CN106575512B - 光学介质再现装置及光学介质再现方法 - Google Patents

光学介质再现装置及光学介质再现方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种光学介质再现装置，该光学介质再现装置包括：检测单元，被构造为通过将从光学介质返回的光束的横截面分割成多个区域并分割成与在径向方向上外侧的区域对应的至少一个沟道、与在切向方向上不同位置的区域对应的至少一个沟道以及与其他区域对应的沟道来形成各个沟道的检测信号，且在形成所述沟道的检测信号的情况下，通过对在所述多个区域中的预定区域中的信号进行加权并相加来形成所述沟道中至少一个沟道的检测信号；多输入均衡器单元，被构造为包括多个均衡器单元，所述多个沟道的各个检测信号被提供给所述多个均衡器单元，并被构造为根据所述多个沟道的检测信号来形成均衡化信号；和二值化单元，被构造为对均衡化信号执行二值化处理以获得二元数据。

Description

光学介质再现装置及光学介质再现方法
技术领域
本公开涉及用于再现光学介质(诸如光盘)的光学介质再现装置及光学介质再现方法。
背景技术
作为增大光盘密度的方法，一种方法是通过减小沟道比特长度(即，标记长度)在线密度方向上增大密度，另一种方法是使轨道间距更窄。然而，在在线密度方向上增大密度的情况下，符号间干扰增大。同时，在使轨道间距更窄的情况下，来自邻接轨道的信息泄漏(邻接轨道串扰)增大。本公开提出了用于减小邻接轨道串扰(下文中适宜地简称为“串扰”)的方法。
例如，专利文献1公开了通过将将要再现的轨道以及位于其两侧上的轨道的再现信号提供给自适应均衡器单元并控制自适应均衡器单元的抽头系数来消除串扰。
引文列表
专利文献
专利文献1：JP 2012-079385A
发明内容
技术问题
根据专利文献1中所公开的技术，需要三个光束同时读取将要再现的轨道以及位于其两侧上的轨道。由三个光束读取的再现信号的相位需要对准。可以用单个光束按顺序地再现三个轨道并使再现信号同步。需要用于同步的存储器。因此，专利文献1中所公开的技术的问题在于光学拾波器的构造复杂、相位对准复杂以及电路规模较大。此外，专利文献1中所公开的技术未提及在线密度方向上的密度增大。
因此，本公开的目的是提供能够使用单个轨道的再现信号来减小串扰并在线密度方向上增大密度的光学介质再现装置及光学介质再现方法。
技术方案
根据本公开，一种光学介质再现装置光学地再现设置多个轨道的光学介质，该光学介质再现装置包括：检测单元，被构造为通过将从光学介质返回的光束的横截面分割成多个区域并分割成与在径向方向上外侧的区域对应的至少一个沟道、与在切向方向上不同位置的区域对应的至少一个沟道以及与其他区域对应的沟道来形成各个沟道的检测信号，且在形成所述沟道的检测信号的情况下，通过对在所述多个区域中的预定区域中的信号进行加权并相加来形成所述沟道中至少一个沟道的检测信号；多输入均衡器单元，被构造为包括多个均衡器单元，所述多个沟道的各个检测信号被提供给所述多个均衡器单元，并被构造为根据所述多个沟道的检测信号来形成均衡化信号；和二值化单元，被构造为对均衡化信号执行二值化处理以获得二元数据。
根据本公开，一种光学介质再现装置光学地再现设置多个轨道的光学介质，该光学介质再现装置包括：光学滤波器，被构造为当从光学介质返回的光束入射时形成在线密度方向和轨道密度方向上具有光学空间上不同频带的多个信号；和多个电学滤波器，由光学滤波器形成的所述多个信号被提供给所述多个电学滤波器。通过将所述多个电学滤波器的输出进行组合来获得再现信号。
本发明的有益效果如下：
根据本公开，通过仅使用将要再现的轨道的读取输出，可以减小串扰。因此，无需使用三个光束进行读取，也无需用单个光束连续地再现三个轨道并使用存储器使所述三个轨道同步。因此，本公开的优点在于光学拾波器的构造不复杂、无需相位对准以及不增加存储器。由此，可以以更简单的构造来增大光盘密度。此外，本公开可以在径向方向和线密度方向上增大密度。然而，效果并不一定限于本文中所述的效果，且可为本公开中所述的任何效果。
附图说明
图1为方块图，示出了根据本公开的实施例的光盘装置的构造；
图2为示意图，示出了在本公开的实施例中的光学拾波器的构造；
图3为在实施例中的数据检测处理单元实例的方块图；
图4为在数据检测处理单元中的多输入自适应均衡器实例的方块图；
图5为多输入自适应均衡器实例的方块图；
图6为均衡化误差计算单元实例的方块图；
图7为示意图，用于说明区域分割图案的多个实例；
图8为曲线图，示出了就图案R2而论的频率振幅特性；
图9为曲线图，示出了就图案R2而论的抽头系数和频率相位特性；
图10为曲线图，用于说明就图案R2而论的散焦裕度；
图11为曲线图，用于说明就图案R2而论在径向方向上的彗形像差裕度；
图12为曲线图，用于说明就图案H3A和H4C而论的散焦裕度；
图13为曲线图，用于说明就图案H3A和H4C而论在光盘径向方向上的彗形像差裕度；
图14为曲线图，用于说明就图案H3A和H4C而论在光盘切向方向上的彗形像差裕度；
图15为曲线图，示出了就图案H3A而论的频率振幅特性；
图16为曲线图，示出了就图案H3A而论的抽头系数和频率相位特性；
图17为曲线图，示出了固定线密度和指标之间的关系；
图18为用于说明散焦裕度的曲线图；
图19为用于说明在径向方向上的彗形像差裕度的曲线图；
图20为曲线图，示出了就图案HT4A而论的频率振幅特性；
图21为曲线图，示出了就图案HT4A而论的抽头系数和频率相位特性；
图22为示意图，示出了区域分割的具体实例；
图23为曲线图，示出了因分割位置变化引起的径向彗形像差裕度增大；
图24为示意图，每个示意图示出了受镜头偏移影响的实例；
图25为曲线图，示出了镜头偏移对径向彗形像差的影响；
图26为曲线图，示出了镜头偏移对径向彗形像差的影响；
图27为曲线图，示出了镜头偏移对径向彗形像差的影响；
图28为曲线图，示出了镜头偏移对径向彗形像差的影响；
图29为曲线图，示出了镜头偏移对散焦特性的影响；
图30为曲线图，示出了镜头偏移对散焦特性的影响；
图31为曲线图，示出了镜头偏移对散焦特性的影响；
图32为曲线图，示出了镜头偏移对径向彗形像差的影响；
图33为曲线图，示出了镜头偏移对散焦特性的影响；
图34为曲线图，示出了镜头偏移对径向彗形像差的影响；
图35为曲线图，示出了镜头偏移对散焦特性的影响；
图36为示意图，示出了区域分割图案的具体实例；
图37为用于说明在径向方向上的彗形像差裕度的曲线图；
图38为用于说明在径向方向上的彗形像差裕度的曲线图；
图39为用于说明衍射光的偏移量的示意图；
图40为曲线图，示出了调制传递函数(MTF)的空间频率特性；
图41为用于说明衍射光的偏移的示意图；
图42为用于说明衍射光的偏移的示意图；
图43为用于说明光学滤波器的优化的示意图；
图44为示意图，示出了区域分割图案IVT4；
图45为曲线图，用于说明就IVT4而论在径向方向上的彗形像差裕度；
图46为曲线图，用于说明就IVT4而论的散焦裕度；
图47为曲线图，用于说明就IVT4而论的球面像差裕度；
图48为曲线图，用于说明就IVT4而论在切向方向上的彗形像差裕度；
图49为曲线图，用于说明就IVT4而论图案在径向方向上偏移的情况；
图50为曲线图，示出了对于IVT4而言最佳的电学滤波器的抽头系数实例；
图51为曲线图，示出了对于IVT4而言最佳的电学滤波器的频率特性；
图52为曲线图，示出了对于IVT4而言最佳的电学滤波器的抽头系数实例；
图53为曲线图，示出了对于IVT4而言最佳的电学滤波器的频率特性；
图54为示意图，示出了区域分割图案NST6；
图55为曲线图，用于说明就NST6而论在径向方向上的彗形像差裕度；
图56为曲线图，用于说明就NST6而论的散焦裕度；
图57为曲线图，用于说明就NST6而论的球面像差裕度；
图58为曲线图，用于说明就NST6而论在切向方向上的彗形像差裕度；
图59为曲线图，用于说明就NST6而论图案在径向方向上偏移的情况；
图60为示意图，示出了区域分割图案IVNST6；
图61为曲线图，用于说明就IVNST6而论在径向方向上的彗形像差裕度；
图62为曲线图，用于说明就IVNST6而论的散焦裕度；
图63为曲线图，用于说明就IVNST6而论的球面像差裕度；
图64为曲线图，用于说明就IVNST6而论在切向方向上的彗形像差裕度；
图65为曲线图，用于说明就IVNST6而论图案在径向方向上偏移的情况；
图66为曲线图，示出了对于IVNST6而言最佳的电学滤波器的抽头系数实例；
图67为曲线图，示出了对于IVNST6而言最佳的电学滤波器的频率特性；
图68为曲线图，示出了对于IVNST6而言最佳的电学滤波器的抽头系数实例；
图69为曲线图，示出了对于IVNST6而言最佳的电学滤波器的频率特性；
图70为曲线图，示出了对于IVNST6而言最佳的电学滤波器的抽头系数实例；
图71为曲线图，示出了对于IVNST6而言最佳的电学滤波器的频率特性；
图72为曲线图，示出了对于IVNST6而言最佳的电学滤波器的抽头系数实例；
图73为曲线图，示出了对于IVNST6而言最佳的电学滤波器的频率特性；
图74为曲线图，用于说明就IVNST6而论在改变抽头数量的情况下获得的散焦裕度；
图75为曲线图，示出了就IVNST6而论在改变抽头数量的情况下获得的抽头系数实例；
图76为曲线图，示出了就IVNST6而论在改变抽头数量的情况下获得的频率特性；
图77为示意图，示出了区域分割图案NST6H；
图78为用于说明NST6H的曲线图；
图79为示意图，示出了区域分割图案IVTSP5；
图80为曲线图，用于说明就IVTSP5而论在径向方向上的彗形像差裕度；
图81为曲线图，用于说明就IVTSP5而论的散焦裕度；
图82为曲线图，用于说明就IVTSP5而论的球面像差裕度；
图83为曲线图，用于说明就IVTSP5而论在切向方向上的彗形像差裕度；
图84为曲线图，用于说明就IVTSP5而论图案在径向方向上偏移的情况；
图85为用于说明沟道数量减少的图案IVTSM4的示意图；
图86为曲线图，用于说明就IVTSM4而论在径向方向上的彗形像差裕度；
图87为曲线图，用于说明就IVTSM4而论的散焦裕度；
图88为曲线图，用于说明就IVTSM4而论的球面像差裕度；
图89为曲线图，用于说明就IVTSM4而论在切向方向上的彗形像差裕度；
图90为曲线图，用于说明就IVTSM4而论图案在径向方向上偏移的情况；
图91为示意图，示出了区域分割图案IVNS5；
图92为曲线图，用于说明就IVNS5而论在径向方向上的彗形像差裕度；
图93为曲线图，用于说明就IVNS5而论的散焦裕度；
图94为曲线图，用于说明就IVNS5而论的球面像差裕度；
图95为曲线图，用于说明就IVNS5而论在切向方向上的彗形像差裕度；
图96为曲线图，用于说明就IVNS5而论图案在径向方向上偏移的情况；
图97为曲线图，示出了对于IVNS5而言最佳的电学滤波器的抽头系数实例；
图98为曲线图，示出了对于IVNS5而言最佳的电学滤波器的频率特性；
图99为曲线图，示出了对于IVNS5而言最佳的电学滤波器的抽头系数实例；
图100为曲线图，示出了对于IVNS5而言最佳的电学滤波器的频率特性；
图101为曲线图，示出了对于IVNS5而言最佳的电学滤波器的抽头系数实例；
图102为曲线图，示出了对于IVNS5而言最佳的电学滤波器的频率特性；
图103为曲线图，用于说明就沟道数量减少的IVSP4而论在径向方向上的彗形像差裕度；
图104为曲线图，示出了在径向方向上的彗形像差裕度的系数依赖性；
图105为曲线图，用于说明就IVSP4而论的散焦裕度；
图106为曲线图，示出了散焦裕度的系数依赖性；
图107为曲线图，用于说明就IVSP4而论的球面像差裕度；
图108为曲线图，示出了球面像差裕度的系数依赖性；
图109为曲线图，用于说明就IVSP4而论在切向方向上的彗形像差裕度；
图110为曲线图，用于说明就IVSP4而论图案在径向方向上偏移的情况；
图111为曲线图，用于说明就IVSP4而论图案在径向方向上偏移的情况；
图112为用于说明沟道数量减少的图案IVos4的示意图；
图113为曲线图，用于说明就IVos4而论在径向方向上的彗形像差裕度；
图114为曲线图，用于说明就IVos4而论的散焦裕度；
图115为曲线图，用于说明就IVos4而论的球面像差裕度；
图116为曲线图，用于说明就IVos4而论在切向方向上的彗形像差裕度；
图117为曲线图，用于说明就IVos4而论图案在径向方向上偏移的情况；
图118为曲线图，用于说明就IVos4而论图案在径向方向上偏移的情况；
图119为曲线图，用于说明在每个偏轨量中的Kd与e-MLSE；
图120为曲线图，用于说明Kd的值相对于偏轨量的变化实例；
图121为示意图，示出了区域分割图案的另一个实例；
图122为示意图，示出了图案HNST6；
图123为示意图，示出了图案HiNS5；
图124为示意图，示出了图案VT4；
图125为示意图，示出了图案VHT4；
图126为示意图，示出了图案VHi3；
图127为示意图，示出了图案NST6；
图128为曲线图，示出了就其密度进一步增大的图案NST6而论的电学滤波器的抽头系数；
图129为曲线图，示出了就其密度进一步增大的图案NST6而论的频率特性；
图130为用于说明本公开的方块图；
图131为示意图，示出了在本公开的另一个实施例中的再现光学系统实例；
图132为曲线图，示出了分束器的反射特性；
图133为曲线图，示出了分束器的透射特性；
图134为示意图，示出了包括另外分束器的光学系统；
图135为曲线图，示出了在本公开的另一个实施例中的电学滤波器的抽头系数实例；
图136为曲线图，示出了在本公开的另一个实施例中的电学滤波器的频率特性实例；
图137为曲线图，示出了在本公开的另一个实施例中的电学滤波器的抽头系数的另一个实例；
图138为曲线图，示出了在本公开的另一个实施例中的电学滤波器的频率特性的另一个实例。
具体实施方式
下面所述的实施例为适合本发明的具体实例，且包括技术上优选的各种限制。然而，本发明的范围并不限于这些实施例，除非在以下说明中特别指出对本发明的限制。
请注意，下面将按下列顺序进行说明。
<1.实施例>
<2.其他实施例>
<3.变形例>
<1.实施例>
“光盘装置”
如图1所示，本公开所适用的光盘装置包括：光学拾波器101，该光学拾波器101在充当光学记录介质的光盘100上执行信息记录和再现；和主轴马达102，该主轴马达102使光盘100旋转。线(馈送马达)103被设置为使光学拾波器101在光盘100的直径方向上移动。
高密度光盘(诸如蓝光(Blu-ray注册商标)光盘(BD))可被用作光盘100。BD为一面单层具有约25千兆字节记录容量和一面双层具有约50千兆字节记录容量的高密度光盘。在BD标准中，为了减小束斑直径，光源的波长被设定为405nm，以及物镜的数值孔径(NA)被设定为大，即0.85。在CD标准中，光源的波长为780nm，NA为0.45，以及光斑直径为2.11μm。在DVD标准中，光源的波长为650nm，NA为0.6，以及光斑直径为1.32μm。在BD标准中，光斑直径可减小到0.58μm。
近年来，已经实现了BDXL(注册商标)，其中通过在BD(Blu-ray(注册商标)光盘)中减小沟道比特长度(即，标记长度)并在线密度方向上增大密度，用三层实现100GB大容量以及用四层实现128GB大容量。
此外，为了进一步增大记录容量，期望使用采用用于在沟槽轨道和岸台轨道上都记录数据的方法(适宜地称为“岸台/沟槽记录方法”)的光盘。凹部被称为“沟槽”，且由沟槽形成的轨道被称为“沟槽轨道”。沟槽被定义为当制造光盘时用激光照射的部分。邻接沟槽之间的区域被称为“岸台”，且由岸台形成的轨道被称为“岸台轨道”。在多个信息记录层堆叠的多层光盘的情况下，记录容量可以更大。
在高密度可记录光盘100安装在光盘装置中的的情况下，光盘在记录/再现时可通过主轴马达102以恒定线速度(CLV)或恒定角速度(CAV)旋转驱动。为了在光盘100的径向方向上对准抖动沟槽的相位，优选CAV或区域CAV。再现时，记录在光盘100的轨道上的标记信息通过光学拾波器(光头)101读出。在光盘100上记录数据时，用户数据作为相位变化标记或色素变化标记通过光学拾波器101记录在光盘100的轨道上。
在可记录光盘的情况下，使用相位变化标记的记录标记被记录在由抖动沟槽形成的轨道上，且在每层具有23.3GB的BD的情况下，通过RLL(1,7)PP调制方法(RLL：游程长度限制，PP：奇偶校验保护/Prohibit RMTR(最小跳变游程重复))等以0.12μm/比特和0.08μm/沟道比特的线密度来记录相位变化标记。类似地，在具有25GB/层的BD的情况下，以与0.0745μm/沟道比特对应的线密度来记录相位变化标记，在具有32GB/层的BDXL(注册商标)的情况下，以与0.05826μm/沟道比特对应的线密度来记录相位变化标记，以及在具有33.4GB/层的BDXL(注册商标)的情况下，以与0.05587μm/沟道比特对应的线密度来记录相位变化标记。因此，根据光盘类型以与沟道比特长度对应的密度来记录相位变化标记。假设沟道时钟周期为“T”，标记长度在2T至8T的范围内。在只再现光盘的情况下，还未形成沟槽，但通过RLL(1,7)PP调制方法而调制的数据已经类似地被记录为压纹凹坑阵列。
例如，光盘的物理信息通过在光盘100的内周区等中的压纹凹坑或抖动沟槽被记录为只再现管理信息。这些种类的信息的读出也由光学拾波器101执行。此外，随光盘100的沟槽轨道抖动而嵌入的ADIP信息的读出也由光学拾波器101执行。
光学拾波器101包括例如充当激光源的激光二极管、用于检测反射光的光电检测器、充当激光输出端的物镜以及通过物镜用激光照射光盘的记录表面并将其反射光引导至光电检测器的光学系统。物镜保持在光学拾波器101中以通过双轴机构可在循迹方向和聚焦方向上移动。整个光学拾波器101通过线机构103可在光盘的径向方向上移动。驱动电流从激光驱动器113提供给光学拾波器101的激光二极管，且激光二极管生成激光。
来自光盘100的反射光被光电检测器检测到并作为与受光量对应的电信号提供给矩阵电路104。矩阵电路104包括对于来自充当光电检测器的多个受光元件的输出电流的电流/电压转换电路、矩阵计算/放大电路等并通过执行矩阵计算处理来生成所需信号。考虑到信号传输质量，电流/电压转换电路可设置在光电检测器中。例如，生成与再现数据对应的再现信息信号(RF信号)以及用于伺服控制的聚焦误差信号和循迹误差信号。此外，生成与沟槽抖动有关的信号，即，推挽信号，作为用于检测抖动的信号。
从矩阵电路104输出的再现信息信号被提供给数据检测处理单元105，聚焦误差信号和循迹误差信号被提供给光块伺服电路111，以及推挽信号被提供给抖动信号处理电路106。
数据检测处理单元105执行再现信息信号的二值化处理。例如，数据检测处理单元105执行RF信号的A/D转换处理、使用PLL的再现时钟生成处理、部分响应(PR)均衡化处理、维特比解码(最大似然解码)等并通过执行部分响应最大似然解码处理(PRML检测方法：部分响应最大似然检测方法)来获得二元数据串。数据检测处理单元105将二元数据串提供给在后一级的编码/解码单元107，该二元数据串为从光盘100读出的信息。
编码/解码单元107在再现时执行再现数据的解调制处理并在记录时执行记录数据的调制处理。即，编码/解码单元107在再现时执行数据解调制、解交织、ECC解码、地址解码等并在记录时执行ECC编码、交织、数据调制等。
再现时，在数据检测处理单元105中解码的二元数据串被提供给编码/解码单元107。编码/解码单元107对二元数据串执行解调制处理，因此从光盘100获得再现数据。即，例如，编码/解码单元107对已经经受游程长度限制编码调制(诸如RLL(1,7)PP调制)并已经记录在光盘100上的数据执行解调制处理以及用于校正误差的ECC解码处理，因此从光盘100获得再现数据。
在编码/解码单元107中解码为再现数据的数据被发送给主机接口108，并响应于系统控制器110的指令而被发送给主机装置200。主机装置200为例如计算机装置或视听(AV)系统装置。
当对光盘100执行记录/再现时，执行ADIP信息的处理。即，作为与沟槽抖动有关的信号从矩阵电路104输出的推挽信号在抖动信号处理电路106中被转换为数字化抖动数据。与推挽信号同步的时钟通过PLL处理而生成。抖动数据在ADIP解调制处理单元116中被解调制为形成ADIP地址的数据流并被提供给地址解码器109。地址解码器109对提供的数据进行解码以获得地址值并将地址值提供给系统控制器110。
记录时，从主机装置200发送记录数据，且记录数据经由主机接口108提供给编码/解码单元107。编码/解码单元107执行纠错码添加(ECC编码)、交织、子码添加等，作为记录数据的编码处理。经受这些处理的数据经受游程长度限制编码调制，诸如RLL(1,7)PP处理。
在编码/解码单元107中处理的记录数据被提供给写入策略单元114。写入策略单元114对记录层的特性、激光的光斑形状、记录线速度等执行激光驱动脉冲波形调整，作为记录补偿处理。然后，激光驱动脉冲被输出给激光驱动器113。
激光驱动器113根据经受记录补偿处理的激光驱动脉冲向光学拾波器101中的激光二极管提供电流并发出激光。因此，与记录数据对应的标记形成在光盘100上。
光块伺服电路111根据从矩阵电路104提供的聚焦误差信号和循迹误差信号生成各种伺服驱动信号，诸如聚焦信号、循迹信号和线驱动信号，并执行伺服操作。即，光块伺服电路111根据聚焦误差信号和循迹误差信号生成聚焦驱动信号和循迹驱动信号，且驱动器118驱动在光学拾波器101中的双轴机构的聚焦线圈和循迹线圈。因此，循迹伺服环路和聚焦伺服环路由光学拾波器101、矩阵电路104、光块伺服电路111、驱动器118和双轴机构形成。
响应于来自系统控制器110的轨道跳跃指令，光块伺服电路111通过关闭循迹伺服环路并输出跳跃驱动信号来执行轨道跳跃操作。此外，光块伺服电路111根据作为循迹误差信号的低频分量而获得的线误差信号、系统控制器110的访问执行控制等生成线驱动信号，然后线驱动器115驱动线机构103。
主轴伺服电路112对使主轴马达102CLV-旋转或CAV-旋转执行控制。主轴伺服电路112通过获得由抖动信号的PLL生成的时钟作为主轴马达102的当前旋转速度信息并比较时钟与预定参考速度信息来生成主轴误差信号。数据再现时，在数据检测处理单元105中由PLL生成的再现时钟为主轴马达102的当前旋转速度信息，因此通过比较该旋转速度信息与预定参考速度信息来生成主轴误差信号。然后，主轴伺服电路112输出根据主轴误差信号而生成的主轴驱动信号，从而使主轴驱动器117执行主轴马达102的CLV-旋转或CAV-旋转。
主轴伺服电路112根据从系统控制器110提供的主轴突跳/制动控制信号生成主轴驱动信号，并还执行诸如主轴马达102的启动、停止、加速和减速的操作。
在这种伺服系统和记录/再现系统中的各种操作由包括微型计算机的系统控制器110控制。系统控制器110响应于经由主机接口108从主机装置200提供的命令而执行各种处理。例如，在从主机装置200发送写入命令的情况下，系统控制器110将光学拾波器101移动到将要执行写入的地址。然后，系统控制器110使编码/解码单元107对从主机装置200发送的数据(例如，视频数据或音频数据)执行编码处理，如上所述。然后，激光驱动器113根据编码数据来驱动激光发出。以此方式，执行记录。
例如，在从主机装置200提供用于请求发送记录在光盘100上的某些数据的读取命令的情况下，系统控制器110控制指定地址的寻找操作。即，系统控制器110发送指令给光块伺服电路111并使光学拾波器101通过使用由寻找命令指定的地址作为目标来执行访问操作。此后，系统控制器110执行在这种指定数据段中发送数据给主机装置200所需的操作控制。即，系统控制器110从光盘100读出数据，使数据检测处理单元105和编码/解码单元107执行再现处理，并发送所需数据。
虽然已经在图1实例中对连接到主机装置200的光盘装置进行说明，但是光盘装置可以连接或可以不连接到另一个装置。在这种情况下，设置操作单元和显示单元，且接口部分(数据经由接口部分输入/输出)的构造与图1中的构造不同。即，只需根据用户操作执行记录和再现，并提供终端部分，用于输入/输出各种数据。当然，可以想到光盘装置的其他各种构造实例。
“光学拾波器”
将参照图2对用在以上光盘装置中的光学拾波器101进行说明。光学拾波器101将信息记录在光盘100上并使用例如具有405nm波长λ的激光(束)从光盘100再现信息。激光从半导体激光器(LD：激光二极管)1发出。
光盘100用已经通过准直仪透镜2、偏振分束器(PBS)3和物镜4的激光照射。偏振分束器3具有分隔表面，该分隔表面例如允许p-偏振光基本上100％透过并基本上100％反射s-偏振光。来自光盘100的记录层的反射光通过相同光路返回并入射在偏振分束器3上。通过在它们中间设置λ/4元件(未示出)，入射激光被偏振分束器3基本上100％反射。
被偏振分束器3反射的激光通过透镜5会聚在光电检测器6的受光表面上。光电检测器6包括在受光表面上的受光元件，该受光元件对入射光执行光电转换。受光元件被在光盘100的径向方向(光盘的直径方向)和/或切向方向(轨道方向)上延伸的分割线分割成多个区域。光电检测器6根据受光元件的各个区域的受光量来输出多个沟道的电信号。下面将对用于分割区域的方法进行说明。
图2中光学拾波器101的构造包括用于说明本公开的最小构成元件，且例如未示出经由矩阵电路104输出给光块伺服电路111的聚焦误差信号和循迹误差信号以及用于生成经由矩阵电路104输出给抖动信号处理电路106的推挽信号的信号。此外，除了图2所示构造之外的各种构造可行。
在本公开中，来自光盘100的返回光束的光通量的横截面被分割成多个区域，从而获得与所述区域对应的多个沟道的再现信息信号。除了用于分割光电检测器6的方法之外的方法可被用作用于获得每个区域中的再现信息信号的方法。例如，可以使用以下方法：用于分隔多个区域的光路转换元件设置在通过物镜4通往光电检测器6的光路中，且由光路转换元件分隔的多个光束被提供给不同光电检测器。光路转换元件可为衍射元件(诸如全息光学元件)或折射元件(诸如微透镜阵列或微棱镜)。
“数据检测处理单元”
如上所述，通过光学拾波器101从光盘100再现并与所述区域对应的检测信号被提供给矩阵电路104并被转换为与所述区域对应的多个沟道的再现信息信号。如图3所示，数据检测处理单元105包括A/D转换器11，从矩阵电路104提供的再现信息信号被提供给该A/D转换器11。图3和图4示出了来自光盘100的返回光束的光通量的横截面被分割成例如三个区域并从矩阵电路104获得三个沟道的再现信息信号的实例。
用于A/D转换器11的时钟由PLL 12组成。从矩阵电路104提供的再现信息信号在A/D转换器11中被转换为数字数据。在区域A至C中的三个沟道的数字化再现信息信号由Sa至Sc表示。通过在加法器电路17中对再现信息信号Sa至Sc相加而获得的信号被提供给PLL12。
数据检测处理单元105还包括多输入自适应均衡器单元13、二值化检测器14、PR卷积单元15和均衡化误差计算单元16。多输入自适应均衡器单元13基于再现信息信号Sa至Sc来执行PR自适应均衡化处理。即，再现信息信号Sa至Sc经由自适应均衡器单元输出，且相加的均衡化信号y0被均衡化为接近目标PR波形。
多输入自适应均衡器单元的输出可被用作将要输入给PLL 12的信号。在这种情况下，多输入自适应均衡器的初始系数被设定为预定值。
二值化检测器14为例如维特比解码器并对已经经受PR均衡化的均衡化信号y0执行最大似然解码处理，从而获得二元数据DT。二元数据DT被提供给图1所示的编码/解码单元107并经受再现数据解调制处理。在维特比解码中，由通过使用具有预定长度的连续比特作为单位而形成的多个状态和由它们之间的跳变表示的分支构成的维特比检测器被使用并有效地检测所有可能比特序列中的期望比特序列。
在实际电路中，为每个状态设置两个寄存器，即，称为路径度量寄存器的寄存器和称为路径存储寄存器的寄存器。路径度量寄存器存储导致所述状态的部分响应序列以及信号的路径度量。路径存储寄存器存储导致所述状态的比特序列流。此外，为每个分支设置称为分支度量单元的计算单元，该计算单元计算在所述比特中的部分响应序列以及信号的路径度量。
维特比解码器可通过使用经过状态的路径之一使各种比特序列一一对应地相关联。经过这些路径的部分响应序列与实际信号(再现信号)之间的路径度量通过按顺序地添加形成上述路径的状态间跳变(即，通过按顺序地在分支中添加以上分支度量)而获得。
通过比较在每个状态下达到的两个分支或更少分支具有的路径度量的大小并按顺序地选择具有较小路径度量的路径，可选择达到最小路径度量的路径。通过将该选择信息发送给路径存储寄存器，存储表示按比特序列达到每个状态的路径的信息。路径存储寄存器的值按顺序地进行更新并最终收敛于达到最小路径度量的比特序列，并输出其结果。
PR卷积单元15通过执行二值化结果的卷积处理来生成目标信号Zk，如由以下表达式表示。目标信号Zk为无噪声的理想信号，这是因为目标信号Zk通过对二值化检测结果进行卷积而获得。例如，在PR(1,2,2,2,1)的情况下，每个沟道时钟的值P为(1,2,2,2,1)，其约束长度为5。在PR(1,2,3,3,3,2,1)的情况下，每个沟道时钟的值P为(1,2,3,3,3,2,1)，其约束长度为7。在激光具有波长λ＝405nm的情况下，物镜具有NA＝0.85，轨道间距恒定为0.32μm，并增大记录密度使得容量超过35GB，除非通过将部分响应的约束长度从5增大到7来提高检测能力，否则很难检测。在以下表达式中，d表示二元数据。
【数学公式1】
P＝(1，2，3，3，3，2，1)
P＝(1，2，2，2，1)
均衡化误差计算单元16根据从多输入自适应均衡器单元13提供的均衡化信号y0以及目标信号Zk来计算均衡化误差ek并将均衡化误差ek提供给多输入自适应均衡器单元13以执行抽头系数控制。如图6所示，均衡化误差计算单元16包括减法器25和系数乘法器26。减法器25从均衡化信号y0中减去目标信号Zk。系数乘法器26将该减法的结果乘以预定系数a。因此，生成均衡化误差ek。
如图4所示，多输入自适应均衡器单元13包括自适应均衡器单元21，22和23以及加法器24。以上再现信息信号Sa被输入给自适应均衡器单元21，再现信息信号Sb被输入给自适应均衡器单元22，以及再现信息信号Sc被输入给自适应均衡器单元23。图4示出了在区域分割数量为3的情况下获得的多输入自适应均衡器单元13的构造。自适应均衡器单元被设置为与区域分割数量对应。
每个自适应均衡器单元21、22和23具有对抽头数量、其计算精度(比特分辨率)以及自适应计算的更新增益进行滤波的有限脉冲响应(FIR)的参数，且为每个均衡器单元设定最佳值。均衡化误差ek作为自适应控制的系数控制值被提供给每个自适应均衡器单元21，22和23。
自适应均衡器单元21、22和23的输出y1、y2和y3在加法器24中相加以被输出为多输入自适应均衡器单元13的均衡化信号y0。多输入自适应均衡器单元13的输出目标为通过对PR(部分响应)中的二值化检测结果进行卷积而获得的理想PR波形。
自适应均衡器单元21包括例如FIR滤波器，如图5所示。自适应均衡器单元21为具有n+1级(包括延迟元件30-1至30-n、系数乘法器31-0至31-n以及加法器34)抽头的滤波器。系数乘法器31-0至31-n将抽头系数C0至Cn乘以在每个时间点的输入x。系数乘法器31-0至31-n的输出在加法器34中相加并被提取为输出y。
为了执行自适应均衡化处理，控制抽头系数C0至Cn。为此，设置计算器32-0至32-n，每个计算器接收均衡化误差ek和每个抽头输入并执行计算。此外，设置积分器33-0至33-n，所述积分器33-0至33-n对计算器32-0至32-n的输出进行积分。在每个计算器32-0至32-n中，例如，计算-1×ek×x。计算器32-0至32-n的输出分别在积分器33-0至33-n中进行积分，且系数乘法器31-0至31-n的抽头系数C0至Cn被控制为根据该积分结果而变化。积分器33-0至33-n进行积分以调整自适应系数控制的响应性。
在具有以上构造的数据检测处理单元105中，减少不需要的信号(诸如串扰)并对二元数据进行解码。
自适应均衡器单元22和23具有与自适应均衡器单元21的构造类似的构造。自适应均衡器单元21，22和23具有共同均衡化误差ek并执行自适应均衡化。即，自适应均衡器单元21，22和23对输入信号频率分量的误差以及再现信息信号Sa、Sb和Sc的相位失真进行优化，即，执行自适应PR均衡化。即，抽头系数C0至Cn根据在计算器32-0至32-n中-1×ek×x的计算结果而调整。这意味着抽头系数C0至Cn被调整为校正均衡化误差。
因此，自适应均衡器单元21、22和23使用均衡化误差ek来执行自适应控制，使得抽头系数C0至Cn具有目标频率特性。通过在加法器24中将自适应均衡器单元21、22和23的输出y1、y2和y3进行相加而获得的多输入自适应均衡器单元13的均衡化信号y0为具有减低串扰等的信号。
“区域分割图案”
将对本说明书中的示例性区域分割图案进行说明。如图7所示，有多个用于分割从光盘100返回的光束的光通量的横截面的图案。将对每个图案进行说明。图7中的圆表示光束的光通量的横截面的圆周。正方形表示例如用于检测的光电检测器的受光元件的面积。该区域分割图的垂直方向对应于返回光通量的切向方向，以及该区域分割图的水平方向对应于返回光通量的径向方向。图7所示的区域分割图案仅仅为示例，且除了图7所示的区域分割图案之外的图案也可行。例如，分割线并不限于直线，也可为曲线，诸如弧线。
图案R2
图案R2为光束在径向方向上被在切向方向上延伸的两个分割线分割成两个区域(即，区域A和区域B(＝B1+B2))的实例。与区域B1和B2中的受光信号对应的电信号进行相加以成为沟道的信号。即，图3的实例为两个沟道的实例，即，内沟道(区域A)和外沟道(区域B1+B2)。这种区域分割被称为图案R2。
图案R3
在图案R2中，两个外区域被定义为不同沟道的区域B和C。这种区域分割的图案被称为图案R3。获得与三个区域对应的三个沟道的信号。
图案H3A
与图案R2相比，图案H3A为区域A被在径向方向上延伸的分割线垂直分割的图案。区域C1和C2设置在切向方向上的上侧和下侧，以及其余中心区域被定义为A。即，图案H3A为光束的横截面被分割成三个区域的图案，即，区域A、区域(B1+B2)和区域C(＝C1+C2)。获得与三个区域对应的三个沟道的信号。
图案H4C
在图案H4C中，区域D1和D2通过将图案H3A的上区域和下区域C1和C2中的每个区域分割成在切向方向上的两个部分而设置。即，图案H4C为光束的横截面被分割成四个区域的图案，即，区域A、区域(B1+B2)、区域C(＝C1+C2)和区域D(＝D1+D2)。获得与四个区域对应的四个沟道的信号。
图案T3A
图案T3A为通过延伸图案H3A的上区域和下区域C1和C2以覆盖区域B1和B2而获得的图案。图案T3A为光束的横截面被分割成三个区域的图案，即，区域A、区域(B1+B2)和区域C(＝C1+C2)。获得与三个区域对应的三个沟道的信号。
图案X4A
图案X4A为区域B2、B3、C2和C3通过延伸在图案H3A中的切向方向上分割区域A的分割线而设置在四个角隅处的图案。图案X4A为光束的横截面被分割成四个区域的图案，即，区域A、区域(B1+B2+B3)、区域C(＝C1+C2+C3)和区域D(D1+D2)。获得与四个区域对应的四个沟道的信号。
图案Hi3A
图案Hi3A为通过减少分割线而获得的图案，即，在图案H3A中的切向方向上设置单个分割线，使得未设置上区域和下区域C1和C2中的一个区域，即，区域C2。因此，中心区域A的中心位置在切向方向上从光束的横截面的中心位置向下偏移。因此，获得包括在切向方向上中心位置不同的两个沟道的三个沟道的信号。
图案Hi3B
图案Hi3B通过以与图案Hi3A相同的方式分割区域而获得。然而，上区域C1的宽度大于图案Hi3A中上区域C1的宽度。
图案HT4A
图案HT4A为图案H3A的区域C2被定义为第四沟道的区域D的图案。图案HT4A为光束的横截面被分割成四个区域的图案，即，区域A、区域(B1+B2)、区域C和区域D。获得与四个区域对应并包括在切向方向上中心位置不同的三个沟道的四个沟道的信号。
图案HTR5A
图案HTR5A为在图案HT4A中的径向方向上的两个外区域B1和B2被定义为不同沟道的区域的图案，并获得五个沟道的信号。
图案T4A
图案T4A为通过延伸图案HT4A的上区域和下区域C和D以覆盖区域B1和B2而获得的图案。图案T4A为光束的横截面被分割成四个区域的图案，即，区域A、区域(B1+B2)、区域C和区域D。获得与四个区域对应并包括在切向方向上中心位置不同的三个沟道的四个沟道的信号。
图案Hi4A
图案Hi4A为通过在图案HT4A中的区域C的下方设置区域D并邻接区域C而获得的图案。因此，中心区域A的中心位置在切向方向上从光束的横截面的中心位置向下偏移。获得包括在切向方向上中心位置不同的三个沟道的四个沟道的信号。
图案L6A
邻接区域E和F分别设置在图案HT4A的上区域和下区域C和D的下方。从区域A至F获得包括在切向方向上中心位置不同的五个沟道的六个沟道的信号。
图案LR7A
图案LR7A为图案L6A的区域B1被定义为区域B且图案L6A的区域B2被定义为区域G的图案。从区域A至G获得七个沟道的信号。
下文中，将根据图案的模拟结果进行说明。模拟条件如下：
Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)·NA＝0.85PR(1233321)
评价指标：e-MLSE(下文所述)
标记宽度＝Tp×0.7·存在光盘噪声和放大器噪声
线密度使用当光盘具有120mm直径和Tp＝0.32μm轨道间距时获得的面容量来表示。
特别是，在“低线密度”的情况下，
·LD 35.18(GB)...在0.053μm/沟道比特和Tp＝0.32μm的情况下，面容量为35.18GB。
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB，包括LD35.18GB。
在“高线密度”的情况下，
·LD 41(GB)...在0.04547μm/沟道比特和Tp＝0.32μm的情况下，面容量为41GB。
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为58.3GB，包括LD 41GB。
“图案R2中的自适应滤波器特性”
作为本公开的比较例，将对具有低线密度的图案R2的自适应滤波器特性进行说明。本文中，在径向方向上的区域分割位置为±0.55的位置，其中瞳孔半径为1.0。如上所述，多个沟道的再现信息信号在多输入自适应均衡器单元13中进行处理。多输入自适应均衡器单元13包括多个自适应均衡器单元，其数量等于沟道数量。每个自适应均衡器单元被形成为FIR滤波器，且其抽头系数受到自适应控制。
图8示出了就图案R2而论作为模拟结果而获得的频率振幅特性。特性L1为与外区域B对应的沟道的频率振幅特性，以及特性L2为与内区域A对应的沟道的频率振幅特性。所述特性为在扰动原点处的示例性特性。扰动原点在本文中是指散焦、光盘歪斜等都被定位于原点处且在执行自适应控制的情况下可基本上获得基本上最好的结果的状态。
在频率振幅特性中，横轴为n/(256T)(n：横轴值)。例如，在(n＝64)的情况下，横轴为(64/256T)。例如，在使用RLL(1,7)PP调制方法的情况下，标记长度在2T至8T的范围内，其中沟道时钟周期为“T”。(1/4T)为当2T标记重复时获得的频率。在图8的特性中，2T标记在不能执行再现的频率区域中，且3T标记可以再现。
图9A示出了图案R2的沟道的抽头系数。例如，FIR滤波器中的抽头数量被设定为31。图9B示出了所述沟道的频率相位特性。频率相位特性表示两个沟道之间的相位差。如图9B所示，两个沟道之间的相位差小。
“再现性能”
图10和图11示出了就图案R2而论再现性能的模拟结果。图10和图11示出了具有低线密度的图案R2的区域分割效果。
线密度使用当光盘具有120mm直径和Tp＝0.32μm轨道间距时获得的面容量来表示。
特别是，在“低线密度”的情况下，
·LD 35.18(GB)...在0.053μm/沟道比特和Tp＝0.32μm的情况下，面容量为35.18GB。
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB，包括LD35.18GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽度＝Tp×0.7存在光盘噪声和放大器噪声
·在径向方向上的区域分割位置为±0.55的位置，其中瞳孔半径为1.0。
在以上条件下，e-MLSE得到改良。
在未执行分割(由e-MLSE表示的曲线图)的情况下，没有满足e-MLSE≤15％的裕度宽度。相反，如图10所示，散焦裕度W20具有0.21(对应于±0.18μm)的总宽度。如图11所示，径向彗形像差裕度W31具有0.25(对应于±0.44度)的总宽度。
图10曲线图中的横轴表示用波长归一化的散焦量。值0是指0散焦量。当实际执行再现时，生成散焦，因此需要具有散焦裕度。
在(归一化散焦量与指标)的曲线图中，随着e-MLSE的值越小，再现性能越高。例如，e-MLSE的值基本上优选为0.15或更小。因此，散焦裕度对应于e-MLSE的值基本上为0.15或更小的范围宽度。随着宽度越大，散焦裕度越大。
除了散焦裕度，光盘歪斜裕度作为裕度也很重要。图11示出了与在光盘的径向方向上的歪斜对应的第三阶彗形像差W31的裕度(用波长归一化的像差系数)。例如，e-MLSE的值基本上优选为0.15或更小。因此，彗形像差裕度对应于e-MLSE的值基本上为0.15或更小的范围宽度。随着宽度越大，径向光盘歪斜裕度越大。
图10和图11曲线图中的每个曲线图的纵轴为用于表示再现性能的指标。例如，i-MLSE的值被称为指标。最大似然序列误差(MLSE)为对应于通过使用使用维特比检测数据而设定的目标电平与实际信号的电平之差而计算出的误差概率的指标。在BDXL(注册商标)的情况下，通过使用称为i-MLSE的方法对容易引起一些误差的数据图案进行加权来执行计算。
在与BDXL(注册商标)相比记录密度增大的情况下，容易引起误差的数据图案不同。因此，i-MLSE的误差是有问题的，该误差为常规信号指标值。考虑到这点，在本公开中，具有新数据图案的信号评价值被用来说明效果，该信号评价值与i-MLSE不同需要利用更高线密度来提高信号指标值的精确度。下文中，这种精确度提高的新指标值被称为e-MLSE。
以下三个数据图案被添加在e-MLSE中。
在图案串中写入为1的比特表示误差图案，与检测图案相反，该误差图案为发生比特反转的一部分。
附加图案(1)：10111101
附加图案(2)：1011110111101
附加图案(3)：10111100111101
就相当于i-MLSE的精确度足够的传统BDXL(注册商标)的线密度的线密度而言，e-MLSE和i-MLSE基本上相同。就更高线密度而言，出现因精确度提高而引起的差异。e-MLSE和i-MLSE在指标值和误差率之间都具有相同理论相关性，这在实际使用中很重要。因此，虽然e-MLSE和i-MLSE在计算以及可应用线密度范围上都不同，但是可以类似地理解由e-MLSE和i-MLSE两者表示的信号质量的评价值。在本公开中，可使用除了e-MLSE之外的指标。
在图案R2的情况下，按原样使用串扰分量原本具有的振幅相位特性，并通过使用振幅特性的沟道间平衡且几乎不改变沟道间相位差来改良信号特性。图案R2为通过在径向方向上将光束分割成内区域和外区域而获得的图案并可抑制当轨道间距变窄时从邻接轨道生成的串扰。因此，在仅在径向方向上执行区域分割(诸如图案R2)的实例中，不能充分地防止因例如在切向方向上符号间干扰引起的信号劣化。在本公开的以下说明中，将考虑到这点进行说明。
“进一步在切向方向上执行区域分割(图案H3A和H4C)”
作为还在切向方向上执行区域分割的实例，图案H3A和H4C(见图7)的再现性能如图12、图13和图14所示。图12为(归一化散焦量与指标)的曲线图。图13为(在径向方向上的归一化歪斜量与指标)的曲线图。图14为(在切向方向上的归一化歪斜量与指标)的曲线图。
图12、图13和图14示出了在切向方向上具有低线密度的分割效果。
在以下条件下执行模拟。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽度＝Tp×0.7存在光盘噪声和放大器噪声
·在径向方向上的区域分割位置为±0.55的共同位置，其中瞳孔半径为1.0，以及在切向方向上的区域分割位置为±0.65和±0.30的位置。
从图12至图14可以看出，在还在切向方向上执行区域分割的情况下，与仅在径向方向上执行区域分割的图案R2相比，曲线图的底部变低，裕度增大。
在以上条件下，裕度在图案H3A中得到如下改良。
散焦裕度W20具有0.27(对应于±0.23μm)的总宽度。径向彗形像差裕度W31具有0.30(对应于±0.53度)的总宽度。
在以上条件下，裕度在图案H4C中得到如下改良。
散焦裕度W20具有0.275(对应于±0.235μm)的总宽度。径向彗形像差裕度W31具有0.30(±0.53度)的总宽度。
如上所述，与仅在径向方向上执行区域分割的情况相比，通过不仅在径向方向上而且在切向方向上执行区域分割，可以提高再现性能。在本说明书的说明中，假设自适应均衡器单元(FIR滤波器)的抽头系数受到自适应控制。然而，在作为模拟结果而获得最佳抽头系数的情况下，可以使用抽头系数为固定的均衡器单元或使用除了FIR滤波器之外具有等效特性的滤波器，诸如模拟滤波器或数字滤波器。虽然自适应均衡器单元在性能方面是优越的，但是可以简化处理和硬件，这是因为无需抽头系数的自适应控制。也可以对多个沟道中的一些沟道使用固定型均衡器单元以及对其他沟道使用自适应均衡器单元。
“在图案H3A中的自适应电光滤波器特性”
将对具有低线密度的图案H3A的自适应电光滤波器特性进行说明。图15示出了就图案H3A(见图7)而论作为模拟结果而获得的频率振幅特性。特性L1为与在径向方向上的外区域B对应的沟道的频率振幅特性。特性L2为与在切向方向上的外区域C对应的沟道的频率振幅特性。特性L3为与中心区域A对应的沟道的频率振幅特性。所述特性为在扰动原点处的示例性特性。
图16A示出了图案H3A的沟道的抽头系数。例如，在FIR滤波器中的抽头数量被设定为31。图16B示出了所述沟道的频率相位特性。频率相位特性表示三个沟道中的两个沟道之间的相位差。特性L11表示与在切向方向上的外区域C和在径向方向上的外区域B对应的沟道的再现信息信号之间的相位差。特性L12表示与中心区域A和在径向方向上的外区域B对应的沟道的再现信息信号之间的相位差。特性L13表示与在切向方向上的外区域C和中心区域A对应的沟道的再现信息信号之间的相位差。
如上所述，H3A的滤波器特性具有以下特征。
·具有振幅和相位大不相同的频率特性的滤波器形成在三个沟道的各个区域中，并可以再现良好再现信号。
·在与3T信号(在横轴上的值43附近，由虚线包围)对应的频带中，在切向方向上的外区域C的相位和在径向方向上的外区域B的相位从中心区域偏移了180度。
·中心区域具有使与4T信号(在横轴上的值32附近，由虚线包围)对应的频带中断的特性，并抑制因串扰引起的虚假信号。
·在切向方向上的外侧应当有助于短标记再现并使与8T信号(在横轴上的值16附近，由虚线包围)对应的频带中断。
如上所述，高通滤波器、低通滤波器、带通滤波器、带阻(或陷波)滤波器等设置在每个区域中。因此，实现了通过只应用光学或只使用电学不能实现的滤波器特性。
图17示出了在(NA＝0.85,Tp＝0.225,PR(1233321))的固定条件下线密度与指标之间的关系。在设置在切向方向上中心位置不同的沟道的的情况下，即使在相同PR类中，也可以以更高线密度良好地再现信号。通过优化在切向方向上的分割位置可以改良特性，如在图案Hi3B中。在扰动中心处e-MLSE≤10％的情况下，图案R2和H3A高达LD 38GB。同时，Hi3B、HT4A和Hi4A可以高达LD 41GB。
“在切向方向上的高线密度分割效果”
图案H3A、Hi3A、Hi3B、HT4A和Hi4A的再现性能以及用于比较的图案R2和H3A(见图7)的再现性能如图18和图19所示。图18为(归一化散焦量与指标)的曲线图。图19为(在径向方向上的归一化歪斜量与指标)的曲线图。
图18和图19示出了在切向方向上具有高线密度的分割效果。
在以下条件下执行模拟。
·LD 41(GB)...0.04547μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为58.3GB，包括LD 41(GB)。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽度＝Tp×0.7存在光盘噪声和放大器噪声
·在径向方向上的区域分割位置为±0.55的共同位置，其中瞳孔半径为1.0，以及在切向方向上的区域分割位置为±0.30和±0.65的位置。
从图18和图19可以看出，在LD 41GB的高密度情况下，在不具有在切向方向上中心位置不同的沟道的图案R2和H3A中，e-MLSE在15％附近变化。同时，具有在切向方向上中心位置不同的沟道的图案Hi3A、Hi3B、HT4A和Hi4A充分具有满足e-MLSE≤15％的裕度宽度。特别是，在LD 41GB的情况下图案HT4A具有等于在LD 35.18GB的情况下图案H3A中的裕度宽度的裕度宽度。
“在图案HT4A中的自适应电光滤波器特性”
将对在具有高线密度的图案HT4A(见图7)中的自适应电光滤波器特性进行说明。图20示出了就图案HT4A而论作为模拟结果而获得的频率振幅特性。特性L21表示与在径向方向上的外区域B对应的沟道的频率振幅特性。特性L22表示与在切向方向上的外区域C对应的沟道的频率振幅特性。特性L23表示与中心区域A对应的沟道的频率振幅特性。特性L24表示与在切向方向上的外区域D对应的沟道的频率振幅特性。所述特性为在扰动原点处的示例性特性。
图21A示出了图案HT4A的沟道的抽头系数。例如，在FIR滤波器中的抽头数量被设定为31。图21B示出了各个沟道的频率相位特性。频率相位特性表示在与在切向方向上的外区域C对应的沟道和与在切向方向上的外区域D对应的沟道之间的相位差。
HT4A的滤波器特性具有以下特征。
·如在图案H3A中，中心区域具有类低通特性，以及在切向方向上的外区域具有类高通特性(本文中，允许在有助于信号再现的频带中与较短标记对应的频带通过的带通特性被称为相对类高通特性)。
·在图案HT4A中，在切向方向上的外区域为两个独立沟道。该两个区域形成在与3T和4T(在横轴上值43和32附近)(对应于两个时钟，从抽头系数可以看出)对应的频带中具有在约120度至90度的范围内的相位差的滤波器。由此，与简单总和信号的再现振幅相比，可以更高灵敏度地检测短标记。在短标记的再现中，通过还使用所述区域之间的相位差，实现在高线密度区域中的良好再现信号特性。
从以上线密度依赖性曲线图可以看出，通过在一些情况下(如在图案Hi3B的情况下)从图案Hi3A改变分割位置可以改良特性，而无需取决于线密度，且在一些情况下(如在HT4A和Hi4A的情况下)根据线密度对特性进行反转。图22示出了区域分割的几个具体实例。在判定对于系统更重要的线密度(面容量)的情况下，可以优化其分割图案。
“通过区域分割的特性优化”
将以低线密度为例对分割图案的优化进行说明，其中各种分割图案表现出良好特性。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽度＝Tp×0.7存在光盘噪声和放大器噪声
图23示出了因改变分割位置而引起的径向彗形像差的裕度增大。在图案HT4A和H3A中，分割位置在径向方向上为±0.55以及在切向方向上为±0.65。在图案T4A和T3A中，分割位置在径向方向上为±0.7以及在切向方向上为±0.6，且在四个角隅处的分割形状也改变。
从图23可以看出，在图案HT4A中，径向彗形像差W31具有0.32的总宽度(对应于±0.56度)。在图案T4A中，径向彗形像差W31具有0.34的总宽度(对应于±0.60度)。在图案H3A中，径向彗形像差W31具有0.30的总宽度(对应于±0.53度)。在图案T3A中，径向彗形像差W31具有0.32的总宽度(对应于±0.56度)。
“通过独立地设置在径向方向上分割的外区域而获得的效果”
图24示出了通过仅在径向方向上将光束分割成三个区域而获得的图案。图24示出了根据物镜的镜头偏移(图24中由LS表示)以伪方式移动视野的情况。R2(区域A、B1和B2)和R3(区域A、B和C)被假设为图案。假设在径向方向上发生0.2的镜头偏移(0.2对应于10％，这是因为光束的光通量的横截面具有2.0的直径)。
“通过独立地设置在径向方向上分割的外区域而获得的效果1”
图25为曲线图，示出了就这些图案而论径向彗形像差裕度的模拟结果。如图25所示，在R2(LS 0.2)图案中的彗形像差裕度减小。即，在在径向方向上分割光束的情况下，通过独立地设置两个外区域可以减小视野移动的影响。对于减小视野移动的影响，有另一种方法，如下所述。
“镜头偏移时的径向彗形像差裕度变化”
图26A示出了就图案R3而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的径向彗形像差特性变化。图26B示出了0.2偏移，以及图26C示出了无偏移。从图26A可以看出，通过优化分割宽度可以抑制因视野移动引起的径向彗形像差的裕度宽度变化。
图27A示出了就图案T4A而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的径向彗形像差特性变化。图27B示出了0.2偏移，以及图27C示出了无偏移。从图27A可以看出，可以确保因视野移动引起的裕度宽度。然而，中心略微偏移。
图28A示出了就图案T3A而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的径向彗形像差特性变化。图28B示出了0.2偏移，以及图28C示出了无偏移。从图28A可以看出，因视野移动引起的裕度宽度突然减小。因此，在图案T3A的情况下，需要抑制视野移动量。
“镜头偏移时的散焦裕度变化”
图29A示出了就图案R3而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的散焦特性变化。图29B示出了0.2偏移，以及图29C示出了无偏移。从图29A可以看出，通过优化分割宽度可以抑制因视野移动引起的散焦裕度宽度变化。
图30A示出了就图案T4A而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的散焦特性变化。图30B示出了0.2偏移，以及图30C示出了无偏移。从图30A可以看出，可以确保因视野移动引起的散焦裕度宽度。
图31A示出了就图案T3A而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的散焦特性变化。图31B示出了0.2偏移，以及图31C示出了无偏移。从图31A可以看出，因视野移动引起的散焦裕度宽度突然减小。因此，在图案T3A的情况下，需要抑制视野移动量。
“具有三个沟道并强烈对抗镜头偏移的图案”
从图26A所示的以上特性可以看出，与图案T3A相比，图案R3具有三个沟道并强烈对抗镜头偏移。即，径向彗形像差裕度在无镜头偏移的情况下为±0.125(对应于±0.44度)以及在0.2镜头偏移的情况下为±0.125(对应于±0.44度)。
具有三个沟道并强烈对抗镜头偏移的图案为Hi3A。图32A示出了就图案Hi3A而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的径向彗形像差特性变化。图32B示出了0.2偏移，以及图32C示出了无偏移。从图32A可以看出，因视野移动引起的裕度宽度可以确保为与具有四个沟道的图案T4A(见图27)相同的程度。即，径向彗形像差裕度在无镜头偏移的情况下为±0.16(对应于±0.56度)以及在0.2镜头偏移的情况下为-0.155至+0.12(对应于-0.54度至+0.42度)。
图33A示出了就图案Hi3A而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的散焦特性变化。图33B示出了0.2偏移，以及图33C示出了无偏移。从图33A可以看出，因视野移动引起的裕度宽度可以确保为与具有四个沟道的图案T4A(见图29)相同的程度。即，散焦裕度在无镜头偏移的情况下为0.25(对应于±0.21μm)以及在0.2镜头偏移的情况下为0.24(对应于±0.20μm)。
“具有四个沟道并强烈对抗镜头偏移的图案”
从图27A所示的特性可以看出，与图案T3A相比，图案T4A具有四个沟道并强烈对抗镜头偏移。即，径向彗形像差裕度在无镜头偏移的情况下为±0.17(对应于±0.60度)以及在0.2镜头偏移的情况下为-0.17至+0.135(对应于-0.60度至+0.47度)。
具有四个沟道并强烈对抗镜头偏移的图案为X4A。图34A示出了就图案X4A而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的径向彗形像差特性变化。图34B示出了0.2偏移，以及图34C示出了无偏移。从图34A可以看出，因视野移动引起的径向彗形像差裕度基本上无变化。即，径向彗形像差裕度在无镜头偏移的情况下为±0.17(对应于±0.60度)以及在0.2镜头偏移的情况下为±0.16(对应于±0.56度)。
图35A示出了就图案X4A而论因伪视野移动(0.1偏移和0.2偏移)引起的散焦特性变化。图35B示出了0.2偏移，以及图35C示出了无偏移。从图35A可以看出，因视野移动引起的散焦裕度变化小。即，散焦裕度在无镜头偏移的情况下为0.265(对应于±0.225μm)以及在0.2镜头偏移的情况下为0.25(对应于±0.21μm)。
“通过独立地设置在径向方向上分割的外区域而获得的效果2”
图36示出了图案HT4A、HTR5A、L6A和LR7A。图37和图38示出了这些图案的径向彗形像差特性。图37示出了当未执行区域分割时获得的图案HT4A和HTR5A的径向彗形像差特性。图38示出了当未执行区域分割时获得的图案LR7A和L6A的径向彗形像差特性。从图37和图38可以看出，通过将在径向方向上的分割与在切向方向上的分割进行组合可以增大径向彗形像差裕度。
如上所述，在通过减小沟道比特长度(即，标记长度)以在线密度方向上增大密度并使轨道间距更窄以在轨道密度方向上增大密度来实现光盘密度增大的情况下，记录标记二维地设置在信号记录表面上。
光盘中的再现信号检测当由周期性结构(诸如记录标记和沟槽)生成的衍射光的光束重叠并相互干涉时引起的亮度/暗度变化。在由周期p的周期性结构引起的±第1阶衍射光中，如图39所示，在瞳孔半径为1的情况下，中心偏移量由λ/(NA·p)表示，且随着其重叠增大，再现信号的振幅增大，而随着重叠减小，振幅减小。当重叠消除时，即，偏移量λ/(NA·p)＝2，振幅变为零。因此，调制传递函数(MTF)的空间频率特性如图40所示。由于λ/(NA·p)＝2，所以截止空间频率为1/p＝2NA/λ，且在比这个更小的周期性结构延续的情况下，振幅变为零。
