CN106531822B - 一种光电探测器 - Google Patents
一种光电探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106531822B CN106531822B CN201611075272.3A CN201611075272A CN106531822B CN 106531822 B CN106531822 B CN 106531822B CN 201611075272 A CN201611075272 A CN 201611075272A CN 106531822 B CN106531822 B CN 106531822B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layers
- type
- heavily doped
- layer
- photodetector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 claims description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/1013—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation devices sensitive to two or more wavelengths, e.g. multi-spectrum radiation detection devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；其中，钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用；而且，本发明涉及的光电二极管工作电压较低，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。
背景技术
在光纤通信系统中，光电探测器是必不可少的关键器件。0.8μm～0.9μm波段的短距离、高密度光纤通信系统、数据传输系统常采用Si单晶衬底或GaAs基PIN光电探测器、雪崩光电探测器与硅前置放大器混合集成的光接收器探测。而1.06μm～1.55μm波段光纤通信网则通常采用Ge单晶衬底或InP基PIN光电探测器、雪崩光电探测器与硅前置放大器混合集成的光接收器探测。
硅光电二极管作为其中一个重要分支，因其光谱响应良好、噪声低、寿命长和与CMOS工艺兼容性高等特点被广泛的应用于可见光探测和成像领域。其中，硅光电二极管作为最常用的光电探测器之一，具有快速、廉价、坚固、灵敏度高、量子效率高、体积小、重量轻、可靠性好、使用方便等特点。但是，由于Si材料的固有特性，存在对近红外光吸收系数低、对1.1μm以上波段没有响应等问题。
如图1所示为常规硅基光电PIN型二极管结构图。常规硅基光电PIN型二极管包括：重掺杂N型Si层20，在重掺杂N型Si层20上依次层叠有本征Si层21和重掺杂P型Si层22。重掺杂P型Si层22上表面左右两侧设置有金属阳极接触23，重掺杂N型Si层20下表面设置有金属阴极接触24。重掺杂P型Si层22上设置有抗反射层25。典型地，金属阳极接触23和金属阴极接触24均由金属Al材料构成，抗反射层25由SiO2构成。应注意，上述材料仅仅是以示例的方式提供的，本技术领域人员应理解，其他材料也可以用在常规硅基光电PIN型二极管的构造中。
该类型光电二极管的工作原理是入射光射入器件，本征Si层21作为光吸收区，吸收光子，并产生光生载流子。在外加反向偏置作用下，器件内部产生自下而上的电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收。
如图1所示为常规硅基光电PIN型二极管结构在0.8μm～0.9μm波段具有高响应性，但由于Si材料能带结构的固有特性，其对1.1μm以上的红外光波段没有响应。
在一些实施例中，本征Si层21的掺杂浓度，达到1013cm-3数量级。
在一些实施例中，重掺杂N型Si层20和重掺杂P型Si层22的掺杂浓度，达到1019cm-3数量级。
Ge材料由于其具有比Si材料更高的电子和空穴迁移率，与硅工艺兼容等优点，成为研究的热点。另外，Ge的带隙宽度小于Si，室温下为0.67eV，对1.3μm～1.6μm的光具有较高的吸收系数，在近红外波段的有较高的响应性。近年来，由于Ge外延技术的蓬勃发展，在Si基上已经可以外延出高质量纯Ge材料，减小了由于Si和Ge的晶格失配引起的失配位错，提高了Ge光电器件的性能。
在现有技术中，0.8μm～0.9μm波段的光，常采用Si PIN光电探测器或雪崩光电探测器探测，而1.06μm～1.55μm波段的光，常采用Ge PIN光电探测器或雪崩光电探测器探测，两个重要波段的探测分别用两种器件完成。
发明内容
针对背景技术的不足之处，本发明提出的一种光电探测器，将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，分别发挥Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段的高响应性的特点，从而实现可见光到红外光波段的探测；而且，本发明提出的一种光电探测器工作电压较低，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成。
本发明的技术方案为：
一种光电探测器，包括：由重掺杂P型Ge层6、重掺杂N型Si层4和中间掺入的本征Ge层5构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由重掺杂N型Si层4、重掺杂P型Si层2和中间掺入的本征Si层3构成的一个Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层4背靠背相连；
所述重掺杂N型Si层4、本征Ge层5和重掺杂P型Ge层6构成一个平面结构11，所述本征Si层3和重掺杂P型Si层2构成一个台面结构10；所述台面结构10位于所述平面结构11上侧；所述的重掺杂P型Ge层6下表面设有第一金属阳极接触7，在重掺杂N型Si层4上表面左右两侧设有金属阴极接触8，在重掺杂P型Si层2上表面左右两侧设有第二金属阳极接触9；
所述的台面结构10上表面、侧壁和平面结构11上表面左右两侧淀积有一层钝化层1。
进一步的，所述第一金属阳极接触7、金属阴极接触8和第二金属阳极接触9的材料为Al。
进一步的，所述钝化层1的材料为SiO2。
进一步的，所述的重掺杂P型Si层2的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
进一步的，所述的本征Si层3的掺杂浓度达到1013cm-3数量级。
进一步的，所述的重掺杂N型Si层4的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
进一步的，所述的本征Ge层5的掺杂浓度比重掺杂N型Si层4的掺杂浓度低至少4个数量级。
进一步的，所述的重掺杂P型Ge层6的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
光波探测过程：在探测短波(波长小于1.1μm)时，短波光子被Si PIN型光电二极管吸收，短波光子从钝化层1射入，经过重掺杂P型Si层2到达本征Si层3，本征Si层3作为光吸收区，吸收短波光子，产生光生载流子；在外加电压作用下，金属阴极接触8和第二金属阳极接触9之间产生电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收。在探测长波(波长大于1.1μm)时，长波光子被Ge PIN型光电二极管吸收，由于Si对于长波光子而言为透明材料，不能吸收长波光子，所以长波光子从钝化层1射入，依次通过重掺杂P型Si层2、本征Si层3和重掺杂N型Si层4，到达本征Ge层5，本征Ge层5作为光吸收区，吸收长波光子，并产生光生载流子；由于Al层有反射光波的作用，所以透射过本征Ge层5的长波光子，会被第一金属阳极接触7反射回本征Ge层5，继续被本征Ge层5吸收，产生光生载流子；在外加电压作用下，金属阴极接触8和第一金属阳极接触7之间产生电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收。
本发明的有益效果为：扩展了硅光电二极管的光探测波段，能完成可见光到红外光波段的探测，在0.8μm～0.9μm和1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性；Ge PIN型光电二极管与Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层4相连，能够同时检测短波和长波，进行不同波长检测时，不用更换器件；本发明提供的光电二极管有较小的工作电压，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用，加强Ge PIN型光电二极管对长波光子的吸收。
附图说明
图1为常规硅基光电PIN型二极管结构图。
图2为本发明提供的一种光电探测器的截面图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的阐述。
需要注意的是，图1和图2仅仅表示所述二极管的示意性简化图，因此这两张图并不是按比例绘制的。
如图2所示为本发明提供的一种光电探测器的截面结构图。该光电二极管由重掺杂P型Ge层6、重掺杂N型Si层4和中间掺入的本征Ge层5构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由重掺杂N型Si层4、重掺杂P型Si层2和中间掺入的本征Si层3构成的一个Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层4背靠背相连；本征Si层3的横向长度小于重掺杂N型Si层4；重掺杂N型Si层4、本征Ge层5和重掺杂P型Ge层6构成了一个平面结构11，设于平面结构11之上的本征Si层3和重掺杂P型Si层2构成了一个台面结构10，所述台面结构10位于所述平面结构11上侧；在重掺杂P型Ge层6下表面设有第一金属阳极接触7，在重掺杂N型Si层4上表面左右两侧设有金属阴极8，在重掺杂P型Si层2上表面左右两侧设有第二金属阳极接触9；在台面结构10上表面、侧壁和平面结构11上表面左右两侧淀积有一层钝化层1。
应注意，上述材料仅仅是以示例的方式提供的，本技术领域人员应理解，其他材料也可以用在本发明实施例中的光电二极管的构造中。
本发明实施例光电二极管的原理是：光波探测过程：在探测短波(波长小于1.1μm)时，短波光子被Si PIN型光电二极管吸收。短波光子从钝化层1射入，经过重掺杂P型Si层2到达本征Si层3，本征Si层3作为光吸收区，吸收短波光子，产生光生载流子；在外加电压作用下，金属阴极接触8和第二金属阳极接触9之间产生电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收；在探测长波(波长大于1.1μm)时，长波光子被Ge PIN型光电二极管吸收。由于Si对于长波光子而言为透明材料，不能吸收长波光子，所以长波光子从钝化层1射入，依次通过重掺杂P型Si层2、本征Si层3和重掺杂N型Si层4，到达本征Ge层5，本征Ge层5作为光吸收区，吸收长波光子，并产生光生载流子；由于Al层有反射光波的作用，所以透射过本征Ge层5的长波光子，会被第一金属阳极接触7反射回本征Ge层5，继续被本征Ge层5吸收，产生光生载流子。在外加电压作用下，金属阴极接触8和第一金属阳极接触7之间产生电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收。
在一些实施例中，重掺杂P型Si层2的掺杂浓度，达到1019cm-3数量级。
在一些实施例中，本征Si层3的掺杂浓度，达到1013cm-3数量级。
在一些实施例中，重掺杂N型Si层4的掺杂浓度，达到1019cm-3数量级。
在一些实施例中，本征Ge层5的掺杂浓度比重掺杂N型Si层4的掺杂浓度低至少4个数量级。
在一些实施例中，重掺杂P型Ge层6的掺杂浓度，达到1019cm-3数量级。
此实施例器件结构中，重掺杂N型Si层4、本征Ge层5和重掺杂P型Ge层6构成了一个平面结构11，设于平面结构11之上的本征Si层3和重掺杂P型Si层2构成了一个台面结构10。
此实施例器件结构，重掺杂P型Ge层6、本征Ge层5和重掺杂N型Si层4构成了一个GePIN型光电二极管；重掺杂杂N型Si层4、本征Si层3和重掺杂P型Si层2构成了一个Si PIN型光电二极管，其中，Ge PIN型光电二极管与Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层4背靠背相连。
此实施例器件结构，台面结构10上表面、侧壁和平面结构11上表面左右两侧淀积有一层钝化层1，该钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用。
此实施例器件结构，第一金属阳极接触7同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用。第一金属阳极接触7与第二金属阳极接触9短接，Si PIN型光电二极管与Ge PIN型光电二极管共用了金属阴极接触8，Si PIN型光电二极管与Ge PIN型光电二极管同时工作，从而使本发明结构可对可见光和红外光做出响应，扩展了光的吸收波段。
本发明设计的光电二极管结构，在波段响应方面，能完成更长波段的探测，且在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性。此外，本发明涉及的光电二极管工作电压较低，易与前置放大器混合集成。
