CN106683981B - 一种多晶硅片制绒的清洗方法 - Google Patents
一种多晶硅片制绒的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106683981B CN106683981B CN201611251891.3A CN201611251891A CN106683981B CN 106683981 B CN106683981 B CN 106683981B CN 201611251891 A CN201611251891 A CN 201611251891A CN 106683981 B CN106683981 B CN 106683981B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- silicon wafer
- washing
- texturing
- cleaning solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 34
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 20
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 20
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 14
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 62
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000002345 respiratory system Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明揭示了一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，该方法包括以下步骤：S1:酸制绒；S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。本发明明显提高了硅片会因为碱洗过程中碱与硅片的反应，防止现有绒面被破坏的情况，从而形成反射率更低的绒面设备，从而改善了电池的电性能。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池板制造技术领域，更具体地说，涉及一种多晶硅片制绒的清洗方法。
背景技术
光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术，是当前利用太阳能的主要方式之一，光伏发电因其无枯竭危险；安全可靠，无噪声，无污染排放外，绝对干净（无公害）；不受资源分布地域的限制，可利用建筑屋面的优势；例如，无电地区，以及地形复杂地区；无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电；能源质量高等优点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此，深入研究和利用太阳能资源，对缓解全球资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。
在晶体硅类太阳电池制造工艺中，硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗，清洗的目的是要消除在硅片表面的各类污染物，并制做能够减少表面太阳光反射的绒面结构（制绒），且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。制绒是制造晶硅电池的第一道工艺，又称“表面织构化”，有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能，制备完绒面后经过水洗，碱洗，水洗，酸洗等过程来制备出需要的绒面，然而在经过碱洗的时候，碱会进一步的腐蚀硅片，由于多晶硅的晶体结构为无规则的晶向，所有反应是相同晶向则会出现亮度与其他晶向不一致，此时不能很好的掌控其反应速率，导致制备绒面的时候会出现大绒面和小绒面的情况。
因此，如何提供一种有效的清洗工艺对制绒工艺中的硅片进行有效清洗已成为目前业界亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种多晶硅片制绒的清洗方法，以便对硅片进行有效清洗，从而进一步降低反射率，提高电池的性能。
本发明的目的将通过以下技术方案得以实现：一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，该方法包括以下步骤：
S1:酸制绒；
S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；
S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；
S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第一清洗液为碱性溶剂；
S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；
S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第二清洗液为碱性溶剂；
S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；所述第三清洗液为HCL和HF的混合溶液；
S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。
优选地，S3步骤中的碱性溶剂可为KOH或NaOH，所述第一清洗液为KOH或NaOH和缓蚀剂的混合溶液。
优选地，S5步骤中的碱性溶剂可为KOH或NaOH，所述第二清洗液为KOH或NaOH和缓蚀剂的混合溶液。
优选地，所述第一清洗液为1%的KOH或1%的NaOH和0.5%的缓蚀剂。
优选地，所述第二清洗液为4%的KOH或4%的NaOH和1%的缓蚀剂。
优选地，所述第三清洗液中HCL和HF的体积比为3:1。
优选地，所述第一清洗液浸泡清洗的时间为3～5sec。
优选地，所述第二清洗液浸泡清洗的时间为6～10sec。
优选地，所述第三清洗液浸泡清洗的时间为30～60sec。
本发明技术方案的优点主要体现在：该方法在操作过程中可很好地掌控其反应速率，从而更好地利用时间调整来达到绒面控制的质量，在制备绒面的时候不会出现大绒面和小绒面的情况。本发明明显提高了硅片会因为碱洗过程中碱与硅片的反应，防止现有绒面被破坏的情况，从而形成反射率更低的绒面设备，从而改善了电池的电性能。
