CN106711296B - 一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，所述子层包括InxAl1‑xN层和层叠在所述InxAl1‑xN层上的InyAlzGa1‑y‑zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。本发明通过P型电子阻挡层中In组分可以改善P型电子阻挡层与InGaN量子阱层之间的晶格失配，有利于电子溢流，增加空穴的注入效率，提高绿光发光二极管的发光效率。

Description

一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。外延片是LED内部芯片的原材料。
GaN基外延片通常包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。其中，多量子阱层包括InGaN量子阱层和GaN量子垒层，P型电子阻挡层为AlGaN层。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
蓝光LED外延片的InGaN量子阱层中In组分含量约为20％，绿光LED外延片的InGaN量子阱层中In组分含量约为30％，较高的In组分含量导致多量子阱层(InGaN量子阱层)与P型电子阻挡层(AlGaN层)的晶格失配大，P型电子阻挡层不能有效抑制电子溢流，发光效率较低。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种绿光发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，所述子层包括InxAl1-xN层和层叠在所述InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。
在本发明一种可能的实现方式中，所述InxAl1-xN层中In组分含量和Al组分含量均保持不变，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量和Al组分含量均保持不变；所述InxAl1-xN层中In组分含量与所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量相同，所述InxAl1-xN层中Al组分含量与所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量相同。
在本发明另一种可能的实现方式中，所述InxAl1-xN层中In组分含量沿所述外延片的层叠方向变化，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量保持不变；或者，所述InxAl1-xN层中In组分含量保持不变，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿所述外延片的层叠方向变化；其中，所述沿所述外延片的层叠方向变化为按照如下任一种方式变化：沿所述外延片的层叠方向线性增大、沿所述外延片的层叠方向线性减小、单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向逐层增大、单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向逐层减小、单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小、单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向先逐层减小再逐层增大、沿所述外延片的层叠方向周期性变化。
在本发明又一种可能的实现方式中，所述InxAl1-xN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向变化，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量保持不变；或者，所述InxAl1-xN层中Al组分含量保持不变，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向变化；其中，所述沿所述外延片的层叠方向变化为按照如下任一种方式变化：沿所述外延片的层叠方向线性增大、沿所述外延片的层叠方向线性减小、单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向逐层增大、单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向逐层减小、单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小、单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向先逐层减小再逐层增大、沿所述外延片的层叠方向周期性变化。
在本发明又一种可能的实现方式中，所述InxAl1-xN层中In组分含量沿所述外延片的层叠方向线性减小，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿所述外延片的层叠方向线性增大；或者，所述InxAl1-xN层中In组分含量沿所述外延片的层叠方向线性增大，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿所述外延片的层叠方向线性减小；或者，所述InxAl1-xN层中In组分含量和所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量均单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向逐层增大；或者，所述InxAl1-xN层中In组分含量和所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量均单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向逐层减小；或者，所述InxAl1-xN层中In组分含量和所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量均沿所述外延片的层叠方向周期性变化。
在本发明又一种可能的实现方式中，所述InxAl1-xN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向线性减小，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向线性增大；或者，所述InxAl1-xN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向线性增大，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向线性减小；或者，所述InxAl1-xN层中Al组分含量和所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量均单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向逐层增大；或者，所述InxAl1-xN层中Al组分含量和所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量均单层保持不变且沿所述外延片的层叠方向逐层减小；或者，所述InxAl1-xN层中Al组分含量和所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量均沿所述外延片的层叠方向周期性变化。
在本发明又一种可能的实现方式中，所述InxAl1-xN层的厚度与所述InyAlzGa1-y-zN层的厚度相同或不同；所述InxAl1-xN层的厚度为1～20nm，所述InyAlzGa1-y-zN层的厚度为1～20nm；所述P型电子阻挡层的厚度小于100nm。
另一方面，本发明实施例提供了一种绿光发光二极管的外延片的生长方法，所述生长方法包括：
提供一蓝宝石衬底；
在所述蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层和P型接触层；
其中，所述P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，所述子层包括InxAl1-xN层和层叠在所述InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。
可选地，所述InxAl1-xN层的生长温度低于所述InyAlzGa1-y-zN层的生长温度。
可选地，所述InxAl1-xN层的生长压力与所述InyAlzGa1-y-zN层的生长压力相同或不同。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，子层包括InxAl1-xN层和层叠在InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，P型电子阻挡层中In组分可以改善P型电子阻挡层与InGaN量子阱层之间的晶格失配，有利于电子溢流，增加空穴的注入效率，提高绿光发光二极管的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种绿光发光二极管的外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例一提供的P型电子阻挡层的结构示意图；
图3a-图3g是本发明实施例一提供的沿外延片的层叠方向变化方式的示意图；
图4是本发明实施例二提供的一种绿光发光二极管的外延片的生长方法的流程示意图；
图5是本发明实施例三提供的一种绿光发光二极管的外延片的生长方法的流程示意图；
图6是本发明实施例三提供的P型电子阻挡层中Al组分含量和In组分含量的示意图；
图7是本发明实施例四提供的P型电子阻挡层中Al组分含量和In组分含量的示意图；
图8是本发明实施例五提供的P型电子阻挡层中Al组分含量和In组分含量的示意图；
图9是本发明实施例六提供的P型电子阻挡层中Al组分含量和In组分含量的示意图；
图10是本发明实施例七提供的P型电子阻挡层中Al组分含量和In组分含量的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种绿光发光二极管的外延片，参见图1，该外延片包括蓝宝石衬底1、以及依次层叠在蓝宝石衬底1上的缓冲层2、未掺杂的GaN层3、N型层4、多量子阱层5、P型电子阻挡层6、P型层7和P型接触层8。
在本实施例中，参见图2，P型电子阻挡层6包括若干依次层叠的子层，子层包括InxAl1-xN层61和层叠在InxAl1-xN层61上的InyAlzGa1-y-zN层62，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。
可选地，P型电子阻挡层的厚度可以小于100nm，以免对空穴注入多量子阱层造成阻碍。
可选地，InxAl1-xN层的厚度可以为1～20nm，InyAlzGa1-y-zN层的厚度可以为1～20nm，以免对外延片的晶格匹配造成不良影响。
可选地，InxAl1-xN层的厚度与InyAlzGa1-y-zN层的厚度可以相同，也可以不同。
在本实施例的一种实现方式中，InxAl1-xN层中In组分含量可以保持不变，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以保持不变。
可选地，InxAl1-xN层中In组分含量与InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以相同。
在本实施例的另一种实现方式中，InxAl1-xN层中In组分含量可以沿外延片的层叠方向变化，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以保持不变；或者，InxAl1-xN层中In组分含量可以保持不变，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以沿外延片的层叠方向变化。
可选地，沿外延片的层叠方向变化可以为按照如下任一种方式变化：沿外延片的层叠方向线性增大(如图3a所示)、沿外延片的层叠方向线性减小(如图3b所示)、单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层增大(如图3c所示)、单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层减小(如图3d所示)、单层保持不变且沿外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小(如图3e所示)、单层保持不变且沿外延片的层叠方向先逐层减小再逐层增大(如图3f所示)、沿外延片的层叠方向周期性变化(如图3g所示)。
在本实施例的又一种实现方式中，InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以均沿外延片的层叠方向变化。
可选地，均沿外延片的层叠方向变化可以采用以下组合方式中的任一种：
InxAl1-xN层中In组分含量沿外延片的层叠方向线性减小，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿外延片的层叠方向线性增大；
InxAl1-xN层中In组分含量沿外延片的层叠方向线性增大，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿外延片的层叠方向线性减小；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量均单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层增大；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量均单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层减小；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量均沿外延片的层叠方向周期性变化。
在本实施例的一种实现方式中，InxAl1-xN层中Al组分含量可以保持不变，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以保持不变。
可选地，InxAl1-xN层中Al组分含量与InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以相同。
在本实施例的另一种实现方式中，InxAl1-xN层中Al组分含量可以沿外延片的层叠方向变化，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以保持不变；或者，InxAl1-xN层中Al组分含量可以保持不变，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以沿外延片的层叠方向变化。
可选地，沿外延片的层叠方向变化可以为按照如下任一种方式变化：沿外延片的层叠方向线性增大(如图3a所示)、沿外延片的层叠方向线性减小(如图3b所示)、单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层增大(如图3c所示)、单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层减小(如图3d所示)、单层保持不变且沿外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小(如图3e所示)、单层保持不变且沿外延片的层叠方向先逐层减小再逐层增大(如图3f所示)、沿外延片的层叠方向周期性变化(如图3g所示)。
在本实施例的又一种实现方式中，InxAl1-xN层中Al组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以均沿外延片的层叠方向变化。
可选地，均沿外延片的层叠方向变化可以采用以下组合方式中的任一种：
InxAl1-xN层中Al组分含量沿外延片的层叠方向线性减小，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿外延片的层叠方向线性增大；
InxAl1-xN层中Al组分含量沿外延片的层叠方向线性增大，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿外延片的层叠方向线性减小；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量均单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层增大；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量均单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层减小；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量均沿外延片的层叠方向周期性变化。
具体地，缓冲层可以为GaN层，N型层可以为掺杂Si的GaN层，多量子阱层可以包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，P型层可以为掺杂Mg的GaN层，P型接触层可以为掺杂Mg的GaN层。
本发明实施例通过P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，子层包括InxAl1-xN层和层叠在InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，P型电子阻挡层中In组分可以改善P型电子阻挡层与InGaN量子阱层之间的晶格失配，有利于电子溢流，增加空穴的注入效率，提高绿光发光二极管的发光效率。
实施例二
本发明实施例提供了一种一种绿光发光二极管的外延片的生长方法，适用于生长实施例一提供的外延片，参见图4，该生长方法包括：
步骤201：提供一蓝宝石衬底。
步骤202：在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层和P型接触层。
在本实施例中，P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，子层包括InxAl1-xN层和层叠在InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。
具体地，缓冲层可以为GaN层，N型层可以为掺杂Si的GaN层，多量子阱层可以包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，P型层可以为掺杂Mg的GaN层，P型接触层可以为掺杂Mg的GaN层。
可选地，InxAl1-xN层的生长温度可以低于InyAlzGa1-y-zN层的生长温度。
可选地，InxAl1-xN层的生长压力与InyAlzGa1-y-zN层的生长压力可以相同，也可以不同。
可选地，P型电子阻挡层的厚度可以小于100nm，以免对空穴注入多量子阱层造成阻碍。
可选地，InxAl1-xN层的厚度可以为1～20nm，InyAlzGa1-y-zN层的厚度可以为1～20nm，以免对外延片的晶格匹配造成不良影响。
可选地，InxAl1-xN层的厚度与InyAlzGa1-y-zN层的厚度可以相同，也可以不同。
在本实施例的一种实现方式中，InxAl1-xN层中In组分含量可以保持不变，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以保持不变。
可选地，InxAl1-xN层中In组分含量与InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以相同。
在本实施例的另一种实现方式中，InxAl1-xN层中In组分含量可以沿外延片的层叠方向变化，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以保持不变；或者，InxAl1-xN层中In组分含量可以保持不变，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以沿外延片的层叠方向变化。
可选地，沿外延片的层叠方向变化可以为按照如下任一种方式变化：沿外延片的层叠方向线性增大、沿外延片的层叠方向线性减小、单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层增大、单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层减小、单层保持不变且沿外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小、单层保持不变且沿外延片的层叠方向先逐层减小再逐层增大、沿外延片的层叠方向周期性变化。
在本实施例的又一种实现方式中，InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量可以均沿外延片的层叠方向变化。
可选地，均沿外延片的层叠方向变化可以采用以下组合方式中的任一种：
InxAl1-xN层中In组分含量沿外延片的层叠方向线性减小，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿外延片的层叠方向线性增大；
InxAl1-xN层中In组分含量沿外延片的层叠方向线性增大，InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿外延片的层叠方向线性减小；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量均单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层增大；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量均单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层减小；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量均沿外延片的层叠方向周期性变化。
在本实施例的一种实现方式中，InxAl1-xN层中Al组分含量可以保持不变，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以保持不变。
可选地，InxAl1-xN层中Al组分含量与InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以相同。
在本实施例的另一种实现方式中，InxAl1-xN层中Al组分含量可以沿外延片的层叠方向变化，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以保持不变；或者，InxAl1-xN层中Al组分含量可以保持不变，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以沿外延片的层叠方向变化。
可选地，沿外延片的层叠方向变化可以为按照如下任一种方式变化：沿外延片的层叠方向线性增大、沿外延片的层叠方向线性减小、单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层增大、单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层减小、单层保持不变且沿外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小、单层保持不变且沿外延片的层叠方向先逐层减小再逐层增大、沿外延片的层叠方向周期性变化。
在本实施例的又一种实现方式中，InxAl1-xN层中Al组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量可以均沿外延片的层叠方向变化。
可选地，均沿外延片的层叠方向变化可以采用以下组合方式中的任一种：
InxAl1-xN层中Al组分含量沿外延片的层叠方向线性减小，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿外延片的层叠方向线性增大；
InxAl1-xN层中Al组分含量沿外延片的层叠方向线性增大，InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿外延片的层叠方向线性减小；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量均单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层增大；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量均单层保持不变且沿外延片的层叠方向逐层减小；
InxAl1-xN层中In组分含量和InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量均沿外延片的层叠方向周期性变化。
本发明实施例通过P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，子层包括InxAl1-xN层和层叠在InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，P型电子阻挡层中In组分可以改善P型电子阻挡层与InGaN量子阱层之间的晶格失配，有利于电子溢流，增加空穴的注入效率，提高绿光发光二极管的发光效率。
实施例三
本发明实施例提供了一种绿光发光二极管的外延片的生长方法，是实施例二提供的生长方法的具体实现，实现时以高纯氢(H2)或氮气(N2)作为载气，以三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)和氨气(NH3)分别作为Ga、Al、In和N源，用硅烷(SiH4)、二茂镁(Cp2Mg)分别作为N、P型掺杂剂。
具体地，参见图5，该生长方法包括：
步骤301：将衬底先升温到500℃，再升温到800℃并稳定30s，再升温到1000℃并稳定30s，再升温到1230℃并稳定10min，在纯氢气气氛下进行热处理。
需要说明的是，热处理的目的是清洁衬底表面。
步骤302：降低温度至630℃，沉积一层厚度为30nm的GaN层，形成缓冲层。
步骤303：先升温到800℃并稳定30s，再升温到1000℃并稳定30s，再升温到1255℃并稳定300s，生长2.5μm的未掺杂的GaN层。
步骤304：在1285℃的温度下，生长厚度为2μm的掺杂Si的GaN层，形成N型层。
步骤305：交替生长9层InGaN量子阱层和9层GaN量子垒层，形成多量子阱层。
在本实施例中，InGaN量子阱层的厚度为3nm，InGaN量子阱层的生长温度为862℃；GaN量子垒层的厚度为12nm，GaN量子垒层的生长温度为970℃。
步骤306：在多量子阱层上生长P型电子阻挡层。
在本实施例中，P型电子阻挡层包括7层依次层叠的子层，子层包括InxAl1-xN层和层叠在InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。参见图6(依次为InxAl1-xN层中In组分含量、InxAl1-xN层中Al组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中Al组分的循环)，InxAl1-xN层的生长温度为965℃，生长压力为200mbar，厚度为3nm，In组分含量为40％，Al组分含量为60％；InyAlzGa1-y-zN层的生长温度为975℃，生长压力为200mbar，厚度为5nm，In组分含量为10％，Al组分含量为25％。
步骤307：在1075℃的温度下，生长厚度为200nm的掺杂Mg的GaN层，形成P型层。
步骤308：在1090℃的温度下，生长厚度为10nm的掺杂Mg的GaN层，形成P型接触层。
本发明实施例通过P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，子层包括InxAl1-xN层和层叠在InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，P型电子阻挡层中In组分可以改善P型电子阻挡层与InGaN量子阱层之间的晶格失配，有利于电子溢流，增加空穴的注入效率，提高绿光发光二极管的发光效率。
实施例四
本发明实施例提供了一种绿光发光二极管的外延片的生长方法，本实施例提供的生长方法与实施例三提供的生长方法基本相同，不同之处主要在于，参见图7(依次为InxAl1-xN层中In组分含量、InxAl1-xN层中Al组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量的循环)，InxAl1-xN层中In组分含量为20％，Al组分含量为80％；InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量为20％，Al组分含量沿外延片的层叠方向依次为10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％。
实施例五
本发明实施例提供了一种绿光发光二极管的外延片的生长方法，本实施例提供的生长方法与实施例三提供的生长方法基本相同，不同之处主要在于，参见图8(依次为InxAl1-xN层中In组分含量、InxAl1-xN层中Al组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量的循环)，InxAl1-xN层中In组分含量沿外延片的层叠方向从20％线性增大至100％，Al组分含量沿外延片的层叠方向从80％线性减小至0；InyAlzGa1-y- zN层中In组分含量为20％，Al组分含量为30％。
实施例六
本发明实施例提供了一种绿光发光二极管的外延片的生长方法，本实施例提供的生长方法与实施例三提供的生长方法基本相同，不同之处主要在于，参见图9(依次为InxAl1-xN层中In组分含量、InxAl1-xN层中Al组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量的循环)，InxAl1-xN层中In组分含量为30％，Al组分含量为70％；InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量为5％，Al组分含量沿外延片的层叠方向依次为40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％。
实施例七
本发明实施例提供了一种绿光发光二极管的外延片的生长方法，本实施例提供的生长方法与实施例三提供的生长方法基本相同，不同之处主要在于，参见图10(依次循环为InxAl1-xN层中In组分含量、InxAl1-xN层中Al组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量、InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量)，InxAl1-xN层中In组分含量为30％，Al组分含量为70％；InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿外延片的层叠方向依次为20％、30％、40％、50％、40％、30％、20％，Al组分含量沿外延片的层叠方向依次为40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％。
实施例三至实施例七生长的外延片的检测结果如下表一所示：
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种绿光发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层和P型接触层，其特征在于，所述P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，所述子层包括InxAl1-xN层和层叠在所述InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1；
所述InxAl1-xN层中In组分含量为30％，所述InxAl1-xN层中Al组分含量为70％，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量为5％，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向依次为40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％；
或者，所述InxAl1-xN层中In组分含量为30％，所述InxAl1-xN层中Al组分含量为70％，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿所述外延片的层叠方向依次为20％、30％、40％、50％、40％、30％、20％，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向依次为40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述InxAl1-xN层的厚度与所述InyAlzGa1-y-zN层的厚度相同或不同；所述InxAl1-xN层的厚度为1～20nm，所述InyAlzGa1-y-zN层的厚度为1～20nm；所述P型电子阻挡层的厚度小于100nm。
3.一种绿光发光二极管的外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一蓝宝石衬底；
在所述蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层和P型接触层；
其中，所述P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，所述子层包括InxAl1-xN层和层叠在所述InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1；
所述InxAl1-xN层中In组分含量为30％，所述InxAl1-xN层中Al组分含量为70％，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量为5％，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向依次为40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％；
或者，所述InxAl1-xN层中In组分含量为30％，所述InxAl1-xN层中Al组分含量为70％，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿所述外延片的层叠方向依次为20％、30％、40％、50％、40％、30％、20％，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向依次为40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％。
4.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，所述InxAl1-xN层的生长温度低于所述InyAlzGa1-y-zN层的生长温度。
5.根据权利要求3或4所述的生长方法，其特征在于，所述InxAl1-xN层的生长压力与所述InyAlzGa1-y-zN层的生长压力相同或不同。
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