CN106684254A - 一种含有以二苯并环庚烯为核心的化合物的有机电致发光器件及其应用 - Google Patents

一种含有以二苯并环庚烯为核心的化合物的有机电致发光器件及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种以二苯并环庚烯为核心化合物的有机电致发光器件及其应用，该器件包括空穴传输层、发光层、电子传输层，该器件发光层材料包括以二苯并环庚烯为核心化合物。本发明化合物材料使用优化的二苯并环庚烯结构搭配通式(2)、通式(3)及通式(4)所示支链结构，易于实现主客体材料之间能量传递，从而更易于获得器件的高效率，更进一步的，本发明化合物具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的HOMO和LUMO能级，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。

Description

一种含有以二苯并环庚烯为核心的化合物的有机电致发光器 件及其应用
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种发光层材料为以二苯并环庚烯为核心化合物的有机电致发光器件及其应用。
背景技术
有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。
OLED发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层，以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件，当对OLED发光器件的两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生OLED电致发光。
当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，OLED器件的发光效率，使用寿命等性能还需要进一步提升。
对于OLED发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率，提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能OLED的功能材料。
应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，即电荷注入传输材料和发光材料，进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。
为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料要求材料具有良好双极性，适当的HOMO/LUMO能阶等。
构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED器件结构，则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包含空穴注入材料，空穴传输材料，发光材料，电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的OLED器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现，也可能完全迥异。
因此，针对当前OLED器件的产业应用要求，以及OLED器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合，具有高性能的OLED功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本发明提供了一种以二苯并环庚烯为核心化合物作为发光层材料的有机电致发光器件及其应用。本发明化合物含有二苯并环庚烯结构，具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的HOMO能级，可作为发光层掺杂材料应用于有机发光二极管上，并筛选已知材料进行各功能层搭配和组合，新组合搭配器件具有良好的光电性能，能够满足OLED器件企业，特别是OLED显示面板和OLED照明企业的需求。
本发明的技术方案如下：
一种含有以二苯并环庚烯为核心的化合物的有机电致发光器件，该器件包括空穴传输层、发光层、电子传输层，该器件发光层材料包括含有二苯并环庚烯为核心的化合物，所述化合物结构式如通式(1)所示：
通式(1)中，R1、R2分别独立的表示为取代或未取代的C6-40芳基、取代或未取代的3元环至40元环杂芳基的一种；R1与R2之间的虚线表示R1与R2可以连接成环或不成环；R1、R2相同或者不同；
R3、R4分别独立的表示为通式(2)、通式(3)或通式(4)所示结构；
通式(2)中，R5、R6分别独立地表示为取代或未取代的C6-40芳基、取代或未取代的3元环至40元环杂芳基中的一种；R5、R6相同或者不同；
通式(4)中，X1表示为氧原子、硫原子、C1-10直链烷基取代的亚烷基、C1-10支链烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚烷基、烷基取代的叔胺基或芳基取代的叔胺基中的一种；
通式(3)和通式(4)中，R7、R8分别独立的表示为氢原子或通式(5)所示结构；
其中，a选自X2、X3分别独立的表示为氧原子、硫原子、C1-10直链烷基取代的亚烷基、C1-10支链烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚烷基、烷基取代的叔胺基或芳基取代的叔胺基中的一种；通式(5)所示结构通过CL1-CL2键、CL2-CL3键、CL3-CL4键、CL4-CL5键、CL‘1-CL’2键、CL‘2-CL’3键、CL‘3-CL’4键或CL‘4-CL’5键和通式(3)或通式(4)连接。
优选的，所述通式(1)中R1、R2和通式(2)中R5、R6的结构分别独立的表示为：
中的任意一种。
优选的，所述通式(3)的结构表示为：
中的任意一种。
优选的，所述通式(4)的结构表示为：
任意一种。
优选的，其特征在于所述化合物的具体结构式为：
中的任意一种。
本申请人还提供了所述以二苯并环庚烯为核心化合物制备方法：
当R3和R4相同时，具有如下反应式：
具体包括以下步骤：1)将中间体I和R3-H用甲苯溶解，其中，所述中间体I与R3-H的摩尔比为1:(2.0～3.0)；
2)向上述反应体系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇钠；所述Pd2(dba)3与中间体I的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦与中间体I的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述叔丁醇钠与中间体I的摩尔比为(3.0～5.0):1；
3)在惰性气体的保护下，将上述混合溶液于95～110℃的温度条件下反应10～24h，自然冷却至室温，过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到目标产物；
当R3和R4不相同时，具有如下反应式：
具体包括以下步骤：1)将中间体I和R3-H用甲苯溶解，其中，所述中间体I与R3-H的摩尔比为1:(1.2～2.0)；
2)向1)中的反应体系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇钠；；所述Pd2(dba)3与中间体I的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦与中间体I的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述叔丁醇钠与中间体I的摩尔比为(2.0～3.0):1；
3)在惰性气体的保护下，将上述混合溶液于95～110℃的温度条件下反应10～24h，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到中间产物；
4)将中间产物和R4-H用甲苯溶解，其中，所述中间产物与R4-H的摩尔比为1:(1.2～2.0)；
5)向4)中的反应体系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇钠；所述Pd2(dba)3与中间产物的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦与中间产物的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述叔丁醇钠与中间产物的摩尔比为(2.0～3.0):1；
6)在惰性气体的保护下，将上述混合溶液于95～110℃的温度条件下反应10～24h，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到目标产物。
本申请人提供的有机电致发光器件还包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子传输层，该有机电致发光器件的发光层材料包括以二苯并环庚烯为核心的化合物。
优选的，所述以二苯并环庚烯为核心化合物作为发光层的掺杂材料；所述发光层的主体材料为含有蒽基的化合物，所述含有蒽基的化合物的结构如通式(6)所示：
通式(6)中，B1-B8分别独立的表示为氢原子、C1-30直链或支链烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元环至30元环杂芳基；B9、B10分别独立表示为取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元至30元杂芳基。通式(6)优选结构式为： 中的任意一种。
优选的，所述空穴传输层的材料为含有三芳基胺基团的化合物，所述含有三芳基胺基团的化合物的结构如通式(7)所示：
通式(7)中，D1-D3分别独立的表示取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元环至50元环杂芳基；D1-D3相同或者不同。通式(7)优选结构式为：
中的任意一种。
优选的，所述电子传输层的材料为下列通式(8)、(9)、(10)、(11)、(12)所示材料中的一种：
通式(8)、通式(9)、通式(10)、通式(11)、通式(12)中E1-E10分别独立选自氢、C1-30直链或支链烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的C6-40芳基、取代或未取代的3元环至30元环杂芳基，且E1-E10不同时为氢。
其中，通式(8)的优选结构式为：
所述通式(9)优选结构式为：
所述通式(10)优选结构式为：
所述通式(11)优选结构式为：
所述通式(12)优选结构式为：
优选的，所述空穴注入层材料为下列结构通式(13)、(14)、(15)所示材料中的一种：
通式(13)中，F1-F3分别独立的表示取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元至30元杂芳基；F1-F3相同或者不同。
通式(14)、通式(15)中，G1-G6分别独立的表示氢、腈基、卤素、酰胺基、烷氧基、酯基、硝基、C1-30直链或支链烷基取代的碳原子、取代或未取代的C6-30芳基、3元环至30元环杂芳基且G1-G6不同时为氢。
其中，通式(13)优选结构式为：
所述通式(14)优选结构式为：
所述通式(15)优选结构式为：
优选的，该电子注入层材料为锂、锂盐或铯盐中的一种。其中所述锂盐为8-羟基喹啉锂、氟化锂、碳酸锂或叠氮化锂中的一种；所述铯盐为氟化铯、碳酸铯或叠氮化铯中的一种。
本申请人还提供了一种所述有机电致发光器件的应用，其用于制备OLED照明或显示面板。本发明有益的技术效果在于：
传统二苯乙烯芳基蓝色发光材料在固态时，存在浓度淬灭等问题，导致发光峰变宽、光谱红移、荧光量子效率下降。所以，一般将它们以低浓度的方式掺杂在具有某种载流子性质的主体中，即使低浓度掺杂，所制得的器件外量子效率只有2-3％，本发明材料二苯并环庚烯将双键成环，减少了化合物结晶的可能性，又提高了化合物的玻璃化转变温度，避免分子间的聚集作用，易于实现主客体材料之间能量传递，并且在高掺杂浓度时，不易产生效率下降，易于获得器件的高效率。母核结构中双键的存在也是本发明材料在器件应用时产生长寿命的主要因素。本发明材料在支链引入具有空穴传输性能的二芳胺基电子给体，通常连有N,N-二芳胺基电子给体的π共轭体系都是具有高荧光量子效率的蓝光材料。
所述以二苯并环庚烯为核心的化合物作为OLED发光器件的掺杂材料时，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显。进一步的，在OLED器件层结构搭配上，引入空穴和电子注入层后，使透明阳极、金属阴极和有机材料接触界面更稳定，空穴、电子注入效果提升；空穴传输层又可叠层为两层或多层，邻接发光层一侧的空穴传输层又可以命名为电子阻挡层(EBL)，提供电子阻挡作用，使发光层内激子复合效率提升，邻接空穴注入层一侧的空穴传输层则起到空穴传输及降低激子传递壁垒的作用；电子传输层又可叠层为两层或多层，邻接发光层一侧的电子传输层又可以命名为空穴阻挡层(HBL)，提供空穴阻挡作用，使发光层内激子复合效率提升，邻接电子注入层一侧的电子传输层则起到电子传输及降低激子传递壁垒的作用。然而，应当指出，这些层中的每个都并非必须存在。
本发明所述OLED器件化合物的组合效果：使得器件的驱动电压降低，电流效率、功率效率、外量子效率得到进一步提高，器件寿命提升效果明显。在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。令人预料不到地，已经发现，在下文中更详细描述的化合物组合实现了这个目的，并且导致有机电致发光器件的改进，特别是电压、效率和寿命的改进。这特别适用于蓝色荧光的电致发光器件，尤其是在使用本发明的器件结构及材料组合时，情况如此。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；
其中，1、透明衬底、2、ITO阳极层、3、空穴注入层(HIL)、4、空穴传输层(HTL)、5、电子阻挡层(EBL)、6、发光层(EML)、7、空穴阻挡层(HBL)、8、电子传输层(ETL)、9、电子注入层(EIL)、10、阴极反射电极层。
具体实施方式
实施例1：基于母核结构的中间体I和基于通式(2)中的支链结构中间体II的合成
a.基于母核结构的中间体I的合成：当R1与R2未连接成环时，中间体I的合成为:
上述制备方法具体地包括以下步骤：
1)R1-Br和镁粉为原料，所述R1-Br和镁粉摩尔比例为1:1，加入四氢呋喃，氮气氛围下，加热至70℃，回流反应3-5小时，无镁粉剩余，反应完全，生成格式试剂；上述的所述四氢呋喃的用量优选为1gR1-Br加入3-6ml四氢呋喃，
2)称取原料U溶于四氢呋喃中，所述原料U和所述R1-Br摩尔比为1:1，然后滴加步骤1)制备的格式试剂，滴加结束后，加热至60-70℃，回流反应10-25小时，生成大量白色的格式盐沉淀，反应结束，然后滴加饱和NHCl4溶液，将所述格式盐转化为叔醇；再用乙醚萃取获得萃取液，所述萃取液用无水硫酸钠干燥，然后旋蒸脱溶剂至无馏分，获得叔醇粗产物，所得叔醇粗产物用石油醚：二氯甲烷混合溶剂过中性硅胶柱，得到固体叔醇化合物；优选地上述的石油醚：二氯甲烷的体积比3:2；步骤2)中的所述四氢呋喃的用量优选为每1g原料U溶于4-8ml四氢呋喃；所述乙醚的用量为1g叔醇化合物加入5-10ml乙醚中。
3)按1:2当量称取固体叔醇化合物和R2-H，溶于二氯甲烷中，所述二氯甲烷的用量为1g固体叔醇纯化合物溶于5-8ml二氯甲烷中，室温条件下再滴加三氟化硼·乙醚络合物，所述固体叔醇化合物与三氟化硼·乙醚络合物摩尔比例为1:1.5，反应30-60分钟，然后加入乙醇和水淬灭反应，然后用二氯甲烷萃取，无水硫酸钠干燥，旋蒸脱溶剂至无馏分，石油醚过中性硅胶柱，乙醇：二氯甲烷混合溶剂重结晶，得到中间体I优选地，所述乙醇：二氯甲烷混合溶剂中乙醇和二氯甲烷体积比1:1。
当R1与R2连接成环时，中间体I的合成为：
称取一溴代物Br-R1-R2溶于四氢呋喃中，冷却至-78℃，，然后逐滴加入2.5mol/L正丁基锂的正己烷溶液，滴加结束后，在-78℃的温度下反应30分钟，然后向反应体系中滴加原料U的四氢呋喃溶液，滴加结束后，升至室温，反应10-15h，反应结束后，滴加饱和碳酸氢钠溶液；再用二氯甲烷萃取获得萃取液，所述萃取液用无水硫酸镁干燥，然后旋蒸脱溶剂至无馏分，获得叔醇产物，所述四氢呋喃的用量优选为1g Br-R1-R2加入10-15ml四氢呋喃，每1g原料U溶于4-8ml四氢呋喃；所述正丁基锂和所述Br-R1-R2摩尔比为1:1，所述原料U和所述Br-R1-R2摩尔比为1:1，所述二氯甲烷的用量为1g叔醇化合物加入5-10ml乙醚中。
