CN106654008B - 一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器 - Google Patents
一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106654008B CN106654008B CN201611120850.0A CN201611120850A CN106654008B CN 106654008 B CN106654008 B CN 106654008B CN 201611120850 A CN201611120850 A CN 201611120850A CN 106654008 B CN106654008 B CN 106654008B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistance
- memory
- thickness
- film
- flexible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 229910002353 SrRuO3 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 38
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 18
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8836—Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Thermally Actuated Switches (AREA)
Abstract
本发明公开了一种柔性耐高温BaTi1‑xCoxO3阻变存储器，其结构为：衬底上设置底电极，底电极上设置BaTi1‑xCoxO3阻变功能层，x为0.05至0.3，功能层上设置顶电极，所述衬底为柔性云母。本发明的柔性耐高温阻变存储器具有优异的阻变性质，且柔性弯折性好，弯曲半径为1mm时，至少抗106次弯曲，阻变性质无明显变化；耐高温性优异，在500℃退火后仍能保持良好的阻变性能，在柔性存储器及柔性电子器件领域中有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于非易失性阻变存储器领域，具体涉及一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器。
背景技术
近年来，人们对存储器件小型化微型化的要求越来越高，动态随机存储器和闪存面临着技术上的限制，因而阻变存储器作为下一代的非易失性存储器引起了广泛的关注。阻变存储器具有结构简单、工作速度快、操作电压低、存储密度高等优点，是未来最有潜力的的非挥发性存储器之一。
研究人员已对基于硬质衬底的阻变存储器进行了广泛的研究，如南京大学ZhiboYan等人文献：High-performance programmable memory devices based on Co-dopedBaTiO3，Advanced Materials,2011,23(11):1351-1355，报道了以掺钴的钛酸钡为阻变材料，在Pt/Ti/SiO2/Si硬质衬底上的阻变存储器，该存储器具备优异的阻变性能，但由于此类基于硬质衬底的存储器不可弯折、易碎且衬底材料本身体积比较大，因此难以应用在可穿戴设备及柔性显示器件上。因而，有越来越多的研究人员投身于柔性阻变存储器的研究，如韩国先进科技研究院Seungjun Kim等人文献：Flexible memristive memory array onplastic substrates，Nano letters,2011,11(12):5438-5442，报道了在聚酰亚胺塑料衬底上，基于氧化钛的柔性阻变存储器阵列。采用了柔性的塑料薄膜衬底使得该存储器柔性可弯曲，但其耐高温性和阻变性能还比不上基于硬质衬底的纯无机阻变存储器，且塑料本身的抗氧化性差和易损坏的特点进一步限制了此类柔性阻变存储器在柔性器件上的应用。
因此，既要具备柔性耐弯折的特点，又要兼顾基于硬质衬底的无机阻变存储器的耐高温和阻变性能好的特性，是发展柔性阻变存储器急需解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种柔性耐高温 BaTi1- xCoxO3阻变存储器，该存储器不仅柔性耐弯折，还具备耐高温和高低阻态保持性能好的特点。
本发明的技术方案如下：
一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，以柔性云母为衬底，衬底上设置底电极，底电极上设置BaTi1-xCoxO3阻变功能层，x为0.05至0.3，功能层上设置顶电极。
优选的，柔性云母为0.5μm至10μm厚的云母。
优选的，所述底电极和顶电极底分别为SrRuO3薄膜和Au薄膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，采用柔性耐高温云母作为衬底，柔性耐弯折，最小弯曲半径为1mm，在电阻开关循环测试为107、108和109次、弯曲次数为104、105和106(弯曲半径为1mm)次以及500℃退火后都能保持良好的阻变性，克服了有机衬底柔性阻变存储器不耐高温且阻变性能差以及无机硬性衬底阻变存储器不可弯折的问题，有望在柔性电子领域得到实际的应用。
附图说明
图1为本发明的所述阻变存储器弯曲前后的结构示意图；其中，(a)为弯曲前， (b)为弯曲后。
图2为实施例1至18的高低阻态电阻比例图。
图3为实施例1至18在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布图。
图4为实施例1至18在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布图。
图例说明：1、顶电极；2、功能层；3、底电极；4、云母衬底。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步的说明。
以下实施例均是采用脉冲激光沉积法制备，如图1，本发明所述的阻变存储器，包括云母衬底4、底电极3、功能层2和顶电极1，其制备条件为：沉积温度分别为 680℃、680℃和室温，沉积气氛分别为1Pa O2、0.5Pa O2和本底真空小于10-4Pa。
本发明所述的阻变存储器，由于采用柔性的云母片为衬底，其最小弯曲半径为1mm。对其进行阻变性能测试，高阻态电阻与低阻态电阻的比例为50倍至100倍，在109次高电阻和低电阻相互转换之后，此比例仍在50倍至100倍。在弯曲半径为 1mm，弯曲次数为106次后，该存储器仍具备优异阻变性能。经过500℃退火2小时之后，高低阻态电阻比例在50倍至100倍，该存储器能够正常工作。
实施例1
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度0.5μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.95Co0.05O3薄膜，顶电极1为厚度100nm的Au薄膜。该存储器的高低阻态电阻比例如2所示。该存储器在 107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例2
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度0.5μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.95Co0.05O3薄膜，顶电极1为厚度100nm的Au薄膜。在500℃退火2小时后下对其进行阻变性能测试。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例3
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度0.5μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.85Co0.15O3薄膜，顶电极1为厚度100nm的Au薄膜。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例4
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度0.5μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.85Co0.15O3薄膜，顶电极1为厚度100nm的Au薄膜。在500℃退火2小时后下对其进行阻变性能测试。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例5
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度0.5μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.7Co0.3O3薄膜，顶电极 1为厚度100nm的Au薄膜。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在 107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例6
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度0.5μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.7Co0.3O3薄膜，顶电极 1为厚度100nm的Au薄膜。在500℃退火2小时后下对其进行阻变性能测试。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例7
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度5μm的云母衬底4，底电极3为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.95Co0.05O3薄膜，顶电极 1为厚度100nm的Au薄膜。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在 107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例8
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度5μm的云母衬底4，底电极3为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.95Co0.05O3薄膜，顶电极 1为厚度100nm的Au薄膜。在500℃退火2小时后下对其进行阻变性能测试。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例9
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度5μm的云母衬底4，底电极3为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.85Co0.15O3薄膜，顶电极 1为厚度100nm的Au薄膜。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在 107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例10
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度5μm的云母衬底4，底电极3为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.85Co0.15O3薄膜，顶电极 1为厚度100nm的Au薄膜。在500℃退火2小时后下对其进行阻变性能测试。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例11
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度5μm的云母衬底4，底电极3为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.7Co0.3O3薄膜，顶电极1 为厚度100nm的Au薄膜。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、 108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例12
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度5μm的云母衬底4，底电极3为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.7Co0.3O3薄膜，顶电极1 为厚度100nm的Au薄膜。在500℃退火2小时后下对其进行阻变性能测试。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和 106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例13
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度10μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.95Co0.05O3薄膜，顶电极1为厚度100nm的Au薄膜。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例14
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度10μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.95Co0.05O3薄膜，顶电极1为厚度100nm的Au薄膜。在500℃退火2小时后下对其进行阻变性能测试。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例15
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度10μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.85Co0.15O3薄膜，顶电极1为厚度100nm的Au薄膜。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例16
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度10μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.85Co0.15O3薄膜，顶电极1为厚度100nm的Au薄膜。在500℃退火2小时后下对其进行阻变性能测试。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例17
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度10μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.7Co0.3O3薄膜，顶电极 1为厚度100nm的Au薄膜。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在 107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
实施例18
一种本发明的柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，其结构为底电极3、功能层 2和顶电极1组成的叠层结构。优选的，衬底为厚度10μm的云母衬底4，底电极3 为厚度70nm的SrRuO3薄膜，功能层2为厚度300nm的BaTi0.7Co0.3O3薄膜，顶电极 1为厚度100nm的Au薄膜。在500℃退火2小时后下对其进行阻变性能测试。该存储器的高低阻态电阻比例如图2所示。该存储器在107、108和109次电阻开关循环测试后的高低阻态电阻分布如图3所示。该存储器在弯曲半径为1mm，弯曲104、105和106次后高低阻态电阻分布如图4所示。
综上1至18的实施例所述，由图2知本发明的存储器的高阻态电阻与低阻态电阻的比例为50倍至100倍。由图3知本发明的存储器在109次高电阻和低电阻相互转换之后，高低阻态电阻没有明显变化。由图4知本发明的存储器在弯曲半径为1mm 时，最小抗弯曲次数为106。由图2、3和4中退火前和退火后的实施例的比较知，经过500℃退火2小时之后，高低阻态电阻比例在50倍至100倍，该存储器仍然能够正常工作。综上，本发明的存储器具备柔性耐弯折、耐高温和阻变性能优异的特点，有望在柔性存储器和柔性电子器件领域得到实际应用。表1为实施例1至18参数选择表。
表1
Claims (1)
1.一种阻变存储器，其特征在于，衬底上设置底电极，底电极上设置BaTi1-xCoxO3阻变功能层，x为0.05至0.3，功能层上设置顶电极，所述衬底为柔性云母，该存储器的最小弯曲半径为1mm，最小抗弯曲次数为106次，其中，柔性云母的厚度为0.5μm至10μm；底电极为SrRuO3薄膜；顶电极为Au薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611120850.0A CN106654008B (zh) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | 一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611120850.0A CN106654008B (zh) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | 一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106654008A CN106654008A (zh) | 2017-05-10 |
| CN106654008B true CN106654008B (zh) | 2019-04-16 |
Family
ID=58820057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611120850.0A Active CN106654008B (zh) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | 一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106654008B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110455317A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-11-15 | 华南师范大学 | 一种耐高温柔性传感器及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101577311A (zh) * | 2009-06-09 | 2009-11-11 | 中国科学院微电子研究所 | 一次编程存储器及其制造方法 |
| CN102074270A (zh) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 中国科学院微电子研究所 | 一次编程存储器的多值存储方法 |
| CN105185898A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-12-23 | 北方工业大学 | 一种柔性透明功能器件及其制备方法 |
-
2016
- 2016-12-08 CN CN201611120850.0A patent/CN106654008B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101577311A (zh) * | 2009-06-09 | 2009-11-11 | 中国科学院微电子研究所 | 一次编程存储器及其制造方法 |
| CN102074270A (zh) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 中国科学院微电子研究所 | 一次编程存储器的多值存储方法 |
| CN105185898A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-12-23 | 北方工业大学 | 一种柔性透明功能器件及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ferromagnetism and exchange bias in a diluted magnetic ferroelectric oxide;Luo L.B.,et al;《PHYSICAL REVIEW B》;20090323;第79卷;全文 |
| High-Performance Programmable Memory Devices Based on Co-Doped BaTiO<sub>3</sub>;Yan Zhibo,et al;《Adv. Mater.》;20110215;第23卷;第1351页右栏第1段至第1352段左栏及图1 |
| Temperature-dependent tunneling electroresistance in Pt/BaTiO<sub>3</sub>/SrRuO<sub>3</sub> ferroelectric;Zheng Wen,et al;《Applied Physics Letters》;20130927;第103卷;全文 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106654008A (zh) | 2017-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chang et al. | Improvement of resistive switching characteristics in TiO2 thin films with embedded Pt nanocrystals | |
| Kim et al. | Resistive switching memory integrated with nanogenerator for self‐powered bioimplantable devices | |
| CN105789434B (zh) | 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法 | |
| Sharma et al. | Unipolar resistive switching behavior of amorphous YCrO3 films for nonvolatile memory applications | |
| CN101621114A (zh) | 一类氧化物多层梯度薄膜及其构建的rram元器件 | |
| Xu et al. | Bipolar and unipolar resistive switching modes in Pt/Zn0. 99Zr0. 01O/Pt structure for multi-bit resistance random access memory | |
| CN103490009A (zh) | 一种基于氧化石墨烯的柔性阻变存储器及其制备方法 | |
| Kim et al. | Piezoelectric and dielectric properties of Lead-Free (1-x)(Bi0. 5K0. 5) TiO3-x BiFeO3 ceramics | |
| Katiyar et al. | Unipolar resistive switching in planar Pt/BiFeO3/Pt structure | |
| CN106654008B (zh) | 一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器 | |
| Misra et al. | Studies on resistive switching times in NiO thin films grown by pulsed laser deposition | |
| Dinh et al. | Enhanced low-field strain in Bi-based lead-free ferroelectric-relaxor composites | |
| CN103682095B (zh) | 一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法 | |
| TW201207942A (en) | Method for producing amorphous oxide thin-film and method for producing filed-effect transistor | |
| Ahn et al. | Resistive switching characteristics and conducting nanobits of polycrystalline NiO thin films | |
| CN103474572A (zh) | 一种基于柔性衬底的具有crs行为的阻变存储器及其制备方法 | |
| CN105226182B (zh) | 一种单双极共存双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法 | |
| CN110416404A (zh) | 一种超快阻变存储器及其阻态控制方法 | |
| Xu et al. | Conversion from memory to threshold resistance switching behavior by modulating compliance current | |
| Zhou et al. | Study of the resistive switching characteristics and mechanisms of Pt/CeOx/TiN structure for RRAM applications | |
| Choi et al. | Controllable resistance switching behavior of NiO/SiO2 double layers for nonvolatile memory applications | |
| CN106299111B (zh) | 一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法 | |
| Lee et al. | The ferroelectric properties of (Na0. 5K0. 5) NbO3 thin films fabricated by rf-magnetron sputtering | |
| Zhang et al. | Conducting lanthanum nickel oxide as electrodes for lead zirconate titanate films | |
| CN106449973B (zh) | 一种柔性阻变存储器及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |