CN106567054B - 石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法 - Google Patents

石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种石英基Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜，其制备方法为：用纳米金刚石溶液对石英衬底进行超声振荡预处理；采用热丝化学气相沉积法，在经过预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，即制得所述的石英基Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜；本发明简单易行、容易操作，制备得到的具有强Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜与石英基体结合力较弱，为剥离获得具有Si‑V发光的纳米金刚石晶粒奠定了良好的基础，这对于实现纳米金刚石在生物标记、单光子源等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。

Description

石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法
(一)技术领域
本发明涉及一种生长在石英衬底上的具有强Si-V发光(在光致发光谱中的发光峰位于738nm)的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法。
(二)背景技术
金刚石中的硅-空位(Si-V)在光致发光谱的发光峰位于738nm，发光峰较窄(仅5nm)，发光寿命短(仅1.2ns)，这些优异的光学性能使得Si-V成为极具应用潜力的单光子源，在量子信息技术、半导体器件以及光电子器件等领域具有极重要的应用前景。同时，Si-V发光中心的发光峰位于738nm，能够使用红外光或近红外光作为激发光，在标记活体生物时，可以最大限度地降低生物组织对激发光的吸收，使得深层组织成像；并且Si-V发光中心具有很窄的零声子线(仅几纳米)，可以进一步减小生物成像中的自体荧光，将单光子信号与背景信号有效地分离。因此，金刚石中的Si-V发光中心在生物标记领域的应用有着极大的优势。
实现金刚石中Si-V发光中心在单光子和生物标记领域应用的关键是获得Si-V发光的纳米金刚石晶粒。我们已受理的专利CN201510149374.4，CN201510149396.0中，将单颗粒层纳米金刚石薄膜生长在单晶硅片上，颗粒尺寸在500～600nm之间，具有较强的Si-V发光性能；这些颗粒由纳米尺寸的金刚石晶粒和非晶碳组成，晶粒通常包裹在非晶碳中。要获得Si-V发光的纳米金刚石晶粒，必须首先使单颗粒层薄膜从衬底上脱落下来。但是，如专利CN201510149374.4和CN201510149396.0中所述，生长在单晶硅片上的单颗粒层纳米金刚石薄膜的附着力良好，较难脱落；与单晶硅衬底相比，石英和金刚石的热膨胀系数相差较大，导致二者之间的结合力较差，更容易将金刚石薄膜从石英衬底上剥离。因此，为了使单颗粒层纳米金刚石薄膜更容易从衬底上脱落，以获得尺寸小于100纳米的Si-V发光的金刚石晶粒，本发明拟使用石英作为衬底，制备具有Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜，为实现Si-V发光的金刚石在单光子源和生物标记的应用奠定基础。
在石英上制备金刚石薄膜，已有一些研究。如1995年，姬荣斌等人在石英玻璃上采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积(RF HFCVD)技术，成功制备了均匀透明的金刚石薄膜。2002年，邱东江等人采用RF HFCVD技术在石英玻璃衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜。2009年，张磊等人在石英玻璃管外表面沉积纳米金刚石薄膜，从而增强石英玻璃管的抗腐蚀性能。这些报道中涉及的金刚石薄膜都是在石英衬底上生长的致密连续的薄膜，没有涉及由单个颗粒组成的纳米金刚石薄膜；并且在性能上，已有报道关注的是光学透明性或者耐腐蚀性能等，没有关注石英衬底上的金刚石薄膜的光致发光性能，尤其是金刚石中的Si-V缺陷中心的发光性能。
本发明在石英衬底上制备具有Si-V发光的单颗粒层的纳米金刚石薄膜，为利用超声振荡将薄膜中的发光晶粒分离出来奠定基础，对于实现金刚石在单光子源和生物标记等领域的应用具有重要意义。
(三)发明内容
本发明的目的是提供一种生长在石英衬底上的强Si-V发光[Si-V发光在光致发光谱(PL谱)中特征峰位于738nm处]的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法。
本发明采用热丝化学气相沉积法，在石英衬底上制备得到单颗粒层纳米金刚石薄膜，该薄膜具有Si-V发光性能，通过在空气中热氧化处理后，薄膜的Si-V发光强度大大增强。本发明首次在石英衬底上制备出具有Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜。
本发明采用如下技术方案：
一种石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜，按如下方法制备得到：
(1)用纳米金刚石溶液对石英衬底进行超声振荡预处理；
(2)采用热丝化学气相沉积法，在经过步骤(1)预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，即制得所述的石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜。
本发明制得的石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜由尺寸为300～600nm的颗粒组成，每个颗粒中包含尺寸为纳米级的金刚石晶粒和非晶碳相。
进一步，步骤(1)的具体操作方法为：
将纳米金刚石粉末(粒径为100nm)分散于去离子水中(料液质量比1：50～150)，得到纳米金刚石溶液，将石英衬底置于所得纳米金刚石溶液中，使用功率为200W的超声波振荡机进行超声波振荡0.5～3h，之后将石英衬底依次置于去离子水、丙酮中，使用功率为200W的超声波振荡机分别进行超声清洗2min，最后干燥，备用。
进一步，步骤(2)的具体操作方法为：
将经过步骤(1)预处理的石英衬底放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气A鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，氢气B、丙酮的流量比为200：90，热丝与石英衬底的距离为6～10mm，反应功率为1600～2000W，工作气压为1.63～2.63Kpa；薄膜生长时间为5～30min，在反应过程中不加偏压，薄膜生长结束后，在不通氢气B的条件下降温冷却至室温(20～30℃)，即在石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，即制得所述的石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜。
