CN106531822A - 一种光电探测器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；其中，钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用；而且，本发明涉及的光电二极管工作电压较低，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。
背景技术
在光纤通信系统中，光电探测器是必不可少的关键器件。0.8μm～0.9μm波段的短距离、高密度光纤通信系统、数据传输系统常采用Si单晶衬底或GaAs基PIN光电探测器、雪崩光电探测器与硅前置放大器混合集成的光接收器探测。而1.06μm～1.55μm波段光纤通信网则通常采用Ge单晶衬底或InP基PIN光电探测器、雪崩光电探测器与硅前置放大器混合集成的光接收器探测。
硅光电二极管作为其中一个重要分支，因其光谱响应良好、噪声低、寿命长和与CMOS工艺兼容性高等特点被广泛的应用于可见光探测和成像领域。其中，硅光电二极管作为最常用的光电探测器之一，具有快速、廉价、坚固、灵敏度高、量子效率高、体积小、重量轻、可靠性好、使用方便等特点。但是，由于Si材料的固有特性，存在对近红外光吸收系数低、对1.1μm以上波段没有响应等问题。
如图1所示为常规硅基光电PIN型二极管结构图。常规硅基光电PIN型二极管包括：重掺杂N型Si层20，在重掺杂N型Si层20上依次层叠有本征Si层21和重掺杂P型Si层22。重掺杂P型Si层22上表面左右两侧设置有金属阳极接触23，重掺杂N型Si层20下表面设置有金属阴极接触24。重掺杂P型Si层22上设置有抗反射层25。典型地，金属阳极接触23和金属阴极接触24均由金属Al材料构成，抗反射层25由SiO2构成。应注意，上述材料仅仅是以示例的方式提供的，本技术领域人员应理解，其他材料也可以用在常规硅基光电PIN型二极管的构造中。
该类型光电二极管的工作原理是入射光射入器件，本征Si层21作为光吸收区，吸收光子，并产生光生载流子。在外加反向偏置作用下，器件内部产生自下而上的电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收。
如图1所示为常规硅基光电PIN型二极管结构在0.8μm～0.9μm波段具有高响应性，但由于Si材料能带结构的固有特性，其对1.1μm以上的红外光波段没有响应。
在一些实施例中，本征Si层21的掺杂浓度，达到1013cm-3数量级。
在一些实施例中，重掺杂N型Si层20和重掺杂P型Si层22的掺杂浓度，达到1019cm-3数量级。
Ge材料由于其具有比Si材料更高的电子和空穴迁移率，与硅工艺兼容等优点，成为研究的热点。另外，Ge的带隙宽度小于Si，室温下为0.67eV，对1.3μm～1.6μm的光具有较高的吸收系数，在近红外波段的有较高的响应性。近年来，由于Ge外延技术的蓬勃发展，在Si基上已经可以外延出高质量纯Ge材料，减小了由于Si和Ge的晶格失配引起的失配位错，提高了Ge光电器件的性能。
在现有技术中，0.8μm～0.9μm波段的光，常采用Si PIN光电探测器或雪崩光电探测器探测，而1.06μm～1.55μm波段的光，常采用Ge PIN光电探测器或雪崩光电探测器探测，两个重要波段的探测分别用两种器件完成。
发明内容
针对背景技术的不足之处，本发明提出的一种光电探测器，将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，分别发挥Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段的高响应性的特点，从而实现可见光到红外光波段的探测；而且，本发明提出的一种光电探测器工作电压较低，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成。
本发明的技术方案为：
一种光电探测器，包括：由重掺杂P型Ge层6、重掺杂N型Si层4和中间掺入的本征Ge层5构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由重掺杂N型Si层4、重掺杂P型Si层2和中间掺入的本征Si层3构成的一个Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层4背靠背相连；
所述重掺杂N型Si层4、本征Ge层5和重掺杂P型Ge层6构成一个平面结构11，所述本征Si层3和重掺杂P型Si层2构成一个台面结构10；
所述的重掺杂P型Ge层6下表面设有第一金属阳极接触7，在重掺杂N型Si层4上表面左右两侧设有金属阴极接触8，在重掺杂P型Si层2上表面左右两侧设有第二金属阳极接触9；
所述的台面结构10上表面、侧壁和平面结构11上表面左右两侧淀积有一层钝化层1。
进一步的，所述第一金属阳极接触7、金属阴极接触8和第二金属阳极接触9的材料为Al。
进一步的，所述钝化层1的材料为SiO2。
进一步的，所述的重掺杂P型Si层2的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
进一步的，所述的本征Si层3的掺杂浓度达到1013cm-3数量级。
进一步的，所述的重掺杂N型Si层4的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
进一步的，所述的本征Ge层5的掺杂浓度比重掺杂N型Si层4的掺杂浓度低至少4个数量级。
进一步的，所述的重掺杂P型Ge层6的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
光波探测过程：在探测短波(波长小于1.1μm)时，短波光子被Si PIN型光电二极管吸收，短波光子从钝化层1射入，经过重掺杂P型Si层2到达本征Si层3，本征Si层3作为光吸收区，吸收短波光子，产生光生载流子；在外加电压作用下，金属阴极接触8和第二金属阳极接触9之间产生电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收。在探测长波(波长大于1.1μm)时，长波光子被Ge PIN型光电二极管吸收，由于Si对于长波光子而言为透明材料，不能吸收长波光子，所以长波光子从钝化层1射入，依次通过重掺杂P型Si层2、本征Si层3和重掺杂N型Si层4，到达本征Ge层5，本征Ge层5作为光吸收区，吸收长波光子，并产生光生载流子；由于Al层有反射光波的作用，所以透射过本征Ge层5的长波光子，会被第一金属阳极接触7反射回本征Ge层5，继续被本征Ge层5吸收，产生光生载流子；在外加电压作用下，金属阴极接触8和第一金属阳极接触7之间产生电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收。