当这应用于上述具有405nm波长和NA＝0.85的系统时，由于1/p＝2NA/λ，所以周期性结构变为能够再现p＝λ/(2NA)＝238nm的最小周期性结构。这意味着，在已经以低线密度为例在RLL(1,7)PP中具有53nm/沟道比特的系统中，最短2T标记/空间为53nm×2×2＝212nm，因此超过截止空间频率，且2T标记/空间的延续变为零振幅。就与3T标记/空间53nm×3×2＝318nm对应的周期性结构而论，偏移量为λ/(NA·p)＝1.50，因此图41中第0阶光和第±1阶光重叠的区域有助于信号再现。类似地，也在已经以高线密度为例具有45.47nm/沟道比特的系统中，最短2T标记/空间为45.47nm×2×2＝182nm，因此超过截止空间频率，且就与3T标记/空间45.47nm×3×2＝273nm对应的周期性结构而论，偏移量为λ/(NA·p)＝1.75，因此图42中第0阶光和第±1阶光重叠的区域有助于信号再现。即使在2T标记/空间为的振幅为零的密度的的情况下，由于PRML，所以信号处理也不会发生故障。然而，短标记的再现质量是重要因素。
如上所述，在图案H3A和HT4A的电光滤波器特性中，在切向方向上的外区域为允许与短标记(诸如3T和4T)对应的频带执行高频带通过的滤波器，以及中心区域为允许与5T或更多的长标记对应的频带大部分通过的低通滤波器。从图41和图42之间的比较可以看出，这意味着，应当更有助于与空间光学上短标记对应的频带的再现的区域和应当更有助于与长标记对应的频带的再现的区域被有效地分隔，且在每个区域中，突出固有轨道的再现信号分量的比例被认为是高的频率分量，并通过实现与另一个信号的平衡，抑制、阻止或偏移邻接轨道的再现信号分量的比例被认为是高的频率分量，从而提高固有轨道的再现信号质量。此外，在HT4A的情况下，与简单总和信号的再现振幅相比，可以更高灵敏度地检测短标记，这是因为来自切向方向上两个外区域的信号具有相位差。从图41和图42之间的比较可以看出，在高线密度的情况下，不仅可以有助于2T标记/空间的再现的区域而且可以有助于3T标记/空间的再现的区域被认为减小，因此简单总和信号的再现被认为是非常不良的。然而，使用相位差检测，通过提高灵敏度，特性劣化得到抑制。
如上所述，通过在切向方向和径向方向上执行区域分割以将信号分割成在线密度方向和/或轨道密度方向上具有空间光学上不同频带的多个信号，从各个区域施加信号于具有对于其而言最佳的不同特性的电学滤波器，诸如高通滤波器、低通滤波器、带通滤波器和带阻(或陷波)滤波器，并将所述信号再次相加，可以获得良好再现信号，其中符号间干扰以及来自邻接轨道的信号泄漏减小。
上文中，已经对简单地在切向方向和径向方向上执行区域分割的情况进行说明。然而，当用于有效地分隔在具有空间光学上不同频带的区域中的信号的滤波器不仅分隔在充当由轨道结构引起的衍射光的第0阶光的区域中的信号(图43中由*表示并对应于如上所述短标记的再现)，而且分隔在与由轨道结构引起的±第1阶衍射光的干涉区域(由○表示)的区域中的信号时，因此可以改良在扰动中心位置处的e-MLSE并增大诸如径向彗形像差裕度的各种裕度。
【图案IVT4】
图44所示的图案IVT4为四个沟道的实例。即，光束被分割成多个区域，即，在径向方向上的外区域A(＝A1+A2)、中心区域B以及在切向方向上的上区域C(C1+C2+C3)和下区域D(D1+D2+D3)。获得与各个区域对应的四个沟道的信号。本文中，在径向方向上的区域分割位置为±0.5和±0.7的位置，其中瞳孔半径为1.0。在切向方向上的区域分割位置为±0.45和±0.65的位置，其中瞳孔半径为1.0。
将根据以上图案IVT4的模拟结果进行说明。如在上述“低线密度”的情况下，模拟条件如下。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.32μm的情况下，面容量为35.18GB。
·Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者) ·NA＝0.85PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽带＝Tp×0.7存在光盘噪声和放大器噪声
“再现性能”
图45至图49示出了就图案IVT4而论再现性能的模拟结果。图45至图49示出了具有低线密度的图案IVT4的区域分割效果。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
图45示出了在图案IVT4的径向彗形像差裕度与上述其他图案HTR5A、LR7A和HT4A的径向彗形像差裕度W31之间的比较。纵轴表示指标e-MLSE，该纵轴类似于在上述其他曲线图中的纵轴，以及横轴表示归一化径向彗形像差。人们发现，与其他图案相比，图案IVT4的径向光盘歪斜裕度良好。
图46示出了散焦裕度，且图46中曲线图的横轴表示用波长归一化的散焦量W20。值0是指0散焦量。当实际执行再现时，生成散焦，因此需要具有散焦裕度。
在(归一化散焦量与指标)的曲线图中，随着e-MLSE的值越小，再现性能越高。例如，e-MLSE的值基本上优选为0.15或更小。因此，散焦裕度对应于e-MLSE的值基本上为0.15或更小的范围宽度。随着宽度越大，散焦裕度越大。图案IVT4具有令人满意的裕度。
图47示出了球面像差SA的裕度。图47中曲线图的横轴表示归一化球面像差量W40。图案IVT4具有令人满意的球面像差裕度。
图48示出了切向彗形像差裕度。图48中曲线图的横轴表示归一化切向彗形像差量W3-1。图案IVT4具有令人满意的切向彗形像差裕度。
图49示出了在图案在径向方向上偏移的情况下获得的裕度。图49中曲线图的横轴表示上文已经说明为伪视野移动的归一化偏移量，且图49为曲线图，示出了在当LS只偏移了±0.1和±0.2(包括所述方向)时其他扰动为零的状态下获得的e-MLSE变化。人们发现，图案IVT4具有基本上等于T4A的偏移裕度的偏移裕度。
“对于图案IVT4而言最佳的电学滤波器”
将对对于以上图案IVT4而言最佳的电学滤波器进行说明。图52示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中图45中W31＝0，即，在扰动原点处。电学滤波器被形成为FIR滤波器。图53示出了在如上所述设定系数的情况下获得与区域A至D对应的各个沟道的频率振幅特性。图50示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中W31＝-0.16。图51示出了在如上所述设定系数的情况下获得的A至D的各个沟道的频率振幅特性。
在频率振幅特性中，横轴为n/(256T)(n：横轴值)。例如，在(n＝64)的情况下，满足(64/256T)＝(1/4T)。在例如使用RLL(1,7)PP调制方法的情况下，标记长度在2T至8T的范围内，其中沟道时钟周期为“T”。(1/4T)为当2T标记重复时获得的频率。在图51和图53所示的特性中，C、D和A的频率振幅特性保持基本相似的形状，且不管存在/不存在径向彗形像差，在与4T(在横轴上值32附近)和3T(在横轴上值43附近)对应的频带中都可以保持期望电光滤波器特性，且与其他图案相比，图案IVT4具有良好径向光盘歪斜裕度。
如图52和图53所示在扰动原点处IVT4的滤波器特性具有以下特征。中心区域具有类低通特性，以及在切向方向上的外区域具有类高通特性(本文中，允许在有助于信号再现的频带中与较短标记对应的频带通过的带通特性被称为相对类高通特性)。
在图案IVT4中，在切向方向上的外区域为两个独立沟道，且滤波器被形成为使得与所述两个区域对应的沟道的抽头系数具有大约两个时钟的相位差。由此，与简单总和信号的再现振幅相比，可以更高灵敏度地检测短标记。关于短标记的再现，通过还使用所述区域之间的相位差，实现良好再现信号特性。
在与4T(在横轴上值32附近)和3T(在横轴上值43附近)对应的频带中，几乎不包括在所述频带中的信号分量的区域B抑制串扰分量以及存在所述区域中具有低通滤波器特性的其他噪声分量，并通过C和D之间的相位差来减小串扰分量，然后通过与A的频率振幅特性的平衡来消除仍残留的串扰分量。因此，无需非常必要地提高C、D和A的频率振幅特性，且这也实现了良好再现信号特性。
当比较图51(示出了当生成径向彗形像差时获得的各个沟道的频率振幅特性)中的特性与图53(示出了在扰动原点处具有以上特征的各个沟道的频率振幅特性)中的特性时，C、D和A的频率振幅特性保持基本相似的形状，且不管存在/不存在径向彗形像差，在与4T(在横轴上值32附近)和3T(在横轴上值43附近)对应的频带中都可以保持期望电光滤波器特性，且与其他图案相比，图案IVT4具有良好径向光盘歪斜裕度。
【图案NST6】
图54所示的图案NST6为六个沟道的实例。该图案被认为是T4A的中心区域在径向方向上还被分割成三个区域的图案。即，光束被分割成多个区域，即，在径向方向上的区域A(＝A1+A2)、在切向方向上的上区域E和下区域F以及三个中心区域B、C和D。该三个中心区域为使得靠近区域A1的区域为区域B，靠近区域A2的区域为区域D，以及确切中心区域为区域C，并获得与各个区域对应的六个沟道的信号。本文中，在径向方向上的区域分割位置为±0.3和±0.75的位置，其中瞳孔半径为1.0，以及在切向方向上的区域分割位置为±0.65的位置(考虑到因中心区域的分割等引起的各个特性的变化，从上述T4A的区域分割稍微调整分割位置)。
将根据以上图案NST6的模拟结果进行说明。如在上述“低线密度”的情况下，模拟条件如下。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽带＝Tp×0.7 ·存在光盘噪声和放大器噪声
如图14所示，人们发现，当与以上图案H3A相比具有空间光学上不同频带的区域的分割数量在切向方向上(即，在与如在图案H4C中的线密度方向对应的方向上)增大时，根据在切向方向上的分割数量来增大切向彗形像差裕度。通过还将这种思维方式应用于径向方向，获得图案NST6。
在该分割图案NST6中，在径向方向上具有空间光学上不同频带的区域的分割数量增大，且虽然图案NST6不同于IVT4，但是图案NST6还检测与由轨道结构引起的±第1阶衍射光的干涉区域对应的信号。由此，可以增大各个裕度，诸如径向彗形像差裕度，同时在扰动中心位置处保持良好e-MLSE。“再现性能”
图55至图59示出了就图案NST6而论再现性能的模拟结果。图55至图59示出了具有低线密度的图案NST6的区域分割效果。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
图55示出了图案NST6的径向彗形像差裕度以及上述用于比较的其他图案T4A和IVT4的径向彗形像差裕度。纵轴表示指标e-MLSE，该纵轴类似于在上述其他曲线图中的纵轴，以及横轴表示归一化径向彗形像差W31。人们发现，与图案T4A和IVT4的径向光盘歪斜裕度相比，图案NST6的径向光盘歪斜裕度良好，这是因为在径向方向上具有空间光学上不同频带的区域的分割数量增大，且虽然图案NST6不同于IVT4，但是图案NST6还检测与由轨道结构引起的±第1阶衍射光的干涉区域对应的信号。
图56示出了散焦裕度，且图56中曲线图的横轴表示用波长归一化的散焦量W20。值0是指0散焦量。
图57示出了球面像差SA的裕度。图57中曲线图的横轴表示归一化球面像差量W40。人们发现，与图案IVT4的球面像差裕度相比，图案NST6的球面像差裕度良好。
图58示出了切向彗形像差裕度。图58中曲线图的横轴表示归一化切向彗形像差量W3-1。人们发现，与图案IVT4的切向彗形像差裕度相比，图案NST6的切向彗形像差裕度良好。
图59示出了在图案在径向方向上偏移的情况下获得的裕度。图59中曲线图的横轴表示归一化偏移量。人们发现，与图案IVT4的偏移裕度相比，图案NST6的偏移裕度良好。
【图案IVNST6】
图60所示的图案IVNST6b为六个沟道的实例。图案IVNST6为将以上分割图案IVT4和NST6的优点进行组合的图案。即，当视图案IVT4为基础时，图44中的中心区域B被认为是就T4A而论以与NST6相同的方式在径向方向上还被分割成三个区域以增大在径向方向上具有空间光学上不同频带的区域的分割数量。此外，当视图案NST6为基础时，区域A1和A2也被认为是延伸到区域E和区域F，且区域E的一部分(E2)和区域F的一部分(F2)进入区域B，以及区域E的一部分(E3)和区域F的一部分(F3)进入区域B。本文中，在径向方向上的区域分割位置为±0.25、±0.5和±0.7的位置，其中瞳孔半径为1.0，以及在切向方向上的区域分割位置为±0.45和±0.65的位置。该图案抑制在径向方向上的图案偏移劣化，该劣化在图案IVT4中明显，且在几乎所有特性中是最佳解决方案。
将根据以上图案IVNST6的模拟结果进行说明。如在上述“低线密度”的情况下，模拟条件如下。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽带＝Tp×0.7 ·存在光盘噪声和放大器噪声
“再现性能”
图61至图65示出了就图案IVNST6而论再现性能的模拟结果。图61至图65示出了具有低线密度的图案IVNST6的区域分割效果。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
图61示出了就图案IVNST6、以上图案NST6和以上图案IVT4而论的径向彗形像差裕度。纵轴表示指标e-MLSE，该纵轴类似于在上述其他曲线图中的纵轴，以及横轴表示归一化径向彗形像差W31。人们发现，图案IVNST6的径向光盘歪斜裕度最佳。
图62示出了散焦裕度，且图62中曲线图的横轴表示用波长归一化的散焦量W20。人们发现，图案IVNST6的散焦裕度最佳。
图63示出了球面像差SA的裕度。图63中曲线图的横轴表示归一化球面像差量W40。人们发现，图案IVNST6的球面像差裕度以及图案NST6的球面像差裕度最佳。
图64示出了切向彗形像差裕度。图64中曲线图的横轴表示归一化切向彗形像差量W3-1。人们发现，图案IVNST6的切向彗形像差裕度最佳。
图65示出了在图案在径向方向上偏移的情况下获得的裕度。图65中曲线图的横轴表示归一化偏移量。人们发现，与图案IVT4的偏移裕度相比，图案IVNST6的偏移裕度良好。
“对于图案IVNST6而言最佳的电学滤波器”
将对对于以上图案IVNST6而言最佳的电学滤波器进行说明。图68示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中图61中W31＝0，即，在扰动原点处。电学滤波器被形成为FIR滤波器。图69示出了在如上所述设定系数的情况下获得与区域A至F对应的各个沟道的频率振幅特性。图66示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中W31＝-0.16。图67示出了在如上所述设定系数的情况下获得的A至F的各个沟道的频率振幅特性。
如图68和图69所示在扰动原点处IVNST6的滤波器特性具有以下特征。在切向方向上的外区域以及在图案IVT4中的外区域具有类高通特性(本文中，允许在有助于信号再现的频带中与较短标记对应的频带通过的带通特性被称为相对类高通特性)。
