CN106547384A - 一种In-cell触摸屏制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种In-cell触摸屏制作方法，包括：玻璃基板下部形成触摸传感器；玻璃基板下部形成柱子，柱子上覆金属形成第一电极；阵列基板上以垫片形成能够接收触摸传感器的信号并将信号进行传达的第二电极；采用激光焊接或银胶印刷连接玻璃基板的第一电极和阵列基板的第二电极。本发明提出的In-cell触摸屏制作方法，适用于OLED In-cell触摸屏和LCD In-cell触摸屏的制作；通过采用激光焊接和银胶印刷实现了上下基板电极的连接；实现了OLED In-cell触摸屏的制作；提高了LCD In-cell触摸屏的合格率。

Description

一种In-cell触摸屏制作方法

技术领域

本发明涉及触控显示技术领域，具体涉及一种In-cell触摸屏制作方法。

背景技术

移动产品上使用的发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器是全面发光形态，具有响应速度快、亮度高、低功耗、视角好、可实现柔性显示等特点而成为显示器技术发展的主流。具有触控功能的OLED显示器是基于功能丰富化的需求所产生的，比较常用的触控技术包括On-cell触控技术，In-cell触控技术。In-cell是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法；On-cell是指将触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间的方法。由于阵列基板上无法形成电极；因此，一般使用On-Cell方式，但是其工程比较复杂，很难实现一个集成电路化。

全面发光结构上，阴极电极在显示区域中全面形成，因此在阵列工程上形成触摸传感器时；因阴极电极下部存在有机发光层，如果在阴极电极上做触摸传感器工程的话一定要高温工程，高温下会造成有机发光层变形以及劣化。还有阵列基板上很难实现触摸传感器电路结构。因此不能在阴极电极上形成触摸传感器。

传统的在封装玻璃上形成On-Cell触摸传感器，需要首先将封装玻璃薄化，然后制作封装玻璃上面触摸管理集成电路连接，制作阵列基板上显示驱动集成电路，最后形成模组。传统的制作On-Cell触摸传感器的模组工程复杂，同时，触摸管理集成电路和显示驱动集成电路无法一体化。

现有的LCD In-cell触摸屏的制作过程中，在阵列基板上形成方式也比较复杂，合格率低。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种In-cell触摸屏制作方法，目的是为了实现OLED In-cell触摸屏的制作以及提高LCD In-cell触摸屏的合格率。

本发明公开了一种In-cell触摸屏制作方法，该方法包括：

步骤一、玻璃基板下部形成触摸传感器；

步骤二、玻璃基板下部形成柱子，柱子上覆金属形成第一电极；

步骤三、阵列基板上以垫片形成能够接收触摸传感器的信号并将该信号进行传达的第二电极；

步骤四、采用激光焊接方式或银胶印刷方式连接玻璃基板的第一电极和阵列基板的第二电极。

该制作方法适用于OLED In-cell触摸屏和LCD In-cell触摸屏的制作。

所述第一电极和第二电极位于封装玻璃和阵列基板的外围电路上。

所述第一电极与触摸传感器以电路线方式连接。

阵列基板上各像素形成柱子的高度为3～5μm；玻璃基板下部形成的柱子比阵列基板上形成的柱子高。

当步骤四中采用激光焊接连接第一电极和第二电极时，在步骤三与步骤四之间，所述制作方法还包括：将玻璃基板与阵列基板贴合；或，

当步骤四中采用银胶印刷连接第一电极和第二电极时，在步骤四之后，所述制作方法还包括：将玻璃基板与阵列基板贴合。

当步骤四中采用激光焊接连接第一电极和第二电极时，柱子上需要覆两层金属形成第一电极；与柱子相接触的是第一金属层，第一金属层使用熔点为1000℃以上的金属；第二金属层覆在第一金属层的外侧，第二金属层使用熔点为500℃～1000℃的金属；两层金属层的厚度之和为；或，

当步骤四中采用银胶印刷连接第一电极和第二电极时，柱子上覆单层金属形成第一电极，单层金属选用Mo，Ti或ITO。

当步骤四中采用激光焊接连接第一电极和第二电极时，激光的焦点对准玻璃基板与阵列基板上形成的接触电极；激光能量要保持在第二金属层能够熔化的程度；或，

当步骤四中采用银胶印刷连接第一电极和第二电极时，银胶在以喷墨打印方式或网版印刷方式进行印刷。

LCD In-cell触摸屏的制作过程中：在步骤一与步骤二之间，所述制作方法还包括，在触摸传感器的下部形成R光阻，G光阻，B光阻。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