虽然本发明已经描述了特定实施例，但是将意识到本发明的原理不限于那些实施例。本文描述的发明概念可在探测可见光和红外光时使用。本文公开的实施例能完成可见光到红外光宽光波段的探测，且在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性。
Claims (8)
1.一种光电探测器，包括：由重掺杂P型Ge层(6)、重掺杂N型Si层(4)和中间掺入的本征Ge层(5)构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由重掺杂N型Si层(4)、重掺杂P型Si层(2)和中间掺入的本征Si层(3)构成的一个Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层(4)背靠背相连；
所述重掺杂N型Si层(4)、本征Ge层(5)和重掺杂P型Ge层(6)构成一个平面结构(11)，所述本征Si层(3)和重掺杂P型Si层(2)构成一个台面结构(10)；所述台面结构(10)位于所述平面结构(11)上侧；
所述的重掺杂P型Ge层(6)下表面设有第一金属阳极接触(7)，在重掺杂N型Si层(4)上表面左右两侧设有金属阴极接触(8)，在重掺杂P型Si层(2)上表面左右两侧设有第二金属阳极接触(9)；
所述的台面结构(10)上表面、侧壁和平面结构(11)上表面左右两侧淀积有一层钝化层(1)。
2.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述第一金属阳极接触(7)、金属阴极接触(8)和第二金属阳极接触(9)的材料为Al。
3.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述钝化层(1)的材料为SiO2。
4.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂P型Si层(2)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
5.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的本征Si层(3)的掺杂浓度达到1013cm-3数量级。
6.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
7.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的本征Ge层(5)的掺杂浓度比重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度低至少4个数量级。
8.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂P型Ge层(6)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611075272.3A CN106531822B (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 一种光电探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611075272.3A CN106531822B (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 一种光电探测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106531822A CN106531822A (zh) | 2017-03-22 |
| CN106531822B true CN106531822B (zh) | 2017-12-19 |
Family
ID=58354053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611075272.3A Expired - Fee Related CN106531822B (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 一种光电探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106531822B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107256910A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-10-17 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 纵向PiN Ge发光二极管 |
| CN111755553B (zh) * | 2019-03-28 | 2023-10-20 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法 |
| KR20200127412A (ko) * | 2019-05-02 | 2020-11-11 | 전북대학교산학협력단 | 광 검출기 |
| CN112289685A (zh) * | 2019-07-22 | 2021-01-29 | 长鑫存储技术有限公司 | Pin二极管及其形成方法、静电保护结构 |
| US11322630B2 (en) * | 2019-09-23 | 2022-05-03 | Apple Inc. | Monolithic infrared transceiver |
| WO2021155559A1 (en) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Light sensor device, method for fabricating light sensor device |
| IT202000018760A1 (it) * | 2020-07-31 | 2022-01-31 | Milano Politecnico | Dispositivo sensore di radiazione elettromagnetica a doppio fotodiodo |
| CN111987076B (zh) * | 2020-08-31 | 2023-06-16 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法 |
| CN114023829A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-02-08 | 淮阴工学院 | 一种紫外波段响应改善型硅光电二极管 |
| CN114664968B (zh) * | 2022-03-15 | 2023-11-14 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种可见-红外双波段光电探测器 |
| CN116722061A (zh) * | 2022-11-11 | 2023-09-08 | 之江实验室 | 一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0307484A1 (en) * | 1987-03-31 | 1989-03-22 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Color sensor |
| US6043517A (en) * | 1997-04-05 | 2000-03-28 | Daimler-Benz Ag | SiGe photodetector with high efficiency |
| CN102479866A (zh) * | 2010-11-22 | 2012-05-30 | 大连兆阳软件科技有限公司 | 一种新式锗/硅雪崩光电检测器设备 |
| CN104025315A (zh) * | 2011-12-29 | 2014-09-03 | 英特尔公司 | 具有低击穿电压的雪崩光电二极管 |
| CN105742397A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-07-06 | 电子科技大学 | 一种可见光到红外光探测的宽波段光电二极管 |
-
2016
- 2016-11-29 CN CN201611075272.3A patent/CN106531822B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0307484A1 (en) * | 1987-03-31 | 1989-03-22 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Color sensor |
| US6043517A (en) * | 1997-04-05 | 2000-03-28 | Daimler-Benz Ag | SiGe photodetector with high efficiency |
| CN102479866A (zh) * | 2010-11-22 | 2012-05-30 | 大连兆阳软件科技有限公司 | 一种新式锗/硅雪崩光电检测器设备 |
| CN104025315A (zh) * | 2011-12-29 | 2014-09-03 | 英特尔公司 | 具有低击穿电压的雪崩光电二极管 |
| CN105742397A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-07-06 | 电子科技大学 | 一种可见光到红外光探测的宽波段光电二极管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106531822A (zh) | 2017-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106531822B (zh) | 一种光电探测器 | |
| CN105742397B (zh) | 一种可见光到红外光探测的宽波段光电二极管 | |
| CN207250518U (zh) | 盖革模式雪崩光电二极管阵列、光电子器件和检测系统 | |
| CN106356419B (zh) | 一种含埋氧层结构的光电探测器 | |
| KR101947088B1 (ko) | 애벌란시 광검출기 | |
| Wang et al. | Highly sensitive narrowband Si photodetector with peak response at around 1060 nm | |
| CN103872168B (zh) | 用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器及制备方法 | |
| CN107403848A (zh) | 一种背照式级联倍增雪崩光电二极管 | |
| CN110021617A (zh) | 一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构 | |
| CN105957908A (zh) | 倍增区控制的雪崩光电二极管及其制造方法 | |
| US20060249789A1 (en) | Inter-digitated silicon photodiode based optical receiver on SOI | |
| US20190363213A1 (en) | Systems, devices and methods for amplification of signals based on a cycling excitation process in disordered materials | |
| CN206210817U (zh) | 量子点宽谱单光子探测器 | |
| CN102646747A (zh) | 红外上转换成像或探测器件及其实现方法 | |
| Signorelli et al. | InGaAs/InP SPAD detecting single photons at 1550 nm with up to 50% efficiency and low noise | |
| CN105185845A (zh) | 一种在P层和N层引入微结构硅的Si-PIN光电探测器及其制备方法 | |
| CN102832289B (zh) | 基于光子频率上转换的太赫兹成像器件、转换方法 | |
| CN107240616B (zh) | 具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器 | |
| US20030087466A1 (en) | Phototransistor device | |
| CN102263162A (zh) | 一种倒装焊结构雪崩光电二极管及其阵列的制备方法 | |
| CN212277203U (zh) | 短波红外接收装置 | |
| CN112271229B (zh) | 一种硅基背照pin器件结构 | |
| CN207165584U (zh) | 一种背照式级联倍增雪崩光电二极管 | |
| RU2310949C1 (ru) | Фотодиодный приемник инфракрасного излучения | |
| US10312397B2 (en) | Avalanche photodiode with low breakdown voltage |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20171219 Termination date: 20201129 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |