CN106683996A - 金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法，通过分别采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗处理，以去除所述第二相金属硅化物表面未反应的第一相金属硅化物以及未反应的金属，并采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗处理并干燥，以去除第一次后清洗工艺在所述第二相金属硅化物表面形成的球形形貌缺陷，使所述第二相金属硅化物表面形貌平整，均匀性良好，进而在接触孔刻蚀时不会出现刻蚀空洞或刻蚀不到位的情况，从而减少甚至避免了接触孔桥接或接触孔堵塞断路等缺陷，大大提高了产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法。
背景技术
目前，在半导体制造过程中，采用刻蚀工艺在层间介质层(ILD)中形成接触孔(contact，CT)，随后在接触孔中沉积钨(W)等导电金属材料用于半导体器件之间的电连接是一种广泛使用的工艺，填充导电金属材料之后的接触孔结构可直接与器件的栅极、源/漏极电连接，还可以用于层与层之间的电连接，以及后段封装工艺中的电连接。为了降低接触孔结构的孔电阻以及接触孔结构与器件的栅极、源/漏极电连接的接触电阻，通常会通过金属沉积及快速退火工艺在待形成接触孔的栅极、源/漏极表面上形成一层金属硅化物(silicide)。例如图1A所示的一种具有有源区接触孔的半导体器件的制造过程包括：
首先，提供半导体衬底10，在半导体衬底10中已形成了有源区11，并在半导体衬底10表面上已形成了栅极结构12；
然后，在有源区11、栅极结构12表面沉积钴(Co)等金属后进行快速退火，以使有源区表面的硅与沉积的金属反应生成金属硅化物13，并将器件放入盛有硫酸和双氧水(SPM)的混合溶液的酸槽中进行一次湿法清洗，以去除未反应的金属；
接着，在金属硅化物13以及栅极结构12表面覆盖层间介质层14等等，然后通过对层间介质层14的刻蚀，可以形成直达金属硅化物13表面的接触孔，在填充钨等导电金属后获得接触孔结构15，该接触孔结构15与有源区11上的金属硅化物层13电性连接。
因此，形貌平整和均匀性良好的金属硅化物不仅有利于降低接触电阻和串联电阻，而且有利于提高器件的可靠性。然而上述的接触孔制造工艺中由于只进行一次清洗，湿法清洗酸槽中含有大量的颗粒、气泡等，这些颗粒、气泡等会附着在金属硅化物13表面，造成金属硅化物13表面的实心或者空心的球形形貌缺陷(ball particles)，影响表面均匀性，当在金属硅化物13表面进行层间介质层14沉积后并对层间介质层14刻蚀形成接触孔时，有可能会刻蚀到这些球形形貌缺陷处，进而造成接触孔底部的刻蚀空洞(即刻蚀打破了空心球形形貌缺陷)或者接触孔底部刻蚀不到位(即刻蚀被实心球形形貌缺陷阻挡)，当填充导电金属后，填充的金属有可能在刻蚀空洞及其侧壁中扩散形成接触孔桥接(即CTbridge)缺陷(如图1B中151a所示)的或者由于实心球形缺陷的阻挡而填充不到位形成接触孔堵塞断路(即CT block、CT open)缺陷(如图1C中151b所示)。一旦出现接触孔桥接或接触孔堵塞断路等缺陷，就可能使得器件短路或者开路等而失效，严重影响了产品良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法，减少甚至避免金属硅化物表面的球形形貌缺陷，进而减少甚至避免接触孔桥接或接触孔堵塞断路缺陷。
为解决上述问题，本发明提出一种金属硅化物的制造方法，包括：
提供一表面具有暴露出的硅区域的半导体衬底，在所述半导体衬底表面上沉积金属层；
对所述半导体衬底及所述金属层进行第一次退火，使得金属层中的金属与所述硅区域中的硅反应形成第一相金属硅化物；
去除所述半导体衬底表面上未反应的金属层以及多余的第一相金属硅化物；
采用高于所述第一次退火的温度对所述半导体衬底及剩余的第一相金属硅化物进行第二次退火，使得所述第一相金属硅化物转变为电阻率降低的第二相金属硅化物；