所述的“氢气A”、“氢气B”没有特殊的含义，标记为“A”、“B”只是用于区分不同的两路氢气。其中氢气A作为丙酮的载气，以鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，丙酮的流量以氢气A的流量进行计算。
本发明的有益效果主要体现在：
(1)采用热丝化学气相沉积法，在石英衬底上制备纳米金刚石薄膜，薄膜在738nm处具有Si-V发光，这是首次在石英衬底上制备出具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜；
(2)将纳米金刚石薄膜在一定温度的空气中保温一定时间，获得单个颗粒组成的纳米金刚石薄膜，使得其具有很强的Si-V发光，较未氧化颗粒的Si-V发光强度提高了9～26倍；
(3)本发明在石英衬底上制备得到的具有强Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜，为纳米金刚石在光纤传输、生物传感器、生物标记等领域的应用提供了新思路。
本发明简单易行、容易操作，制备得到的具有强Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜与石英基体结合力较弱，为剥离获得具有Si-V发光的纳米金刚石晶粒奠定了良好的基础。这对于实现纳米金刚石在生物标记、单光子源等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
(四)附图说明
图1为实施例1中石英衬底上制备的纳米金刚石薄膜的场发射扫描电镜(FESEM)照片；
图2为实施例1中石英衬底上制备的纳米金刚石薄膜的光致发光谱，其中内附图为薄膜的Raman光谱图；
图3为实施例1中，在600℃空气中保温20分钟得到的单颗粒层纳米金刚石薄膜的表面SEM图；
图4为实施例1中，在600℃空气中保温20分钟得到的单颗粒层纳米金刚石薄膜的光致发光谱图，其中内附图为薄膜的Raman光谱图；
图5为实施例2中，在600℃空气中保温40分钟得到的单颗粒层纳米金刚石薄膜的表面SEM图；
图6为实施例2中，在600℃空气中保温40分钟得到的单颗粒层纳米金刚石薄膜的光致发光谱图，其中内附图为薄膜的Raman光谱图。
(五)具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行进一步描述，但本发明的保护范围并不仅限于此。
以下实施例中所用到的超声机为深圳超艺达科技有限公司生产的PS-30型超声机器，超声功率为200W。
实施例1
(1)将0.2g纳米金刚石粉末分散于20ml去离子水中，得到纳米金刚石溶液，将石英衬底置于所得纳米金刚石溶液中，使用功率为200W的超声波振荡机进行超声波振荡3h，之后将石英衬底依次置于去离子水、丙酮中，使用功率为200W的超声波振荡机分别进行超声清洗2min，最后干燥，备用。
(2)将经过步骤(1)预处理的石英衬底放入热丝化学气相沉积设备(购自上海交友钻石涂层有限公司，型号为JUHF CVD 001)，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，其中：氢气、丙酮的流量比为200：90，热丝与石英衬底的距离为7mm，反应功率为1700W，工作气压为1.63Kpa；薄膜生长时间为15min，在反应过程中不加偏压，薄膜生长结束后，在不通氢气的条件下降温冷却至室温，即在石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜。
采用台式扫描电镜观察薄膜的表面形貌和截面，采用光致发光谱测试薄膜的发光性能。
图1为石英衬底上制备的纳米金刚石薄膜的扫描电镜(SEM)照片，可知形成了连续的纳米金刚石薄膜；图2为薄膜的光致发光谱图，采用波长为514nm的Raman光谱仪的发光模式进行测试。可以看出，薄膜在738nm处具有Si-V发光峰，其发光强度约为0.64。即本发明制备的单颗粒层纳米金刚石薄膜具有Si-V发光。图2的内附图为纳米金刚石薄膜的Raman光谱。可以看出，1332cm-1处出现了金刚石特征峰，在1560cm-1还可观察到无序sp2键的石墨峰，说明薄膜主要由金刚石相和无序石墨相组成，为典型的纳米金刚石薄膜。
将上述单颗粒层纳米金刚石薄膜在600℃的空气中保温20分钟，图3为其SEM图，可见薄膜由单个的颗粒组成，为单颗粒层纳米金刚石薄膜。采用波长为514nm的PL光谱对薄膜进行发光峰测试，如图4所示。可以看出，谱图中在738nm左右出现了很强的发光峰，Si-V发光峰的归一化强度为5.8，较未氧化的单颗粒层薄膜(归一化强度仅有0.64)有较大提高，提高了约9倍。图4的内附图为薄膜的Raman光谱，表明在1332cm-1处出现了金刚石特征峰，在1560cm-1还可观察到无序sp2键的石墨峰，说明薄膜主要由金刚石相和无序石墨相组成，为典型的纳米金刚石薄膜。即在石英衬底上成功制备了具有强Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜。
实施例2
(1)将0.2g纳米金刚石粉末分散于20ml去离子水中中，得到纳米金刚石溶液，将石英衬底置于所得纳米金刚石溶液中，使用功率为200W的超声波振荡机进行超声波振荡3h，之后将石英衬底依次置于去离子水、丙酮中，使用功率为200W的超声波振荡机分别进行超声清洗2min，最后干燥，备用。
(2)将经过步骤(1)预处理的石英衬底放入热丝化学气相沉积设备(购自上海交友钻石涂层有限公司，型号为JUHF CVD 001)，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，其中：氢气、丙酮的流量比为200：90，热丝与石英衬底的距离为7mm，反应功率为1700W，工作气压为1.63Kpa；薄膜生长时间为15min，在反应过程中不加偏压，薄膜生长结束后，在不通氢气的条件下降温冷却至室温，即在石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜。
将上述纳米金刚石薄膜在600℃的空气中保温40分钟。图5为600℃空气中保温40分钟的单颗粒层纳米金刚石薄膜的SEM图，可见薄膜由单个的颗粒组成，为单颗粒层纳米金刚石薄膜。
采用波长为514nm的PL光谱对薄膜进行发光峰测试，如图6所示。可以看出，谱图中在738nm左右出现了很强的发光峰，Si-V发光峰的归一化强度为16.9，较未氧化的单颗粒层薄膜(归一化强度仅有0.64)有较大提高，提高了约26倍。图6的内附图为纳米金刚石薄膜的Raman光谱，表明在1332cm-1处出现了金刚石特征峰，在1560cm-1还可观察到无序sp2键的石墨峰，说明薄膜主要由金刚石相和无序石墨相组成，为典型的纳米金刚石薄膜。以上结果表明，在石英衬底上成功制备了单颗粒层的纳米金刚石薄膜。

