CN106643831A - 一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置和方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 84
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001006 Constantan Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Human Computer Interaction (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置和方法，测量装置包括光源、透明导电层、光敏电阻层、电阻层、电源、电压表。当光照射到透明导电层上时，光通过透明导电层到达光敏电阻层，被光照射到的光敏电阻层阻值急剧减小，使得光照处透明导电层与电阻层导通，透明导电层光照点处所对应电压即为电阻层相应光照点处所对应电压。此时通过测量透明导电层及电阻层上光照点位置到其各自导电条之间的电压值，计算出平面内光照点位置的X坐标与Y坐标，最终得到光照点的位置。当光照点移动，测得的电压值发生变化，可换算出相应的位置变化。该方法和装置具有结构和原理简单、成本低廉的优点，可被用于监测、精密测量及自动化控制等领域。
Description
【技术领域】
本发明涉及测量装置技术领域，特别是涉及一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置和方法。
【背景技术】
二维平面内位置的测量被广泛应用于控制、探测、测绘、机械生产自动化、图像显示以及研发等各个领域，如对目标对象进行位置的确定、跟踪目标对象的移动等。本发明提出一种精确测量二维平面内位置与位置变化的装置和方法，对控制、图像显示、机械生产自动化等众多领域有着重要意义。
目前的二维平面内位置测量由触摸传感器，变换电路等来实现。主要被应用于笔记本电脑、移动电子设备等领域，用来对对象的位置和位置的变化进行测量。但此类装置和方法结构较复杂，测量范围小，测量距离有限，且成本较高，分辨率较低，所采用的方法和原理较复杂，容易出故障，对应用产生不便。
【发明内容】
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构简单，成本低廉的测量位置与位置变化的装置及方法，该装置能够精确测量位置与位置的变化。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置，包括光源、透明导电层、光敏电阻层、电阻层、第一电源、第二电源和电压表；所述的透明导电层、光敏电阻层和电阻层依次层叠设置；所述的透明导电层和电阻层的两端分别镀有导电条作为正负电极引出端，且透明导电层的两导电条和电阻层的两导电条位置相互垂直；所述的第一电源的两个接线端分别连接透明导电层的两导电条；所述的第二电源的两个接线端分别连接电阻层的两导电条；所述电压表的两端分别连接透明导电层的一个导电条和电阻层的一个导电条；所述的光源与透明导电层相对设置。
所述的光源发出的光为激光、聚焦的可见光、聚焦的紫外光或红外光等各种光源。
所述的透明导电层由既透明又导电的材料制成，如ITO、AZO等；透明导电层的厚度为0～0.5mm。
所述的光敏电阻层由化合物半导体或元素半导体这类光电材料制成，化合物半导体如CdS、CdSe、PbS、PbSe、InSb等，元素半导体如Si或Ge等；光敏电阻层的厚度为0～0.1mm。
所述的电阻层由电阻材料制成，如镍铬合金或康铜等；电阻层的厚度为0～1mm。
所述的电源为直流电源或交流电源。
所述的透明导电层、光敏电阻层和电阻层均为二维面状结构。
所述的透明导电层和电阻层两端的导电条为均匀导电材料。
一种基于精确测量二维面内位置与位置变化的装置的测量方法，其步骤如下：
计算光点X坐标：
步骤1：打开第一电源，为透明导电层提供恒定的电压；
步骤2：打开光源，使光源发射的光照向透明导电层；
步骤3：通过电压表测出透明导电层上的光照点位置到其导电条之间的电压值；
步骤4：通过测得的电压值计算出透明导电层上的光照点位置到其边缘导电条的距离，进而得到该光照点在二维面内位置的x分量。如电压表测得透明导电层上的光照点位置到其导电条之间的电压为Ux，施加在透明导电层两端的电压为Ux0，透明导电层的总长度为Lx0，则根据Ux/Ux0＝x/Lx0，得到透明导电层上的光照点位置到其边沿导电条的距离x，进而得到光照点位置的x分量；
计算光点Y坐标：
步骤5：断开透明导电层上的第一电源，打开第二电源为电阻层提供恒定的电压；
步骤6：通过电压表测出电阻层上的光照点位置到其导电条之间的电压值；
步骤7：通过测得的电压值计算出电阻层上的光照点位置到其边缘导电条的距离，进而得到光照点在二维面内位置的y分量。如通过电压表测得电阻层上的光照点位置到其导电条之间的电压为Uy，施加在电阻层两端的电压为Uy0，透明导电层的总宽度为Ly0，则根据Uy/Uy0＝y/Ly0，得到电阻层上的光照点位置到其边沿导电条的距离y，进一步得到了光照点位置的y分量；
步骤8：通过步骤1-7，得到光照点在平面内位置的x分量与y分量，即得到光照点的位置。
步骤9：当光照点移动，电压表测得的电压值发生变化，根据变化前后电压表的数值，换算出相应的光照位置变化情况。
进一步，步骤3具体包括：
步骤101.照射到透明导电层上的光透过透明导电层照射到光敏电阻层；
步骤102.被光照射到的光敏电阻层的阻值急剧减小，使得光照处透明导电层与电阻层之间导通，透明导电层光照点处所对应电压即为电阻层相应光照点处所对应电压，此时电压表测得的电压即为透明导电层上的光照点位置到其导电条之间的电压。
同理，对于步骤6，电压表测得的电压为电阻层上的光照点位置到其导电条之间的电压。
相对于现有技术，本发明具有以下优点：
本发明的测量装置包括光源、透明导电层、光敏电阻层、电阻层、电源和电压表。光照在该装置后，透过透明导电层照射到光敏电阻层，光敏电阻层阻值急剧减小，使得光照处透明导电层与电阻层之间导通，透明导电层光照点处所对应电压即为电阻层相应光照点处所对应电压，此时通过测得透明导电层及电阻层上的光照点位置到其各自导电条之间的电压，进而计算出平面内光点位置的X坐标及Y坐标，从而得到光照点的位置。当光照点移动，电压表测得的电压值发生变化，根据变化前后的数值，可换算出相应的光照位置变化情况。该方法和装置具有结构和原理简单、成本低廉的优点，可被用于监测、精密测量及自动化控制等领域。
本发明的测试方法为通过测量透明导电层及电阻层上的光照点位置到其各自导电条之间的电压值，计算出二维平面内光照点位置的X坐标与Y坐标，最终得到光照点的位置。当光照点移动，测得的电压值发生变化，可换算出相应的位置变化。该测量装置的结构简单，易于维护，降低了测量位置及位置变化的成本，测量精度较高。
【附图说明】
图1为本发明的结构示意图；
图中：1为光源；2为透明导电层；3为光敏电阻层；4为电阻层；5为第一电源；6为第二电源；7为电压表。
【具体实施方式】
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细阐述，但本发明不限于该实施例。为了使公众对本发明有彻底的了解，在以下本发明优选实施例中详细说明具体的细节。
如图1所示为本发明的一种二维平面内位置与位置变化精确测量的装置，包括光源1、透明导电层2、光敏电阻层3、电阻层4、第一电源5、第二电源6以及电压表7。所述光敏电阻层3位于电阻层4之上，透明导电层2位于光敏电阻层3之上，即光敏电阻层3位于透明导电层2与电阻层4之间。所述的透明导电层2和电阻层4的两端分别镀有导电条作为正负电极引出端，且透明导电层2和电阻层4的导电条位置相互垂直；所述第一电源5的两个接线端分别连接透明导电层2的两导电条；所述第二电源6的两个接线端分别连接电阻层4的两导电条。所述电压表7的两端分别连接透明导电层2的一个导电条和电阻层4的一个导电条；光源1发出的光照射到透明导电层2上的一点。
所述光源1发出的光可为激光，聚焦的可见光，聚焦的紫外光或红外光等各种光源；透明导电层2由既透明又导电的材料制成，如ITO、AZO等；透明导电层2的厚度为纳米级到微米级。光敏电阻层3由化合物半导体或元素半导体这类光电材料制成，化合物半导体如CdS、CdSe、PbS、PbSe、InSb等，元素半导体如Si或Ge等；光敏电阻层3的厚度为纳米级到微米级。电阻层4由电阻材料制成，如镍铬合金或康铜等；电阻层4的厚度为纳米级到毫米级。
透明导电层2、光敏电阻层3和电阻层4均为二维面状结构。
透明导电层2、光敏电阻层3、电阻层4等可以通过真空蒸镀、磁控溅射、旋涂、等离子镀膜、化学气相沉积等各类镀膜方式实现。
所述的透明导电层2和电阻层4两端的导电条为均匀导电材料。
一种基于所述的二维面内位置与位置变化测量装置的测量方法，其步骤如下：
步骤1：打开第一电源5，为透明导电层2提供恒定的电压；
步骤2：打开光源1，使光源1发射的光照向透明导电层2；
步骤3：通过电压表7测出透明导电层2上的光照点位置到其导电条之间的电压值，具体包括：
步骤101.照射到透明导电层2上的光透过透明导电层2照射到光敏电阻层3；
步骤102.被光照射到的光敏电阻层3的阻值急剧减小，使得光照处透明导电层2与电阻层4之间导通，透明导电层2光照点处所对应电压即为电阻层4相应光照点处所对应电压，此时，电压表7测得的电压即为透明导电层2上的光照点位置到其导电条之间的电压。
步骤4：通过测得的电压值计算出透明导电层2上的光照点位置到其边缘导电条的距离，进而得到该光照点在二维面内位置的x分量。如电压表7测得透明导电层2上的光照点位置到其导电条之间的电压为Ux，施加在透明导电层2两端的电压为Ux0，透明导电层2的总长度为Lx0，则根据Ux/Ux0＝x/Lx0，得到透明导电层2上的光照点位置到其边沿导电条的距离x，进而得到光照点位置的x分量；
按照以上方法，计算光点Y坐标：
步骤5：关闭第一电源5，打开第二电源6，为电阻层4提供恒定的电压；
步骤6：通过电压表7测出电阻层4上的光照点位置到其导电条之间的电压值，原理同步骤3；
步骤7：通过测得的电压值计算出电阻层4上的光照点位置到其边缘导电条的距离，进而得到光照点在二维面内位置的y分量。如通过电压表7测得电阻层4上的光照点位置到其导电条之间的电压为Uy，施加在电阻层4两端的电压为Uy0，透明导电层2的总宽度为Ly0，则根据Uy/Uy0＝y/Ly0，得到电阻层4上的光照点位置到其边沿的距离y，进一步得到了光照点位置的y分量；
步骤8：通过步骤1-7，得到光照点在二维面内位置的x分量与y分量，即得到光照点的位置。
步骤9：当光照点移动，电压表7测得的电压值发生变化，根据变化前后电压表7的数值，换算出相应的光照位置变化情况。
本发明由光源1、透明导电层2、光敏电阻层3、电阻层4、第一电源5、第二电源6及电压表7所组成。测量原理是：光源1射出的光照射到透明导电层2，由于透明导电层2具有透光性，从光源1射出的光会透过透明导电层2到达光敏电阻层3，光敏电阻层3由半导体光敏电阻材料构成，受到光照电阻急剧减小，使得光照处透明导电层2与电阻层4导通，落在电阻层4上的光照点对应位置的电压通过导通位置反映在透明导电层2上，此时电压表7分别测得透明导电层2及电阻层4上的光照点位置到其各自导电条之间的电压。根据测量电压及提供的总电压，进而计算出平面内光点位置的X坐标及Y坐标，从而得到光照点的位置。当光照点移动，测量的电压值发生变化，可换算出相应的光照位置变化数值。本发明具有结构和原理简单、成本低廉、精确度高等优点，可被应用于监测、精密测量及自动化控制等领域。
以上所述仅为本发明的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置，其特征在于，包括光源(1)、透明导电层(2)、光敏电阻层(3)、电阻层(4)、第一电源(5)、第二电源(6)和电压表(7)；所述的透明导电层(2)、光敏电阻层(3)和电阻层(4)依次层叠设置；所述的透明导电层(2)和电阻层(4)的两端分别镀有导电条作为正负电极引出端，且透明导电层(2)的两条导电条和电阻层(4)的两条导电条位置相互垂直；所述的第一电源(5)的两个接线端分别连接透明导电层(2)的两导电条；所述的第二电源(6)的两个接线端分别连接电阻层(4)的两导电条；所述电压表(7)的两端分别连接透明导电层(2)的一个导电条和电阻层(4)的一个导电条；所述的光源(1)与透明导电层(2)相对设置。
2.根据权利要求1所述的一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置，其特征在于，所述的透明导电层(2)、光敏电阻层(3)和电阻层(4)均为二维面状结构。
3.根据权利要求1所述的一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置，其特征在于，所述的光源(1)发出的光为激光、聚焦的可见光、聚焦的紫外光或红外光。
4.根据权利要求1所述的一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置，其特征在于，所述的透明导电层(2)由透明且导电的材料制成。
5.根据权利要求1所述的一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置，其特征在于，所述的光敏电阻层(3)由化合物半导体或元素半导体类光敏电阻材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置，其特征在于，所述的电阻层(4)由电阻材料制成。
7.根据权利要求1所述的一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置，其特征在于，所述的第一电源(5)与第二电源(6)均为直流电源或交流电源。
8.根据权利要求1所述的一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置，其特征在于，所述的透明导电层(2)和电阻层(4)两端的导电条为均匀导电材料。
9.一种基于权利要求1-8中任意一项所述的精确测量二维面内位置与位置变化的装置的测量方法，其特征在于，步骤如下：
计算光点X坐标：
步骤1：打开第一电源(5)，为透明导电层(2)提供恒定的电压；
步骤2：打开光源(1)，使光源(1)发射的光照向透明导电层(2)；
步骤3：通过电压表(7)测出透明导电层(2)上的光照点位置到其导电条之间的电压值；
步骤4：通过测得的电压值计算出透明导电层(2)上的光照点位置到其边缘导电条的距离，进而得到该光照点在二维面内位置的x分量；如电压表(7)测得透明导电层(2)上的光照点位置到其导电条之间的电压为Ux，施加在透明导电层(2)两端的电压为Ux0，透明导电层(2)的总长度为Lx0，则根据Ux/Ux0＝x/Lx0，得到透明导电层(2)上的光照点位置到其边缘导电条的距离x，进而得到光照点位置的x分量；
计算光点Y坐标：
步骤5：关闭第一电源(5)，打开第二电源(6)，为电阻层(4)提供恒定的电压；
步骤6：通过电压表(7)测出电阻层(4)上的光照点位置到其导电条之间的电压值；
步骤7：通过测得的电压值计算出电阻层(4)上的光照点位置到其边缘导电条的距离，进而得到光照点在二维面内位置的y分量；如通过电压表(7)测得电阻层(4)上的光照点位置到其导电条之间的电压为Uy，施加在电阻层(4)两端的电压为Uy0，透明导电层(2)的总宽度为Ly0，则根据Uy/Uy0＝y/Ly0，得到电阻层(4)上的光照点位置到其边沿导电条的距离y，进一步得到了光照点位置的y分量；
步骤8：通过步骤1-7，得到光照点在平面内位置的x分量与y分量，即得到光照点的位置；
步骤9：当光照点移动，电压表(7)测得的电压值发生变化，根据变化前后电压表(7)的数值，换算出相应的光照位置变化情况。
10.根据权利要求9所述的基于精确测量二维面内位置与位置变化的装置的测量方法，其特征在于，步骤3具体包括：
步骤101.照射到透明导电层(2)上的光透过透明导电层(2)照射到光敏电阻层(3)；
步骤102.被光照射到的光敏电阻层(3)的阻值急剧减小，使得光照处透明导电层(2)与电阻层(4)之间导通，透明导电层(2)光照点处所对应电压即为电阻层(4)相应的光照点处所对应电压，此时，电压表(7)测得的电压即为透明导电层(2)上的光照点位置到其导电条之间的电压；
同理，对于步骤6，电压表(7)测得的电压为电阻层(4)上的光照点位置到其导电条之间的电压。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611230330.5A CN106643831B (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611230330.5A CN106643831B (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置和方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106643831A true CN106643831A (zh) | 2017-05-10 |
| CN106643831B CN106643831B (zh) | 2019-05-17 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611230330.5A Active CN106643831B (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置和方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106643831B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109426388A (zh) * | 2017-09-01 | 2019-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及其控制方法 |
| CN106643831B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-05-17 | 陕西科技大学 | 一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置和方法 |
| CN112720577A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 中研(山东)测控技术有限公司 | 一种工业机器人高精度检测装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101587412A (zh) * | 2008-05-20 | 2009-11-25 | 富士通电子零件有限公司 | 坐标检测装置及方法 |
| CN101770314A (zh) * | 2009-01-01 | 2010-07-07 | 张海云 | 红外一字激光多点触摸屏装置及触摸定位方法 |
| CN101989151A (zh) * | 2009-07-31 | 2011-03-23 | 智点科技（深圳）有限公司 | 一种光触控屏 |
| CN102289314A (zh) * | 2011-06-07 | 2011-12-21 | 天津富纳源创科技有限公司 | 触摸屏触摸点的检测方法 |
| CN102759327A (zh) * | 2012-06-30 | 2012-10-31 | 东南大学 | 一种用于检测二维光点位置的传感器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106643831B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-05-17 | 陕西科技大学 | 一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置和方法 |
-
2016
- 2016-12-27 CN CN201611230330.5A patent/CN106643831B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101587412A (zh) * | 2008-05-20 | 2009-11-25 | 富士通电子零件有限公司 | 坐标检测装置及方法 |
| CN101770314A (zh) * | 2009-01-01 | 2010-07-07 | 张海云 | 红外一字激光多点触摸屏装置及触摸定位方法 |
| CN101989151A (zh) * | 2009-07-31 | 2011-03-23 | 智点科技（深圳）有限公司 | 一种光触控屏 |
| CN102289314A (zh) * | 2011-06-07 | 2011-12-21 | 天津富纳源创科技有限公司 | 触摸屏触摸点的检测方法 |
| CN102759327A (zh) * | 2012-06-30 | 2012-10-31 | 东南大学 | 一种用于检测二维光点位置的传感器 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106643831B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-05-17 | 陕西科技大学 | 一种精确测量二维面内位置与位置变化的装置和方法 |
| CN109426388A (zh) * | 2017-09-01 | 2019-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及其控制方法 |
| CN109426388B (zh) * | 2017-09-01 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及其控制方法 |
| US11093084B2 (en) | 2017-09-01 | 2021-08-17 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display apparatus, method of controlling a display apparatus, and method of fabricating display substrate |
| CN112720577A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 中研(山东)测控技术有限公司 | 一种工业机器人高精度检测装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106643831B (zh) | 2019-05-17 |
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