本发明提出的一种In-cell触摸屏制作方法，适用于OLED In-cell触摸 屏和LCD In-cell触摸屏的制作；该制作方法在阵列基板的外围电路上形成电极，通过采用激光焊接和银胶印刷实现了上下基板电极的连接；实现了OLED In-cell触摸屏的制作；

本发明公开的制作方法简单，通过采用激光焊接和银胶印刷实现了触摸管理集成电路和显示驱动集成电路的一体化；

本发明公开的制作方法，提高了LCD In-cell触摸屏的合格率。

附图说明

图1为本发明一种实施例公开的In-cell触摸屏制作方法的流程图；

图2为本发明一种实施例公开的OLED In-cell触摸屏激光焊接的流程图；

图3为本发明一种实施例公开的OLED In-cell触摸屏银胶印刷的流程图；

图4为本发明一种实施例公开的LCD In-cell触摸屏激光焊接的流程图；

图5为本发明一种实施例公开的LCD In-cell触摸屏银胶印刷的流程图。

图中：1：封装玻璃基板；2：触摸传感器；3：有机膜柱子；4：第一电极；4-1：第一金属层；4-2：第二金属层；5：OLED阵列基板；6：第二电极；7：边框胶；8：银胶；9：彩膜玻璃基板；10：LCD阵列基板；11：R光阻；12：G光阻；13：B光阻。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面结合附图对本发明做进一步的详细描述：

实施例一：

如图1所示，本发明公开了一种In-cell触摸屏制作方法，适用于OLED In-cell触摸屏和LCD In-cell触摸屏的制作，该方法包括：

S101、玻璃基板下部形成触摸传感器；

S102、玻璃基板下部形成柱子，柱子上覆金属形成第一电极；

S103、阵列基板上以垫片形成能够接收触摸传感器的信号并将该信号进行传达的第二电极；

S104、采用激光焊接方式或银胶印刷方式连接第一电极和第二电极。

优选的，第一电极和第二电极位于封装玻璃和阵列基板的外围电路上。

优选的，第一电极与触摸传感器以电路线方式连接。

优选的，阵列基板上各像素形成柱子的高度为3～5μm；玻璃基板下部形成的柱子比阵列基板上形成的柱子高。

实施例二：

如图2所示，本发明实施例二在实施例一的基础上具体公开了OLED In-cell触摸屏采用激光焊接方式实现基板上电极连接的方法，具体包括：

步骤a、在OLED中封装玻璃基板1下部形成触摸传感器2。

步骤b、使用有机膜柱子形成设备，在封装玻璃基板1的下部形成有机膜柱子3；

OLED阵列基板上各像素形成有机膜柱子的高度为3～5μm；封装玻璃基板下部形成的有机膜柱子3比OLED阵列基板上形成的有机膜柱子高；使封装玻璃基板上的第一电极与OLED阵列基板上的第二电极能压紧接触，保证了封装玻璃基板与OLED阵列基板的通电。

步骤c、有机膜柱子3上覆两层金属膜形成第一电极4，第一电极4与触摸传感器2以电路线方式连接；

与有机膜柱子3相接触的是第一金属层4-1，第一金属层4-1使用熔点为1000℃以上的金属(比如Mo，Ti等)；第二金属层4-2覆在第一金属层4-1的外侧，第二金属层4-2使用熔点为500℃～1000℃的金属(比如Al，Cu，Ag等)；两层金属层的厚度之和为。

步骤d、OLED阵列基板5的外围电路上以垫片形成能够接收触摸传感器的信号并将该信号进行传达的第二电极6；

垫片的金属选择OLED阵列基板5上制作Gate电极(栅极)，Data电极(漏极)，Anode电极(阳极)所使用金属；垫片最底部金属层应使用熔点高的金属(比如Mo，Ti等)作为激光遮断膜；如形成垫片的金属熔点低时，则由形成Gate电极，Data电极的熔点高的金属作为激光遮断膜；

垫片中部形成用于穿透激光的洞，如图2d所示。

步骤e、将封装玻璃基板1和OLED阵列基板5贴合。

步骤f、采用激光焊接连接封装玻璃基板1上的第一电极4和OLED阵列基板5的第二电极6；

激光的焦点对准封装玻璃基板1与OLED阵列基板5上形成的接触电极；激光能量要保持在第二金属层能够熔化的程度；图2f中箭头表示激光，激光的照射方向为从OLED阵列基板5照向封装玻璃基板1。

实施例三：

如图3所示，本发明实施例三在实施例一的基础上具体公开了OLED In-cell触摸屏采用银胶印刷方式实现基板上电极连接的方法，具体包括：

步骤a’、在OLED中封装玻璃基板1下部形成触摸传感器2。

步骤b’、使用有机膜柱子形成设备，在封装玻璃基板1的下部形成有机膜柱子3；

OLED阵列基板5上各像素形成有机膜柱子的高度为3～5μm；封装玻璃基板下部形成的有机膜柱子比OLED阵列基板上形成的有机膜柱子高；使封装玻璃基板上的第一电极与OLED阵列基板上的第二电极能压紧接触，保证了封装玻璃基板与OLED阵列基板的通电。

步骤c’、有机膜柱子3上覆单层金属膜形成第一电极4，第一电极4与触摸传感器2以电路线方式连接；

单层金属膜使用耐蚀性好的金属(比如Mo，Ti，ITO等)。

步骤d’、OLED阵列基板5的外围电路部上以垫片形成能够接收触摸传感器的信号并将信号进行传达的第二电极6；

垫片的金属选择OLED阵列基板上制作Gate电极(栅极)，Data电极(漏极)，Anode电极(阳极)所使用金属；垫片中间部分刻蚀形成洞，用于增大接触面积来提高电阻和粘性；如图3D所示。

步骤e’、银胶8在第一电极4或第二电极6上以喷墨打印方式或网版印刷方式印刷。

步骤f’、将封装玻璃基板1和OLED阵列基板5贴合。

实施例四：

如图4所示，本发明实施例四在实施例一的基础上具体公开了LCD In-cell触摸屏采用激光焊接方式实现基板上电极连接的方法，具体包括：

步骤A、在LCD中彩膜玻璃基板9下部形成触摸传感器2。

步骤B、触摸传感器2的下部形成R光阻11，G光阻12，B光阻13。

步骤C、使用有机膜柱子形成设备，在彩膜玻璃基板9的下部形成有机膜柱子3；

LCD阵列基板上各像素形成有机膜柱子的高度为3～5μm；彩膜玻璃基板下部形成的有机膜柱子比LCD阵列基板上形成的有机膜柱子高；使彩膜玻璃基板上的第一电极与LCD阵列基板上的第二电极能压紧接触，保证了彩膜玻璃基板与LCD阵列基板的通电。

步骤D、有机膜柱子3上覆两层金属膜形成第一电极4，第一电极4与触摸传感器2以电路线方式连接；

与有机膜柱子相接触的是第一金属层4-1，第一金属层4-1使用熔点为1000℃以上的金属(比如Mo，Ti等)；第二金属层4-2覆在第一金属层4-1的外侧，第二金属层4-2使用熔点为500℃～1000℃的金属(比如Al，Cu，Ag等)；两层金属层的厚度之和为。

步骤E、LCD阵列基板10的外围电路上以垫片形成能够接收触摸传感器的信号并将该信号进行传达的第二电极6；

垫片的金属选择LCD阵列基板上制作Gate电极(栅极)，Data电极(漏极)所使用金属；垫片最底部金属层应使用熔点高的金属(比如Mo，Ti等)作为激光遮断膜；如形成垫片的金属熔点低时，则由形成Gate电极，Data电极的熔点高的金属作为激光遮断膜；垫片中部形成用于穿透激光的洞，如图4E所示。

步骤F、通过边框胶7将彩膜玻璃基板9和LCD阵列基板10贴合。

步骤G、采用激光焊接连接彩膜玻璃基板9上的第一电极4和LCD阵列基板10的第二电极6；

激光的焦点对准彩膜玻璃基板与LCD阵列基板上形成的接触电极；激光能量要保持在第二金属层能够熔化的程度；图4G中箭头表示激光，激光的照射方向为从LCD阵列基板照向彩膜玻璃基板。

实施例五：

如图5所示，本发明实施例五在实施例一的基础上具体公开了LCD In-cell触摸屏采用银胶印刷方式实现基板上电极连接的方法，具体包括：

步骤A’、在LCD中彩膜玻璃基板9下部形成触摸传感器2。

步骤B’、触摸传感器2的下部形成R光阻11，G光阻12，B光阻13。

步骤C’、使用有机膜柱子形成设备，在彩膜玻璃基板9的下部形成有机膜柱子3；

LCD阵列基板上各像素形成有机膜柱子的高度为3～5μm；彩膜玻璃基板下部形成的有机膜柱子比LCD阵列基板上形成的有机膜柱子高；使彩膜玻璃基板上的第一电极与LCD阵列基板上的第二电极能压紧接触，保证了彩膜玻璃基板与LCD阵列基板的通电。

步骤D’、有机膜柱子3上覆单层金属膜形成第一电极4，第一电极4与触摸传感器2以电路线方式连接；

单层金属使用耐蚀性好的金属(比如Mo，Ti，ITO等)。

步骤E’、LCD阵列基板10的外围电路部上垫片形成能够接收触摸传感器的信号并将该信号进行传达的第二电极6；

垫片的金属选择OLED阵列基板上制作Gate电极(栅极)，Data电极(漏极)所使用金属；垫片中间部分刻蚀形成洞，用于增大接触面积来提高电阻和粘性；如图5E’所示。

步骤F’、银胶8在第一电极4或第二电极6上以喷墨打印方式或网版印刷方式印刷。

步骤G’、通过边框胶7将彩膜玻璃基板9和LCD阵列基板10贴合。

本发明提出的一种In-cell触摸屏制作方法，适用于OLED In-cell触摸屏和LCD In-cell触摸屏的制作；该制作方法在阵列基板的外围电路上形成电极，通过采用激光焊接和银胶印刷实现了上下基板电极的连接；实现了OLED In-cell触摸屏的制作；制作方法简单，通过采用激光焊接和银胶印刷实现了触摸管理集成电路和显示驱动集成电路的一体化；提高了LCD In-cell触摸屏的合格率。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种In-cell触摸屏制作方法，其特征在于，该方法包括：

步骤一、玻璃基板下部形成触摸传感器；

步骤二、玻璃基板下部形成柱子，柱子上覆金属形成第一电极；

步骤三、阵列基板上以垫片形成能够接收触摸传感器的信号并将该信号进行传达的第二电极；

步骤四、采用激光焊接方式或银胶印刷方式连接玻璃基板的第一电极和阵列基板的第二电极。

2.如权利要求1所述的In-cell触摸屏制作方法，其特征在于，该制作方法适用于OLED In-cell触摸屏和LCD In-cell触摸屏的制作。

3.如权利要求1所述的In-cell触摸屏制作方法，其特征在于，所述第一电极和第二电极位于封装玻璃和阵列基板的外围电路上。

4.如权利要求1所述的In-cell触摸屏制作方法，其特征在于，所述第一电极与触摸传感器以电路线方式连接。

5.如权利要求1所述的In-cell触摸屏制作方法，其特征在于，阵列基板上各像素形成柱子的高度为3～5μm；玻璃基板下部形成的柱子比阵列基板上形成的柱子高

6.如权利要求1-5中的任一项所述的In-cell触摸屏制作方法，其特征在于，当步骤四中采用激光焊接连接第一电极和第二电极时，在步骤三与步骤四之间，所述制作方法还包括：将玻璃基板与阵列基板贴合；或，

当步骤四中采用银胶印刷连接第一电极和第二电极时，在步骤四之后，所述制作方法还包括：将玻璃基板与阵列基板贴合。

7.如权利要求1-5中的任一项所述的In-cell触摸屏制作方法，其特征在于，当步骤四中采用激光焊接连接第一电极和第二电极时，柱子上需要覆两层金属形成第一电极；与柱子相接触的是第一金属层，第一金属层使用熔点为1000℃以上的金属；第二金属层覆在第一金属层的外侧，第二金属层使用熔点为500℃～1000℃的金属；两层金属层的厚度之和为或，

当步骤四中采用银胶印刷连接第一电极和第二电极时，柱子上覆单层金属形成第一电极，单层金属选用Mo，Ti或ITO。

8.如权利要求7所述的In-cell触摸屏制作方法，其特征在于，当步骤四中采用激光焊接连接第一电极和第二电极时，激光的焦点对准玻璃基板与阵列基板上形成的接触电极；激光能量要保持在第二金属层能够熔化的程度；或，

当步骤四中采用银胶印刷连接第一电极和第二电极时，银胶在以喷墨打印方式或网版印刷方式进行印刷。

9.如权利要求1-5所述的In-cell触摸屏制作方法，其特征在于，LCDIn-cell触摸屏的制作过程中：在步骤一与步骤二之间，所述制作方法还包括，在触摸传感器的下部形成R光阻，G光阻，B光阻。