Claims (3)

1.一种石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜，其特征在于，所述石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜按如下方法制备得到：
(1)用纳米金刚石溶液对石英衬底进行超声振荡预处理，操作方法为：
将纳米金刚石粉末以料液质量比1：50～150分散于去离子水中，得到纳米金刚石溶液，将石英衬底置于所得纳米金刚石溶液中，使用功率为200W的超声波振荡机进行超声波振荡0.5～3h，之后将石英衬底依次置于去离子水、丙酮中，使用功率为200W的超声波振荡机分别进行超声清洗2min，最后干燥，备用；
(2)采用热丝化学气相沉积法，在经过步骤(1)预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，即制得所述的石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜。
2.如权利要求1所述的石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜，其特征在于，所述步骤(2)的操作方法为：
将经过步骤(1)预处理的石英衬底放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气A鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，氢气B、丙酮的流量比为200：90，热丝与石英衬底的距离为6～10mm，反应功率为1600～2000W，工作气压为1.63～2.63Kpa；薄膜生长时间为5～30min，在反应过程中不加偏压，薄膜生长结束后，在不通氢气B的条件下降温冷却至室温，即在石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，即制得所述的石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜。
3.如权利要求1所述的石英基Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜，其特征在于，由尺寸为300～600nm的颗粒组成，每个颗粒中包含尺寸为纳米级的金刚石晶粒和非晶碳相。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108660429B (zh) * 2018-03-23 2020-06-23 浙江工业大学 一种晶粒密堆积n型纳米金刚石薄膜及其制备方法
CN108642472A (zh) * 2018-05-30 2018-10-12 叶展 高粘高疏水碳基纳米复合颗粒薄膜及其制备方法
CN109252212A (zh) * 2018-09-28 2019-01-22 浙江工业大学 一种具有表面纳米结构的SiV发光单晶金刚石颗粒及其制备方法
CN111705305B (zh) * 2020-07-20 2022-05-20 内蒙古科技大学 一种纳米金刚石过渡金属色心的植晶掺杂制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104831253A (zh) * 2015-03-31 2015-08-12 浙江工业大学 一种具有强Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102034764A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 苏州纳维科技有限公司 具有自剥离功能的衬底以及剥离外延层的方法
CN104060237B (zh) * 2014-06-10 2016-09-21 浙江工业大学 一种具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜及制备方法
CN104762607B (zh) * 2015-03-31 2017-04-12 浙江工业大学 一种单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104831253A (zh) * 2015-03-31 2015-08-12 浙江工业大学 一种具有强Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
石英玻璃上生长表面光滑高光透射率的金刚石膜;郝天亮等;《真空科学与技术学报》;20040831;第24卷(第4期);第283页右栏-284页2.1表面预处理与成核密度 *

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