)中，高温加压处理的条件为：压力为26～29Mpa，温度为1500～1700度，反应时间为30～45小时。
优选的，所述步骤(5)中，所述剥离处理为：对所述二维纳米片依次进行强溶剂处理和弱溶剂处理，所述强溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于强碱性溶液中3～5分钟；所述弱溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于酒精和去离子水的混合溶液中3～5分钟。
本发明还提供一种防伪材料，所述防伪材料包括至少一层二维纳米片，所述二维纳米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防伪材料的厚度为0.1mm～3mm。
优选的，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。
本发明通过在固定形态的培养基上导入混合物一和混合物二，对导入到所述固定形态的培养基的混合物一和所述混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片，将至少一层二维纳米片进行剥离处理后，形成于固定形态的培养基上的至少一层二维纳米片被剥离，剥离的至少一层二维纳米片具有与所述固定形态的培养基相匹配的形状，如文字、图形或颜色等。由于二维纳米片本身具有的光电特性，携带有被标记物的光谱信息，该防伪材料的制备工艺简单，工序形成后无法仿造，可识别性更强，不易被仿冒。
附图说明
图1为本发明一实施例防伪材料的制备流程示意图；
图2为本发明一实施例防伪材料的剥离原理示意图；
图3为本发明一实施例防伪材料的制备原理示意图；
图4为本发明一实施例防伪材料成型的示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种防伪材料的制备方法。
参照图1至图4，图1为本发明一实施例防伪材料的制备流程示意图；
图2为本发明一实施例防伪材料的剥离原理示意图；图中A为混合物一的制备过程中状态变化示意图，B为混合物二的制备过程中状态变化示意图，C为剥离过程中混合物一和混合物二的状态变化示意图。图3为本发明一实施例防伪材料的制备原理示意图；图中防伪材料通过磁力电子泵后形成的防伪材料示意图。图4为本发明一实施例防伪材料成型的示意图，其中正字的防伪图文信息为正字和圆圈，还可以导入颜色信息，光谱信息对应被标志物的生产信息和/或产品信息。
所谓“表面牺牲层”技术，即在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中，先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件，再用化学刻蚀剂将此层薄膜腐蚀掉，但不损伤微结构件，然后得到上层薄膜结构(空腔或微结构件)。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用，故称其为牺牲层(厚度约1～2μm)。常用的结构材料有多晶硅、单晶硅、氮化硅、氧化硅和金属等，常用牺牲层材料主要有氧化硅、多晶硅、光刻胶。
所述防伪材料的制备方法，包括以下步骤：
S101：(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，得到液相的混合物一；
S102：(2)制备混合物二：混合Si粉末和H2，对Si粉末和H2进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；
S103：(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；
S104：(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；
S105：(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。
通过步骤一得到的混合物一包括液相的B、N、Mo、C和S，混合物一作为二维纳米片的基体材料，通过步骤二得到的混合物二包括液相的Si和气相的H2，作为混合物一的外延生长载体，该载体主要通过Si和H之间的电荷以及电位作用，作为液相B、N、Mo、C和S混合物的载流子疏导底料，混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，混合物一和混合物二之间经过反复3～10次的堆积，即B、N、Mo、C和S原子与H原子通过范德华力结合，或B、N、Mo、C和S原子与Si原子通过范德华力结合，或是B、N、Mo、C和S原子与H-Si原子通过范德华力结合，将经过超声波处理后的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，以此改变混合物一和混合物二的排布形状，并经过高频磁力电极反应处理，生成二维纳米片，对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二的进行高频磁力电极反应处理，生成至少一层二维纳米片，对所述二维纳米片进行剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。该防伪材料可根据不同形状的培养基而形成形成特定的信息排列如文字、图案和颜色等。同时，生成的防伪材料包括至少一层二维纳米片，用户通过光学放大镜或光谱检测仪可检测二维纳米片的光谱信息，由于二维纳米片的光谱信息存储对应的生产信息及产品信息。生成的二维纳米片的重现性低，具有唯一性，该防伪材料可识别性更强，不易被仿冒。
优选的，所述固定形态的培养基设有牺牲层，在步骤(3)中，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域；在步骤(4)中，于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片；在步骤(5)中，对所述二维纳米片进行剥离处理，将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离，获得所述防伪材料，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。所述固定形态的培养基设有牺牲层，对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二的进行高频磁力电极反应处理，生成二维纳米片，所述二维纳米片位于所述牺牲层及所述培养基未设有所述牺牲层的区域；对所述二维纳米片进行剥离处理，位于所述培养基未设有牺牲层的区域的二维纳米片和所述培养基未设有二维纳米片的区域的牺牲层被去除，位于所述牺牲层的二维纳米片和与所述二维纳米片结合的牺牲层共同形成所述防伪材料。该防伪材料可根据不同形状的培养基而形成形成特定的信息排列如文字、图案和颜色等。同时，生成的防伪材料包含位于所述牺牲层的二维纳米片和与所述二维纳米片结合的牺牲层，该牺牲层将二维纳米片与被标志物通过聚酯连接，用户通过光学放大镜或光谱检测仪可检测二维纳米片的光谱信息，由于二维纳米片的光谱信息存储对应的生产信息及产品信息。生成的二维纳米片的重现性低，具有唯一性，该防伪材料可识别性更强，不易被仿冒。
优选的，所述混合物二与所述混合物一的质量比大于3倍。
优选的，所述步骤(1)中，B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为4～13:4～13:0～5:7～17:5～15。作为较佳实施效果，B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为9:9:5:12:10。
优选的，所述步骤(1)中，对B、N、Mo、C和S粉末的混合是在离心混合筛中进行，混合的时间为10～18个小时，通过混合处理，使得B、N、Mo、C和S粉末混合更均匀。所述步骤(1)中高温加压处理是在热压炉进行，所述热压炉内反应的条件为：在保护气体作用下，真空度为2.5～7个大气压，温度为1000～1800度，在压力为30～40Mpa的压力下保持恒温，通过该反应得到液相的混合物一。其中保护气体为惰性气体，例如氩气。
优选的，所述步骤(2)中，H2和Si粉末的摩尔比为1～5:0.5～3。作为较佳实施效果，H2和Si粉末的摩尔比为3:1。
优选的，所述步骤(2)中，高温加压处理的条件为：压力为26～29Mpa，温度为1500～1700度，反应时间为30～45小时。通过该处理得到气液混合状的混合物二。
优选的，所述步骤(5)中，所述剥离处理为：对所述二维纳米片依次进行强溶剂处理和弱溶剂处理，所述强溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于强碱性溶液中3～5分钟；所述弱溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于酒精和去离子水的混合溶液中3～5分钟。其中弱溶剂主要为5％以下的酒精与去离子水的混合物，强溶剂为碱性溶液。
本发明还提供一种防伪材料，所述防伪材料包括至少一层二维纳米片，所述二维纳米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防伪材料的厚度为0.1mm～3mm。
本发明还提供一种防伪材料，所述防伪材料包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防伪材料的厚度为0.1mm～3mm。通过该防伪材料的制备方法制备的防伪材料一小时可以做几千万甚至几亿的产量。
在一实施例中，该一种防伪材料的制备方法，包括以下步骤：
S101：(1)制备混合物一：取B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为4:4:0.5:7:5，对B、N、Mo、C和S粉末在离心混合筛中进行混合，混合的时间为10个小时，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，所述高温加压处理是在热压炉进行，所述高温加压处理的条件为：在保护气体作用下，真空度为2.5个大气压，温度为1000度，压力为30Mpa，得到液相的混合物一；
S102：(2)制备混合物二：取H2和Si粉末的摩尔比为1:0.5，混合Si粉末和H2，对混合后的Si粉末和H2进行高温加压处理，高温加压处理的条件为：压力为26Mpa，温度为1500度，反应时间为30小时。得到气液混合状的混合物二；
S103：(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；
S104：(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；
S105：(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，所述剥离处理为：对所述二维纳米片依次进行强溶剂处理和弱溶剂处理，所述强溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于强碱性溶液中3分钟；所述弱溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于酒精和去离子水的混合溶液中3分钟，通过剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。具体的，弱溶剂主要为5％以下的酒精与去离子水的混合物，强溶剂为碱性溶液。
优选的，所述固定形态的培养基设有牺牲层，在步骤(3)中，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域；在步骤(4)中，于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片；在步骤(5)中，对所述二维纳米片进行剥离处理，将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离，获得所述防伪材料，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。
其中，混合物二与所述混合物一的质量比大于3倍。
本发明还得到的防伪材料包括至少一层二维纳米片，所述二维纳米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防伪材料的厚度为0.1mm。
在另一实施例中，该一种防伪材料的制备方法，包括以下步骤：
S101：(1)制备混合物一：取B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为13:13:5:17:15，对B、N、Mo、C和S粉末在离心混合筛中进行混合，混合的时间为18个小时，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，所述高温加压处理是在热压炉进行，所述高温加压处理的条件为：在保护气体作用下，真空度为7个大气压，温度为1800度，压力为40Mpa，得到液相的混合物一；
S102：(2)制备混合物二：取H2和Si粉末的摩尔比为5:3，混合Si粉末和H2，对混合后的Si粉末和H2进行高温加压处理，高温加压处理的条件为：压力为29Mpa，温度为1700度，反应时间为45小时。得到气液混合状的混合物二；
S103：(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；
S104：(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；
S105：(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，所述剥离处理为：对所述二维纳米片依次进行强溶剂处理和弱溶剂处理，所述强溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于强碱性溶液中5分钟；所述弱溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于酒精和去离子水的混合溶液中5分钟，通过剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。具体的，弱溶剂主要为5％以下的酒精与去离子水的混合物，强溶剂为碱性溶液。
优选的，所述固定形态的培养基设有牺牲层，在步骤(3)中，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域；在步骤(4)中，于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片；在步骤(5)中，对所述二维纳米片进行剥离处理，将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离，获得所述防伪材料，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。
其中，混合物二与所述混合物一的质量比大于3倍。
本发明还得到的防伪材料包括至少一层二维纳米片，所述二维纳米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防伪材料的厚度为3mm。
在另一实施例中，该一种防伪材料的制备方法，包括以下步骤：
S101：(1)制备混合物一：取B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为9:9:5:12:10，对B、N、Mo、C和S粉末在离心混合筛中进行混合，混合的时间为15个小时，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，所述高温加压处理是在热压炉进行，所述高温加压处理的条件为：在保护气体作用下，真空度为4.5个大气压，温度为1300度，压力为34Mpa，得到液相的混合物一；
S102：(2)制备混合物二：取H2和Si粉末的摩尔比为3:1，混合Si粉末和H2，对混合后的Si粉末和H2进行高温加压处理，高温加压处理的条件为：压力为27Mpa，温度为1650度，反应时间为36小时。得到气液混合状的混合物二；
S103：(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；
S104：(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；
S105：(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，所述剥离处理为：对所述二维纳米片依次进行强溶剂处理和弱溶剂处理，所述强溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于强碱性溶液中4分钟；所述弱溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于酒精和去离子水的混合溶液中4分钟，通过剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。具体的，弱溶剂主要为5％以下的酒精与去离子水的混合物，强溶剂为碱性溶液。
优选的，所述固定形态的培养基设有牺牲层，在步骤(3)中，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域；在步骤(4)中，于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片；在步骤(5)中，对所述二维纳米片进行剥离处理，将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离，获得所述防伪材料，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。
其中，混合物二与所述混合物一的质量比大于3倍。
本发明还得到的防伪材料包括至少一层二维纳米片，所述二维纳米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防伪材料的厚度为2.2mm。
采用此工艺得到的防伪材料可写入特定的信息，混合物一和混合物二之间以化学键结合，经过反复3～10次的堆积，即B、N、Mo、C和S原子与H原子通过范德华力结合，或B、N、Mo、C和S原子与Si原子通过范德华力结合，或是B、N、Mo、C和S原子与H-Si原子通过范德华力结合，并通过固定形态的培养基来改变混合物一和混合物二的行程形成特定的图文信息排列如文字、图案和颜色等，再将二维纳米片通过弱溶剂以及强溶剂处理，得到防伪材料，防伪材料附着在标识物上可以是有0.1mm～3mm厚度，其中防伪材料通过聚酯等附着物(如胶水)应用于被标识物，当用户需要查询时该被标识物的图文信息真伪时，可通过50～200倍光学放大镜进行观测其排列，有无混合物一和混合物二的行程形成特定的图文信息排列，用以辨别被标识物真伪。
同时，防伪材料的光谱信息为二维纳米片本身具有的光谱信息，该光谱信息可通过特制的终端装置及app应用，对已经预先通过二维纳米片的光感特性存在二维纳米片中的被标识物信息进行检索识别其产品的真伪。当用户需要查询检索时可以直接由移动端检索并调用相关产品信息，存储在防伪材料内的分子结构排列为不可逆的唯一信息，通过数据库的对应关系可以记录产品的自然信息比如生产时间，特征等。用户查询的时候可以采用手机app，移动终端，PC访问数据库对应信息，还可以通过光谱仪最终判断是否为最初设置的信息。如265nm记录生产在湖北省茶叶等，在需要的时候通过仪器提取。
所述固定形态的培养基具有特点形状，如文字，图案，色彩等。对导入了所述混合物一和所述混合物二的固定形态的培养基进行高频磁力电极反应处理，生成二维纳米片后，二维纳米片具有与所述固定形态的培养基相匹配的形状，也就是说，二维纳米片具有与固定形态的培养基的形状相匹配的文字、图案及色彩等。导入到固定形态的培养基，此二维纳米片可外延生长成为有序或无序的10nm～1000um的具有可识别信息片段，由于材料本身的光感性及储能特性，产生的有序信息标识及无序信息标识不但可以直接通过光学镜头识别无需随机排列信息，同时，亦可以在特定检验装置下得到二维纳米片外延生长后留下的层级晕斑及异构纤维组织。
同时，在高频磁力电极反应处理过程中，所述混合物一和所述混合物二可进行特定的排布，通过计算机等外部仪器对特定的排布进行加密形成生产信息及产品信息，使得所述防伪材料不仅具有特定的形状，还具有特定的排布方式，即，防伪材料具有特定形状和加密方式，从而用于存储信息，生成的防伪材料的重现性低，具有唯一性。
本发明不在拘泥于颗粒及微小记号或图案的防伪技术，而是利用新材料的光电特性携带被标记物的信息，通过不可逆的纳米级外延增长展现出有序或者无序的标的信息，可以应用于防伪。可识别性更强，工序形成后无法仿造，培养基才数据库存档对照。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种防伪材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，得到液相的混合物一；
(2)制备混合物二：混合Si粉末和H2，对Si粉末和H2进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；
(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；
(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；
(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。
2.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法，其特征在于，所述固定形态的培养基设有牺牲层，在步骤(3)中，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域；在步骤(4)中，于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片；在步骤(5)中，对所述二维纳米片进行剥离处理，将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离，获得所述防伪材料，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。
3.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法，其特征在于，所述混合物二与所述混合物一的质量比大于3倍。
4.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为4～13:4～13:0～5:7～17:5～15。
5.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法，所述步骤(1)中，对B、N、Mo、C和S粉末在离心混合筛中进行混合，混合的时间为10～18个小时，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，所述高温加压处理是在热压炉进行，所述高温加压处理的条件为：在保护气体作用下，真空度为2.5～7个大气压，温度为1000～1800度，压力为30～40Mpa。
6.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法，所述步骤(2)中，H2和Si粉末的摩尔比为1～5:0.5～3。
7.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法，所述步骤(2)中，高温加压处理的条件为：压力为26～29Mpa，温度为1500～1700度，反应时间为30～45小时。
8.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所述剥离处理为：对所述二维纳米片依次进行强溶剂处理和弱溶剂处理，所述强溶剂处理为：将所述二维纳米片浸泡于强碱性溶液中3～5分钟；所述弱溶剂处理为：将所述二维纳米片浸泡于酒精和去离子水的混合溶液中3～5分钟。
9.一种防伪材料，其特征在于，所述防伪材料包括至少一层二维纳米片，所述二维纳米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防伪材料的厚度为0.1mm～3mm。
10.如权利要求9所述的防伪材料，其特征在于，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。
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