CN106590439A - 一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓晶片进行抛光的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓进行抛光的方法，本发明的抛光液对锑化镓材料抛光去除速率高，抛光后晶片表面光洁平坦，并且无崩边掉渣，且本发明的抛光工艺方法简单，人为控制因素较少，可用率大大提高，有利于降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及光电探测技术领域，尤其涉及一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓进行抛光的方法。
背景技术
GaSb是继GaAs和InP之后又一种非常重要的III-V族半导体衬底材料，它可以用于制作许多非常有用的窄带光电器件，如长波发光二极管、激光器、探测器，用它制作的激光器波长可以在1.7～4.3μm范围内改变，以GaSb单晶为衬底研制的GaAs/GaSb层太阳能电池转换效率可达35％；因此，GaSb在红外研究、光纤通讯、空间技术、红外聚焦平面阵列(IRfocal plane arreys)等领域引起人们的广泛关注。
尽管碲镉汞晶体MCT是公认且长期使用的红外波段衬底材料。它可以通过调节组分和温度使其覆盖波长为1～25μm的整个红外区域。但是，GaSb单晶的晶格常数与大多数的含三种元素和含四种元素的III-V化合物匹配，可以组成第二类(倒转型)超晶格(SLs)，电子和空穴分别限制在不同的材料里，使器件不受隧道暗电流的限制。SLs可以选取不同的组分或者材料来调整能带结构，这是MCT材料无法具备的性质，特别是对于窄带隙材料。SLs有更高的电子有效质量和更大的重-轻空穴带的间隙，可以有效地抑制俄歇复合，进而增大材料的载流子寿命，因此有比MCT材料更高的工作温度。由于以上特点，GaSb材料越来越受到MWIR/LWIR机制器件的青睐。
由GaSb/InAs组成的超晶格型红外探测器，在投入使用前，考虑到产品可靠性和量子效率两方面，需将其衬底部分即GaSb材料大量减薄。一般GaSb衬底材料的去除技术是将GaSb衬底和多层薄膜材料整体粘附在玻璃基板上，衬底材料向上，先后采用机械研磨或车削、机械抛光和化学腐蚀的方法去除。但由于锑化镓材料是一种软脆材料，常规的研磨方法很容易崩边掉渣使衬底表面划伤，形成较深的损伤；而普通的抛光过程很容易使锑化镓衬底材料厚度不均匀。作为衬底材料，表面状态直接影响着器件的关键性能。因此急需一种可获得平坦光洁低损伤GaSb晶片表面的减薄方法。
发明内容
鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓进行抛光的方法，用完全或者至少部分地解决上述问题。
为解决上述问题，本发明主要是通过以下技术方案实现的：
本发明一方面提供了一种抛光液，该抛光液包括质量分数为10％～15％的SiO2磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，其中SiO2磨料的粒径为0.04～0.1微米；或者，质量分数为10％～15％的SiO2磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数1％～4％的乳酸，其中SiO2磨料的粒径为0.04～0.2微米；或者，质量分数为5％～10％的Al2O3磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，其中Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米；或者，质量分数为5％～10％的Al2O3磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为1％～4％的乳酸，其中Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米。
进一步地，SiO2和Al2O3磨料的机械化学抛光底液的pH值为5～7或者7～9。
本发明另一方面还提供了一种应用上述任意一种所述的抛光液对锑化镓晶片进行抛光的方法，该方法包括：
通过所述抛光液对抛光机上的锑化镓晶片进行抛光，抛光转速为40～50rpm，抛光压力为100～120g/cm2，所述抛光液滴速为10～15ml/min，锑化镓的抛光去除速率为2～5微米/min。
所述抛光液的温度为20～30℃。
进一步地，该方法还包括：
将抛光后的锑化镓晶片通过无水乙醇进行清洗，并用氮气吹干。
本发明有益效果如下：
本发明的抛光液对锑化镓材料抛光去除速率高，抛光后晶片表面光洁平坦，并且无崩边掉渣，且本发明的抛光工艺方法简单，人为控制因素较少，可用率大大提高，有利于降低成本。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本发明实施例的一种对锑化镓晶片进行抛光的方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。为了清楚和简化目的，当其可能使本发明的主题模糊不清时，将省略本文所描述的器件中已知功能和结构的详细具体说明。
本发明提供了一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓晶片进行抛光的方法，本发明的抛光液对锑化镓材料抛光去除速率高，抛光后晶片表面光洁平坦，并且无崩边掉渣，且本发明的抛光工艺方法简单，人为控制因素较少，可用率大大提高，有利于降低成本。以下结合附图以及几个实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不限定本发明。
