CN106601174B - 移位寄存器、驱动方法、goa电路和显示装置 - Google Patents

移位寄存器、驱动方法、goa电路和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种移位寄存器、驱动方法、GOA电路(制作在阵列基板上的栅极驱动电路)和显示装置。所述移位寄存器包括移位寄存器本体；栅极驱动信号输出端；直流测试信号写入端；以及，直流灌入测试控制单元，用于在直流灌入测试阶段控制直流测试信号写入端与栅极驱动信号输出端连接，并控制由直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到移位寄存器本体。本发明可以实现在直流灌入测试阶段能够进行Gate(栅极)直流信号的可调节输入。

Description

移位寄存器、驱动方法、GOA电路和显示装置
技术领域
本发明涉及直流灌入测试技术领域，尤其涉及一种移位寄存器、驱动方法、GOA(Gtae On Array，制作在阵列基板上的栅极驱动电路)电路和显示装置。
背景技术
GOA电路(Gate On Array，制作在阵列基板上的栅极驱动电路)作为降低成本、制备窄边框产品而广泛应用。但是，由于没有Bonding(绑定)区，在相关不良分析时无法进行可调节的Gate(栅极)直流灌入分析(GOA电路包括的各级移位寄存器只可以进行高电平灌入，无法调节)，极大限制了Panel(显示面板)段不良分析进程。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种移位寄存器、驱动方法、GOA电路和显示装置，解决现有的GOA电路在相关不良分析时无法进行可调节的Gate(栅极)直流灌入分析的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种移位寄存器，具有直流灌入测试功能，所述移位寄存器包括：
移位寄存器本体；
栅极驱动信号输出端；
直流测试信号写入端；以及，
直流灌入测试控制单元，分别与所述移位寄存器本体的输出端、所述栅极驱动信号输出端和所述直流测试信号写入端连接，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，并控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体。
实施时，所述直流灌入测试控制单元还用于在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端，并控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接。
实施时，本发明所述的移位寄存器还包括：直流灌入测试控制端；
所述直流灌入测试控制单元包括：
第一控制模块，分别与所述栅极驱动信号输出端、所述直流测试信号写入端和所述直流灌入测试控制端连接，用于在所述直流灌入测试控制端的控制下，在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，在栅极驱动信号输出阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接；以及，
第二控制模块，分别与所述移位寄存器本体的输出端和所述栅极驱动信号输出端连接，用于在直流灌入测试阶段控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端。
实施时，本发明所述的移位寄存器还包括：工作控制端；
所述第二控制模块还与所述工作控制端连接，具体用于在所述工作控制端的控制下，在直流灌入测试阶段控制所述移位寄存器本体的输出端和所述栅极驱动信号输出端不连接，以使得所述直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端和所述栅极驱动信号输出端连接，以使得所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端。
实施时，所述第一控制模块包括：第一控制晶体管，栅极与所述直流灌入测试控制端连接，第一极与所述直流测试信号写入端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接；
所述第二控制模块包括：第二控制晶体管，栅极与所述工作控制端连接，第一极与所述移位寄存器本体的输出端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接。
实施时，所述第一控制模块包括：第一控制晶体管，栅极与所述直流灌入测试控制端连接，第一极与所述直流测试信号写入端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接；
所述第二控制模块包括：控制二极管，阳极与所述移位寄存器本体的输出端连接，阴极与所述栅极驱动信号输出端连接。
本发明还提供了一种移位寄存器的驱动方法，应用于上述的移位寄存器，所述驱动方法包括：
在直流灌入测试阶段，直流灌入测试控制单元控制直流测试信号写入端与栅极驱动信号输出端连接，并控制由直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到移位寄存器本体。
实施时，本发明所述的移位寄存器的驱动方法还包括：在栅极驱动信号输出阶段，所述直流灌入测试控制单元控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端，并控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接。
本发明还提供了一种GOA电路，包括多个级联的上述的移位寄存器。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述的GOA电路。
与现有技术相比，本发明所述的移位寄存器、驱动方法、GOA电路和显示装置增加了直流灌入测试控制单元，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，并控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，以实现在直流灌入测试阶段能够进行Gate(栅极)直流信号的可调节输入，能够对于移位寄存器本体进行相关不良确认、Panel(显示面板)段不良分析及确认和现象观察有帮助，避免在Decap(破坏性试验)后引入不确定性。
附图说明
图1是本发明实施例所述的移位寄存器的结构图；
图2是本发明另一实施例所述的移位寄存器的结构图；
图3是本发明又一实施例所述的移位寄存器的结构图；
图4是本发明再一实施例所述的移位寄存器的电路图；
图5是本发明另一实施例所述的移位寄存器的电路图；
图6是本发明又一实施例所述的移位寄存器的电路图；
图7是本发明所述的GOA电路的一具体实施例的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例所述的移位寄存器，具有直流灌入测试功能，包括：
移位寄存器本体10；
栅极驱动信号输出端Gate-out；
直流测试信号写入端C；以及，
直流灌入测试控制单元11，分别与所述移位寄存器本体10的输出端、所述栅极驱动信号输出端Gate-out和所述直流测试信号写入端C连接，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端C与所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接，并控制由所述直流测试信号写入端C写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体10。
在实际操作时，所述移位寄存器本体10即为现有的不能进行直流灌入测试控制的移位寄存器，所述移位寄存器本体10可以采用12T1C结构(如下面的图6所示)，但是在实际操作时，所述移位寄存器本体的结构并不限于12T1C结构，也可以采用4T1C结构、16T1C结构等。
本发明实施例所述的移位寄存器与现有技术相比增加了直流灌入测试控制单元，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，并控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，以实现在直流灌入测试阶段能够进行Gate(栅极)直流信号的可调节输入(例如，Gate向的直流灌入分析测试电压可以为-8V-30V)，能够对于移位寄存器本体进行相关不良确认、Panel(显示面板)段不良分析及确认和现象观察有帮助，避免在Decap(破坏性试验)后引入不确定性。
在实际操作时，所述栅极驱动信号输出端Gata-out输出的栅极驱动信号通过相应的栅线输出至显示面板上的显示区域中的相应行薄膜晶体管的栅极。
具体的，所述直流灌入测试控制单元还用于在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端，并控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接。在实际操作时，所述直流灌入测试控制单元还在栅极驱动信号输出阶段控制移位寄存器本体能够正常输出栅极驱动信号至栅极驱动信号输出端，使得在能够进行直流灌入测试的同时不会影响正常显示。
具体的，如图2所示，本发明实施例所述的移位寄存器还包括：直流灌入测试控制端B；
所述直流灌入测试控制单元11包括：
第一控制模块111，分别与所述栅极驱动信号输出端Gate-out、所述直流测试信号写入端C和所述直流灌入测试控制端B连接，用于在所述直流灌入测试控制端B的控制下，在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端C与所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接，在栅极驱动信号输出阶段控制所述直流测试信号写入端C与所述栅极驱动信号输出端Gate-out不连接；以及，
第二控制模块112，分别与所述移位寄存器本体10的输出端OUT和所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接，用于在直流灌入测试阶段控制由所述直流测试信号写入端C写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体10，在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体10的输出端OUT输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端Gate-out。
在具体实施时，如图3所示，本发明实施例所述的移位寄存器还可以包括工作控制端A；
所述第二控制模块112还与所述工作控制端A连接，具体用于在所述工作控制端A的控制下，在直流灌入测试阶段控制所述移位寄存器本体10的输出端OUT和所述栅极驱动信号输出端Gate-out不连接，以使得所述直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体10，在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体10的输出端OUT和所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接，以使得所述移位寄存器本体10的输出端OUT输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端Gate-out。
根据一种具体实施方式，所述第一控制模块可以包括：第一控制晶体管，栅极与所述直流灌入测试控制端连接，第一极与所述直流测试信号写入端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接；
所述第二控制模块包括：第二控制晶体管，栅极与所述工作控制端连接，第一极与所述移位寄存器本体的输出端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接。
如图4所示，所述第一控制模块111包括：第一控制晶体管T1，栅极与所述直流灌入测试控制端B连接，源极与所述直流测试信号写入端C连接，漏极与所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接；
所述第二控制模块112包括：第二控制晶体管T2，栅极与所述工作控制端A连接，源极与所述移位寄存器本体10的输出端OUT连接，漏极与所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接。
在如图4所示的实施例中，T1和T2都为n型晶体管，在实际操作时，T1和T2也可以为p型晶体管，仅需相应更改其栅极接入的信号的时序即可。
本发明如图4所示的实施例通过对移位寄存器本体进行扩展，实现了Gate向可调节直流输入，本发明如图4所示的实施例在所述移位寄存器本体10的输出端OUT和所述栅极驱动信号输出端Gate-out之间增加了3条信号线：工作控制端A、直流灌入测试控制端B，以及直流测试信号写入端C，还增加了两个晶体管(第一控制晶体管T1和第二控制晶体管T2)。工作控制端A控制T2开启或关断，T2的源极与移位寄存器本体10的输出端OUT连接，T2的漏极与栅极驱动信号输出端Gate-out连接，T2主要起开关作用；直流灌入测试控制端B控制T1开启或关断，T1的源极与直流测试信号写入端C连接，T1的漏极与所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接。当移位寄存器本体10正常工作时，工作控制端A输出高电平信号，直流灌入测试控制端B输出低电平信号，直流测试信号写入端C不写入信号，这样，T2开启，保证移位寄存器本体10的输出端OUT输出的栅极驱动信号正常通过Gate-out输出，T1截止，避免栅极驱动信号灌入扩展单元，影响Gate正常打开；Gate向进行直流灌入测试时，移位寄存器本体10不输出栅极驱动信号，工作控制端A输出低电平信号，直流灌入测试控制端B输出高电平信号，由直流测试信号写入端C写入需要的可调节的直流测试电压信号，即可实现可调节输入的直流灌入测试；这样，T2始终截止，防止直流测试电压信号耦合到移位寄存器本体10，导致显示异常，T1始终导通，使由直流测试信号写入端C写入的直流测试电压信号通过T1写入显示区域中的像素单元中的薄膜晶体管的栅极；以此，能够实现简单快速的直流信号灌入，对于相关不良分析是十分有利的。
根据另一种具体实施方式，所述第一控制模块包括：第一控制晶体管，栅极与所述直流灌入测试控制端连接，第一极与所述直流测试信号写入端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接；
所述第二控制模块包括：控制二极管，阳极与所述移位寄存器本体的输出端连接，阴极与所述栅极驱动信号输出端连接。
如图5所示，所述第一控制模块111包括：第一控制晶体管T1，栅极与所述直流灌入测试控制端B连接，源极与所述直流测试信号写入端C连接，漏极与所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接；
所述第二控制模块112包括：控制二极管D1，阳极与所述移位寄存器本体10的输出端连接，阴极与所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接。
在如图5所示的实施例中，T1为n型晶体管，在实际操作时，T1也可以为p型晶体管，仅需相应更改其栅极接入的信号的时序即可。
本发明如图5所示的实施例通过对移位寄存器本体进行扩展，实现了Gate向可调节直流输入，本发明如图5所示的实施例在所述移位寄存器本体10的输出端OUT和所述栅极驱动信号输出端Gate-out之间增加了2条信号线：直流灌入测试控制端B和直流测试信号写入端C，还增加了一个晶体管(第一控制晶体管T1)和一个二极管(控制二极管D1)。所述移位寄存器本体10正常工作(即正常输出栅极驱动信号)时，直流灌入测试控制端B输出低电平信号，使T1保持截止状态，直流测试信号写入端C不加信号，移位寄存器本体10输出的栅极驱动信号通过控制二极管D1写入Gate-out；在直流测试电压信号写入时，移位寄存器本体10不工作，直流灌入测试控制端B输出高电平信号，使T1保持开启，由直流测试信号写入端C写入需要的可调节的直流测试电压信号，通过T1写入Gate-out，即可实现可调节输入的直流灌入测试；同时，利用控制二极管D1的正向开启而反向截止的特性，防止直流测试电压信号耦合进移位寄存器本体10。
在具体实施时，如图6所示，所述移位寄存器本体可以采用12T1C结构，在实际操作时，所述移位寄存器本体的结构并不限于如图6所示的结构，也可以采用4T1C结构、16T1C结构等。在图6中，Input为输入端，CLK为第一时钟信号输入端，CLKB为第二时钟信号输入端，PU为上拉节点，PD为下拉节点，PD_CN为下拉控制节点，VSS为低电平输出端，Reset为复位端，M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、C依次标示第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、存储电容。
本发明实施例所述的移位寄存器的驱动方法，应用于上述的移位寄存器，所述驱动方法包括：
在直流灌入测试阶段，直流灌入测试控制单元控制直流测试信号写入端与栅极驱动信号输出端连接，并控制由直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到移位寄存器本体。
具体的，本发明实施例所述的移位寄存器的驱动方法还包括：在栅极驱动信号输出阶段，所述直流灌入测试控制单元控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端，并控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接。
本发明实施例所述的GOA电路包括多个级联的上述的移位寄存器。
如图7所示，在本发明所述的GOA电路的一具体实施例中，第n-1级移位寄存器包括第n-1级移位寄存器本体Sn-1、第n-1直流灌入测试控制单元Cn-1和第n-1栅极驱动信号输出端Gaten-1；
第n级移位寄存器包括第n级移位寄存器本体Sn、第n直流灌入测试控制单元Cn和第n栅极驱动信号输出端Gaten；
第n+1级移位寄存器包括第n+1级移位寄存器本体Sn+1、第n+1直流灌入测试控制单元Cn+1和第n+1栅极驱动信号输出端Gaten+1；
第n-1级移位寄存器、所述第n级移位寄存器和第n+1级移位寄存器共用工作控制端A、直流灌入测试控制端B和直流测试信号写入端C；
所述第n-1直流灌入测试控制单元Cn-1包括：
第一控制晶体管T1，栅极与所述直流灌入测试控制端B连接，源极与所述直流测试信号写入端C连接，漏极与所述第n-1栅极驱动信号输出端Gaten-1连接；以及，
第二控制晶体管T2，栅极与所述工作控制端A连接，源极与所述第n-1级移位寄存器本体Sn-1的输出端连接，漏极与所述第n-1栅极驱动信号输出端Gaten-1连接；
所述第n直流灌入测试控制单元Cn包括：
第三控制晶体管T3，栅极与所述直流灌入测试控制端B连接，源极与所述直流测试信号写入端C连接，漏极与所述第n栅极驱动信号输出端Gaten连接；以及，
第四控制晶体管T4，栅极与所述工作控制端A连接，源极与所述第n级移位寄存器本体Sn的输出端连接，漏极与所述第n栅极驱动信号输出端Gaten连接；
所述第n+1直流灌入测试控制单元Cn+1包括：
第五控制晶体管T5，栅极与所述直流灌入测试控制端B连接，源极与所述直流测试信号写入端C连接，漏极与所述第n+1栅极驱动信号输出端Gaten+1连接；以及，
第六控制晶体管T6，栅极与所述工作控制端A连接，源极与所述第n+1级移位寄存器本体Sn+1的输出端连接，漏极与所述第n+1栅极驱动信号输出端Gaten+1连接；
T1、T2、T3、T4、T5和T6都为n型晶体管，n为大于1的正整数。本发明实施例所述的显示装置包括上述的GOA电路。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种移位寄存器，具有直流灌入测试功能，其特征在于，所述移位寄存器包括：
移位寄存器本体；
栅极驱动信号输出端；
直流测试信号写入端；以及，
直流灌入测试控制单元，分别与所述移位寄存器本体的输出端、所述栅极驱动信号输出端和所述直流测试信号写入端连接，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，并控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体；
所述移位寄存器还包括直流灌入测试控制端；所述直流灌入测试控制单元包括第一控制模块和第二控制模块；
所述第一控制模块包括：第一控制晶体管，栅极与所述直流灌入测试控制端连接，第一极与所述直流测试信号写入端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接；
所述第二控制模块包括：控制二极管，阳极与所述移位寄存器本体的输出端连接，阴极与所述栅极驱动信号输出端连接。
2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述直流灌入测试控制单元还用于在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端，并控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接。
3.如权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，
所述第一控制模块分别与所述栅极驱动信号输出端、所述直流测试信号写入端和所述直流灌入测试控制端连接，用于在所述直流灌入测试控制端的控制下，在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，在栅极驱动信号输出阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接；以及，
所述第二控制模块分别与所述移位寄存器本体的输出端和所述栅极驱动信号输出端连接，用于在直流灌入测试阶段控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端。
4.一种移位寄存器的驱动方法，应用于如权利要求1至3中任一权利要求所述的移位寄存器，其特征在于，所述驱动方法包括：
在直流灌入测试阶段，直流灌入测试控制单元控制直流测试信号写入端与栅极驱动信号输出端连接，并控制由直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到移位寄存器本体。
5.如权利要求4所述的移位寄存器的驱动方法，其特征在于，还包括：在栅极驱动信号输出阶段，所述直流灌入测试控制单元控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端，并控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接。
6.一种GOA电路，其特征在于，包括多个级联的如权利要求 1至3中任一权利要求所述的移位寄存器。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的GOA电路。
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