本发明的有益效果为：扩展了硅光电二极管的光探测波段，能完成可见光到红外光波段的探测，在0.8μm～0.9μm和1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性；Ge PIN型光电二极管与Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层4相连，能够同时检测短波和长波，进行不同波长检测时，不用更换器件；本发明提供的光电二极管有较小的工作电压，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用，加强Ge PIN型光电二极管对长波光子的吸收。
附图说明
图1为常规硅基光电PIN型二极管结构图。
图2为本发明提供的一种光电探测器的截面图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的阐述。
需要注意的是，图1和图2仅仅表示所述二极管的示意性简化图，因此这两张图并不是按比例绘制的。
如图2所示为本发明提供的一种光电探测器的截面结构图。该光电二极管由重掺杂P型Ge层6、重掺杂N型Si层4和中间掺入的本征Ge层5构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由重掺杂N型Si层4、重掺杂P型Si层2和中间掺入的本征Si层3构成的一个Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层4背靠背相连；本征Si层3的横向长度小于重掺杂N型Si层4；重掺杂N型Si层4、本征Ge层5和重掺杂P型Ge层6构成了一个平面结构11，设于平面结构11之上的本征Si层3和重掺杂P型Si层2构成了一个台面结构10；在重掺杂P型Ge层6下表面设有第一金属阳极接触7，在重掺杂N型Si层4上表面左右两侧设有金属阴极8，在重掺杂P型Si层2上表面左右两侧设有第二金属阳极接触9；在台面结构10上表面、侧壁和平面结构11上表面左右两侧淀积有一层钝化层1。
应注意，上述材料仅仅是以示例的方式提供的，本技术领域人员应理解，其他材料也可以用在本发明实施例中的光电二极管的构造中。
本发明实施例光电二极管的原理是：光波探测过程：在探测短波(波长小于1.1μm)时，短波光子被Si PIN型光电二极管吸收。短波光子从钝化层1射入，经过重掺杂P型Si层2到达本征Si层3，本征Si层3作为光吸收区，吸收短波光子，产生光生载流子；在外加电压作用下，金属阴极接触8和第二金属阳极接触9之间产生电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收；在探测长波(波长大于1.1μm)时，长波光子被GePIN型光电二极管吸收。由于Si对于长波光子而言为透明材料，不能吸收长波光子，所以长波光子从钝化层1射入，依次通过重掺杂P型Si层2、本征Si层3和重掺杂N型Si层4，到达本征Ge层5，本征Ge层5作为光吸收区，吸收长波光子，并产生光生载流子；由于Al层有反射光波的作用，所以透射过本征Ge层5的长波光子，会被第一金属阳极接触7反射回本征Ge层5，继续被本征Ge层5吸收，产生光生载流子。在外加电压作用下，金属阴极接触8和第一金属阳极接触7之间产生电场，光生载流子在电场作用下，分别向两极漂移移动，直至被电极吸收。
在一些实施例中，重掺杂P型Si层2的掺杂浓度，达到1019cm-3数量级。
在一些实施例中，本征Si层3的掺杂浓度，达到1013cm-3数量级。
在一些实施例中，重掺杂N型Si层4的掺杂浓度，达到1019cm-3数量级。
在一些实施例中，本征Ge层5的掺杂浓度比重掺杂N型Si层4的掺杂浓度低至少4个数量级。
在一些实施例中，重掺杂P型Ge层6的掺杂浓度，达到1019cm-3数量级。
此实施例器件结构中，重掺杂N型Si层4、本征Ge层5和重掺杂P型Ge层6构成了一个平面结构11，设于平面结构11之上的本征Si层3和重掺杂P型Si层2构成了一个台面结构10。
此实施例器件结构，重掺杂P型Ge层6、本征Ge层5和重掺杂N型Si层4构成了一个GePIN型光电二极管；重掺杂杂N型Si层4、本征Si层3和重掺杂P型Si层2构成了一个Si PIN型光电二极管，其中，Ge PIN型光电二极管与Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层4背靠背相连。
此实施例器件结构，台面结构10上表面、侧壁和平面结构11上表面左右两侧淀积有一层钝化层1，该钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用。
此实施例器件结构，第一金属阳极接触7同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用。第一金属阳极接触7与第二金属阳极接触9短接，Si PIN型光电二极管与Ge PIN型光电二极管共用了金属阴极接触8，Si PIN型光电二极管与Ge PIN型光电二极管同时工作，从而使本发明结构可对可见光和红外光做出响应，扩展了光的吸收波段。
本发明设计的光电二极管结构，在波段响应方面，能完成更长波段的探测，且在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性。此外，本发明涉及的光电二极管工作电压较低，易与前置放大器混合集成。
虽然本发明已经描述了特定实施例，但是将意识到本发明的原理不限于那些实施例。本文描述的发明概念可在探测可见光和红外光时使用。本文公开的实施例能完成可见光到红外光宽光波段的探测，且在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性。
Claims (8)
1.一种光电探测器，包括：由重掺杂P型Ge层(6)、重掺杂N型Si层(4)和中间掺入的本征Ge层(5)构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由重掺杂N型Si层(4)、重掺杂P型Si层(2)和中间掺入的本征Si层(3)构成的一个Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层(4)背靠背相连；
所述重掺杂N型Si层(4)、本征Ge层(5)和重掺杂P型Ge层(6)构成一个平面结构(11)，所述本征Si层(3)和重掺杂P型Si层(2)构成一个台面结构(10)；
所述的重掺杂P型Ge层(6)下表面设有第一金属阳极接触(7)，在重掺杂N型Si层(4)上表面左右两侧设有金属阴极接触(8)，在重掺杂P型Si层(2)上表面左右两侧设有第二金属阳极接触(9)；
所述的台面结构(10)上表面、侧壁和平面结构(11)上表面左右两侧淀积有一层钝化层(1)。
2.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述第一金属阳极接触(7)、金属阴极接触(8)和第二金属阳极接触(9)的材料为Al。
3.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述钝化层(1)的材料为SiO2。
4.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂P型Si层(2)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
5.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的本征Si层(3)的掺杂浓度达到1013cm-3数量级。
6.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
7.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的本征Ge层(5)的掺杂浓度比重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度低至少4个数量级。
8.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂P型Ge层(6)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107256910A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-10-17 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 纵向PiN Ge发光二极管 |
| CN111755553A (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-09 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法 |
| WO2020222362A1 (ko) * | 2019-05-02 | 2020-11-05 | 전북대학교산학협력단 | 광 검출기 |
| CN111987076A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-24 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法 |
| CN112289685A (zh) * | 2019-07-22 | 2021-01-29 | 长鑫存储技术有限公司 | Pin二极管及其形成方法、静电保护结构 |
| WO2021155559A1 (en) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Light sensor device, method for fabricating light sensor device |
| IT202000018760A1 (it) * | 2020-07-31 | 2022-01-31 | Milano Politecnico | Dispositivo sensore di radiazione elettromagnetica a doppio fotodiodo |
| CN114023829A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-02-08 | 淮阴工学院 | 一种紫外波段响应改善型硅光电二极管 |
| US11322630B2 (en) * | 2019-09-23 | 2022-05-03 | Apple Inc. | Monolithic infrared transceiver |
| CN114664968A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-06-24 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种可见-红外双波段光电探测器 |
| CN116722061A (zh) * | 2022-11-11 | 2023-09-08 | 之江实验室 | 一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0307484A1 (en) * | 1987-03-31 | 1989-03-22 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Color sensor |
| US6043517A (en) * | 1997-04-05 | 2000-03-28 | Daimler-Benz Ag | SiGe photodetector with high efficiency |
| CN102479866A (zh) * | 2010-11-22 | 2012-05-30 | 大连兆阳软件科技有限公司 | 一种新式锗/硅雪崩光电检测器设备 |
| CN104025315A (zh) * | 2011-12-29 | 2014-09-03 | 英特尔公司 | 具有低击穿电压的雪崩光电二极管 |
| CN105742397A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-07-06 | 电子科技大学 | 一种可见光到红外光探测的宽波段光电二极管 |
-
2016
- 2016-11-29 CN CN201611075272.3A patent/CN106531822B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0307484A1 (en) * | 1987-03-31 | 1989-03-22 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Color sensor |
| US6043517A (en) * | 1997-04-05 | 2000-03-28 | Daimler-Benz Ag | SiGe photodetector with high efficiency |
| CN102479866A (zh) * | 2010-11-22 | 2012-05-30 | 大连兆阳软件科技有限公司 | 一种新式锗/硅雪崩光电检测器设备 |
| CN104025315A (zh) * | 2011-12-29 | 2014-09-03 | 英特尔公司 | 具有低击穿电压的雪崩光电二极管 |
| CN105742397A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-07-06 | 电子科技大学 | 一种可见光到红外光探测的宽波段光电二极管 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107256910A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-10-17 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 纵向PiN Ge发光二极管 |
| CN111755553A (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-09 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法 |
| CN111755553B (zh) * | 2019-03-28 | 2023-10-20 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法 |
| WO2020222362A1 (ko) * | 2019-05-02 | 2020-11-05 | 전북대학교산학협력단 | 광 검출기 |
| KR20210088481A (ko) * | 2019-05-02 | 2021-07-14 | 전북대학교산학협력단 | 광 검출기 |
| KR102337879B1 (ko) * | 2019-05-02 | 2021-12-10 | 전북대학교산학협력단 | 광 검출기 |
| CN112289685A (zh) * | 2019-07-22 | 2021-01-29 | 长鑫存储技术有限公司 | Pin二极管及其形成方法、静电保护结构 |
| US11322630B2 (en) * | 2019-09-23 | 2022-05-03 | Apple Inc. | Monolithic infrared transceiver |
| WO2021155559A1 (en) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Light sensor device, method for fabricating light sensor device |
| IT202000018760A1 (it) * | 2020-07-31 | 2022-01-31 | Milano Politecnico | Dispositivo sensore di radiazione elettromagnetica a doppio fotodiodo |
| WO2022024025A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Politecnico Di Milano | Double photodiode electromagnetic radiation sensor device |
| CN111987076A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-24 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法 |
| CN114023829A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-02-08 | 淮阴工学院 | 一种紫外波段响应改善型硅光电二极管 |
| CN114664968A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-06-24 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种可见-红外双波段光电探测器 |
| CN114664968B (zh) * | 2022-03-15 | 2023-11-14 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种可见-红外双波段光电探测器 |
| CN116722061A (zh) * | 2022-11-11 | 2023-09-08 | 之江实验室 | 一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法 |
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