本发明实施例提供了一种抛光液，该抛光液包括：质量分数为10％～15％的SiO2磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，其中SiO2磨料的粒径为0.04～0.1微米；或者，质量分数为10％～15％的SiO2磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数1％～4％的乳酸，其中SiO2磨料的粒径为0.04～0.2微米；或者，质量分数为5％～10％的Al2O3磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，其中Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米；或者，质量分数为5％～10％的Al2O3磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为1％～4％的乳酸，其中Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米。
本发明的抛光液对锑化镓材料抛光去除速率高，抛光后晶片表面光洁平坦，并且无崩边掉渣本发明实施例的SiO2和Al2O3磨料的机械化学抛光底液的pH值为5～7或者7～9。也就是说，本发明的磨料由含有此种成分的市售机械化学抛光底液提供，机械化学抛光底液为弱酸碱型即可。
具体来说，本发明中抛光液采用含有SiO2磨料或Al2O3磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主要原料，底料的pH值范围为5～7或者7～9，加入对锑化镓氧化能力较小的双氧水为氧化剂，添加冰醋酸或者乳酸作为缓冲剂，并通过添加去离子水来调整整个抛光液的成分。
各配方中各组分用量为：
(1)以含有SiO2磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主要原料，加入双氧水作为氧化剂，添加少量的冰醋酸，该混合抛光液含有质量分数为10％～15％的SiO2和体积分数为5％～10％的双氧水和体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，并且SiO2磨料的粒径为0.04～0.1微米；
(2)以含有SiO2磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主要原料，加入双氧水作为氧化剂，添加少量的乳酸，该混合抛光液含有质量分数为10％～15％的SiO2和体积分数为5％～10％的双氧水和体积分数1％～4％的乳酸，并且SiO2磨料的粒径为0.04～0.2微米；
(3)以含有Al2O3磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主要原料，加入双氧水作为氧化剂，添加少量的冰醋酸，该混合抛光液含有质量分数为5％～10％的Al2O3和体积分数为5％～10％的双氧水和体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，并且Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米；
(4)以含有Al2O3磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主要原料，加入双氧水作为氧化剂，添加少量的乳酸，该混合抛光液含有质量分数为5％～10％的Al2O3和体积分数为5％～10％的双氧水和体积分数为1％～4％的乳酸，并且Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米；
上述混合抛光液在通用抛光机上工作时，抛光转速为40～50rpm，抛光压力为100～120g/cm2，抛光液滴速为10～15ml/min。
需要说明的是，本发明实施例所采用的是通用12寸底盘抛光机，当然本领域的技术人员也可以采用将底盘圆周与转速的乘机可作为标准值，作为其他尺寸底盘调节转速的依据。
本发明的抛光液的配方经过试验表明，抛光液的温度为20～30℃，锑化镓的抛光去除速率为2～5微米/min。
如果SiO2质量分数低于10％或者Al2O3质量分数低于5％，抛光去除速率低于0.5微米/min，并且锑化镓晶片表面的平整度很快变差，如果SiO2质量分数高于15％或者Al2O3质量分数高于10％，晶片表面易出现划道；如果SiO2磨料的粒径高于0.2微米或者Al2O3磨料的粒径高于0.5微米，锑化镓晶片表面会出现划道；如果双氧水的体积分数低于5％，晶片表面易出现划道，如果双氧水的体积分数高于10％，会造成过程控制难度加大和费用增加；如果冰醋酸体积分数低于0.5％或者乳酸体积分数低于1％，表面易出现桔皮，如果冰醋酸体积分数高于1.5％或者乳酸体积分数高于4％，锑化镓晶片表面偶尔会出现划道。
如果混合抛光液用在通用抛光机时，抛光转速低于40rpm，或者抛光压力低于100g/cm2，抛光去除速率较低，很难保证较好的表面平整度和较低的表面粗糙度，抛光转速高于50rpm，或者抛光压力高于120g/cm2，去除速率太快，会造成过程控制难度加大；如果抛光液滴速低于10ml/min，抛光去除速率会降低，表面平整度会变差，抛光液滴速高于15ml/min，去除速率都会明显降低，表面易出现桔皮。