附图说明
图1是使用传统硅片制绒的清洗方法清洗后的硅片表面的SEM图；
图2是使用本发明硅片制绒的清洗方法清洗后的硅片表面的SEM图。
具体实施方式
本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。
硅片制绒是硅太阳能电池加工过程中非常重要的一步，制绒不但可以形成陷光性好的绒面，还可以去除硅片表面损伤层，形成利于PN结平整性好的绒面。
如图1所示，本发明提供了一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，该方法包括以下步骤：
S1:酸制绒；
硅片首先在温度为5～20度的HF和HNO3的混合溶液中浸泡60～90sec进行酸腐蚀处理，达到对硅片初步制绒的目的。
S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；
S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；
S3步骤中的碱性溶剂可为KOH或NaOH，所述第一清洗液为KOH或NaOH和缓蚀剂的混合溶液。所述第一清洗液为1%的KOH或1%的NaOH和0.5%的缓蚀剂，在本实施例中，所述第一清洗液优选为1%的KOH和0.5%的缓蚀剂，所述缓蚀剂为体积比为1%的TS45添加剂，所述第一清洗液浸泡清洗的时间为3～5sec，减少多晶硅片进一步的腐蚀，导致表面明显晶格差异的情况。
S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第一清洗液为碱性溶剂；
S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；
S4步骤中的碱性溶剂可为KOH或NaOH，所述第二清洗液为KOH或NaOH和缓蚀剂的混合溶液；所述第二清洗液为4%的KOH或4%的NaOH和1%的缓蚀剂，所述第二清洗液浸泡清洗的时间为6～10sec，在本实施例中，所述第二清洗液优选为4%的KOH和1%的缓蚀剂，所述缓蚀剂为体积比为1%的TS45添加剂，减少多晶硅片进一步的腐蚀，导致表面明显晶格差异的情况，主要进行二次处理，让其表面多孔硅去除干净；
S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第二清洗液为碱性溶剂；
S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；所述第三清洗液为HCL和HF的混合溶液，且HCL和HF的体积比为3:1，所述第三清洗液浸泡清洗的时间为30～60sec。第三次的清洗液是常规的酸槽清洗液，中和碱液和脱水作用，HCL的作用是中和残留在硅片表面的碱液，去除在硅片切割时表面引入的金属杂质，盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Fe3+、Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+等金属离子形成可溶于水的络合物。HF的作用是去除在清洗过程中表面形成SiO2层，便于脱水，硅的疏水性要好于SiO2。
S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。
HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼睛、长袖胶皮手套。一旦有化学试剂伤害了操作人员的身体，马上用纯水冲洗30分钟，并送医院就医。
关于本发明提供的硅片制绒的清洗方法的效果，SEM是检测绒面效果的重要方法，通过SEM我们可以清楚的看到绒面大小、绒面密度、绒面深度，通过SEM判断制绒效果。如图1和如图2所示，其中图1为使用传统硅片制绒的清洗方法清洗后的硅片表面的SEM（扫描电子显微镜）图，图2为使用本发明实施例提供的硅片制绒的清洗方法清洗后的硅片表面的SEM（扫描电子显微镜）图，对两种工艺出来后进行比较反射率情况，比较外观绒面对比及显微镜下观察绒面大小。比较图1与图2可知，外观观察比较晶格比正常的小，亮度比传统工艺的低；显微镜下观察绒面状况比传统的要好，图1中，硅片的绒面存在一些污染物，图2中硅片的绒面表面几乎没有污染物存在；片内、片间腐蚀均匀性好；测试反射率在16%-19%之间，传统反射率为20%-23%，该实验结果显示本发明提供的硅片制绒的清洗方法对硅片表面洁净度有明显改善。
为了进一步地验证本发明提供的硅片制绒的清洗方法的效果，发明人对传统硅片制绒的清洗方法与本发明提供的硅片制绒的清洗方法进行跟踪，进一步制备了两组太阳能电池，并测试最终成品太阳能电池的电性能，采用传统清洗工艺制成的太阳能电池电性能的测试结果如表1所示，采用本发明清洗工艺制成的太阳能电池电性能的测试结果如表2所示：
表1 实施例1~13的性能表
| 实施例 | Uoc | Isc | Rs | Rsh | FF | NCell | Irev2 |
| 1 | 0.6334 | 8.96 | 0.00252 | 163.9 | 78.86 | 18.38% | 0.229 |
| 2 | 0.6342 | 9.00 | 0.00243 | 157.3 | 78.45 | 18.39% | 0.260 |
| 3 | 0.6347 | 8.94 | 0.00241 | 130.2 | 78.16 | 18.22% | 2.253 |
| 4 | 0.6342 | 9.03 | 0.00257 | 133.2 | 78.42 | 18.46% | 0.436 |
| 5 | 0.6282 | 8.95 | 0.00217 | 175.2 | 78.69 | 18.17% | 0.178 |
| 6 | 0.6340 | 8.99 | 0.00221 | 147.8 | 79.24 | 18.55% | 0.125 |
| 7 | 0.6264 | 8.87 | 0.00266 | 154.5 | 78.29 | 17.87% | 0.208 |
| 8 | 0.6301 | 8.92 | 0.00244 | 154.9 | 78.78 | 18.19% | 0.251 |
| 9 | 0.6331 | 8.96 | 0.00242 | 158.7 | 78.77 | 18.37% | 0.165 |
| 10 | 0.6310 | 8.91 | 0.00208 | 141.5 | 79.17 | 18.29% | 0.300 |
| 11 | 0.6291 | 8.97 | 0.00238 | 121.6 | 78.07 | 18.10% | 0.177 |
| 12 | 0.6334 | 8.98 | 0.00240 | 182.8 | 78.67 | 18.38% | 0.155 |
| 13 | 0.6345 | 8.95 | 0.00246 | 197.0 | 78.64 | 18.35% | 0.109 |
| 平均值 | 0.6320 | 8.95 | 0.00240 | 155.3 | 78.63 | 18.29% | 0.373 |
表2实施例1~13的性能表
| 实施例 | Uoc | Isc | Rs | Rsh | FF | NCell | Irev2 |
| 1 | 0.6350 | 9.06 | 0.00231 | 169.1 | 78.73 | 18.61% | 0.160 |
| 2 | 0.6342 | 9.03 | 0.00258 | 142.1 | 78.14 | 18.38% | 0.288 |
| 3 | 0.6334 | 9.05 | 0.00211 | 150.0 | 78.58 | 18.51% | 0.199 |
| 4 | 0.6334 | 9.00 | 0.00269 | 158.5 | 78.16 | 18.30% | 0.166 |
| 5 | 0.6310 | 8.96 | 0.00321 | 149.8 | 77.68 | 18.05% | 0.246 |
| 6 | 0.6328 | 8.95 | 0.00305 | 171.8 | 78.24 | 18.22% | 0.176 |
| 7 | 0.6331 | 8.97 | 0.00239 | 73.5 | 78.88 | 18.40% | 0.268 |
| 8 | 0.6348 | 9.05 | 0.00288 | 128.5 | 78.38 | 18.50% | 0.289 |
| 9 | 0.6341 | 9.02 | 0.00278 | 134.6 | 78.46 | 18.43% | 0.254 |
| 10 | 0.6345 | 9.02 | 0.00265 | 131.0 | 78.33 | 18.43% | 0.266 |
| 11 | 0.6341 | 9.02 | 0.00254 | 127.9 | 78.57 | 18.46% | 0.310 |
| 12 | 0.6347 | 9.03 | 0.00259 | 127.8 | 78.58 | 18.50% | 0.418 |
| 13 | 0.6341 | 9.05 | 0.00237 | 146.7 | 78.84 | 18.58% | 0.183 |
| 平均值 | 0.6338 | 9.02 | 0.00263 | 139.3 | 78.43 | 18.41% | 0.248 |
从表1和表2可以直观地看出，相对于采用传统清洗方法制成的太阳能电池，采用本发明提供的清洗方法制成的太阳能电池性能在各方面均有了很大程度地提升，图2中的这些电性能参数为Uoc 开路电压 、Isc 短路电流、Eff电池效率 、Irev漏电流、Rs串联电阻、Rsh并联电阻、FF填充因子、NCell 转换效率，表1和表2只是个对比数据，表2是本方案的实验结果，这些是表征电池片出来后的参数，对比表1和表2可以看出，可通过这些参数进行表征电池片的性能好坏，采用本发明提供的清洗方法制得的太阳能电池的各个参数都有一定程度的提升、提高和变化。
本发明的第一个关键是对传统工艺中的碱浓度进行了梯度分解，两步碱洗的过程，第二个关键是使用第二次碱洗后降低其反应速率，从而更好地利用时间调整来达到绒面控制的质量，根据现场可进行调整。
与现有技术相比，本发明明显提高了硅片会因为碱洗过程中碱与硅片的反应，防止现有绒面被破坏的情况，从而形成反射率更低的绒面设备，从而改善了电池的性能。
本发明尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，其特征在于：该方法包括以下步骤：
S1：酸制绒；
S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；
S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗，时间为3～5sec；
S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第一清洗液为碱性溶剂；
S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗，时间为6～10sec；
S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第二清洗液为碱性溶剂；
S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗，时间为30～60sec；所述第三清洗液为HCL和HF的混合溶液；
S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅片制绒的清洗方法，其特征在于：S3步骤中所述第一清洗液为碱性溶剂和缓蚀剂的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的一种多晶硅片制绒的清洗方法，其特征在于：所述第一清洗液为1%的碱性溶剂和0.5%的缓蚀剂的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅片制绒的清洗方法，其特征在于：S5步骤中所述第二清洗液为碱性溶剂和缓蚀剂的混合溶液。
5.根据权利要求4所述的一种多晶硅片制绒的清洗方法，其特征在于：所述第二清洗液为4%的碱性溶剂和1%的缓蚀剂的混合溶液。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅片制绒的清洗方法，其特征在于：所述第三清洗液中HCL和HF的体积比为3:1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611251891.3A CN106683981B (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种多晶硅片制绒的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611251891.3A CN106683981B (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种多晶硅片制绒的清洗方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106683981A CN106683981A (zh) | 2017-05-17 |
| CN106683981B true CN106683981B (zh) | 2023-09-01 |
Family
ID=58872233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611251891.3A Active CN106683981B (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种多晶硅片制绒的清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106683981B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108231956B (zh) * | 2018-01-09 | 2020-07-07 | 江苏荣马新能源有限公司 | 一种黑硅电池片的清洗槽工艺 |
| CN111211049B (zh) * | 2018-11-21 | 2022-10-21 | 浙江海晫新能源科技有限公司 | 一种硅片碱腐蚀工艺及其应用 |
| CN110676350B (zh) * | 2019-10-10 | 2021-02-26 | 英利能源（中国）有限公司 | 判断黑硅制绒工艺稳定性的方法及太阳能电池的制作方法 |
| CN110752273B (zh) * | 2019-10-30 | 2022-07-01 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103151423A (zh) * | 2013-02-28 | 2013-06-12 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种多晶硅片制绒清洗工艺方法 |
| CN103400901A (zh) * | 2013-08-12 | 2013-11-20 | 江苏宇兆能源科技有限公司 | 一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺 |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201611251891.3A patent/CN106683981B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103151423A (zh) * | 2013-02-28 | 2013-06-12 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种多晶硅片制绒清洗工艺方法 |
| CN103400901A (zh) * | 2013-08-12 | 2013-11-20 | 江苏宇兆能源科技有限公司 | 一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106683981A (zh) | 2017-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106683981B (zh) | 一种多晶硅片制绒的清洗方法 | |
| CN101935884B (zh) | 一种制备绒面多晶硅片的方法 | |
| AU2017204336A1 (en) | A method for producing a textured structure of a crystalline silicon solar cell | |
| CN111508824B (zh) | 一种制绒清洗方法及异质结电池 | |
| CN103464415A (zh) | 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法 | |
| CN103480598B (zh) | 一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备 | |
| CN112542531B (zh) | 一种硅片预处理及异质结电池制备方法 | |
| CN106449878A (zh) | 一种黑硅制备方法、制绒机及采用该制备方法制成的黑硅 | |
| CN103441182A (zh) | 太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池 | |
| CN112687764A (zh) | 一种单晶电池的制绒方法及由其制备的单晶电池 | |
| CN110943144A (zh) | 一种异质结电池的制绒清洗方法 | |
| US20130252427A1 (en) | Method for cleaning textured silicon wafers | |
| CN104088018A (zh) | 一种单晶硅片制绒的清洗方法及单晶制绒设备 | |
| CN103606595A (zh) | 烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法 | |
| CN111403561A (zh) | 一种硅片制绒方法 | |
| CN114361272A (zh) | 一种太阳能电池片制绒后酸洗添加剂及使用方法 | |
| CN103806108A (zh) | 一种改进型晶硅电池片的清洗工艺 | |
| CN109148262B (zh) | 一种太阳能多晶黑硅片的清洗方法 | |
| CN107482081B (zh) | 太阳能电池片及其制备方法和太阳能电池 | |
| CN112143573B (zh) | 硅片碱抛后清洗用添加剂及其应用 | |
| CN115207154A (zh) | 一种异质结太阳能电池制绒清洗方法 | |
| WO2014208353A1 (ja) | 太陽光発電装置用基板の製造方法および太陽光発電装置用基板の製造装置 | |
| CN111040766A (zh) | 多晶硅片制绒液、黑硅材料的制备方法及其在加速PERC电池LeTID恢复中的应用 | |
| CN111139076B (zh) | 一种化学腐蚀液在硅片表面制绒中的应用 | |
| CN110484971A (zh) | 一种太阳电池硅片表面臭氧处理工艺及处理设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |