CN106517309A - 一种高致密度氧化铟及其制备方法 - Google Patents

一种高致密度氧化铟及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106517309A
CN106517309A CN201610997974.0A CN201610997974A CN106517309A CN 106517309 A CN106517309 A CN 106517309A CN 201610997974 A CN201610997974 A CN 201610997974A CN 106517309 A CN106517309 A CN 106517309A
Authority
CN
China
Prior art keywords
indium
indium oxide
preparation
oxide
trichloride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610997974.0A
Other languages
English (en)
Inventor
丁溪锋
王玉军
王雪涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hebei Weixin Technology Co Ltd
Tsinghua University
Original Assignee
Hebei Weixin Technology Co Ltd
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hebei Weixin Technology Co Ltd, Tsinghua University filed Critical Hebei Weixin Technology Co Ltd
Priority to CN201610997974.0A priority Critical patent/CN106517309A/zh
Publication of CN106517309A publication Critical patent/CN106517309A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00Compounds of gallium, indium or thallium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供了一种高致密度氧化铟的制备方法,包括如下步骤:将三氯化铟和水进行水合反应,得到水合三氯化铟凝胶前驱体;将所述凝胶前驱体进行热解,得到高致密度氧化铟。本发明提供的制备方法,中间产物水合氯化铟在热解时分解为氧化铟和氯化氢,在分解过程中能够有效除去氯离子,得到的氧化铟纯度较高;而且在热解过程中氧化铟粒径生长迅速,能够得到大粒径的亚微米级氧化铟;在反应中不使用氨水做沉淀剂,避免了氨造成的颗粒中空的现象。实验结果表明,本申请提供的高致密度氧化铟的结构为立方型,颗粒直径分布在0.5~1微米之间,致密度大于99%。

Description

一种高致密度氧化铟及其制备方法
技术领域
本发明涉及金属氧化物材料技术领域,特别涉及一种高致密度氧化铟及其制备方法。
背景技术
氧化铟(In2O3)是一种新的N型透明半导体功能材料,具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性。此外,当氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能之外,还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。
氧化铟作为一种重要的粉体半导体功能材料,被广泛用于显示面板、气体传感器以及特种涂料等领域。其中,制备ITO靶材所需的氧化铟在全部需求中占有重要地位。为制备能够满足磁控溅射需要的ITO靶材,必须制得粒径较大且高致密度的氧化铟。
目前,现有技术公开的制备氧化铟的方法主要采用沉淀法,采用氯化铟为原料,氨水为沉淀剂,在溶液中常温制得氢氧化铟沉淀,再将氢氧化铟经过高温焙烧得到氧化铟粉体。然而,此方法虽然简单,但由于溶液中氯离子残留,以及氨的存在,得到的氧化铟致密度无法达到要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高致密度的氧化铟及其制备方法,本发明制备得到的氧化铟同时具有粒径较大且高致密度的特点。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种高致密度氧化铟的制备方法,包括如下步骤:
将三氯化铟和水进行水合反应,得到水合三氯化铟凝胶前驱体;
将所述凝胶前驱体进行热解,得到高致密度氧化铟。
优选的,所述三氯化铟和水的质量比为(15~50):(50~85)。
优选的,所述三氯化铟和水的质量比为(20~40):(60~80)。
优选的,所述水合反应的反应温度为80~100℃。
优选的,所述水合反应的反应时间为1~5小时。
优选的,所述热解的温度为300~700℃。
优选的,所述热解的温度为400~600℃。
优选的,所述热解的时间为1~5小时。
本发明还提供了一种上述制备方法制备得到的高致密度氧化铟,其特征在于,所述高致密度氧化铟的晶型为立方型,颗粒直径分布在0.5~1微米之间,致密度大于99%。
本发明提供了一种高致密度氧化铟的制备方法,包括如下步骤:将三氯化铟和水进行水合反应,得到水合三氯化铟凝胶前驱体;将所述凝胶前驱体进行热解,得到高致密度氧化铟。本发明提供的制备方法,中间产物水合氯化铟在热解时分解为氧化铟和氯化氢,在分解过程中能够有效除去氯离子,得到的氧化铟纯度较高;而且在热解过程中氧化铟粒径生长迅速,能够得到大粒径的亚微米级氧化铟;在反应中不使用氨水做沉淀剂,避免了氨造成的颗粒中空的现象。实验结果表明,本申请提供的高致密度氧化铟的结构为立方型,颗粒直径分布在0.5~1微米之间,致密度大于99%。
附图说明
图1为本发明实施例1得到的黄色氧化铟固体的XRD图;
图2为本发明实施例1得到的标尺为0.2μm的黄色氧化铟固体的TEM图;
图3为本发明实施例1得到的标尺为0.3μm的黄色氧化铟固体的TEM图;
图4为本发明实施例2得到的黄色氧化铟固体的XRD图;
图5为本发明实施例2得到的标尺为0.5μm的黄色氧化铟固体的TEM图;
图6为本发明实施例2得到的标尺为0.2μm的黄色氧化铟固体的TEM图。
具体实施方式
本发明提供了一种高致密度氧化铟的制备方法,包括如下步骤:
将三氯化铟和水进行水合反应,得到水合三氯化铟凝胶前驱体;
将所述凝胶前驱体进行热解,得到高致密度氧化铟。
本发明将三氯化铟和水进行水合反应,得到水合三氯化铟凝胶前驱体。本发明对所述三氯化铟的来源没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知来源的三氯化铟即可,具体的可以为三氯化铟的市售产品。在本发明具体实施方式中,所述三氯化铟采用阿拉丁试剂公司出品的分析纯三氯化铟。在本发明中,所述水优选为去离子水、纯净水或者蒸馏水。
在本发明中,所述三氯化铟和水的质量比优选为(15~50):(50~85),更优选为(20~40):(60~80),最优选为(25~35):(65~75)。
本发明对所述三氯化铟和水的混合顺序没有特殊要求,可以按照任意顺序进行混合,本发明优选将三氯化铟溶于水中。
在本发明中,所述水合反应的反应温度优选为80~100℃,更优选为85~95℃,最优选为88~93℃。在本发明中,所述水合反应的反应时间优选为1~5小时,可具体为1小时、2小时、3小时、4小时或5小时。在本发明中,所述得到的凝胶前驱体为水合氯化铟凝胶。
本发明优选在所述水合反应之后,将得到的水合氯化铟凝胶降温至室温再进行热解。
得到凝胶前驱体后,本发明将所述凝胶前驱体进行热解,得到高致密度氧化铟。在本发明中,所述热解的温度优选为300~700℃,更优选为400~600℃,最优选为450~550℃。在本发明中,所述热解的时间优选为1~5小时,可具体为1小时、2小时、3小时、4小时或5小时。在本发明中,所述中间产物水合氯化铟在热解时分解为氧化铟和氯化氢,在分解过程中能够有效除去氯离子,得到的氧化铟纯度较高;而且在热解过程中氧化铟粒径生长迅速,能够得到大粒径的亚微米级氧化铟;在反应中不使用氨水做沉淀剂,避免了氨造成的颗粒中空的现象。
本发明对所述热解所使用的装置没有特殊要求,能够提供本申请的热解温度即可。在本发明中,所述热解优选在马弗炉中进行。
本发明还提供了一种上述制备方法制备得到的高致密度氧化铟,所述高致密度氧化铟的晶型为立方型,颗粒直径分布在0.5~1微米之间,致密度大于99%。
本发明提供了一种高致密度氧化铟的制备方法,包括如下步骤:将三氯化铟和水进行水合反应,得到水合三氯化铟凝胶前驱体;将所述凝胶前驱体进行热解,得到高致密度氧化铟。本发明提供的制备方法,中间产物水合氯化铟在热解时分解为氧化铟和氯化氢,在分解过程中能够有效除去氯离子,得到的氧化铟纯度较高;而且在热解过程中氧化铟粒径生长迅速,能够得到大粒径的亚微米级氧化铟;在反应中不使用氨水做沉淀剂,避免了氨造成的颗粒中空的现象。实验结果表明,本申请提供的高致密度氧化铟的结构为立方型,颗粒直径分布在0.5~1微米之间,致密度大于99%。
下面结合实施例对本发明提供的高致密度氧化铟的制备方法进行详细的说明,但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将5克三氯化铟固体溶于25克去离子水中,加热至80℃,保温3小时蒸干溶剂水,冷却至室温,得到无色透明的水合氯化铟凝胶。将此凝胶送入马弗炉中,500℃热解3小时,得到黄色氧化铟固体。
本发明还对本实施例得到的黄色固体产物进行了XRD表征和TEM表征。其中,XRD表征结果如图1所示,TEM表征结果如图2和图3所示。
XRD结果显示,本实施例得到的黄色氧化铟固体为立方氧化铟;TEM结果显示,本实施例得到的黄色氧化铟颗粒直径分布在0.5~1微米之间。
本发明还采用固体密度计对得到的黄色氧化铟固体的密度进行了测量,结果表明本实施得到的黄色氧化铟固体的密度为7.12g/cm3,其理论密度为7.18g/cm3,致密度达99.2%.
实施例2
将10克三氯化铟固体溶于25克去离子水中,加热至100℃,保温2小时蒸干溶剂水,冷却至室温,得到无色透明的水合氯化铟凝胶,将此凝胶送入马弗炉中,600℃热解3小时,得到黄色氧化铟固体。
本发明还对本实施例得到的黄色固体产物进行了XRD表征和TEM表征。其中,XRD表征结果如图4所示,TEM表征结果如图5和图6所示。
XRD结果显示,本实施例得到的黄色氧化铟固体为立方氧化铟;TEM结果显示,本实施例得到的黄色氧化铟颗粒直径分布在0.5~0.7微米之间。
本发明还采用固体密度计对得到的黄色氧化铟固体的密度进行了测量,结果表明本实施得到的黄色氧化铟固体的密度为7.14g/cm3,其理论密度为7.18g/cm3,致密度达99.4%。
实施例3
将5克三氯化铟固体溶于25克去离子水中,加热至100℃,保温2小时蒸干溶剂水,冷却至室温,得到无色透明的水合氯化铟凝胶。将此凝胶送入马弗炉中,700℃热解3小时,得到黄色氧化铟固体。
本发明还对本实施例得到的黄色固体产物进行了XRD表征和TEM表征,表征结果显示,本实施例得到的黄色氧化铟固体为立方氧化铟;TEM结果显示,本实施例得到的黄色氧化铟颗粒直径分布在0.5~0.9微米之间。
本发明还采用固体密度计对得到的黄色氧化铟固体的密度进行了测量,结果表明本实施得到的黄色氧化铟固体的密度为7.13g/cm3,其理论密度为7.18g/cm3,致密度达99.3%。
由以上实施例可知,本发明提供了一种高致密度氧化铟的制备方法,包括如下步骤:将三氯化铟和水进行水合反应,得到水合三氯化铟凝胶前驱体;将所述凝胶前驱体进行热解,得到高致密度氧化铟。本发明提供的制备方法,中间产物水合氯化铟在热解时分解为氧化铟和氯化氢,在分解过程中能够有效除去氯离子,得到的氧化铟纯度较高;而且在热解过程中氧化铟粒径生长迅速,能够得到大粒径的亚微米级氧化铟;在反应中不使用氨水做沉淀剂,避免了氨造成的颗粒中空的现象。实验结果表明,本申请提供的高致密度氧化铟的结构为立方型,颗粒直径分布在0.5~1微米之间,致密度大于99%。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种高致密度氧化铟的制备方法,包括如下步骤:
将三氯化铟和水进行水合反应,得到水合三氯化铟凝胶前驱体;
将所述凝胶前驱体进行热解,得到高致密度氧化铟。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述三氯化铟和水的质量比为(15~50):(50~85)。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述三氯化铟和水的质量比为(20~40):(60~80)。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述水合反应的反应温度为80~100℃。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于,所述水合反应的反应时间为1~5小时。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热解的温度为300~700℃。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述热解的温度为400~600℃。
8.根据权利要求1、6或7所述的制备方法,其特征在于,所述热解的时间为1~5小时。
9.权利要求1~8任意一项所述制备方法制备得到的高致密度氧化铟,其特征在于,所述高致密度氧化铟的晶型为立方型,颗粒直径分布在0.5~1微米之间,致密度大于99%。
CN201610997974.0A 2016-11-11 2016-11-11 一种高致密度氧化铟及其制备方法 Pending CN106517309A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610997974.0A CN106517309A (zh) 2016-11-11 2016-11-11 一种高致密度氧化铟及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610997974.0A CN106517309A (zh) 2016-11-11 2016-11-11 一种高致密度氧化铟及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106517309A true CN106517309A (zh) 2017-03-22

Family

ID=58351494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610997974.0A Pending CN106517309A (zh) 2016-11-11 2016-11-11 一种高致密度氧化铟及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106517309A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107555409A (zh) * 2017-09-21 2018-01-09 柳州若思纳米材料科技有限公司 一种多孔磷酸铟光催化材料的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101041459A (zh) * 2007-03-12 2007-09-26 宁夏大学 氧化铟锡超细粉体的低温制备方法
CN101254942A (zh) * 2008-04-07 2008-09-03 昆明理工大学 高纯无水三氯化铟制备方法
CN103318949A (zh) * 2013-06-24 2013-09-25 长安大学 一种氧化铟锡纳米颗粒粉体的低温固相制备方法
CN105836792A (zh) * 2016-05-27 2016-08-10 洛阳瑞德材料技术服务有限公司 一种纳米氧化铟的生产方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101041459A (zh) * 2007-03-12 2007-09-26 宁夏大学 氧化铟锡超细粉体的低温制备方法
CN101254942A (zh) * 2008-04-07 2008-09-03 昆明理工大学 高纯无水三氯化铟制备方法
CN103318949A (zh) * 2013-06-24 2013-09-25 长安大学 一种氧化铟锡纳米颗粒粉体的低温固相制备方法
CN105836792A (zh) * 2016-05-27 2016-08-10 洛阳瑞德材料技术服务有限公司 一种纳米氧化铟的生产方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
姜宏伟: "高纯无水三氯化铟和三碘化铟的制备", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑》 *
赵天宝主编: "《化学试剂•化学药品手册》", 31 January 2006 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107555409A (zh) * 2017-09-21 2018-01-09 柳州若思纳米材料科技有限公司 一种多孔磷酸铟光催化材料的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Song et al. Acetone sensing characteristics of ZnO hollow spheres prepared by one-pot hydrothermal reaction
Guo et al. Controllable growth of triangular hexagonal boron nitride domains on copper foils by an improved low-pressure chemical vapor deposition method
Zhang et al. ZnO-carbon nanofibers for stable, high response, and selective H2S sensors
Chandradass et al. A simple method to prepare indium oxide nanoparticles: Structural, microstructural and magnetic properties
JPH1067516A (ja) アナターゼ分散液およびその製造方法
Wang et al. Hydrothermal synthesis of dumbbell-shaped ZnO microstructures
Wang et al. Synthesis and characterization of amorphous Al2O3 and γ-Al2O3 by spray pyrolysis
Wang et al. Hydrothermal assisted synthesis and hot-corrosion resistance of nano lanthanum zirconate particles
Qiu et al. Synthesis and Characterization of Flower‐Like Bundles of ZnO Nanosheets by a Surfactant‐Free Hydrothermal Process
CN105755541A (zh) 一种利用微波诱发燃烧合成反应合成氧化锌晶须的方法
Chen et al. ZnO nanorod arrays prepared by chemical bath deposition combined with rapid thermal annealing: structural, photoluminescence and field emission characteristics
US20160167011A1 (en) Method for producing a graphene
Yin et al. Controllable synthesis of Sm2O3 crystallites with the assistance of templates by a hydrothermal–calcination process
JP5233007B2 (ja) 透明導電材用塗料および透明導電膜の製造方法
Qi et al. A facile method to synthesize small-sized and superior crystalline Cs 0.32 WO 3 nanoparticles for transparent NIR shielding coatings
Billik et al. Mechanochemical-molten salt synthesis of α-Al2O3 platelets
CN106517309A (zh) 一种高致密度氧化铟及其制备方法
Ahlawat Influence of multi-step annealing on nanostructure and surface morphology of Y2O3: SiO2 powder
CN103708440A (zh) 利用生物质碳源材料制备轻质亚微米级碳微球的方法
CN102070178A (zh) 基于水热技术调控制备氧化钇微纳米材料的方法
Lee et al. Radio-frequency thermal plasma synthesis of nano-sized indium zinc tin oxide powders with reduced indium content
CN103332725B (zh) 延TiO2纳米纤维表面生长的多级有序In2O3结构及制备方法
Zhang et al. Novel 3D flower-like TiO2: Eu3+ hierarchitectures: Hydrothermal synthesis and luminescent properties
Qiao et al. Preparation and particle size characterization of Cu nanoparticles prepared by anodic arc plasma
CN109225201B (zh) 一种微纳米氧化钨的制备方法及应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170322