将固体叔醇产物溶于乙酸中，加入12mol/L的盐酸溶液，加热至90-110℃，反应30分钟，冷却至室温，用二氯甲烷萃取获得萃取液，所述萃取液用无水硫酸镁干燥，然后旋蒸脱溶剂至无馏分，获得中间体I粗产物，中间体I粗产物过中性硅胶柱，乙醇：二氯甲烷混合溶剂重结晶，得中间体I优选地，所述乙醇：二氯甲烷混合溶剂中乙醇和二氯甲烷体积比1:1。所述乙酸的用量优选为1g固体叔醇产物加入5-8ml乙酸；所述12mol/L的盐酸溶液和叔醇产物摩尔比为(0.04-0.06):1。
当R1与R2不连接成环时，以中间体A1的合成为例：
1)250ml的三口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.05mol溴苯和0.05mol Mg粉，60ml四氢呋喃，加热至70℃，回流反应4小时，无镁粉剩余，反应完全，生成格式试剂；250ml的三口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.05mol3，7-二溴-5-二苯并环庚烯酮，50ml四氢呋喃搅拌溶解，滴加上述格式试剂，60℃反应24小时，生成大量白色沉淀，最后加入饱和NHCl4将格式盐转化为醇；反应完毕后，乙醚萃取，干燥旋蒸，石油醚：二氯甲烷混合溶剂(3:2)硅胶柱纯化，得到略带黄色的固体叔醇，HPLC纯度99.2％，收率为83.2％；
元素分析结构(分子式C21H14Br2O)：理论值C,69.44；H,4.16；Br,22.00；O,4.40；测试值：C,69.42；H,4.15；Br,22.01；O,4.42。HPLC-MS：材料分子量为362.03，实测分子量362.33。
2)按1:2当量取0.04mol上述叔醇和0.08mol苯，100ml二氯甲烷搅拌混合，在室温条件下滴加8ml三氟化硼·乙醚络合物，反应30分钟，加入20ml乙醇和20ml水淬灭反应，用二氯甲烷(20ml*3)萃取，干燥旋蒸，石油醚硅胶柱纯化，用乙醇：二氯甲烷(体积比1:1)重结晶，得到中间体A1，HPLC纯度99.5％，收率为75.5％；元素分析结构(分子式C27H18Br2)：理论值C,64.57；H,3.61；Br,31.82；测试值：C,64.56；H,3.63；Br,31.81。
HPLC-MS：材料分子量为499.98，实测分子量500.15。
当R1与R2连接成环时，以中间体B1的合成为例：
250ml的三口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.05mol4-溴-1,1’-联苯，50ml四氢呋喃溶解完全，冷却至-78℃，逐滴加入0.05mol2.5mol/L正丁基锂的正己烷溶液，在-78℃下反应30分钟，然后向反应体系中滴加0.05mol3，7-二溴-5-二苯并环庚烯酮的四氢呋喃溶液(30ml)，升至室温反应12h，最后加入饱和碳酸氢钠溶液淬灭；二氯甲烷萃取，干燥旋蒸至无馏分得到中间产物叔醇。然后称取0.02mol中间产物叔醇，加入到8ml乙酸中，加热至100℃，反应30分钟，将体系降至室温，二氯甲烷萃取，干燥旋蒸至无馏分，粗产物用石油醚硅胶柱纯化，用乙醇：二氯甲烷(体积比1:1)重结晶，得到中体间B1，HPLC纯度99.6％，收率为71.5％；
元素分析结构(分子式C27H16Br2)：理论值C,64.83；H,3.22；Br,31.95；测试值：C,64.84；H,3.20；Br,31.96。HPLC-MS：材料分子量为497.96，实测分子量498.18。
b.基于通式(2)中支链结构的中间体II的合成：合成：
1)将R5-Br和R6-NH2用甲苯溶解，其中，所述R5-Br与R6-NH2的摩尔比为1:(1.2～2.0)；
2)向上述反应体系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇钠；所述Pd2(dba)3与R5-Br的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦与R5-Br的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述叔丁醇钠与R5-Br的摩尔比为(2.0～3.0):1；
3)在惰性气体的保护下，将上述混合溶液于95～110℃的温度条件下反应10～24h，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到目标产物；
选取中间体C1的合成为例：
在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.05mol溴苯，0.06mol苯胺，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.15mol叔丁醇钠，5×10-4molPd2(dba)3，5×10-4mol三叔丁基膦，加热至105℃，回流反应24小时，取样点板，显示无溴代物剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到二苯胺，HPLC纯度99.3％，收率66.8％；
元素分析结构(分子式C12H11N)：理论值C,85.17；H,6.55；N,8.28；测试值：C,85.16；H,6.57；N,8.27。HPLC-MS：材料分子量为169.09，实测分子量169.31。
以中间体A1的合成方法制备中间体I，合成中所需原料及中间体I的具体结构如表1所示；以中间体B1的合成方法制备中间体I，合成中所需原料及中间体I的具体结构如表2所示；以中间体C1的合成方法制备支链结构中间体II，合成中所需原料及中间体II的具体结构如表3所示。
表1
表2
表3
实施例2：化合物1的合成：
在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol中间体A1，0.024mol中间体C1，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.04mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，加热至105℃，回流反应24小时，取样点板，显示无溴代物剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度99.5％，收率66.8％；
元素分析结构(分子式C51H38N2)：理论值C,90.23；H,5.64；N,4.13；测试值：C,90.24；H,5.65；N,4.11。HPLC-MS：材料分子量为678.30，实测分子量678.57。
实施例3：化合物3的合成：
在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol中间体A1，0.024mol中间体C2，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.04mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，加热至105℃，回流反应24小时，取样点板，显示无溴代物剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度99.7％，收率64.4％；
元素分析结构(分子式C69H54N2O2)：理论值C,87.87；H,5.77；N,2.97；O,3.39；测试值：C,87.86；H,5.76；N,2.98；O,3.40。HPLC-MS：材料分子量为942.42，实测分子量942.71。
实施例4：化合物4的合成：
按实施例2中化合物1的合成方法制备，不同点在于用中间体C3代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C59H54N2)：理论值C,89.58；H,6.88；N,3.54；测试值：C,89.57；H,6.87；N,3.56。HPLC-MS：材料分子量为790.43，实测分子量790.68。
实施例5：化合物13的合成：
按实施例2中化合物1的合成方法制备，不同点在于用中间体C4代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C67H50N2O2)：理论值C,87.94；H,5.51；N,3.06；O,3.50；测试值：C,87.95；H,5.50；N,3.04；O,3.51。HPLC-MS：材料分子量为914.39，实测分子量914.66。
实施例6：化合物18的合成：
在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol中间体B1，0.024mol中间体C1，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.04mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，加热至105℃，回流反应24小时，取样点板，显示无溴代物剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度99.2％，收率64.1％；
元素分析结构(分子式C51H36N2)：理论值C,90.50；H,5.36；N,4.14；测试值：C,90.52；H,5.35；N,4.13。HPLC-MS：材料分子量为676.29，实测分子量676.55。
实施例7：化合物20的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C3代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C59H52N2)：理论值C,89.81；H,6.64；N,3.55；测试值：C,89.82；H,6.64；N,3.54。HPLC-MS：材料分子量为788.41，实测分子量788.73。
实施例8：化合物23的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C5代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C63H60N2)：理论值C,89.53；H,7.16；N,3.31；测试值：C,89.52；H,7.15；N,3.33；HPLC-MS：材料分子量为844.48，实测分子量844.74。
实施例9：化合物26的合成：
按实施例2中化合物1的合成方法制备，不同点在于用中间体C6代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C75H66N2)：理论值C,90.50；H,6.68；N,2.81；测试值：C,90.51；H,6.67；N,2.82；HPLC-MS：材料分子量为994.52，实测分子量994.83。
实施例10：化合物35的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C2代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C69H52N2O2)：理论值C,88.05；H,5.57；N,2.98；O,3.40；测试值：C,88.06；H,5.56；N,2.97；O,3.41。HPLC-MS：材料分子量为940.40，实测分子量940.68。
实施例11：化合物36的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C4代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C67H48N2O2)：理论值C,88.13；H,5.30；N,3.07；O,3.50；测试值：C,88.12；H,5.31；N,3.06；O,3.51；HPLC-MS：材料分子量为912.37，实测分子量912.61。
实施例12：化合物37的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C7代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C67H48N2O2)：理论值C,88.13；H,5.30；N,3.07；O,3.50；测试值：C,88.11；H,5.31；N,3.06；O,3.52。HPLC-MS：材料分子量为912.37，实测分子量912.65。
实施例13：化合物39的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C8代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C71H56N2O2)：理论值C,87.98；H,5.82；N,2.89；O,3.30；测试值：C,87.97；H,5.81；N,2.90；O,3.32。HPLC-MS：材料分子量为968.43，实测分子量968.74。
实施例14：化合物44的合成：
按实施例2中化合物1的合成方法制备，不同点在于用中间体A2代替中间体A1；
元素分析结构(分子式C50H37N3)：理论值C,88.33；H,5.49；N,6.18；测试值：C,88.34；H,5.47；N,6.19。HPLC-MS：材料分子量为679.30，实测分子量679.67。
实施例15：化合物49的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C9代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C75H48N2O2)：理论值C,89.26；H,4.79；N,2.78；O,3.17；测试值：C,89.25；H,4.80；N,2.79；O,3.16。HPLC-MS：材料分子量为1008.37，实测分子量1008.77。
实施例16：化合物51的合成：
按实施例7中化合物20的合成方法制备，不同点在于用中间体B2代替中间体B1；
元素分析结构(分子式C65H64N2)：理论值C,89.40；H,7.39；N,3.21；测试值：C,89.41；H,7.37；N,3.22。HPLC-MS：材料分子量为872.51，实测分子量872.83。
实施例17：化合物59的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C10代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C73H64N2)：理论值C,90.45；H,6.66；N,2.89；测试值：C,90.44；H,6.68；N,2.88。HPLC-MS：材料分子量为968.51，实测分子量968.86。
实施例18：化合物71的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体D1代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C63H36N2O2)：理论值C,88.71；H,4.25；N,3.28；O,3.75；测试值：C,88.70；H,4.24；N,3.30；O,3.76。HPLC-MS：材料分子量为852.28，实测分子量852.55。
实施例19：化合物81的合成：
按实施例2中化合物1的合成方法制备，不同点在于用中间体A3代替中间体A1，中间体D2代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C77H54N2O2)：理论值C,88.99；H,5.24；N,2.70；O,3.08；测试值：C,88.98；H,5.25；N,2.72；O,3.05。HPLC-MS：材料分子量为1038.42，实测分子量1038.69。
实施例20：化合物104的合成：
按实施例2中化合物1的合成方法制备，不同点在于用中间体A4代替中间体A1，中间体E1代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C85H76N2)：理论值C,90.71；H,6.81；N,2.49；测试值：C,90.72；H,6.80；N,2.48。HPLC-MS：材料分子量为1124.60，实测分子量1124.97。
实施例21：化合物112的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C11代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C67H68N2)：理论值C,89.29；H,7.60；N,3.11；测试值：C,89.30；H,7.60；N,3.10。HPLC-MS：材料分子量为900.54，实测分子量900.54。
实施例22：化合物124的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C12代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C69H56N2)：理论值C,90.75；H,6.18；N,3.07；测试值：C,90.74；H,6.20；N,3.06。HPLC-MS：材料分子量为912.44，实测分子量912.73。
实施例23：化合物129的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C13代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C71H48N6)：理论值C,86.56；H,4.91；N,8.53；测试值：C,86.54；H,4.92；N,8.54。HPLC-MS：材料分子量为984.39，实测分子量984.76。
实施例24：化合物137的合成：
按实施例7中化合物20的合成方法制备，不同点在于用中间体B3代替中间体B1；
元素分析结构(分子式C59H52N2)：理论值C,89.81；H,6.64；N,3.55；测试值：C,89.80；H,6.63；N,3.57。HPLC-MS：材料分子量为788.41，实测分子量788.78。
实施例25：化合物143的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体E2代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C57H44N2)：理论值C,90.44；H,5.86；N,3.70；测试值：C,90.45；H,5.84；N,3.71。HPLC-MS：材料分子量为756.35，实测分子量756.66。
实施例26：化合物167的合成：
1)在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol中间体B1，0.012mol中间体C3，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.03mol叔丁醇钠，5×10-5molPd2(dba)3，5×10-5mol三叔丁基膦，加热至105℃，回流反应24小时，取样点板，显示无溴代物剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到中间产物，HPLC纯度99.8％，收率65.3％；
元素分析结构(分子式C43H34BrN)：理论值C,80.12；H,5.32；Br,12.40；N,2.17；测试值：C,80.11；H,5.31；Br,12.40；N,2.18。HPLC-MS：材料分子量为643.19，实测分子量643.52。
2)在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.005mol中间产物，0.006mol中间体E3，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.015mol叔丁醇钠，2.5×10-5molPd2(dba)3，2.5×10- 5mol三叔丁基膦，加热至105℃，回流反应24小时，取样点板，显示无溴代物剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度99.6％，收率68.8％；
元素分析结构(分子式C64H50N2O2)：理论值C,87.44；H,5.73；N,3.19；O,3.64；测试值：C,87.43；H,5.72；N,3.20；O,3.65。HPLC-MS：材料分子量为878.39，实测分子量878.77。
实施例27：化合物172的合成：
按实施例6中化合物18的合成方法制备，不同点在于用中间体C14代替中间体C1；
元素分析结构(分子式C59H52N2)：理论值C,89.81；H,6.64；N,3.55；测试值：C,89.82；H,6.62；N,3.56。HPLC-MS：材料分子量为788.41，实测分子量788.88。
本发明化合物可以作为发光层掺杂材料使用,对本发明化合物1、3、4、13、18、20、23、35、36、37、39、49、51、59、112、124、143、172和对比化合物BDI进行热性能、发光光谱及HOMO能级的测试，测试结果如表4所示。
表4
注：玻璃化温度Tg由示差扫描量热法(DSC，德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定，升温速率10℃/min；热失重温度Td是在氮气气氛中失重1％的温度，在日本岛津公司的TGA-50H热重分析仪上进行测定，氮气流量为20mL/min；λPL是样品溶液荧光发射波长，利用日本拓普康SR-3分光辐射度计测定；最高占据分子轨道HOMO能级是电离能测试系统(IPS-3)测试，测试为大气环境。
由上表数据可知，本发明化合物具有较高的热稳定性，适当的HOMO能级，适合作为发光层的掺杂材料；同时，本发明化合物具有合适的发光光谱，使得应用本发明化合物作为发光层材料的OLED器件效率和寿命得到提升。
以下通过器件实施例1～23和器件比较例1～2详细说明本发明化合物组合在器件中的应用效果。本发明所述器件实施例2～23、器件比较例1～2与器件实施例1相比所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，所不同的是，器件的层叠结构、搭配材料及膜层厚度有所不同。器件叠层结构如表5所示，所用关键原料的结构式如表6所示，各器件的性能测试结果见表7。
器件实施例1：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：70nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物1按重量比95：5混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
具体制备过程如下：
1、对ITO阳极层2(膜厚为150nm)洗涤；所述洗涤具体优选地是依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥后进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物；
2、在所述洗涤后的ITO阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀空穴注入层，空穴注入层材料使用HI1；所述空穴注入层优选的膜厚为10nm；此层作为器件结构中的空穴注入层3；
3、在空穴注入层3上，通过真空蒸镀方式，蒸镀空穴传输层，空穴传输层材料使用HT6；所述空穴传输层优选的膜厚为70nm，此层作为器件结构中的空穴传输层4；
4、在空穴传输层4上，通过真空蒸镀方式，蒸镀发光层6，发光层材料使用BH1作为主体材料，化合物1作为掺杂材料，掺杂质量比例为95：5；所述发光层优选的膜厚为25nm，此层作为器件结构中的发光层6；
5、在发光层6上，通过真空蒸镀方式，蒸镀电子传输层8，电子传输层材料使用ET2和EI1混合掺杂，掺杂质量比为1:1；所述电子传输层优选的膜厚为35nm，此层作为器件结构中的电子传输层8；
6、在电子传输层8上，通过真空蒸镀方式，蒸镀阴极铝(Al)层；所述阴极铝(Al)层优选的膜厚为80nm，此层为阴极反射电极层10使用；
如上所述，完成OLED发光器件制作后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的寿命，发光光谱以及器件的电流-电压特性。测试结果见表7。
器件实施例2：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：70nm，材料：HT5)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物3按重量比93：7混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例3：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI2)、空穴传输层4(厚度：70nm，材料：HT4)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH2和化合物4按重量比92：8混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET3和EI1，质量比1:1)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：LiN3)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例4：该器件依次从下至上依次包括器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT3)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：EB2)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物13按重量比94：6混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET3和EI1，质量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例5：该器件依次从下至上依次包括器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT5)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物18按重量比93：7混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例6：该器件依次从下至上依次包括器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT5)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物20按重量比93：7混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例7：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：60nm，材料：HI3和HT3，按质量比5:95混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT3)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物23按重量比90：10混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET3)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：Li)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例8：该器件依次从下至上依次包括器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT5)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物35按重量比88：12混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例9：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：60nm，材料：HI3和HT2，按质量比2:98混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物36按重量比95：5混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例10：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：60nm，材料：HI4和HT3，按质量比5:95混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH2和化合物37按重量比93：7混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET4和EI1，质量比1:1)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：LiF)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例11：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT6)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：EB1)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物39按重量比92：8混掺构成)、空穴阻挡层7(厚度：20nm，材料：HB1)、电子传输层8(厚度：15nm，材料：ET2和EI1，质量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例12：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：50nm，材料：HI5和HT3，按质量比5:95混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT5)、电子阻挡层5(厚度：10nm，材料：EB3)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物49按重量比90：10混掺构成)/电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1：1)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：Cs2CO3)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例13：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：50nm，材料：HI6和HT4，按质量比5:95混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT6)、电子阻挡层5(厚度：10nm，材料：EB2)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物51按重量比90：10混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1：1)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：EI1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例14：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT3)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：EB1)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物59按重量比94：6混掺构成)、空穴阻挡层7(厚度：25nm，材料：HB1)、电子传输层8(厚度：10nm，材料：ET5)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：EI1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例15：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：60nm，材料：HI3和HT4，按质量比2:98混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物112按重量比93：7混掺构成)、空穴阻挡层7(厚度：15nm，材料：HB1)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1：1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例16：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：50nm，材料：HI5和HT6，按质量比5:95混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT6)、电子阻挡层5(厚度：10nm，材料：EB2)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH5和化合物124按重量比95：5混掺构成)、空穴阻挡层7(厚度：15nm，材料：HB1)、电子传输层8(厚度：20nm，材料：ET2和EI1，质量比1：1)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：Li2CO3)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例17：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：60nm，材料：HI5和HT3，按质量比5:95混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH5和化合物143按重量比95：5混掺构成)、空穴阻挡层7(厚度：15nm，材料：HB1)、电子传输层8(厚度：20nm，材料：ET6)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：CsF)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例18：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：50nm，材料：HI5和HT3，按质量比5:95混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT6)、电子阻挡层5(厚度：10nm，材料：EB2)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH5和化合物172按重量比94：6混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1：1)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：CsN3)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例19：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT5)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物18按重量比93：7混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1：1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例20：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：60nm，材料：HI4和HT3，按质量比5:95混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物20按重量比88：12混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET7和EI1，质量比1:1)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：LiF)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例21：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT5)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物35按重量比85：15混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET3和EI1，质量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件实施例22：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：60nm，材料：HI5和HT3，按质量比5:95混掺构成)、空穴传输层4(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH5和化合物172按重量比95：5混掺构成)、空穴阻挡层7(厚度：15nm，材料：HB1)、电子传输层8(厚度：20nm，材料：ET6)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：CsF)及Al(厚度：80nm)。
器件比较例23：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HT1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT5)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：CBP和化合物51按重量比95：5混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1:1)、及Al(厚度：80nm)。
器件比较例1：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：MoO3)、空穴传输层4(厚度：40nm，材料：TAPC)、发光层6(厚度：30nm，材料：CBP和化合物BDI按重量比97：3混掺构成)、电子传输层8(厚度：40nm，材料：TPBI)、电子注入层9(厚度：1nm，材料：LiF)及Al(厚度：80nm)。
器件比较例2：器件叠层结构如器件结构示意图1所示：
该器件依次从下至上依次包括ITO阳极层2(厚度：150nm)、空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HT1)、空穴传输层4(厚度：50nm，材料：HT5)、电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：HT6)、发光层6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物BDI按重量比97：3混掺构成)、电子传输层8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，质量比1:1)、及Al(厚度：80nm)。
通过标准方法表征所述OLED，从呈现朗伯发射特性的电流/电压/发光密度特性线计算，和测量寿命。器件测试数据如表7所示。
表5
表6
表7
表7总结了所述OLED器件在1000cd/m2亮度所需的电压、达到的外量子效率；以及在1000cd/m2亮度下LT90衰减寿命。
器件比较例2对比器件比较例1，更换了本发明的材料搭配，器件实现了低电压、高效率及长寿命效果；器件实施例1-23对比器件比较例2，更换本发明的发光层掺杂材料，并按本发明的材料组合成叠层器件后，器件电压降低，外量子效率及寿命得到较大提升。
进一步的本发明材料可实现高浓度掺杂时无浓度淬灭效果，保持高效率使用。表8为不同浓度的实施例器件结构：
表8
器件测试数据如表9所示：
表9
器件实施例24～26为本发明材料和筛选材料搭配的器件结构，和器件比较例相比，高浓度掺杂下，器件效率没有降低，没有浓度淬灭效果。
进一步的本发明材料制备的的OLED器件在高温下能够保持长寿命，将器件实施例1～26和器件比较例1～4在85℃进行高温驱动寿命测试，所得结果如表10所示。
表10
从表10的数据可知，器件实施例1～26为本发明材料和筛选材料搭配的器件结构，和器件比较例相比，高温下，本发明提供的OLED器件具有很好的驱动寿命。
综上，以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种含有以二苯并环庚烯为核心的化合物的有机电致发光器件，该器件包括空穴传输层、发光层、电子传输层，其特征在于该器件发光层材料包括含有二苯并环庚烯为核心的化合物，所述化合物结构式如通式(1)所示：
通式(1)中，R1、R2分别独立的表示为取代或未取代的C6-40芳基、取代或未取代的3元环至40元环杂芳基的一种；R1与R2之间的虚线表示R1与R2可以连接成环或不成环；R1、R2相同或者不同；
R3、R4分别独立的表示为通式(2)、通式(3)或通式(4)所示结构；
通式(2)中，R5、R6分别独立地表示为取代或未取代的C6-40芳基、取代或未取代的3元环至40元环杂芳基中的一种；R5、R6相同或者不同；
通式(4)中，X1表示为氧原子、硫原子、C1-10直链烷基取代的亚烷基、C1-10支链烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚烷基、烷基取代的叔胺基或芳基取代的叔胺基中的一种；
通式(3)和通式(4)中，R7、R8分别独立的表示为氢原子或通式(5)所示结构；
其中，a选自X2、X3分别独立的表示为氧原子、硫原子、C1-10直链烷基取代的亚烷基、C1-10支链烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚烷基、烷基取代的叔胺基或芳基取代的叔胺基中的一种；通式(5)所示结构通过CL1-CL2键、CL2-CL3键、CL3-CL4键、CL4-CL5键、CL‘1-CL’2键、CL‘2-CL’3键、CL‘3-CL’4键或CL‘4-CL’5键和通式(3)或通式(4)连接。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述通式(1)中R1、R2和通式(2)中R5、R6的结构分别独立的表示为：
中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于所述通式(3)的结构表示为：
中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于所述通式(4)的结构表示为：
任意一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于所述化合物的具体结构式为：
中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于所述以二苯并环庚烯为核心化合物制备方法为：
当R3和R4相同时，具有如下反应式：
具体包括以下步骤：
1)将中间体I和R3-H用甲苯溶解，其中，所述中间体I与R3-H的摩尔比为1:(2.0～3.0)；
2)向上述反应体系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇钠；所述Pd2(dba)3与中间体I的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦与中间体I的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述叔丁醇钠与中间体I的摩尔比为(3.0～5.0):1；
3)在惰性气体的保护下，将上述混合溶液于95～110℃的温度条件下反应10～24h，自然冷却至室温，过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到目标产物；
当R3和R4不相同时，具有如下反应式：
具体包括以下步骤：
1)将中间体I和R3-H用甲苯溶解，其中，所述中间体I与R3-H的摩尔比为1:(1.2～2.0)；
2)向1)中的反应体系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇钠；；所述Pd2(dba)3与中间体I的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦与中间体I的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述叔丁醇钠与中间体I的摩尔比为(2.0～3.0):1；
3)在惰性气体的保护下，将上述混合溶液于95～110℃的温度条件下反应10～24h，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到中间产物；
4)将中间产物和R4-H用甲苯溶解，其中，所述中间产物与R4-H的摩尔比为1:(1.2～2.0)；
5)向4)中的反应体系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇钠；所述Pd2(dba)3与中间产物的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦与中间产物的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述叔丁醇钠与中间产物的摩尔比为(2.0～3.0):1；
6)在惰性气体的保护下，将上述混合溶液于95～110℃的温度条件下反应10～24h，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到目标产物。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子传输层，所述有机电致发光器件的发光层材料包括以二苯并环庚烯为核心的化合物。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述以二苯并环庚烯为核心化合物作为发光层的掺杂材料；所述发光层的主体材料为含有蒽基的化合物，所述含有蒽基的化合物的结构如通式(6)所示：
通式(6)中，B1-B8分别独立的表示为氢原子、C1-30直链或支链烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元环至30元环杂芳基；B9、B10分别独立表示为取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元至30元杂芳基。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为含有三芳基胺基团的化合物，所述含有三芳基胺基团的化合物的结构如通式(7)所示：
通式(7)中，D1-D3分别独立的表示取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元环至50元环杂芳基；D1-D3相同或者不同。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为下列通式(8)、(9)、(10)、(11)、(12)所示材料中的一种：
通式(8)、通式(9)、通式(10)、通式(11)、通式(12)中E1-E10分别独立选自氢、C1-30直链或支链烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的C6-40芳基、取代或未取代的3元环至30元环杂芳基，且E1-E10不同时为氢。
11.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层材料为下列结构通式(13)、(14)、(15)所示材料中的一种：
通式(13)中，F1-F3分别独立的表示取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元至30元杂芳基；F1-F3相同或者不同；
通式(14)、通式(15)中，G1-G6分别独立的表示氢、腈基、卤素、酰胺基、烷氧基、酯基、硝基、C1-30直链或支链烷基取代的碳原子、取代或未取代的C6-30芳基、3元环至30元环杂芳基且G1-G6不同时为氢。
12.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层材料为锂、锂盐或铯盐中的一种。
13.一种权利要求1至12任一项所述有机电致发光器件应用于制备OLED照明或显示面板。
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