CN106532208B - 一种卡片式3dB衰减片及其生产方法 - Google Patents
一种卡片式3dB衰减片及其生产方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种卡片式3dB衰减片,所述衰减片阻抗满足50±1.5Ω,在18GHz频段以内衰减精度可达到3±0.5dB,最佳衰减值可达到3±0.3dB,驻波要求输入、输出端在1.25以内,能够满足目前频率到18GHz同轴衰减器产品的使用要求,并且本发明还提供了可以高效、高标准生产该卡片式3dB衰减片的方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种氧化铝陶瓷衰减片,特别涉及一种微型同轴衰减器中卡片式3dB衰减片。
背景技术
微型同轴衰减器是一种提供衰减的电子元器件,广泛地应用于电子设备中,它的主要用途是:(1)调整电路中信号的大小;(2)在比较法测量电路中,可用来直读被测网络的衰减值;(3)改善阻抗匹配,若某些电路要求有一个比较稳定的负载阻抗时,则可在此电路与实际负载阻抗之间插入一个衰减器,能够缓冲阻抗的变化。
微型同轴衰减器是一种在通讯领域应用非常广泛的电子元器件,目前国内也有许多厂商可以生产制造。但是国内厂商生产的微型同轴衰减器存在着使用频率低或者衰减精度低的缺点。而造成其缺点主要由本身连接器的生产工艺达不到要求,更重要的一点是同轴衰减器中的一个重要部件,卡片式样衰减片本身的精度达不到高频率高精度的要求。
所以目前国内的同轴衰减器生产厂家,应用于高频段高精度的产品,其中的卡片式衰减片都是从国外进口。
发明内容
针对上述现有技术的不足,本发明要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50±1.5Ω,在18GHz频段以内衰减精度可达到3±0.5dB,最佳衰减值可达到3±0.3dB驻波要求输入、输出端在1.25以内,能够满足目前频率到18GHz同轴衰减器产品的使用要求,取代国外同类产品,并且进一步提供了一种可以高效、高标准生产该卡片式3dB衰减片的方法。
为解决本发明所述的提供一种卡片式3dB衰减片,采用如下技术方案:
其特征在于,包括一4.45*3.0*0.4mm的氧化铝基板,所述氧化铝基板的正面印刷有导线及电阻R1、R2、 R3、R4和R5,电阻R1、R2、R3和R4大小相等,电阻R1、R2形成并联电路,电阻R3、R4形成并联电路,两个并联电路再分别与R5串并联,所述导线连接所述电阻连接形成T型衰减电路,电阻R1、R2和电阻R3、R4分别竖直设置于基板的两侧,电阻R5竖直设置于基板中央,所述衰减电路沿所述氧化铝基板的中心线对称,所述输入端和输出端的侧面与焊盘印刷有银浆接触点,其分别与侧面的接触点连接。
所述的卡片式3dB衰减片,优选的,基板输入和输出端设置有凹槽。
所述的卡片式3dB衰减片,优选的,印刷基板正面电阻的浆料采用粘度为50000-55000cps的触变型浆料,通过400目的高精度钢丝网版印刷浆料。
为解决本发明所述的提供一种高效、高标准生产该卡片式3dB衰减片的方法,采用如下技术方案:一种卡片式3dB衰减片的生产方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)清洁基板步骤:选取尺寸为4.45*3.0*0.4mm的氮化铝基板,采用95%以上的无水酒精清洗基板,溶剂挥发完毕后,于2小时内进行印刷导体步骤;(2)印刷正导层:采用厚膜印刷工艺,选用张力为的25±1N的网版,控制温度保持在25±2℃,将浆料通过网版印刷到基板的正面,放置15min后,将基板放入烘箱预烘,预烘结束后进行高温烧结;(3)印刷正面电阻:在正面导体上进一步印刷电阻,采用400目的高精度钢丝网版印刷浆料与印刷正面导体相同的方式一次性将电阻R1、R2、R3和R4,进一步印刷电阻R5,放入烘箱预烘,预烘结束后进行高温烧结;(4)调阻程序:采用双电阻一次性高精度调试,对R1、R2以及R3、R4电阻分别采取同时调阻,R5采用两边对切的调阻模式。(5)侧面银浆印刷:采用与印刷正面导体相同的方式印刷侧面银浆。
所述的卡片式3dB衰减片的生产方法,优选的,所述步骤(3)的印刷工艺采用400目的高精度钢丝网版。
所述的卡片式3dB衰减片的生产方法,优选的,所述步骤(2)中预烘过程的预烘温度为165℃,预烘时间为15min,高温烧结的温度为850-900℃,烧结时间为15-20min。
所述的卡片式3dB衰减片的生产方法,优选的,所述步骤(3)中预烘过程的预烘温度为170℃,预烘时间为15-20min,高温烧结的温度为800-850℃,烧结时间为15-20min,步骤(5)中预烘过程的预烘温度为170℃,预烘时间为20min,高温烧结的温度为800℃,烧结时间为20min。
所述的卡片式3dB衰减片的生产方法,优选的,所述步骤(3)印刷基板正面电阻的浆料采用粘度为50000-55000cps的触变型浆料。
本发明中涉及的触变性电阻浆料,现有技术中的电阻浆料其相应地粘度在50000-55000cps的范围内,均能满足衰减片的工艺需求。
进一步,本发明的电阻浆料包括银粉、玻璃粉、有机载体和稀释剂和固体触变剂,以质量百分计的含量分别为:银粉为55-62重量份、玻璃粉为3~5重量份、有机载体为25-33重量份和稀释剂为0.1~2重量份、固体触变剂0.5~1重量份;有机载体可以由乙基纤维素、松香和二乙二醇丁醚中之一或二者以及三者的混合物组成,优选以质量百分计的含量分别为:乙基纤维素为20~30重量份、松香为3~20重量份和二乙二醇丁醚为55~80重量份,稀释剂为松油醇或丁基卡必醇,浆料的颗粒度为5-10μm。
所述的电阻浆料采用现有技术中常用的加工工艺即可获得,进一步的可以先将有机载体混合,再将有机载体与其他成分混合,最后通过三辊机研磨获得电阻浆料。
上述技术方案具有如下有益效果:该卡片式3dB衰减片,采用了高精度400目钢丝网版,结合特有的电阻粘度为50000-55000cps的触变型浆料,保证了电阻印刷的平滑性,减少电阻印刷产生的毛刺,使得该产品的使用频段可达到18GHz, 阻抗满足50±1.5Ω,在18GHz频段以内衰减精度为3±0.2-3±0.5dB,驻波要求输入、输出端在1.25以内,能够满足目前频率到18GHz同轴衰减器产品的使用要求。
为了获得较高的频率,在导体浆料的印刷目前基本上采用了薄膜金属化工艺,而薄膜金属化的工艺成本很高,本发明通过使用400目的高精度钢丝网版,同时使用触变型的浆料,此浆料的特性在没有外力的作用下,浆料的流动性不好,在印刷时收到刮刀的压力浆料会变稀,浆料通过网版,印刷到基板后,失去了刮刀的压力,浆料又恢复原来的粘度,这样既保证了浆料的可印刷性又保证了不会因浆料的流动性太好而影响印刷图形的尺寸。
本发明涉及的衰减片的生产方法,将输入端和输出端的两个电阻采用并联的设计,从而使得整个电路变成由五个电阻组成,并且创造性将输入端和输出端的电阻的表面电阻率设计成一样,从而实现了输入输出端的四个电阻R1、R2、R3、R4可以一次性印刷完成,配合以双电阻一次调试的调阻技术,相比传统的生产工艺大大节约生产时间,同时还进一步提高了产品的衰减精度的性能。
在印刷正导层的印刷步骤中,通过放置流平,通过预烘和烧结温度的精确控制,使得预烘过程浆料不会产生表干现象,保证了溶剂的完全挥发,在后续的高温烧结工序中,不会出现由未挥发溶剂形成的小气泡,把印刷的银层顶破,形成小凹坑,造成银浆表面不平滑,从而增大信号通过的噪声,对高频产生影响,降低高频的特性。
电阻烧结后,输入端和输出端的侧面与焊盘印刷有银浆接触点,银浆同样需要进行烧结,为了不破坏已经烧结成型的电阻,银浆烧结选择烧结温度低于电阻烧结温度,产品选择了800℃烧结侧面银浆,有效地保证了产品的稳定性能。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图;图2为银浆接触点正面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
电阻浆料制备例1
乙基纤维素为30重量份、松香为15重量份和二乙二醇丁醚为55重量份,溶解混合均匀,制得有机载体,粘度为30960cps;银粉62g、玻璃粉5g、所得的有机载体25g、松油醇2g和固体触变剂1g,混合均匀,实测浆料粘度为50010cps;研磨:采用三辊机研磨,实测浆料细度10μm。
电阻浆料制备例2
乙基纤维素为30重量份、松香为10重量份和二乙二醇丁醚为60重量份,溶解混合均匀,制得有机载体,粘度为31160cps;银粉55g、玻璃粉4g、所得的有机载体33g、松油醇,0.5g和固体触变剂0.5g,混合均匀,实测浆料粘度为54930cps;研磨:采用三辊机研磨,实测浆料细度8μm。
实施例1
如图1所示,包括一4.45*3.0*0.4mm的氧化铝基板1,所述氧化铝基板的正面印刷有导线2及电阻R1、R2、 R3、R4和R5,电阻R1、R2、R3和R4大小相等,电阻R1、R2形成并联电路,电阻R3、R4形成并联电路,两个并联电路再分别与R5串并联,所述导线连接所述电阻连接形成T型衰减电路,电阻R1、R2和电阻R3、R4分别竖直设置于基板的两侧,电阻R5竖直设置于基板中央,所述衰减电路沿所述氧化铝基板的中心线对称,所述输入端和输出端的侧面与焊盘印刷有银浆接触点,其分别与侧面的接触点连接,基板输入和输出端设置有凹槽,印刷基板正面电阻的浆料采用制备例1的触变型浆料。具体生产过程包括如下步骤:(1)清洁基板步骤:选取尺寸为4.45*3.0*0.4mm的氮化铝基板,采用95%以上的无水酒精清洗基板,溶剂挥发完毕后,于2小时内进行印刷导体步骤;(2)印刷正导层:采用厚膜印刷工艺,选用张力为的25±1N的网版,控制温度保持在25±2℃,将浆料通过网版印刷到基板的正面,放置15min后,将基板放入烘箱预烘,预烘结束后进行高温烧结,所述步骤(2)中预烘过程的预烘温度为165℃,预烘时间为15min,高温烧结的温度为850℃,烧结时间为20min。(3)印刷正面电阻:在正面导体上进一步印刷电阻,采用400目的高精度钢丝网版印刷浆料与印刷正面导体相同的方式一次性将电阻R1、R2、R3和R4,进一步印刷电阻R5,放入烘箱预烘,预烘结束后进行高温烧结,预烘过程的预烘温度为170℃,预烘时间为20min,高温烧结的温度为800℃,烧结时间为20min。(4)调阻程序:采用双电阻一次性高精度调试,对R1、R2以及R3、R4电阻分别采取同时调阻,R5采用两边对切的调阻模式。(5)侧面银浆印刷:采用与印刷正面导体相同的方式印刷侧面银浆,预烘过程的预烘温度为170℃,预烘时间为20min,高温烧结的温度为650℃,烧结时间为20min。侧面印刷银浆完成后,对产品进行测阻,电阻阻值的误差大小在2%以内,符合产品要求。阻抗满足50±1.5Ω,在18GHz频段以内衰减精度为3±0.3dB,驻波输入、输出端在1.25以内,满足频率到18GHz同轴衰减器产品的使用要求。
实施例2
与实施例1的制备工艺基本相同,采用制备例2的触变型浆料,同时对步骤(2)-(3)的预烘和烧结的温度和时间作一定调整,步骤(2)中预烘过程的预烘温度为165℃,预烘时间为15min,高温烧结的温度为900℃,烧结时间为15min,步骤(3)预烘过程的预烘温度为170℃,预烘时间为15min,高温烧结的温度为850℃,烧结时间为15min。步骤(5)中预烘过程的预烘温度为170℃,预烘时间为20min,高温烧结的温度为650℃,烧结时间为20min。侧面印刷银浆完成后,对产品进行测阻,电阻阻值的误差大小在2%以内,符合产品要求。阻抗满足50±1.5Ω,在18GHz频段以内衰减精度为3±0.5dB,驻波输入、输出端在1.25以内,满足频率到18GHz同轴衰减器产品的使用要求。
实施例3
与实施例1的制备工艺基本相同,仅将步骤(3)中印刷电阻,采用200目的钢丝网版印刷浆料,侧面印刷银浆完成后,对产品进行测阻,电阻阻值的误差大小在5%,电阻阻值误差较大,虽然阻抗能满足50±1.5Ω,但在18GHz频段以内衰减精度为3±1.5dB,无法高要求的满足频率到18GHz同轴衰减器产品的使用要求。
实施例4
与实施例1的制备工艺基本相同,仅将步骤(3)中印刷电阻,采用300目的钢丝网版印刷浆料,侧面印刷银浆完成后,对产品进行测阻,电阻阻值的误差大小在4%,电阻阻值误差较大,虽然阻抗能满足50±1.5Ω,但在18GHz频段以内衰减精度为3±1dB,无法高要求的满足频率到18GHz同轴衰减器产品的使用要求。
可见,本发明涉及的卡片式3dB衰减片,采用了高精度400目钢丝网版,结合特有的电阻浆料,保证了电阻印刷的平滑性,减少电阻印刷产生的毛刺,配合以双电阻一次调试的调阻技术,使得该产品的使用频段可达到18GHz,且拥有很好的衰减精度和驻波特性,衰减精度可以达到3±0.5dB以内,可以取代国外同类型的产品,并且本发明的生产工艺对保证产品的性能起到充分的保障作用。
以上对本发明实施例所提供的一种卡片式3dB衰减片进行了详细介绍,对于本领域的一般技术人员,依据本发明实施例的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制,凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种卡片式3dB衰减片,其特征在于,包括一4.45*3.0*0.4mm的氧化铝基板,所述氧化铝基板的正面印刷有导线及电阻R1、R2、 R3、R4和R5,电阻R1、R2、R3和R4大小相等,电阻R1、R2形成并联电路,电阻R3、R4形成并联电路,两个并联电路再分别与R5串并联,所述导线连接所述电阻连接形成T型衰减电路,电阻R1、R2和电阻R3、R4分别竖直设置于基板的两侧,电阻R5竖直设置于基板中央,所述衰减电路沿所述氧化铝基板的中心线对称,输入端和输出端的侧面与焊盘印刷有银浆接触点,其分别与侧面的接触点连接,所述印刷基板正面电阻的浆料采用粘度为50000-55000cps的触变型浆料,通过400目的高精度钢丝网版印刷浆料,使用频段可达到18GHz;基板输入和输出端设置有凹槽;所述的卡片式3dB衰减片的生产方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)清洁基板步骤:选取尺寸为4.45*3.0*0.4mm的氧化铝基板,采用95%以上的无水酒精清洗基板,溶剂挥发完毕后,于2小时内进行印刷导体步骤;
(2)印刷正导层:采用厚膜印刷工艺,选用张力为的25±1N的网版,控制温度保持在25±2℃,将浆料通过网版印刷到基板的正面,放置15min后,将基板放入烘箱预烘,预烘结束后进行高温烧结;
(3)印刷正面电阻:在正面导体上进一步印刷电阻,采用400目的高精度钢丝网版印刷浆料,与印刷正面导体相同的方式一次性印刷电阻R1、R2、R3和R4,进一步印刷电阻R5,放入烘箱预烘,预烘结束后进行高温烧结;
(4)调阻程序:采用双电阻一次性高精度调试,对R1、R2以及R3、R4电阻分别采取同时调阻,R5采用两边对切的调阻模式;
(5)侧面银浆印刷:采用与印刷正面导体相同的方式印刷侧面银浆。
2.如权利要求1所述的卡片式3dB衰减片,所述的卡片式3dB衰减片的生产方法,其特征在于:所述步骤(2)中预烘过程的预烘温度为165℃,预烘时间为15min,高温烧结的温度为850-900℃,烧结时间为15-20min。
3.如权利要求1所述的卡片式3dB衰减片,所述的卡片式3dB衰减片的生产方法,其特征在于:所述步骤(3)中预烘过程的预烘温度为170℃,预烘时间为15-20min,高温烧结的温度为800-850℃,烧结时间为15-20min,步骤(5)中预烘过程的预烘温度为170℃,预烘时间为20min,高温烧结的温度为800℃,烧结时间为20min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611038631.8A CN106532208B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种卡片式3dB衰减片及其生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611038631.8A CN106532208B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种卡片式3dB衰减片及其生产方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106532208A CN106532208A (zh) | 2017-03-22 |
CN106532208B true CN106532208B (zh) | 2019-11-01 |
Family
ID=58356231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611038631.8A Active CN106532208B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种卡片式3dB衰减片及其生产方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106532208B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107645029B (zh) * | 2017-10-24 | 2023-08-15 | 苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司 | 氧化铝陶瓷基板30dB耦合片 |
CN111030640B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-05-28 | 苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司 | 表贴式微型叠加电路衰减片及其制备方法 |
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US7154371B1 (en) * | 2003-12-01 | 2006-12-26 | Alfiero Balzano | Negative temperature coefficient attenuator |
CN102361124A (zh) * | 2011-09-08 | 2012-02-22 | 苏州市新诚氏电子有限公司 | 氮化铝陶瓷基板30瓦3dB衰减片 |
CN104241787A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-12-24 | 苏州市新诚氏电子有限公司 | 小型陶瓷10瓦16dB衰减片 |
-
2016
- 2016-11-23 CN CN201611038631.8A patent/CN106532208B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN106532208A (zh) | 2017-03-22 |
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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