采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗(post clean)；
采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗并干燥。
进一步的，所述硅区域为单晶硅、非晶硅、多晶硅或微晶硅。
进一步的，所述硅区域为源区、漏区或多晶硅栅极。
进一步的，所述金属层中的金属包括锰、钛、锆、钽、钨、钯、铂、钴、镍、钇中的至少一种。
进一步的，在所述半导体衬底表面上沉积金属层之前，先在所述半导体衬底表面先形成一层粘附层。
进一步的，所述粘附层包含钛层、氮化钛层、钽层及氮化钽层中的至少一层。
进一步的，所述第一清洗液为硫酸与过氧化氢混合溶液，所述第一次后清洗的时间为30秒～100分钟。
进一步的，所述第二清洗液为氨水与过氧化氢的混合溶液，所述第二次后清洗的时间为30秒～100分钟，并且伴随超声振动。
本发明还提供一种金属硅化物上接触孔的制造方法，包括：
提供一表面具有暴露出的硅区域的半导体衬底，并采用上述的金属硅化物的制造方法，在所述硅区域表面形成第二相金属硅化物；
在所述半导体衬底和第二相金属硅化物表面形成层间介质层；
刻蚀所述层间介质层，以形成底部暴露出所述第二相金属硅化物表面的接触孔；
在所述接触孔中填充导电金属，以形成与所述硅区域电连接的接触孔结构。
进一步的，在所述半导体衬底和第二相金属硅化物表面形成层间介质层之前，先在所述半导体衬底和第二相金属硅化物表面形成接触孔刻蚀停止层。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
1、通过分别采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗处理，以去除所述第二相金属硅化物表面未反应的第一相金属硅化物以及未反应的金属，并采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗处理并干燥，以去除第一次后清洗工艺在所述第二相金属硅化物表面形成的球形形貌缺陷，使所述第二相金属硅化物表面形貌平整，均匀性良好；
2、在采用本发明的金属硅化物制造方法获得的第二相金属硅化物上形成接触孔时，由于所述第二相金属硅化物表面形貌平整，均匀性良好，因此接触孔刻蚀不会出现刻蚀空洞或刻蚀不到位的情况，从而减少甚至避免了接触孔桥接或接触孔堵塞断路等缺陷，大大提高了产品良率。
附图说明
图1A是现有的一种具有有源区接触孔的半导体器件的剖面结构示意图；
图1B和图1C分别是现有的半导体器件中出现的接触孔桥接缺陷和接触孔堵塞断路缺陷的SEM图；
图2是本发明实施例一的金属硅化物的制造方法流程图；
图3A至3D是本发明实施例一的器件结构剖面示意图；
图4是本发明实施例二的金属硅化物上接触孔的制造方法流程图；
图5A至5B是本发明实施例二的器件结构剖面示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明，然而，本发明可以用不同的形式实现，不应只是局限在所述的实施例。
实施例一金属硅化物的制造方法
请参考图2，本发明提出一种金属硅化物的制造方法，包括：
S1，提供一表面具有暴露出的硅区域的半导体衬底，在所述半导体衬底表面上沉积金属层；
S2，对所述半导体衬底及所述金属层进行第一次退火，使得金属层中的金属与所述硅区域中的硅反应形成第一相金属硅化物；
S3，去除所述半导体衬底表面上未反应的金属层以及多余的第一相金属硅化物；
S4，采用高于所述第一次退火的温度对所述半导体衬底及剩余的第一相金属硅化物进行第二次退火，使得所述第一相金属硅化物转变为电阻率降低的第二相金属硅化物；
S5，采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗；
S6，采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗并干燥。
请参考图3A，在步骤S1中，首先，提供一半导体衬底30，该半导体衬底10包括各种掺杂配置和阱(well)结构，并通过其中的浅沟隔离(STI)结构分为NMOS区和PMOS区，其表面已具有裸露的硅区域31，硅区域31可以是半导体衬底30内形成的用作MOS晶体管的源区和漏区，甚至可以包括MOS晶体管的栅极结构32中的多晶硅栅极。栅极结构32包括栅介质层、栅电极层以及围绕在栅介质层和栅电极层两侧的侧墙，栅介质层可以为氧化硅或氮化硅及其组合形成，也可以是氧化铝、氧化铪等高K介质，或包括高K介质与氧化硅或氮化硅的组合；栅极可以是多晶硅栅极或金属栅极，侧墙可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或者他们组合构成。本实施例中，硅区域31包括半导体衬底30内形成的源区和漏区，可以是单晶硅、非晶硅、多晶硅或微晶硅，其中非晶硅的硅区域31可以通过向该区域的表层硅中注入一定能量和剂量的碳(C)、磷(P)、硅(Si)、锗(Ge)、砷(As)、铟(In)等离子以打破硅晶格而实现非晶化获得，硅区域31还包括栅极结构32的多晶硅栅极的顶部表面，且栅极结构32的多晶硅栅极侧面被绝缘介质的侧墙包围。然后，优选地，在进行金属层沉积之前，先对半导体衬底30进行预清洗，以使得所述硅区域的表面没有杂质或者氧化膜，避免影响后续形成金属层和金属硅化物层的质量。预清洗可采用稀释的氢氟酸等湿法清洗工艺或者SiCoNi预清洗工艺。接着，较佳的，在所述硅区域31的表面上形成粘附层33，本实施例中所述粘附层33覆盖源区、漏区表面，以增强后续沉积的金属层与硅区域31表面的粘附性，并用于限制后续金属层中的金属向所述硅区域31以外的地方扩散，所述粘附层可以为钛(Ti)层、氮化钛(TiN)层、钽(Ta)层或氮化钽(TaN)层中的任意一种单层结构，也可以是钛(Ti)层、氮化钛(TiN)层、钽(Ta)层、氮化钽(TaN)层中的多层堆叠而成的复合层结构。然后，在步骤S1中，通过物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺等在所述硅区域31上形成金属层34，金属层34可以覆盖在栅极结构32以及源区和漏区这些硅区域31表面，金属层34中含有的金属可以包括锰(Mn)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)、钨(W)、钯(Pd)、铂(Pt)、钴(Co)、镍(Ni)、钇(Yb)中的至少一种，金属层34优选为两种金属以上形成的合金。最后，较佳地，采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺在金属层34上还可沉积形成一层保护层(未图示)，如Ti或TiN，以保护金属层34在后续工艺过程中表面不被氧化，保护层在后续退火工艺中不参与反应，并可在去除多余的金属层34时一并被去除。
需要说明的是，在本发明的其他实施例中，由于栅极结构32的栅极不是多晶硅、单晶硅、非晶硅等材质的硅栅极，例如为金属栅极，硅区域31则不包括栅极结构32的栅极表面，在后续步骤S2、S4中形成的第一相金属硅化物35和第二相金属硅化物36则不会在栅极结构32的栅极表面形成。
请参考图3B，在步骤S2中，采用低温快速退火工艺对半导体衬底30和金属层34进行第一次退火处理(RTP1)。本实施例中，在含有氢气或氮气的气氛下进行第一次退火，使得金属层34和与之相接触的源/漏区表面以及多晶硅栅极表面的硅结合形成电阻率较高的第一相金属硅化物35。本次退火工艺中引入了氢气和氮气，主要是为了消除退火环境中的微量氧气，防止金属层34中的金属被氧化，从而减少或避免形成的第一相金属硅化物35的表面缺陷，提高其表面形貌平整度和均匀性；引入的氢气中氢原子能进入到第一相金属硅化物35和硅区域31的界面处，与Si的悬挂键形成Si-H键，从而修复和减少界面处的缺陷，改善界面态(Dit)。氮气为载气，和氢气可由各自的管道通入反应炉管内，在其它实施例中，载气还可以是氦气、氩气等惰性气体。本步骤采用低温快速退火工艺，退火温度一般在700℃以下，需要根据沉积的金属来确定。当沉积的金属为Ti时，第一次退火工艺优选的退火温度为600℃～700℃，主要得到高阻的C49相-TiSi2；当沉积的金属为Co时，第一次退火工艺优选的退火温度为400℃～600℃，主要得到高阻的CoSi；当沉积的金属为Ni时，第一次退火工艺优选的退火温度为200℃～400℃，主要得到高阻的Ni2Si。
请参考图3C，在步骤S3中，通过选择性刻蚀，去除未反应的金属层，防止其中的金属在后续的第二次退火工艺中继续与硅区域31反应。
请参考3D，在步骤S4中，采用高于第一次退火工艺的温度进行第二次退火工艺，使得高阻的第一相金属硅化物35转化为低阻的第二相金属硅化物36。即本步骤采用高温快速退火工艺，退火温度一般在400℃以上，需要根据沉积的金属来确定。当沉积的金属为Ti时，第二次退火工艺优选的退火温度为800℃～900℃，主要得到低阻的C54相-TiSi2；当沉积的金属为Co时，第二次退火工艺优选的退火温度为700℃以上，主要得到低阻的CoSi2；当沉积的金属为Ni时，第二次退火工艺优选的退火温度为400℃～700℃，主要得到低阻的NiSi。优选的，第二次退火工艺也在含有氢气的气氛下进行，可以防止生成的金属硅化物被氧化，并进一步改善界面态。
本实施例中的步骤S2和步骤S4的两次退火工艺可以均采用恒温退火工艺、尖峰退火工艺、闪光退火工艺或激光退火工艺中的一种。
请继续参考图3D，在步骤S5中，可以选用强酸和强氧化剂的组合的腐蚀剂在较高的温度下(以便加快腐蚀速度)对器件表面进行第一次后清洗，以去除残留的未反应金属以及粘附层和第一相金属硅化物。具体地，第一次后清洗工艺的清洗剂可以是硫酸与过氧化氢的混合溶液(SPM)，清洗时间为30s～100分钟。优选的，可以将SPM混合溶液加热至例如120℃至200℃的高温，以提高腐蚀速率。本实施例例中，将SPM混合溶液加热到150℃，清洗时间为300s。
由于步骤S5理过的器件表面通常会受到硫酸基晶体及颗粒等污染，这些污染物可能降低器件性能，因此需要在步骤S6中进一步对器件表面进行第二次后清洗处理，以去除这些污染源，并对第二次后清洗处理后的器件表面进行干燥，以去除表面附着的空心气泡等缺陷，获得形貌平整、均匀性良好的第二相金属硅化物36。具体地，第二次后清洗工艺的清洗剂可以是氨水和过氧化氢溶液的混合液，清洗时间为30s～100分钟，并伴随超声振动，可以将器件表面残留的硫酸基晶体溶解，同时将不可溶解于水溶液的金属颗粒转化成可溶于水溶液的金属络合物，并将第二相金属硅化物36表面粘附的颗粒通过超声振动从第二相金属硅化物36表面脱离出去，本实施例中，伴随超声振动的第二次后清洗的清洗时间为300s。所述干燥工艺可采用对器件加热至100℃～200℃的方法实现，从而可去除在对所述第二次后清洗过程中器件表面残留的水汽，以去除表面附着的空心气泡等缺陷，同时防止靠近半导体衬底30边缘的第二相金属硅化物36变薄，使得在小线宽的源漏区可以形成厚度均匀的低阻的第二相金属硅化物36。
由上所述，本发明的金属硅化物的制造方法，通过对第二次退火工艺后的器件表面进行了两次不同的后清洗处理并干燥，可以完全去除最终形成的第二相金属硅化物表面的金属颗粒等实心球形缺陷以气泡等空心球形缺陷，从而使其表面形貌平整、均匀性良好，电阻低，能够满足器件制造要求。
实施例二金属硅化物上接触孔的制造方法
请参考图4，本发明还提供一种金属硅化物上接触孔的制造方法，包括：
S1，提供一表面具有暴露出的硅区域的半导体衬底，在所述半导体衬底表面上沉积金属层；
S2，对所述半导体衬底及所述金属层进行第一次退火，使得金属层中的金属与所述硅区域中的硅反应形成第一相金属硅化物；
S3，去除所述半导体衬底表面上未反应的金属层以及多余的第一相金属硅化物；
S4，采用高于所述第一次退火的温度对所述半导体衬底及剩余的第一相金属硅化物进行第二次退火，使得所述第一相金属硅化物转变为电阻率降低的第二相金属硅化物；
S5，采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗；
S6，采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗并干燥；
S7，在所述半导体衬底和第二相金属硅化物表面形成层间介质层；
S8，刻蚀所述层间介质层，以形成底部暴露出所述第二相金属硅化物表面的接触孔；
S9，在所述接触孔中填充导电金属，以形成与所述硅区域电连接的接触孔结构。
请参考图3A至3D，本实施例中的步骤S1至S6可参考实施例一的步骤S1至S6的描述，在此不再赘述。
请参考图5A，在步骤S7中，首先，在所述半导体衬底30、栅极结构32和第二相金属硅化物36表面上覆盖接触孔刻蚀停止层37，接触孔刻蚀停止层37可以在后续层间介质层刻蚀步骤中用于监控刻蚀停止点并保护下方的第二相金属硅化物36。在本实施例中接触孔刻蚀停止层37的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、正硅酸乙酯、NDC(氮碳硅化合物)、碳化硅及其组合，和/或其他合适的材料。接着，在接触孔刻蚀停止层37上沉积层间介质层38，并对其进行平坦化处理，所述层间介质层38将接触孔刻蚀停止层37完全覆盖，在本实施例中层间介质层38的材料可以是SiO2、低K介质或者其他任意不同于接触孔刻蚀停止层37的材料，如SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON、SiON、碳氟化合物CF、碳氮化硅SiCN、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG。层间介质层38与接触孔刻蚀停止层37的材质不同，有利于提高接触孔刻蚀时的刻蚀比。
请继续参考图5A，在步骤S8中，可以先在所述层间介质层38上形成氮化硅或氮化钛等硬掩膜层(未图示)，并在该硬掩膜层上涂覆一层光刻胶(未图示)，然后对光刻胶进行图形化，以用于暴露出拟形成接触孔的位置的硬掩膜层，本实施例中，拟形成接触孔的位置为源/漏区，图案化的光刻胶定义了接触孔的宽度、长度以及对准第二相金属硅化物36的位置等，由此获得了待接触孔刻蚀的半导体衬底，优选的，在所述硬掩膜层和所述图案化的光刻胶之间还依次形成有覆盖层、电介质抗反射涂层、底部抗反射涂层；覆盖层用于缩小接触孔经刻蚀后检查(AEI)的关键尺寸，可以采用物理气相沉积、原子层沉积、旋转涂布(spin-on)沉积或其它适当方法的制程所形成，可能包含硅、碳、氮、氢、金属或金属化合物，例如是含碳的氮化硅(NDC)或者氮化硅，覆盖层经刻蚀后可以形成锥形结构有助于金属的间隙填充。在覆盖层上依次形成电介质抗反射涂层(DARC)、底部抗反射涂层(BARC)、图案化的光刻胶309。其中，电介质抗反射涂层(DARC)的材料为无机材料，优选氮氧化硅，电介质抗反射涂层(DARC)的材料不用于底部抗反射涂层(BARC)的材料，底部抗反射涂层的材料为有机材料。然后，以图形化的图案化的光刻胶作为掩膜层，对硬掩膜层和层间介质层38进行垂直方向的刻蚀，以形成初始接触孔。初始接触孔的刻蚀可选用其它合适的各向异性的干法刻蚀或湿法刻蚀工艺，或者是其它合适的气体配比。当刻蚀至露出接触孔刻蚀停止层37表面时再经过一段时间过蚀刻后停止。本实施例初始接触孔的刻蚀分主刻蚀和过刻蚀两步完成。其中，主刻蚀一般不需要考虑层间介质层38(一般为氧化物)与其下方的接触孔刻蚀停止层37(一般为氮化物)的刻蚀选择比，而使用可以对层间介质层38进行高速率刻蚀的刻蚀条件。主刻蚀能够刻蚀出的初始接触孔的上部分，并且停在蚀刻停止层37上；继续对所述刻蚀停止层37进行一定量的过蚀刻直至达到金属硅化物。接着，可以采用等离子去胶工艺或氧化去胶工艺将图案化的光刻胶变成易挥发的物质而排出刻蚀设备，最终形成源/漏区上方的接触孔39，所述接触孔39由层间介质层302中的初始接触孔和去除初始接触孔底部的接触孔刻蚀停止层37后形成的开口部分。其中，对所述接触孔刻蚀停止层37进行刻蚀，可以不需要考虑接触孔刻蚀停止层37与其下方的第二相金属硅化物26的刻蚀选择比，一般采用高速率刻蚀对接触孔刻蚀停止层37进行高速率刻蚀。然后，将器件从刻蚀设备中转移到湿法清洗机台中，对器件表面进行湿法清洗(wet clean)。其中，本发明湿法清洗的目主要是去除之前接触孔刻蚀过程中产生的聚合物(主要是含C、F、O的聚合物)，以及形成接触孔的过程中在第二相金属硅化物表面自氧化而形成的氧化物层，提高后续形成的接触孔结构的导电性。
请参考图5B，在步骤S9中，先利用物理气相淀积(PVD，Physical VaporDeposition)方法在具有接触孔的器件表面淀积粘附层(例如Ti或Ta)和阻挡层(例如TiN或TaN)；其中，粘附层会增加后续沉积的阻挡层以及金属与第二相金属硅化物36表面的粘附性，阻挡层一方面可以增加后续填充的金属与接触孔内壁之间的黏附性，提高金属插塞的形成质量，另一方面也可以阻止沉积金属时所用的反应物与接触孔底部的第二相金属硅化物36发生反应，形成高阻金属硅化物，使得接触孔阻值升高，从而在接触孔底部形成良好的电接触并提高接触孔的填充效果。然后，利用溅射、脉冲激光沉积(PLD)、金属有机化学气相淀积(MOCVD)、原子层淀积(ALD)、等离子体增强原子层淀积(PEALD)或其他适合的工艺进行接触孔的高深宽比填充，以在接触孔内填充Al、Ti、TiAl、Ta、W或Cu中的一种或其组合金属，并进行化学机械平坦化处理，形成导电的接触孔结构40(即导电插塞)。
由于本发明在沉积层间介质层之前，获得了形貌平整，均匀性良好的第二相金属硅化物，其第二相金属硅化物表面没有实心或空心的球形缺陷，因此沉积层间介质层后的接触孔刻蚀时，接触孔底部不会出现刻蚀空洞或刻蚀不到位的情况，从而减少甚至避免了后续形成的接触孔结构的桥接或堵塞断路等缺陷，大大提高了产品良率。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种金属硅化物的制造方法，其特征在于，包括：
提供一表面具有暴露出的硅区域的半导体衬底，在所述半导体衬底表面上沉积金属层；
对所述半导体衬底及所述金属层进行第一次退火，使得金属层中的金属与所述硅区域中的硅反应形成第一相金属硅化物；
去除所述半导体衬底表面上未反应的金属层以及多余的第一相金属硅化物；
采用高于所述第一次退火的温度对所述半导体衬底及剩余的第一相金属硅化物进行第二次退火，使得所述第一相金属硅化物转变为电阻率降低的第二相金属硅化物；
采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗；
采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗并干燥。
2.如权利要求1所述的金属硅化物的制造方法，其特征在于，所述硅区域为单晶硅、非晶硅、多晶硅或微晶硅。
3.如权利要求1所述的金属硅化物的制造方法，其特征在于，所述硅区域包括源区、漏区、多晶硅栅极中的至少一种。
4.如权利要求1所述的金属硅化物的制造方法，其特征在于，所述金属层中的金属包括锰、钛、锆、钽、钨、钯、铂、钴、镍、钇中的至少一种。
5.如权利要求1所述的金属硅化物的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底表面上沉积金属层之前，先在所述半导体衬底表面先形成一层粘附层。
6.如权利要求5所述的金属硅化物的制造方法，其特征在于，所述粘附层包含钛层、氮化钛层、钽层及氮化钽层中的至少一层。
7.如权利要求1所述的金属硅化物的制造方法，其特征在于，所述第一清洗液为硫酸与过氧化氢混合溶液，所述第一次后清洗的时间为30秒～100分钟。
8.如权利要求7所述的金属硅化物的制造方法，其特征在于，所述第二清洗液为氨水与过氧化氢的混合溶液，所述第二次后清洗的时间为30秒～100分钟，并且伴随超声振动。
9.一种金属硅化物上接触孔的制造方法，其特征在于，包括：
提供一表面具有暴露出的硅区域的半导体衬底，并采用权利要求1至8中任一项所述的金属硅化物的制造方法，在所述硅区域表面形成第二相金属硅化物；
在所述半导体衬底和第二相金属硅化物表面形成层间介质层；
刻蚀所述层间介质层，以形成底部暴露出所述第二相金属硅化物表面的接触孔；
在所述接触孔中填充导电金属，以形成与所述第二相金属硅化物电连接的接触孔结构。
10.如权利要求9所述的金属硅化物上接触孔的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底和第二相金属硅化物表面形成层间介质层之前，先在所述半导体衬底和第二相金属硅化物表面形成接触孔刻蚀停止层。
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