CN106706641B - 一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种多晶硅薄膜的质量检测方法，包括：向表面形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并进行拍摄，以获得薄膜图像；根据薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；按照设定的尺寸将薄膜图像分割成多个图像单元；获取图像单元中多晶硅薄膜的显示参数，获取对比结果，并计算最佳能量密度；根据对比结果获取合格的图像单元的数量；根据合格的图像单元的数量和图像单元的总数量判断多晶硅薄膜是否合格，若不合格，则控制加工设备对多晶硅薄膜进行激光退火处理，若合格，则结束检测。本发明还提供了一种多晶硅薄膜的质量检测系统。本发明可以将检测出的不合格产品最佳能量密度再加工得到合格产品，并同时获得最佳能量密度，增加了产品的合格率。

Description

一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统

技术领域

本发明涉及显示器件检测领域，尤其涉及一种多晶硅薄膜的质量检测方法。

背景技术

专利CN201510408380.7公开了一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统，提供了一种通过拍摄图像来判断多晶硅薄膜质量的方案，其流程图如图1所示，其存在的问题时，仅公开了检测的方法和系统，未公开当检测到不合格产品时，如何选择最佳能量密度值来保证在进行再加工的退火处理时，将不合格品加工使其成为合格品。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的多晶硅薄膜质量检测方法中若不良品超过一定比例则产品直接报废而造成生产成本浪费的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提出了一种多晶硅薄膜的质量检测方法。

根据本发明的第一个方面，提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法，其包括如下步骤：

向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；

根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；

按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；

获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；

根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；

根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量以及所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格。

优选地，所述根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量以及所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤还包括：

若不合格，对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理；

若合格，则结束检测。

优选地，所述根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度的方法为：

预先建立薄膜图像亮度与最佳能量密度的对应关系，通过所述对应关系以及所述薄膜图像亮度确定最佳能量密度。

优选地，将所述显示参数与所述预设参数进行对比以获取对比结果的步骤包括：

若所述线条宽长度分布大于或等于阈值，并且所述亮度大于或等于所述亮度值，则对比结果为合格；否则为不合格。

优选地，所述显示参数至少包括亮度和线条宽长度分布，所述根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的所述对比结果获取合格的所述图像单元的数量的步骤包括：

根据所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果确定所述图像单元是否合格；

统计合格的所述图像的数量。

优选地，所述根据薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤包括：

将合格的所述图像单元的数量与预设数量进行比较，所述预设数量为根据所述图像单元的总数量设定的数量；

当合格的所述图像单元的数量小于预设数量时，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；

当合格的所述图像单元的数量大于或等于预设数量时，且所述薄膜图像的亮度为最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格。

优选地，所述根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤包括：

根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量计算图像单元的合格率；

将所述合格率与预设的合格率进行比较；

当所述合格率小于预设合格率，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；

当所述合格率大于或等于预设的合格率，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格。

若多晶硅薄膜的质量为不合格时，对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理。在一个具体的实施例中，所述不合格时，激光退火处理的方式包括：若合格率小于预设的合格率但大于预设值(如50％)时，仅对不合格处(不合格的图像单元在多晶硅薄膜上对应的区域)进行激光退火处理；若合格率为所述预设值(如50％)以下时，对所述多晶硅薄膜的全部进行激光退火处理。

优选地，所述对所述多晶硅薄膜进行拍摄的步骤包括：在与所述基板呈5度至45度角的方向上对所述多晶硅薄膜进行拍摄。

优选地，所述向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光的步骤包括：在与表面上形成有多晶硅薄膜的基本呈5度到45度角的方向上向所述基板照射光。

根据本发明的第二个方面，提供了一种多晶硅薄膜的质量检测系统，其包括：拍摄装置和处理器；所述拍摄装置包括：电荷耦合组件、光学镜头以及光源；

所述光源位于所述表面上形成有多晶硅薄膜的基板下方，用于向所述基板照射光；

所述光学镜头位于所述基板上方，用于收集视场内的光线，并将所述光线引入到所述电荷耦合组件，所述多晶硅薄膜包含在所述视场中；

所述电荷耦合组件，用于感应所述光线生成对应的图像，并将所述图像传输给所述处理器；

所述处理器，用于：

根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；

按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；

获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；

根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格，若不合格，控制所述加工设备对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理，若合格，则结束检测。

与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：

本发明优化了影像扫描条件，通过确定最佳能量密度来在再加工的激光退火过程中准确地将不合格产品加工为合格产品，大大提高合格的产品率，降低生产成本。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例共同用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1显示了现有技术中的多晶硅薄膜的质量检测方法的流程图；

图2显示了本发明实施例的多晶硅薄膜的质量检测方法的流程图；

图3显示了本发明实施例的多晶硅薄膜的质量检测系统的基板与光学镜头的拍摄角度关系的示意图；

图4显示了本发明实施例的多晶硅薄膜的最佳能量密度示意图；

图5显示了经过拍摄得到的不合格的多晶硅薄膜的图片；

图6显示了经过拍摄得到的合格的多晶硅薄膜的图片；

图7显示了本发明实施例的多晶硅薄膜的质量检测系统的原理图；

图8显示了本发明实施例的多晶硅薄膜的质量检测系统的示意图；

图9显示了本发明的多晶硅薄膜质量检测方法的一个具体实施例的流程图；

图10显示了本发明的多晶硅薄膜质量检测方法的另一个具体实施例的流程图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

本发明旨在解决现有技术中存在的多晶硅薄膜质量检测方法中若不良品超过一定比例则产品直接报废而造成生产成本浪费的技术问题。为解决上述技术问题，本发明提出了一种多晶硅薄膜的质量检测方法。

如图2所示，提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法，包括步骤100-步骤600。

在步骤S100中，向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像。

本实施例中多晶硅薄膜可以为经过准分子激光退火后的薄膜。

本实施例中光源向基板照射光可以使用拍摄设备，例如照相机，对多晶硅进行拍摄，本实施例中也可以采用集成有光源和拍摄设备的装置来执行步骤S100。

步骤S100对多晶硅薄膜进行拍摄具体可以为：在与基板呈5度与45度角的方向上对多晶硅进行拍摄，例如采用拍摄设备拍摄时，将拍摄设备调整至与基板成5度到45度角，即可实现在与基板呈5度到45度角的方向上对多晶硅薄膜进行拍摄，拍摄角度的示意图如图3所示。

本实施例的检测方法可以在同一个方向上照射光和拍摄图像，例如将光源正对基板，从与基板垂直的方向照射基板，而拍摄照片时可以在与基板呈45度角的方向拍摄；当然本实施例的检测方法也可以在不同的方向上分别照射光和拍摄图像，例如从与基板5度到45度角的方向上照射光和拍摄图像。从不同的方向上分别进行照射光和拍摄图像，可以方便检测设备的防止，方便质量检测，从相同的方向上进行照射光和拍摄图像可以拍摄到清晰的薄膜图像，提升检测的准确性。

在步骤S200中，根据薄膜图像的亮度确定最佳能量密度。其中，根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度的方法为：预先建立薄膜图像亮度与最佳能量密度的对应关系，通过所述对应关系以及所述薄膜图像亮度确定最佳能量密度。

最佳能量密度的示意图如图4所示，从图中可以看出，亮度与能量密度之间存在对应关系。检测过程可以通过目测观察或者仪器测量看出多晶硅薄膜中亮度最大的部分，该部分对应的能量为390mJ，通过查表得知这个亮度最大值对应的能量密度为0.4J/cm²，即为最佳能量密度。这个预先设定的对应关系可以借助CCD(即电耦合元件)以及激光退火机确定，CCD可以通过获取的图像确定能量密度，而能量密度可以便于退火设备设置调整激光能量。

在步骤S300中，按照设定的尺寸将薄膜图像分割成多个图像单元。

具体地，可以按照设定的尺寸将薄膜图像分割成多个尺寸相等的图像单元，例如将薄膜图像分割成多个5寸、6寸或者10寸的图像单元。其中设定的尺寸可以根据检测要求具体确定，图像单元的尺寸越小分割的图像单元数量越多，检测的准确性越高。

在步骤S400中，获取图像单元中多晶硅薄膜的显示参数，并将显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果。

本实施例中显示参数可以用来判断多晶硅薄膜质量是否合格。具体地，参数包括亮度灰阶和线条宽长度分布。其中不合格产品的照片如图5所示，合格产品的照片如图6所示，从图5和图6中可以看出，合格产品的亮度相对比于不合格产品一般较高，并且不合格产品具有明显的线条。

本实施例的检测方法，对于每个图像单元均执行：获取图像中多晶硅薄膜的显示参数，然后将显示参数与预设参数对比，以获取对比结果，然后根据各个对比结果来获取合格的图像单元数量。

在步骤S500中，根据图像单元中的多晶硅薄膜的显示参数与预设参数的对比结果获取合格的图像单元的数量。具体可以为：根据图像单元中多晶硅薄膜的显示参数与预设的对比结果确定图像单元是否合格；然后统计合格的图像的数量。

在步骤S600中，根据薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格，若不合格，则对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理；若合格，则结束检测。所述不合格时，激光退火处理的方式包括：若合格率小于预设的合格率但大于预设值(如50％)时，仅对不合格处(不合格的图像单元在多晶硅薄膜上对应的区域)进行激光退火处理；若合格率为所述预设值(如50％)以下时，对所述多晶硅薄膜的全部进行激光退火处理。

这样做的好处是，细化了再加工的逻辑，可以仅针对不合格处进行再加工，避免了现有技术中的全部再加工浪费加工资源的情况，本发明可以节省加工资源。并且可以对于不合格之处精确再加工，降低了报废率，提高了整体合格率。

在获取合格的图像单元的数量之后，本实施例可以采用如下方式确定多晶硅薄膜是否合格：

1)直接将合格的图像单元的数量与预设的数量进行对比，具体为：将合格的图像单元的数量与预设的数量比较，预设数量为根据图像单元的总数量设定的数量；当合格的图像单元数量小于预设数量，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定多晶硅薄膜数量为不合格；当合格的图像单元的数量大于或等于预设数量，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定多晶硅薄膜的质量为合格。

例如，当薄膜图像分割成50个图像单元，设定薄膜质量合格时合格的图像单元数量为大于35；若检测到有40个合格的图像单元，并且薄膜图像的亮度是最佳能量密度对应的亮度，由于40大于35，且满足亮度条件，则确定多晶硅薄膜的质量为合格；若检测到20个合格的图像单元，由于20小于35，则无论亮度如何，都确定多晶硅薄膜的质量为不合格；若检测到薄膜图像的亮度不是最佳能量密度对应的亮度，则无论合格的单元数量如何，都确定多晶硅薄膜的质量为不合格。

2)计算图像单元的合格率或者良率的方式，具体为：

根据合格的图像单元的数量和图像单元的总数量计算图像单元的合格率；将合格率与预设的合格率进行比较；当合格率小于预设的合格率，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定多晶硅薄膜的质量为不合格；当合格率大于或等于预设合格率，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定多晶硅薄膜的质量为合格。

本实施例中，计算合格率的方式为：将合格图像单元的个数除以图像单元的总数量。例如，将薄膜图像分割成100个图像单元，设定薄膜质量为合格时的图像单元最少为60％，若检测到有70个合格的图像单元，通过计算图像单元的合格率为70％，并且检测到薄膜图像的亮度为最佳能量密度对应的亮度时，则确定多晶硅薄膜的质量为合格；若检测到有40个合格的图像单元，通过计算图像单元的合格率为40％，则无论亮度如何，确定多晶硅薄膜的质量为不合格；若检测到亮度不是最佳能量密度对应的亮度，则无论图像单元的合格率如何，都确定多晶硅薄膜的质量为不合格。

应当理解的是，虽然上述介绍的是采用合格图像单元的数量来确定薄膜的质量，然而，本实施例的检测方法还可以采用不合格的图像单元的个数来确定薄膜质量，例如在不合格的图像单元小于预设数量时，则确定薄膜质量为合格，若大于或等于，则确定薄膜的质量为不合格。

下面在具体的实施例中说明本发明的质量检测方法的具体过程：

首先通过拍摄设备对多晶硅薄膜进行拍照，得到图像。此处的多晶硅薄膜是经过激光退火处理后的，目的是检测其经过退火后的质量是否合格。拍摄的过程中我们应当保证拍摄设备的镜头所在直线与多晶硅薄膜所成角度在5°与45°之间，以保证能够获取我们需要的图像信息。

然后通过与拍摄设备连接的处理器(例如含有处理器的计算机)来识别图像的亮度，可以预先通过实验建立了亮度和能量密度之间的联系，如图4所示，可以通过控制能量密度的值，每隔5mJ测一组能量密度与亮度的联系，亮度信息可以通过拍摄得到的图像识别，处理器通过识别亮度信息就能够识别出其对应的能量密度值。而从图4中又能看出，最亮的图像对应的能量为390mJ，即能量密度为0.4J/cm²。在本实施例中即为最佳能量密度，通过识别图像的亮度即可得知其亮度是否为最佳能量密度所对应的亮度值。

再将图像分割成多个图像单元，分割成的个数由具体情况决定。对每个图像单元通过处理器识别其亮度和线条宽长度，具体通过图像识别算法实现，属于模式识别领域的常用技术，此处不做详述。再将获取的亮度和线条宽长度与预设值进行对比得到对比结果。预设值是人为设定的阈值，与该阈值比较即可得到可以反映图像单元是否合格的对比结果。

使用前述的方式，通过合格的图像单元数量与总图像单元数量的对比作为判断多晶硅薄膜是否合格的第一个条件。通过前述的多晶硅薄膜图像的亮度是否是最佳能量密度所对应的亮度作为判断多晶硅薄膜是否合格的第二个条件。当两个条件都符合时，认为多晶硅薄膜合格，当至少一个不合格时，认为多晶硅薄膜不合格。

如图7所示，本实施例提供了一种多晶硅薄膜的质量检测系统，其包括：拍摄装置601和处理器602，拍摄装置601包括：电荷耦合组建6011、光学镜头6012以及光源6013。

光源6013位于所述表面上形成有多晶硅薄膜的基板下方，用于向所述基板照射光。

光学镜头6012位于所述基板上方，用于收集视场内的光线，并将光线引入到电荷耦合组件，多晶硅薄膜包含在所述视场中。

电荷耦合组件6011，用于感应光线生成对应的图像，并将图像传输给所述处理器。

所述处理器602，用于：按照设定的尺寸将薄膜图像分割成多个图像单元；获取图像单元中多晶硅薄膜的显示参数，并将显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果，根据所述对比结果计算最佳能量密度；根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格，若不合格，控制所述加工设备对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理，若合格，则结束检测。

优选地，为了能够拍摄到更好的薄膜图像以进一步提高质量检测的精确性，可以使本实施例中拍摄装置的镜头与薄膜基板呈5度至45度角，进而使得拍摄装置可以在与基板呈5度至45度角的方向上对多晶硅薄膜进行拍摄，以获取薄膜图像。同样也可以使得光源与薄膜的基板呈5度至45度角，进而使得光源可以在与基板呈5度至45度角的方向上对薄膜照射光。

本实施例中拍摄装置可以为Mura影像检测系统，处理器可以为计算机，二者通过有线或者无线的方式连接。其示意图如图8所示。

图9显示了根据本发明的多晶硅薄膜质量检测方法的一个具体实施例的流程图。

如图9所示，多晶硅薄膜先进行激光退火工艺处理，处理后通过Mura影像扫描获取薄膜图像，然后分割图像并进行图像处理，在依据面板的尺寸判别是否正常，判别是否正常可以使用合格的图像单元尺寸与薄膜总尺寸的比率，如果比率满足一定条件则认为合格，流至下一站点，如果不合格，则针对不合格之处进行激光退火处理，直至合格。

图10显示了本发明的多晶硅薄膜质量检测方法的另一个具体实施例的流程图。图10与图9的不同之处在于，细化了图像处理的过程，图像处理包括散射光及反射光分析处理和水平及垂直线条分析处理。并且图10的实施例还考虑到了最佳结晶条件(即前述的最佳能量密度)，当满足最佳能量密度时，流至下一工序(即分割图像并进行图像扫描)，当不满足时，确认激光退火异常原因因素(如激光退火设备或激光退火条件等)。

虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种多晶硅薄膜的质量检测方法，其包括如下步骤：

向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；

根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；

按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；

获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；

根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；

根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量以及所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格，包括：

根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量计算图像单元的合格率，并将所述合格率与预设的合格率进行比较；

当所述合格率小于预设合格率，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；

当所述合格率大于或等于预设的合格率，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格；

若所述多晶硅薄膜不合格，则对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理；

若所述多晶硅薄膜合格，则结束检测；

其中，所述激光退火处理的方式包括：若合格率小于预设的合格率但大于预设值时，仅对不合格的图像单元在多晶硅薄膜上对应的区域进行激光退火处理；若合格率为所述预设值以下时，对所述多晶硅薄膜的全部进行激光退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度的方法为：

预先建立薄膜图像亮度与最佳能量密度的对应关系，通过所述对应关系以及所述薄膜图像亮度确定最佳能量密度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示参数至少包括亮度和线条宽长度分布，所述将所述显示参数与所述预设参数进行对比，以获取对比结果的步骤包括：

若所述线条宽长度分布大于或等于阈值，并且所述亮度大于或等于所述亮度值，则对比结果为合格；否则为不合格。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的所述对比结果获取合格的所述图像单元的数量的步骤包括：

根据所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果确定所述图像单元是否合格；

统计合格的所述图像的数量。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤包括：

将合格的所述图像单元的数量与预设数量进行比较，所述预设数量为根据所述图像单元的总数量设定的数量；

当合格的所述图像单元的数量小于预设数量，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；

当合格的所述图像单元的数量大于或等于预设数量，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述多晶硅薄膜进行拍摄的步骤包括：在与所述基板呈5度至45度角的方向上对所述多晶硅薄膜进行拍摄。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光的步骤包括：

在与表面上形成有多晶硅薄膜的基板呈5度到45度角的方向上向所述基板照射光。

8.一种多晶硅薄膜的质量检测系统，其包括：拍摄装置和处理器；所述拍摄装置包括：电荷耦合组件、光学镜头以及光源；

所述光源位于表面上形成有多晶硅薄膜的基板下方，用于向所述基板照射光；

所述光学镜头位于所述基板上方，用于收集视场内的光线，并将所述光线引入到所述电荷耦合组件，所述多晶硅薄膜包含在所述视场中；

所述电荷耦合组件，用于感应所述光线生成对应的图像，并将所述图像传输给所述处理器；

所述处理器，用于：

根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；

按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；

获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；

根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；

根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格，包括：

根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量计算图像单元的合格率，并将所述合格率与预设的合格率进行比较；

当所述合格率小于预设合格率，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；

当所述合格率大于或等于预设的合格率，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格；

若不合格，则控制加工设备对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理，若合格，则结束检测；

其中，所述激光退火处理的方式包括：若合格率小于预设的合格率但大于预设值时，仅对不合格的图像单元在多晶硅薄膜上对应的区域进行激光退火处理；若合格率为所述预设值以下时，对所述多晶硅薄膜的全部进行激光退火处理。

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