此外，在图案IVNST6中以及在图案IVT4中，在切向方向上的外区域为两个独立沟道，且滤波器被形成为使得与所述两个区域对应的沟道的抽头系数具有大约两个时钟的相位差。由此，与简单总和信号的再现振幅相比，可以更高灵敏度地检测短标记。关于短标记的再现，通过还使用区域之间的相位差，实现良好再现信号特性。
虽然IVT4中设置单个中心区域，但是在IVNST6中，中心区域在径向方向上被分割成三个区域。然而，同在IVT4中一样，三个区域B、C和D基本上具有类低通特性，且在扰动原点处三个区域之间的滤波器特性无多大差异。
在与4T(在横轴上值32附近)和3T(在横轴上值43附近)对应的频带中，几乎不包括在所述频带中的信号分量的区域B、C和D抑制串扰分量以及存在所述区域中具有低通滤波器特性的其他噪声分量，并通过E和F之间的相位差来减小串扰分量，以及通过与A的频率振幅特性的平衡来消除仍残留的串扰分量。因此，无需非常必要地提高E、F和A的频率振幅特性，且这也实现了良好再现信号特性。
从图66(示出了当生成径向彗形像差时获得的各个沟道的抽头系数)和图67(示出了频率振幅特性)中的特性与图68(示出了在扰动原点处的各个沟道的抽头系数)和图69(示出了频率振幅特性)中的特性之间的比较可以看出，所述滤波器为使得当生成W31＝-0.16的径向彗形像差时，在B、C和D的三个中心沟道中，C(确切中心)强化，B和D明显弱化，且E和F在一定程度上强化。此外，从图67和图69可以看出，如在IVT4的情况下，E、F和A的频率振幅特性保持基本相似的形状，且不管存在/不存在径向彗形像差，在与4T和3T对应的频带中都可以保持期望电光滤波器特性。由此，在图案IVNST6中可以实现最佳径向光盘歪斜裕度。
图70示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中在图62中的散焦W20的特性中W20＝-0.16。电学滤波器被形成为FIR滤波器。图71示出了在如上所述设定系数的情况下获得的A至F的各个沟道的频率振幅特性。
从图70(示出了在生成散焦的状态下获得的各个沟道的抽头系数)和图71(示出了频率振幅特性)中的特性与图68(示出了在扰动原点处的各个沟道的抽头系数)和图69(示出了频率振幅特性)中的特性之间的比较可以看出，所述滤波器为使得当生成W20＝-0.16的散焦时，在B、C和D的三个中心沟道中，C(确切中心)弱化且相位在8T附近反转以执行带通(根据图70中的抽头系数也发现相位反转)，且B和D强化。此外，关于E和F，从图70中的抽头系数可以看出，所述滤波器为使得相位差减小且E和F强化。
图72示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中在图63中的球面像差SA的特性中W40＝-0.20。电学滤波器被形成为FIR滤波器。图73示出了在如上所述设定系数的情况下获得的A至F的各个沟道的频率振幅特性。
从图72(示出了在生成球面像差的状态下获得的各个沟道的抽头系数)和图73(示出了频率振幅特性)中的特性与图68(示出了在扰动原点处的各个沟道的抽头系数)和图69(示出了频率振幅特性)中的特性之间的比较可以看出，所述滤波器为使得当生成W40＝-0.20的球面像差时，在B、C和D的三个中心沟道中，C(确切中心)强化。
如上所述，通过根据扰动类型独立地改变三个中心区域B、C和D的滤波器特性，实现各个裕度增大。
“使用电学滤波器特性变化的扰动/像差检测”
如上所述，在存在扰动或像差的状态下，各个沟道的滤波器特性(抽头系数)取决于扰动/像差类型而特有地变化(见表1)。
【表1】
各个沟道的滤波器特性(抽头系数)变化取决于扰动的类型和大小而不同，因此可以检测在这种状态下由滤波器特性(抽头系数)生成什么类型的扰动以及生成扰动到什么程度。即，通过使用FIR滤波器的抽头系数的分布可以检测径向像差或球面像差。此外，通过使用FIR滤波器的抽头系数的分布可以检测散焦或切向彗形像差。此外，通过使用FIR滤波器的抽头系数的分布可以检测偏轨或视差移动。
为了实现RF再现特性为最佳的状态，可以使用诸如i-MLSE和e-MLSE的指标。然而，基于这些指标，可以发现是否只有RF再现特性接近最佳状态，且不可能获得关于例如彗形像差是否减小、散焦是否偏移或球面像差是否偏移的信息。相反，例如，在IVNST6(同样适用于NST6)的情况下，可以根据中心区域B、C和D(所述中心区域B、C和D为在径向方向上分割的三个区域)的滤波器特性(抽头系数)变化和在切向方向上的外区域E和F的滤波器特性(抽头系数)变化来检测径向彗形像差是否减小、散焦是否偏移或球面像差是否偏移，并可以作出调整以从扰动原点消除滤波器特性(抽头系数)的偏移因素。
“电学滤波器的优化：散焦特性和抽头数量”
图74示出了以上图案IVNST6的散焦特性的模拟结果。模拟条件类似于上述模拟条件。图74示出了如上所述FIR滤波器的抽头数量为31的情况以及抽头数量为15的情况。
如上所述，图70示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中W20＝-0.16，以及图71示出了A至F的各个沟道的频率振幅特性。在频率特性中，所述滤波器为使得在B、C和D的三个中心沟道中，C(确切中心)弱化，相位在8T附近反转以执行带通，且B和D强化。
同时，图75示出了在电学滤波器中的15个抽头的系数值的实例，其中W20＝-0.16，以及图76示出了在A至F中的各个沟道的频率振幅特性。该频率特性不同于31个抽头(图71)的情况的频率特性，且不能实现期望滤波器特性。沟道C充当低通滤波器而不是具有反相的带通滤波器。因此，散焦时由抽头数量引起的裕度无差异。
本文中，已经举例对就IVNST6的散焦裕度而论由抽头数量引起的差异进行说明。然而，这同样适用于其他图案和其他裕度。在RLL(1,7)PP的情况下，有从2T到8T的记录标记，因此，为了在与8T标记/空间对应的频率中也实现期望滤波器特性，期望在使用FIR滤波器的情况下使抽头系数在16T宽度或更大的范围内。
【图案NST6H】
图77所示的图案NST6H为六个沟道的另一个实例。该图案为中心区域在径向方向上还被分割成三个区域的图案。即，光束被分割成多个区域，即，在径向方向上的外区域A(＝A1+A2)、在切向方向上的上区域E和下区域F以及三个中心区域B、C和D。该三个中心区域为使得靠近区域A1的区域为区域B，靠近区域A2的区域为区域D，以及确切中心区域为区域C，并获得与各个区域对应的六个沟道的信号。本文中，在径向方向上的中心区域的区域分割位置为±0.25和±0.70的位置，其中瞳孔半径为1.0，以及在切向方向上的区域分割位置为±0.40的位置。
图78示出了在六个沟道的情况下获得的模拟结果。当IVNST6(同样适用于NST6)变为NST6H时，在径向方向上的外沟道的面积(光量)大，以及在切向方向上的外沟道的面积(光量)大，这有效地增大了线密度。
【图案IVTSP5】(在保持特性的同时减小沟道数量)
如上所述，图60(图79)所示的图案IVNST6在几乎所有的特性中是最佳解决方案。然而，在一些情况下，期望根据信号处理电路的功耗、引脚数量、电路规模等的限制来减小沟道数量。图案IVTSP5为在保持特性的同时沟道数量从六个沟道减为五个沟道的图案。本文中，在径向方向上的区域分割位置为±0.25、±0.5和±0.7的位置，其中瞳孔半径为1.0，以及在切向方向上的区域分割位置为±0.45和±0.65的位置。
就减少沟道数量的方法而言，在图案IVNST6中的A至F的六个沟道中，A、E和F保持原样，且C的信号被分配给B和D，从而实现五个沟道。即，沟道B的信号被设定为B+(Ks×C)，以及沟道D的信号被设定为D+(Ks×C)。如上所述减少沟道数量的图案被称为“图案IVTSP5”。
将根据以上图案IVTSP5的模拟结果进行说明。如在上述“低线密度”的情况下，模拟条件如下。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽带＝Tp×0.7 ·存在光盘噪声和放大器噪声
“再现性能”
图80至图84示出了就图案IVTSP5而论再现性能的模拟结果。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
图80示出了就图案IVTSP5s0.5、图案IVTSP5s1.0、以上图案IVNST6和以上图案IVT4而论的径向彗形像差裕度。纵轴表示指标e-MLSE，该纵轴类似于在上述其他曲线图中的纵轴，以及横轴表示归一化径向彗形像差W31。IVTSP5s0.5是指IVTSP5，其中Ks＝0.5。IVTSP5s1.0是指IVTSP5，其中Ks＝1.0。
图81示出了就图案IVTSP5s0.5、图案IVTSP5s1.0、图案IVNST6和图案IVT4而论的散焦裕度。图81中曲线图的横轴表示用波长归一化的散焦量W20。值0是指0散焦量。当实际执行再现时，生成散焦，因此需要具有散焦裕度。
在(归一化散焦量与指标)的曲线图中，随着e-MLSE的值越小，再现性能越高。例如，e-MLSE的值基本上优选为0.15或更小。因此，散焦裕度对应于e-MLSE的值基本上为0.15或更小的范围宽度。随着宽度越大，散焦裕度越大。
图82示出了就图案IVTSP5s0.5、图案IVTSP5s1.0、图案IVNST6和图案IVT4而论球面像差SA的裕度。图82中曲线图的横轴表示归一化球面像差量W40。
图83示出了就图案IVTSP5s0.5、图案IVTSP5s1.0、图案IVNST6和图案IVT4而论的切向彗形像差裕度。图83中曲线图的横轴表示归一化切向彗形像差量W3-1。
图84示出了就图案IVTSP5s0.5、图案IVTSP5s1.0、图案IVNST6和图案IVT4而论在图案在径向方向上偏移的情况下获得的裕度。图84中曲线图的横轴表示归一化偏移量。
从这些特性可以看出，当区域之间的信号的比例(Ks)改变时，人们发现，“散焦裕度和切向彗形像差裕度”和“径向彗形像差裕度和球面像差裕度”具有权衡关系。也可以根据介质差异等来切换多个Ks并使用Ks。
在IVTSP5中，B与C与D的简单比例为(B:C:D＝1:2Ks:1)。当视图案IVNST6的以上滤波器特性为基础时，期望在径向彗形像差裕度和球面像差裕度中相对强化C，因此(Ks>0.5)对所述两个裕度有利。从Ks＝0.5和Ks＝1.0的曲线图可以看出，模拟结果还示出了以上点。
【图案IVTSM4】(在保持特性的同时减少沟道数量)
虽然与IVT4相比IVNST6的各个特性得到改良，但是通过与就上述从IVNST6到IVTSP5的转换而论的思维方式类似的思维方式可以改良径向彗形像差裕度和球面像差裕度。将对图案IVTSM4进行说明，其中在保持特性的同时沟道数量从六个沟道减为四个沟道。如图85所示，光学上或电学上对中心区域(B、C和D)进行加权是有效的。本文中，在径向方向上的区域分割位置为±0.25、±0.5和±0.7的位置，其中瞳孔半径为1.0，以及在切向方向上的区域分割位置为±0.45和±0.65的位置。
就减少沟道数量的方法而言，在图案IVNST6中的A至F的六个沟道中，A、E和F保持原样，且沟道B、C和D的信号被设定为(C+Ksm×B+Ksm×D)的单个沟道。如上所述减少沟道数量的图案被称为“图案IVTSM4”。
将根据以上图案IVTSM4的模拟结果进行说明。如在上述“低线密度”的情况下，模拟条件如下。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽带＝Tp×0.7 ·存在光盘噪声和放大器噪声
“再现性能”
图86至图90示出了就图案IVTSM4而论再现性能的模拟结果。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
图86示出了就图案IVTSM4s0.7和以上图案IVT4而论的径向彗形像差裕度。纵轴表示指标e-MLSE，该纵轴类似于在上述其他曲线图中的纵轴，以及横轴表示归一化径向彗形像差W31。IVTSM4s0.7是指IVTSM4，其中Ksm＝0.7。
图87示出了就图案IVTSM4s0.7和图案IVT4而论的散焦裕度。图87中曲线图的横轴表示用波长归一化的散焦量W20。
图88示出了就图案IVTSM4s0.7和图案IVT4而论球面像差SA的裕度。图88中曲线图的横轴表示归一化球面像差量W40。
图89示出了就图案IVTSM4s0.7和图案IVT4而论的切向彗形像差裕度。图89中曲线图的横轴表示归一化切向彗形像差量W3-1。
图90示出了就图案IVTSM4s0.7和图案IVT4而论在图案在径向方向上偏移的情况下获得的裕度。图90中曲线图的横轴表示归一化偏移量。
从这些特性可以看出，虽然径向彗形像差裕度和球面像差裕度得到改良，但是散焦裕度和切向彗形像差裕度略微变窄。请注意，在径向方向上的图案偏移(在IVT4中明显劣化)未得到改良。同样在这种情况下，也可以根据介质差异等来切换多个Ksm并使用Ksm。
【图案IVNS5】(在保持特性的同时减少沟道数量)
在线密度不是相当高的情况下，即使在未设置在切向方向上中心位置不同的沟道的情况下，也获得期望特性。即，如图91所示，在切向方向上的图案IVNST6的两个沟道(E和F)被整合为单个沟道(E)。沟道F的区域F1、F2和F3变为沟道E的区域E4、E5和E6。如上所述减少沟道数量的图案被称为“图案IVNS5”。本文中，在径向方向上的区域分割位置为±0.25、±0.5和±0.7的位置，其中瞳孔半径为1.0，以及在切向方向上的区域分割位置为±0.45和±0.65的位置。
将根据以上图案IVNS5的模拟结果进行说明。如在上述“低线密度”的情况下，模拟条件如下。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽带＝Tp×0.7 ·存在光盘噪声和放大器噪声
“再现性能”
图92至图96示出了就图案IVNS5而论再现性能的模拟结果。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
图92示出了就图案IVNS5、以上图案IVT4和以上图案IVNST6而论的径向彗形像差裕度。纵轴表示指标e-MLSE，该纵轴类似于在上述其他曲线图中的纵轴，以及横轴表示归一化径向彗形像差W31。
图93示出了就图案IVNS5、图案IVT4和图案IVNST6而论的散焦裕度。图93中曲线图的横轴表示用波长归一化的散焦量W20。
图94示出了就图案IVNS5、图案IVT4和图案IVNST6而论球面像差SA的裕度。图94中曲线图的横轴表示归一化球面像差量W40。
图95示出了就图案IVNS5、图案IVT4和图案IVNST6而论的切向彗形像差裕度。图95中曲线图的横轴表示归一化切向彗形像差量W3-1。
图96示出了就图案IVNS5、图案IVT4和图案IVNST6而论在图案在径向方向上偏移的情况下获得的裕度。图96中曲线图的横轴表示归一化偏移量。
从这些特性可以看出，在线密度不是相当高的情况下，即使在未设置在切向方向上中心位置不同的沟道的情况下，也获得期望特性。
“对于图案IVNS5而言最佳的电学滤波器”
将对对于以上图案IVNS5而言最佳的电学滤波器进行说明。图99示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中图92中W31＝0，即，在扰动原点处。电学滤波器被形成为FIR滤波器。图100示出了在如上所述设定系数的情况下获得与区域A至E对应的各个沟道的频率振幅特性。图97示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中W31＝-0.16。图98示出了在如上所述设定系数的情况下获得的A至E的各个沟道的频率振幅特性。
如图99和图100所示在扰动原点处IVNS5的滤波器特性具有以下特征。与在切向方向上的外区域对应的E和与在径向方向上的外区域对应的A的滤波器特性类似于在图15和图16所示的H3A中在切向方向上的外区域和在径向方向上的外区域的滤波器特性。虽然就中心区域B、C和D(所述中心区域B、C和D为在径向方向上分割的三个区域)而言，在以上IVNST6中在扰动原点处三个区域B、C和D之间无多大差异，但是确切中心区域C以及确切中心区域C两侧上的区域B和D在扰动原点处已经具有不同滤波器特性。中心区域C阻断在与3T(在横轴上值43附近)信号对应的频带中与4T(在横轴上值32附近)信号对应的频带，这类似于在H3A中的中心区域的频带且具有从其他沟道的相位反转180度的相位，这也根据图99中在中心附近的抽头而发现。相反，B和D具有与在IVNST6中B和D的滤波器特性类似的滤波器特性。
从图97(示出了当生成径向彗形像差时获得的各个沟道的抽头系数)和图98(示出了频率振幅特性)中的特性与图99(示出了在扰动原点处各个沟道的抽头系数)和图100(示出了频率振幅特性)中的特性之间的比较可以看出，所述滤波器为使得当生成W31＝-0.16的径向彗形像差时，在B、C和D的三个中心沟道中，以与IVNST6的情况相同的方式，C(确切中心)强化，以及B和D明显弱化。由此，在图案IVNS5中可以实现良好径向光盘歪斜裕度，其接近于IVNST6中的径向光盘歪斜裕度。
图101示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例，其中在图94中的球面像差SA的特性中W40＝-0.20。电学滤波器被形成为FIR滤波器。图102示出了在如上所述设定系数的情况下获得的A至E的各个沟道的频率振幅特性。
从图101(示出了在生成球面像差的状态下获得的各个沟道的抽头系数)和图102(示出了频率振幅特性)中的特性与图99(示出了在扰动原点处各个沟道的抽头系数)和图100(示出了频率振幅特性)中的特性之间的比较可以看出，所述滤波器为使得当生成W40＝-0.20的球面像差时，在B、C和D的三个中心沟道中，C(确切中心)强化。
从图100(示出了在扰动原点处的特性)与图98(示出了在生成径向彗形像差的状态下获得的特性)之间的比较以及图100(示出了在扰动原点处的特性)与图102(示出了在生成球面像差的状态下获得的特性)之间的比较可以看出，在图案IVNS5的情况下以及在IVNST6的情况下，通过将中心部分分割成三个沟道B、C和D，实现径向彗形像差裕度增大和球面像差裕度增大。在IVNS5的情况下，在处于扰动中心的状态的C(确切中心)、B和D中，滤波器的频率特性已经不同，这比IVNST6的情况更清楚。此外，在径向彗形像差W31＝-0.16或球面像差W40＝-20的C(确切中心)、B和D中，进一步改变滤波器的频率特性。
“使用电学滤波器特性变化的扰动/像差检测”
如上所述，在IVNS5中以及在IVNST6中，在存在扰动或像差的状态下，各个沟道的滤波器特性(抽头系数)取决于扰动/像差类型而特有地变化(见表2)。
【表2】
各个沟道的滤波器特性(抽头系数)变化取决于扰动的类型和大小而不同，因此可以检测在这种状态下由滤波器特性(抽头系数)生成什么类型的扰动以及生成扰动到什么程度，以及可以作出调整以从扰动原点消除滤波器特性(抽头系数)的偏移因素。
【图案IVSP4】(在保持特性的同时减少沟道数量)
可以以与以IVNST6为基础考虑的IVTSP5相同的方式以IVNS5为基础考虑IVSP4。即，可以通过使用光学上或电学上共享中心区域C的方法，根据信号处理电路的功耗、引脚数量、电路规模等的限制来减少沟道数量。
就减少沟道数量的方法而言，在图案IVNS5(见图91)中的A至E的五个沟道中，A和E保持原样，且C的信号被分配给B和D，从而实现四个沟道。即，沟道B的信号被设定为B+(Ks×C)，以及沟道D的信号被设定为D+(Ks×C)。如上所述减少沟道数量的图案被称为“图案IVSP4”。
将根据以上图案IVSP4的模拟结果进行说明。如在上述“低线密度”的情况下，模拟条件如下。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽带＝Tp×0.7 ·存在光盘噪声和放大器噪声
“再现性能”
图103至图111示出了就图案IVSP4而论再现性能的模拟结果。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
图103示出了就IVSP4s0.5、IVSP4s0.7、IVSP4s1.0、IVSP4s2.0、以上图案IVNS5和以上图案IVT4而论的径向彗形像差裕度。纵轴表示指标e-MLSE，该纵轴类似于在上述其他曲线图中的纵轴，以及横轴表示归一化径向彗形像差W31。IVSP4s0.5是指IVSP4，其中Ks＝0.5。IVSP4s0.7是指IVSP4，其中Ks＝0.7。IVSP4s1.0是指IVSP4，其中Ks＝1.0。IVSP4s2.0是指IVSP4，其中Ks＝2.0。
图104示出了径向彗形像差裕度对系数Ks的依赖性。径向彗形像差裕度在Ks变小的方向上明显劣化。径向彗形像差裕度在Ks＝1附近为最佳。
图105示出了就IVSP4s0.5、IVSP4s0.7、IVSP4s1.0、IVSP4s2.0、IVNS5和IVT4而论的散焦裕度。图105中曲线图的横轴表示用波长归一化的散焦量W20。
图106示出了散焦量对系数Ks的依赖性。当Ks小时，散焦裕度良好。
图107示出了就IVSP4s0.5、IVSP4s0.7、IVSP4s1.0、IVSP4s2.0、IVNS5和IVT4而论球面像差SA的裕度。图107中曲线图的横轴表示归一化球面像差量W40。
图108示出了球面像差裕度对系数Ks的依赖性。当Ks大时，球面像差裕度良好。
图109示出了就IVSP4s0.5、IVSP4s1.0、IVNS5和IVT4而论的切向彗形像差裕度。图109中曲线图的横轴表示归一化切向彗形像差量W3-1。
图110示出了就IVSP4s0.5、IVSP4s0.7、IVSP4s1.0、IVSP4s2.0、IVNS5和IVT4而论在图案在径向方向上偏移的情况下获得的裕度。图110中曲线图的横轴表示归一化偏移量。类似地，图111示出了在图案在切向方向上偏移的情况下获得的裕度。与图110相比，纵轴(e-MLSE)被放大，因此容易区分曲线图。
从这些特性可以看出，当区域之间的信号的比例(Ks)改变时，人们发现，“散焦裕度和切向彗形像差裕度”和“径向彗形像差裕度和球面像差裕度”具有权衡关系。也可以根据介质差异等来切换多个Ks并使用Ks。
【图案IVos4】(在保持特性的同时减少沟道数量)
通过使用在IVNS5中以及在IVSP4中光学上或电学上共享中心区域C的方法，可以根据信号处理电路的功耗、引脚数量、电路规模等的限制来减少沟道数量。
就减少沟道数量的方法而言，在图案IVNS5(见图91)中的A至E的五个沟道中，A和E保持原样，且C的信号被分配给B和D，从而实现四个沟道。即，沟道B的信号被设定为B+(Ks1×C)，以及沟道D的信号被设定为D+(Ks2×C)(Ks1≠Ks2)。在(Ks1＝0,Ks2＝1)的情况下，图案分割类似于图112所示的图案分割。如上所述减少沟道数量的图案被称为“图案IVos4”。本文中，在径向方向上的区域分割位置为±0.25、±0.5和±0.7的位置，其中瞳孔半径为1.0，以及在切向方向上的区域分割位置为±0.45和±0.65的位置。
将根据以上图案IVos4的模拟结果进行说明。如在上述“低线密度”的情况下，模拟条件如下。
·LD 35.18(GB)...0.053μm/沟道比特
·在Tp＝0.225μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为50.0GB。
·NA＝0.85 ·PR(1233321) ·评价指标：e-MLSE
·标记宽带＝Tp×0.7 ·存在光盘噪声和放大器噪声
“再现性能”
图113至图118示出了就图案IVos4而论再现性能的模拟结果。在各图中，e-MLSE示出了在未执行区域分割的情况下获得的特性。
图113示出了就IVos4、IVSP4s0.5、IVSP4s1.0、IVNS5和IVT4而论的径向彗形像差裕度。纵轴表示指标e-MLSE，该纵轴类似于在上述其他曲线图中的纵轴，以及横轴表示归一化径向彗形像差W31。IVos4表示在(Ks1＝0，Ks2＝1)的情况下的特性。
图114示出了就IVos4、IVSP4s0.5、IVSP4s1.0、IVNS5和IVT4而论的散焦裕度。图114中曲线图的横轴表示用波长归一化的散焦量W20。
图115示出了就IVos4、IVSP4s0.5、IVSP4s1.0、IVNS5和IVT4而论球面像差SA的裕度。图115中曲线图的横轴表示归一化球面像差量W40。
图116示出了就IVos4、IVSP4s0.5、IVSP4s1.0、IVNS5和IVT4而论的切向彗形像差裕度。图116中曲线图的横轴表示归一化切向彗形像差量W3-1。
图117示出了就IVos4、IVSP4s0.5、IVSP4s1.0、IVNS5和IVT4而论在图案在径向方向上偏移的情况下获得的裕度。图117中曲线图的横轴表示归一化偏移量。类似地，图118示出了在图案在切向方向上偏移的情况下获得的裕度。与图117相比，纵轴(e-MLSE)被放大，因此容易区分曲线图。
从这些特性可以看出，IVos4具有比IVSP4s0.5更好的特性。可以根据介质差异等来切换多个Ks并使用Ks，也可以改变Ks1和Ks2之间的平衡。
上文中，已经对从通过在径向方向上将IVT4中的中心区域分割成三个区域而获得的IVNST6到IVTSP5、IVTSM4、IVNS5、IVSP4和IVos4的流程进行说明。这些关系如表3所示。
【表3】
信号，且当光被检测元件接收到时，光束可通过同一受光单元进行检测或可单独地接收并然后进行电学计算。
【通过在沟道数量减少时控制比例(系数)的偏轨特性改良】
在本公开中，已经对为了减少沟道数量而根据需要使用Ks、Ksm、Ks1、Ks2等来切换系数的情况进行说明。将系数相乘的处理可通过光学衰减或电信号处理而执行。即，无需区分频率特性，并通过使用光学元件(诸如液晶元件)的方法或电学方法(诸如加减放大器)，可以实现只使其比例变化。
虽然已经以沟道数量从六个沟道减为四个沟道的图案为例对IVTSM4(图85)进行说明，但是将通过使用例如改变包括IVTSM4的中心区域B、C和D的沟道的图案IVT4VG，对通过比例控制的特性改良进行说明。在图案IVT4VG中，在图案IVNST6中的A至F的六个沟道中，A(沟道1)、E(沟道3)和F(沟道4)保持原样，并通过以下加权相加表达式来形成沟道2的信号。
Channel 2:Kd×B+C+(2-Kd)×D(其中0≤Kd≤1)
图119示出了在偏轨量为0nm、10nm、20nm和30nm的情况下获得的Kd和e-MLSE之间关系的模拟结果。偏轨量为在束斑中心和轨道中心之间在径向方向上的偏移量。例如，在偏轨量为0nm(即，无轨道偏移)的情况下，e-MLSE为最小，其中(Kd＝1)。在这种情况下，沟道2为(B+C+D)。此外，在偏轨量为【30nm】的情况下，e-MLSE为最小(在Kd＝0.25附近)。在这种情况下，沟道2为(0.25B+C+1.75D)。
基于这些模拟结果，发现使e-MLSE为最小的系数Kd的值，因此预先制备定义偏轨量和Kd之间关系的表或关系表达式。当通过某个方法(诸如使用循迹误差等)检测到偏轨量并通过将检测到的偏轨量应用于表或关系表达式来设定Kd时，e-MLSE可为最小。即，可以抑制信号劣化。
不仅通过使用单独地检测偏轨量的方法，而且通过使用以下表达式来改变系数Kd，可以抑制信号劣化。
Kd＝1-α(B-D)/(B+D)
常数α被设定为使Kd改变以尽可能多地与模拟结果匹配的值。例如，图120示出了在设定(α＝3.5)的情况下获得的kd变化。图120示出了(Kd＝1，其中偏轨量＝0nm)、(Kd＝0.77，其中偏轨量＝10nm)、(Kd＝0.55，其中偏轨量＝20nm)和(Kd＝0.33，其中偏轨量＝30nm)。从图119所示的模拟结果可以看出，这种Kd变化可以减小信号劣化。然而，α的值可为另一个值。此外，可以使用(B-D)/(B+D)项中的低通变化量。请注意，RF信号B和D被用作如由以上表达式表示，且无需设置偏轨量检测电路或检测信号供给路径。因此，可以简化信号处理的构造。
【区域分割图案的另一个实例】
在图60所示的区域分割图案IVNST6中，中心区域在径向方向上被分割成B、C和D的三个区域。如图121所示，区域分割图案可为省略区域C并设置区域B和D的图案。各个区域B和D中的RF信号可进行加权并相加。此外，区域A而不是区域B和D可被分割成区域A1和A2，且A1和A2中的RF信号可进行加权并相加。
虽然已经对区域分割图案IVT4VG以及图121中的区域分割图案进行说明，但是本公开还可适用于除以上图案外的区域分割图案，所述区域分割图案为沟道数量减少的图案。虽然在以上说明中，加权相加的比例取决于偏轨量而变化，但是该比例可根据视野移动(镜头偏移)而变化。
为了增大散焦裕度、切向彗形像差裕度、径向彗形像差裕度、球面像差裕度等，可改变Ks、Ksm、Ks1、Ks2等。
以就表3所示的一组区域分割图案而论相同的思维方式，可以从NST6考虑TSP5、TSM4、NS5、SP4和os4，其中T4的中心区域在径向方向上被分割成三个区域。类似地，可以从HNST6(图112)考虑HTSP5、HTSM4、HNS5、HSP4和Hos4，其中HT4的中心区域在径向方向上被分割成三个区域。这些关系如表4所示。考虑到各个特性，其分割位置可进行适当改变，同时基本分割图案保持原样。
【表4】
可以从HiNS5(图123)考虑HiSP4、HiSM3和Hios4，其中Hi3的中心区域在径向方向上被分割成三个区域。这些关系如表5所示。
【表5】
通过将就IVT4而论的思维方式应用于T4、HT4和Hi3系统，还可以考虑VT4(图124)、VHT4(图125)和VHi3(图126)。此外，在径向方向上具有空间光学上不同频带的区域的分割数量的增大可基于这些图案而考虑。
【图案NST6】(密度进一步增大的情况)
图127示出了分割图案NST6(图案NST6类似于图54中的图案)。将对在该分割图案中进一步增大密度的情况进行说明。即，模拟条件如下。
·LD 47(GB)...0.03967μm/沟道比特
·在Tp＝0.15μm(岸台和沟槽两者)的情况下，面容量为100.3GB。
·NA＝0.91 ·PR(1233321) ·评价指标:e-MLSE
·标记宽度＝Tp×0.6
图128示出了在这种情况下在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例。电学滤波器被形成为FIR滤波器。图129示出了在如上所述设定系数的情况下获得的A至F的各个沟道的频率振幅特性。在未使用光学滤波器的情况下，e-MLSE为38.6％，而在使用光学滤波器(NST6)和电学滤波器的情况下，e-MLSE提高至8.6％。
<2.其他实施例>
从光盘再现的信号极大地偏离理想信号，这是因为在理想信号中出现因线性方向上的密度增大引起的符号间干扰增大以及因轨道方向上的密度增大引起来自邻接轨道的信号泄漏增大。这个问题通常通过电学滤波器而解决。例如，在BDXL(注册商标)中实现33.4GB/L。
图130示出了根据本公开再现高密度记录信号的构造。即，再现信号被提供给光学滤波器131并通过光学滤波器131分隔成在线密度方向和/或轨道密度方向上具有空间光学上不同频带的多个信号。对所述多个分隔信号(例如，两个信号被提供给对于各个信号以及电学滤波器132和133的输出而言最佳的电学滤波器132和133)进行求和，从而获得输出信号。
在以上实施例中，光学滤波器被分割成多个区域，且从各个分割区域获得的多个沟道的信号被提供给电学滤波器。另一个实施例为使用分束器作为光学滤波器的实例。
如图131所示，用来自光源121的激光束经由前进路径/返回路径分离式分束器122和物镜123照射光盘124的表面。来自光盘124的返回光束被分束器122反射以入射在光学滤波器的分束器125上。请注意，图131示出了说明所需的最小光学元件。
被分束器125反射的光束通过受光元件126A转换为电信号，以及已经透过分束器125的光束通过受光元件126B转换为电信号。分束器125具有入射角依赖性，并通过使用入射角依赖性在空间光学上分隔瞳孔内部。图132示出了分束器125的反射特性。图132中，纵轴表示反射率，横轴表示半径位置。半径位置为在径向方向上的半径位置，其中瞳孔半径为1。
从图132和图133可以看出，几乎所有入射在分束器125(半径位置＝0)上的激光被透射以引导至受光元件126B。几乎所有入射在(半径位置＝±1.0)上的激光被反射以引导至受光元件126A。如上所述，虽然光束被分隔，但是本实施例与以上实施例不同之处在于被引导至受光元件126A和126B的光束具有重叠部分。
此外，在图131的构造中，另一个分束器127(见图134)可设置在分束器125和受光元件126B之间。分束器127具有入射角依赖性。分束器127以具有90度差的角度引导引导至受光元件126A的光束和引导至受光元件126B的光束。即，图131中，分束器127在从薄片的背面到正面的方向上引导光束，并使受光元件126C接收光束。
“电学滤波器的特性”
图135和图136示出了电学滤波器的特性，通过受光元件126A和126B转换的电信号被提供给所述电学滤波器，如图131所示。图135示出了在电学滤波器中的31个抽头的系数值的实例。电学滤波器被形成为FIR滤波器。图136示出了在如上所述设定系数的情况下获得的反射光侧滤波器和透射光侧滤波器的频率振幅特性。
图137示出了在适合两级构造的电学滤波器中的31个抽头的系数的实例，其中图131中的构造与图134中的分束器进行组合。A表示受光元件126A的系数，B表示滤波器的系数，受光元件126B的输出被提供给该滤波器，以及C表示滤波器的系数，受光元件126C的输出被提供给该滤波器。图138示出了在如上所述设定系数的情况下获得的反射光侧滤波器和透射光侧滤波器的频率振幅特性。
请注意，虽然具有入射角依赖性的分束器在以上实例中被用作光学滤波器，但是可以采用光束入射在半波片上且半波片的输出光入射在偏振分束器上的构造。在这种情况下，半波片的光轴方向在二维平面上具有不同分布。因此，可以根据半波片上的入射位置来执行不同偏振并通过使用偏振分束器将输入光束分割成两个部分。
另外，本技术还可被构造为如下。
(1)一种用于光学地再现光学介质的光学介质再现装置，多个轨道设置在该光学介质中，所述光学介质再现装置包括：
检测单元，被构造为通过将从所述光学介质返回的光束的横截面分割成多个区域并分割成与在径向方向上外侧的区域对应的至少一个沟道、与在切向方向上不同位置的区域对应的至少一个沟道以及与其他区域对应的沟道来形成各个沟道的检测信号，且在形成所述沟道的检测信号的情况下，通过对在所述多个区域中的预定区域中的信号进行加权并相加来形成所述沟道中至少一个沟道的检测信号；
多输入均衡器单元，被构造为包括多个均衡器单元，所述多个沟道的各个检测信号被提供给所述多个均衡器单元，并被构造为根据所述多个沟道的检测信号来形成均衡化信号；和
二值化单元，被构造为对所述均衡化信号执行二值化处理以获得二元数据。
(2)根据(1)所述的光学介质再现装置，其中
所述多输入均衡器单元被构造为多输入自适应均衡器单元，以及
所述光学介质再现装置包括均衡化误差计算单元，该均衡化误差计算单元被构造为通过使用根据所述二值化单元的二值化检测结果而获得的均衡化目标信号以及从所述多输入自适应均衡器单元输出的所述均衡化信号来计算均衡化误差并将所述均衡化误差作为自适应均衡化控制信号提供给所述自适应均衡器单元。
(3)根据(2)所述的光学介质再现装置，其中
所述多输入自适应均衡器单元根据所述多个区域的检测信号来执行部分响应均衡化处理，
所述二值化单元执行最大似然解码处理，作为对所述多输入自适应均衡器单元的均衡化信号执行的二值化处理，以及
所述均衡化误差计算单元通过使用通过对通过最大似然解码而获得的二值化检测结果执行卷积处理而获得的所述均衡化目标信号以及从所述多输入自适应均衡器单元输出的所述均衡化信号进行计算来计算均衡化误差。
(4)根据(1)或(2)所述的光学介质再现装置，
其中用于设定加权比例的系数的值被控制为减小因径向彗形像差或球面像差引起的信号劣化。
(5)根据(1)或(2)所述的光学介质再现装置，
其中用于设定加权比例的系数的值被控制为减小因散焦或切向彗形像差引起的信号劣化。
(6)根据(1)或(2)所述的光学介质再现装置，
其中用于设定加权比例的系数的值被控制为减小因偏轨或视差移动引起的信号劣化。
(7)根据(1)至(6)中任一项所述的光学介质再现装置，其中
所述检测单元包括与所述多个区域对应的被分割的检测器，以及
所述多个区域的检测信号从所述光电检测器中提取。
(8)根据(1)至(7)中任一项所述的光学介质再现装置，
其中用于分隔所述多个区域的光路转换元件设置在通过物镜通往所述检测器的光路中，且由所述光路转换元件分隔的多个光束被输入给不同检测器。
(9)根据(1)至(8)中任一项所述的光学介质再现装置，其中
岸台和沟槽交替地设置在所述光学介质中，以及
信息被记录在所述岸台和所述沟槽两者上。
(10)一种用于光学地再现光学介质的光学介质再现方法，多个轨道设置在该光学介质中，所述光学介质再现方法包括：
使用检测单元，通过将从所述光学介质返回的光束的横截面分割成多个区域并分割成与在径向方向上外侧的区域对应的至少一个沟道、与在切向方向上不同位置的区域对应的至少一个沟道以及与其他区域对应的沟道来形成各个沟道的检测信号，且在形成所述沟道的检测信号的情况下，通过对在所述多个区域中的预定区域中的信号进行加权并相加来形成所述沟道中至少一个沟道的检测信号；
使用多输入均衡器单元，根据所述多个沟道的检测信号来形成均衡化信号；以及
使用二值化单元对所述均衡化信号执行二值化处理以获得二元数据。
(11)一种用于光学地再现光学介质的光学介质再现装置，多个轨道设置在该光学介质中，所述光学介质再现装置包括：
光学滤波器，被构造为当从所述光学介质返回的光束入射时，形成在线密度方向和轨道密度方向上具有空间光学上不同频带的多个信号；和
多个电学滤波器，由所述光学滤波器形成的所述多个信号被提供给所述多个电学滤波器，
其中通过将所述多个电学滤波器的输出进行组合来获得再现信号。
(12)根据(11)所述的光学介质再现装置，
其中所述光学滤波器为具有入射角依赖性的分束器。
(13)根据(1)所述的光学介质再现装置，
其中通过在所述多个均衡器单元中使用的FIR滤波器的抽头系数的分布来检测径向像差或球面像差。
(14)根据(1)所述的光学介质再现装置，
其中通过在所述多个均衡器单元中使用的FIR滤波器的抽头系数的分布来检测散焦或切向彗形像差。
(15)根据(1)所述的光学介质再现装置，
其中通过在所述多个均衡器单元中使用的FIR滤波器的抽头系数的分布来检测偏轨或视差移动。
<3.变形例>
在以上说明中已经对本公开的实施例进行具体说明。然而，本公开并不限于以上实施例，且可以实现基于本公开的技术思想的各种变形。例如，激光源的波长、轨道间距和记录线密度的以上数值仅仅是示例，且可以使用其他数值。此外，除了以上指标之外的指标可被用作用于评价再现性能的指标。此外，本公开适用于对光盘只执行记录和再现之一的光盘装置。
此外，只要不脱离本公开的主旨，在以上实施例中所述的构造、方法、处理、形状、材料和数值就可以相互组合。例如，上述第一实施例和第二实施例可以组合。
附图标记列表
13 多输入自适应均衡器
14 二值化检测器
15 PR卷积单元
21至23 自适应均衡器单元
100 光盘
101 光学拾波器
105 数据检测处理单元
125、127 分束器
126A、126B、126C 受光元件。

Claims (15)

1.一种光学介质再现装置，多个轨道设置在该光学介质中，所述光学介质再现装置包括：
检测单元，被构造为通过将从所述光学介质返回的光束的横截面分割成多个区域并分割成与在径向方向上外侧的区域对应的至少一个沟道、与在切向方向上不同位置的区域对应的至少一个沟道以及与其他区域对应的沟道来形成各个沟道的检测信号，且在形成所述沟道的检测信号的情况下，通过对在所述多个区域中的预定区域中的信号进行加权并相加来形成所述沟道中至少一个沟道的检测信号；
多输入均衡器单元，被构造为包括多个均衡器单元，所述多个沟道的各个检测信号被提供给所述多个均衡器单元，并被构造为根据所述多个沟道的检测信号来形成均衡化信号；和
二值化单元，被构造为对所述均衡化信号执行二值化处理以获得二元数据。
2.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，其中
所述多输入均衡器单元被构造为多输入自适应均衡器单元，以及
所述光学介质再现装置包括均衡化误差计算单元，该均衡化误差计算单元被构造为通过使用根据所述二值化单元的二值化检测结果而获得的均衡化目标信号以及从所述多输入自适应均衡器单元输出的所述均衡化信号来计算均衡化误差并将所述均衡化误差作为用于自适应均衡化的控制信号提供给所述自适应均衡器单元。
3.根据权利要求2所述的光学介质再现装置，其中
所述多输入自适应均衡器单元根据所述多个区域的检测信号来执行部分响应均衡化处理，
所述二值化单元执行最大似然解码处理，作为对所述多输入自适应均衡器单元的均衡化信号执行的二值化处理，以及
所述均衡化误差计算单元通过使用通过对通过最大似然解码而获得的二值化检测结果执行卷积处理而获得的所述均衡化目标信号以及从所述多输入自适应均衡器单元输出的所述均衡化信号进行计算来计算均衡化误差。
4.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，
其中用于设定加权比例的系数的值被控制为减小因径向彗形像差或球面像差引起的信号劣化。
5.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，
其中用于设定加权比例的系数的值被控制为减小因散焦或切向彗形像差引起的信号劣化。
6.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，
其中用于设定加权比例的系数的值被控制为减小因偏轨或视差移动引起的信号劣化。
7.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，其中
所述检测单元包括与所述多个区域对应的被分割的检测器，以及
所述多个区域的检测信号从所述检测器中提取。
8.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，
其中用于分隔所述多个区域的光路转换元件设置在通过物镜通往所述检测器的光路中，且由所述光路转换元件分隔的多个光束被输入给不同的检测器。
9.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，其中
岸台和沟槽交替地设置在所述光学介质中，以及
信息被记录在所述岸台和所述沟槽两者上。
10.一种光学介质再现方法，多个轨道设置在该光学介质中，所述光学介质再现方法包括：
使用检测单元，通过将从所述光学介质返回的光束的横截面分割成多个区域并分割成与在径向方向上外侧的区域对应的至少一个沟道、与在切向方向上不同位置的区域对应的至少一个沟道以及与其他区域对应的沟道来形成各个沟道的检测信号，且在形成所述沟道的检测信号的情况下，通过对在所述多个区域中的预定区域中的信号进行加权并相加来形成所述沟道中至少一个沟道的检测信号；
使用多输入均衡器单元，根据所述多个沟道的检测信号来形成均衡化信号；以及
使用二值化单元对所述均衡化信号执行二值化处理以获得二元数据。
11.一种光学介质再现装置，多个轨道设置在该光学介质中，所述光学介质再现装置包括：
光学滤波器，被构造为当从所述光学介质返回的光束入射时，形成在线密度方向和轨道密度方向上具有空间光学上不同频带的多个信号；和
多个电学滤波器，由所述光学滤波器形成的所述多个信号被提供给所述多个电学滤波器，
其中通过将所述多个电学滤波器的输出进行组合来获得再现信号。
12.根据权利要求11所述的光学介质再现装置，
其中所述光学滤波器为具有入射角依赖性的分束器。
13.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，
其中通过在所述多个均衡器单元中使用的FIR滤波器的抽头系数的分布来检测径向像差或球面像差。
14.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，
其中通过在所述多个均衡器单元中使用的FIR滤波器的抽头系数的分布来检测散焦或切向彗形像差。
15.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，
其中通过在所述多个均衡器单元中使用的FIR滤波器的抽头系数的分布来检测偏轨或视差移动。
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