本发明的有益效果是，抛光液对锑化镓材料抛光去除速率高，抛光后晶片表面光洁平坦，并且无崩边掉渣，并且本发明的抛光的工艺方法简单，人为控制因素较少，可用率大大提高，有利于降低成本。
本发明实施例还提供了一种抛光方法，该方法包括：通过所述抛光液对抛光机上的锑化镓晶片进行抛光，抛光转速为40～50rpm，抛光压力为100～120g/cm2，所述抛光液滴速为10～15ml/min，锑化镓的抛光去除速率为2～5微米/min。
需要说明的是，本发明实施例所述抛光液的温度为20～30℃。
具体实施时，本发明所述的方法还包括：将抛光后的锑化镓晶片通过无水乙醇进行清洗，并用氮气吹干。
图1为本发明实施例的一种对锑化镓晶片进行抛光的方法的流程示意图，如图1所示，本发明对锑化镓晶片进行抛光的方法包括：
S101、通过抛光液对抛光机上的锑化镓晶片进行抛光；
S102、将抛光后的锑化镓晶片通过无水乙醇进行清洗；
S103、用氮气将清洗后的锑化镓晶片吹干。
下面将通过几个具体的例子对本发明所述的方法进行详细的解释和说明：
本发明使用的锑化镓材料为液封直拉法(LEC)工艺方法获得，所使用的锑化镓衬底材料片晶向为<100>晶向。抛光前锑化镓晶片厚度为400～500微米。
例1：一种以含有SiO2磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主，添加双氧水作为氧化剂，添加少量的冰醋酸的配方，将经过前期处理后的锑化镓衬底厚度为454微米，放入到通用抛光机上，抛光转速为40rpm，抛光压力为100g/cm2，加入22℃、12％SiO2磨料+7％双氧水+0.7％冰醋酸的混合抛光液中，抛光液滴速为12ml/min，抛光时间为30mins，然后用无水乙醇清洗，氮气吹干。抛光后锑化镓衬底去除94微米，锑化镓表面光洁平坦。
例2：一种以含有SiO2磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主，添加双氧水作为氧化剂，添加少量的乳酸的配方，将经过前期处理后的锑化镓衬底厚度为480微米，放入到通用抛光机上，抛光转速为40rpm，抛光压力为110g/cm2，加入26℃、13％SiO2磨料+8％双氧水+3％乳酸的混合抛光液中，抛光液滴速为15ml/min，抛光时间为20mins，然后用无水乙醇清洗，氮气吹干。抛光后锑化镓衬底去除83微米，锑化镓表面光洁平坦。
例3：一种以含有SiO2磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主，添加双氧水作为氧化剂，添加少量的乳酸的配方，将经过前期处理后的锑化镓衬底厚度为425微米，放入到通用抛光机上，抛光转速为50rpm，抛光压力为120g/cm2，加入25℃、14％SiO2磨料+10％双氧水+4％乳酸的混合抛光液中，抛光液滴速为15ml/min，抛光时间为20mins，然后用无水乙醇清洗，氮气吹干。抛光后锑化镓衬底去除95微米，锑化镓表面光洁平坦。
例4：一种以含有Al2O3磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主，添加双氧水作为氧化剂，添加少量的冰醋酸的配方，将经过前期处理后的锑化镓衬底厚度为412微米，放入到通用抛光机上，抛光转速为40rpm，抛光压力为100g/cm2，加入24℃、7％Al2O3磨料+7％双氧水+1％冰醋酸的混合抛光液中，抛光液滴速为12ml/min，抛光时间为30mins，然后用无水乙醇清洗，氮气吹干。抛光后锑化镓衬底去除117微米，锑化镓表面光洁平坦。
例5：一种以含有Al2O3磨料的悬浮弱酸碱性的底液为主，添加双氧水作为氧化剂，添加少量的乳的配方，将经过前期处理后的锑化镓衬底厚度为466微米，放入到通用抛光机上，抛光转速为50rpm，抛光压力为120g/cm2，加入25℃、8％Al2O3磨料+9％双氧水+3％乳酸的混合抛光液中，抛光液滴速为12ml/min，抛光时间为30mins，然后用无水乙醇清洗，氮气吹干。抛光后锑化镓衬底去除137微米，锑化镓表面光洁平坦。
本发明的抛光液对锑化镓材料抛光去除速率高，抛光后晶片表面光洁平坦，并且无崩边掉渣，且本发明的抛光工艺方法简单，人为控制因素较少，可用率大大提高，有利于降低成本。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (5)
1.一种抛光液，其特征在于，该抛光液包括：
质量分数为10％～15％的SiO2磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，其中SiO2磨料的粒径为0.04～0.1微米；
或者，质量分数为10％～15％的SiO2磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数1％～4％的乳酸，其中SiO2磨料的粒径为0.04～0.2微米；
或者，质量分数为5％～10％的Al2O3磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，其中Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米；
或者，质量分数为5％～10％的Al2O3磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为1％～4％的乳酸，其中Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米。
2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，
SiO2和Al2O3磨料的机械化学抛光底液的pH值为5～7或者7～9。
3.一种应用权利要求1或2所述的抛光液对锑化镓晶片进行抛光的方法，其特征在于，包括：
通过所述抛光液对抛光机上的锑化镓晶片进行抛光，抛光转速为40～50rpm，抛光压力为100～120g/cm2，所述抛光液滴速为10～15ml/min，锑化镓的抛光去除速率为2～5微米/min。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述抛光液的温度为20～30℃。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
将抛光后的锑化镓晶片通过无水乙醇进行清洗，并用氮气吹干。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1243856A (zh) * | 1998-08-04 | 2000-02-09 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体制程用的化学机械研磨组合物 |
| CN1246725A (zh) * | 1998-08-31 | 2000-03-08 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体制程用的化学机械研磨组合物 |
| US6083840A (en) * | 1998-11-25 | 2000-07-04 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Slurry compositions and method for the chemical-mechanical polishing of copper and copper alloys |
| CN1312843A (zh) * | 1998-06-26 | 2001-09-12 | 卡伯特微电子公司 | 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料 |
| CN101747843A (zh) * | 2008-12-19 | 2010-06-23 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| US20120017825A1 (en) * | 2002-12-27 | 2012-01-26 | General Electric Company | Method associated with a crystalline composition and wafer |
| CN105209563A (zh) * | 2013-05-15 | 2015-12-30 | 巴斯夫欧洲公司 | 化学机械抛光(cmp)组合物在抛光含有至少一种iii-v 族材料的基材或层中的用途 |
-
2016
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1312843A (zh) * | 1998-06-26 | 2001-09-12 | 卡伯特微电子公司 | 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料 |
| CN1243856A (zh) * | 1998-08-04 | 2000-02-09 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体制程用的化学机械研磨组合物 |
| CN1246725A (zh) * | 1998-08-31 | 2000-03-08 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体制程用的化学机械研磨组合物 |
| US6083840A (en) * | 1998-11-25 | 2000-07-04 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Slurry compositions and method for the chemical-mechanical polishing of copper and copper alloys |
| US20120017825A1 (en) * | 2002-12-27 | 2012-01-26 | General Electric Company | Method associated with a crystalline composition and wafer |
| CN101747843A (zh) * | 2008-12-19 | 2010-06-23 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN105209563A (zh) * | 2013-05-15 | 2015-12-30 | 巴斯夫欧洲公司 | 化学机械抛光(cmp)组合物在抛光含有至少一种iii-v 族材料的基材或层中的用途 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112077691A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-12-15 | 武汉高芯科技有限公司 | 一种锑化镓单晶片的抛光方法 |
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