CN106505139A - 微显示器件封装结构和工艺 - Google Patents
微显示器件封装结构和工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106505139A CN106505139A CN201610829949.1A CN201610829949A CN106505139A CN 106505139 A CN106505139 A CN 106505139A CN 201610829949 A CN201610829949 A CN 201610829949A CN 106505139 A CN106505139 A CN 106505139A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- display device
- potting resin
- desiccant
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 67
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 17
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 claims description 6
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 claims description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 229910021502 aluminium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 4
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000003229 sclerosing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种微显示器件封装工艺,其中,微显示器件封装工艺包括:在微显示器件背板的显示区域上使用原子层沉积形成封装层结构;对封装层结构的封装区域边缘使用含有干燥剂的封装树脂层进行封装,从而实现微显示器件的封装。本发明还提供了一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件封装结构包括:微显示器件背板,覆盖微显示器件背板的封装层结构,以及设置于封装层结构的封装区域边缘的封装树脂层。本发明通过在封装区域边缘使用含有干燥剂的封装树脂,从而在确保极低的水氧透过率的同时省去了金属掩模版的需求,并且不需要再产品边缘预留较宽的边框。
Description
技术领域
本发明涉及微显示器件,尤其涉及一种微显示器件封装结构和工艺。
背景技术
在透明显示屏的出产流程中,封装是适当主要的一环。封装的效果是将外引线连接到LED芯片的电极上,同时保护好LED芯片,并且起到提高发光功率的效果,好的封装能够让LED具有很好的发光功率和散热环境,进而提高LED的寿命。现有封装结构需要在原子层沉积时使用金属掩模版形成递进的膜边结构,而且为了防止水氧从封装区域边缘进入,需要预留较宽的边框。本领域迫切需要一款能克服现有封装缺陷的微显示器件封装结构和工艺。
发明内容
本发明旨在提供一种微显示器件封装结构和工艺,其通过在封装区域边缘使用含有干燥剂的封装树脂,从而在确保极低的水氧透过率的同时省去了金属掩模版的需求,并且不需要再产品边缘预留较宽的边框。
为实现上述目的,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,微显示器件封装工艺包括:在微显示器件背板的显示区域上使用原子层沉积形成封装层结构;对封装层结构的封装区域边缘使用含有干燥剂的封装树脂层进行封装,从而实现微显示器件的封装。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,第二步包括:将封装树脂和干燥剂进行充分混合;将含有干燥剂的封装树脂填充在封装层结构的封装区域边缘;对封装树脂和干燥剂进行加热,使得封装树脂快速硬化形成封装树脂层,从而实现微显示器件的封装。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,封装树脂为环氧树脂;环氧树脂为双酚A系、环状脂肪族环氧树脂或环氧化的丁二烯;干燥剂为酸酐类或酚树脂。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,第二步包括:将封装树脂、干燥剂和填充料进行充分混合;将含有干燥剂和填充料的封装树脂填充在封装层结构的封装区域边缘;对封装树脂、干燥剂和填充料进行加热,使得封装树脂快速硬化形成封装树脂层,从而实现微显示器件的封装。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,所述填充料的原料组分及重量配比为高纯度二氧化硅10-30份、氢氧化铝5-10份、氧化铝10-15份、云母粉5-10份、碳化硅10-15份、氮化硅15-20份、氮化硼10-20份、氧化镁5-10份、负离子粉5-10份。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件封装结构包括:微显示器件背板,覆盖微显示器件背板的封装层结构,以及设置于封装层结构的封装区域边缘的封装树脂层。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装结构,其中,封装树脂层为含有干燥剂的环氧树脂层;环氧树脂层为双酚A系、环状脂肪族环氧树脂或环氧化的丁二烯的环氧树脂;干燥剂为酸酐类或酚树脂。
本发明提供的一种微显示器件封装结构和工艺其通过在封装区域边缘使用含有干燥剂的封装树脂,从而在确保极低的水氧透过率的同时省去了金属掩模版的需求,并且不需要再产品边缘预留较宽的边框。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。
图1为现有技术中的微显示器件封装结构示意图;
图2为本发明微显示器件封装第一结构示意图;
图3为本发明微显示器件封装第二结构示意图。
附图标记说明:
1、微显示器件背板 2、封装层结构 3、显示区域
4、边框 5、封装树脂层 A、边框总宽度
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面结合具体实施方式并参照附图,对本发明进一步详细说明。应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本发明的范围。
实施例1
本发明提出的一种微显示器件封装工艺,其中,微显示器件封装工艺包括:在微显示器件背板1的显示区域3上使用原子层沉积形成封装层结构2;对封装层结构2的封装区域边缘使用含有干燥剂的封装树脂层5进行封装,从而实现微显示器件的封装。
如图1所示,现有技术中,微显示器件封装要留出固定长度(边框总宽度为A)的边框4。如图2所示,在本实施例中,在微显示器件的边缘设置有树脂封装层,当该树脂封装层硬化后,就形成了如图3所示的无边框的微显示器件。这样通过在封装区域边缘使用含有干燥剂的封装树脂,从而在确保极低的水氧透过率的同时省去了金属掩模版的需求,并且不需要再产品边缘预留较宽的边框4。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装工艺,其中,微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。这样可提高生产效率降低设备投资。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装工艺,其中,第二步包括:将封装树脂和干燥剂进行充分混合;将含有干燥剂的封装树脂填充在封装层结构2的封装区域边缘;对封装树脂和干燥剂进行加热,使得封装树脂快速硬化形成封装树脂层5,从而实现微显示器件的封装。
这样通过干燥剂使得封装树脂硬化时间短,并且通过对封装树脂和干燥剂进行加热,使得封装树脂快速硬化形成封装树脂层5,从而实现微显示器件的封装。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装工艺,其中,封装树脂为环氧树脂;环氧树脂为双酚A系、环状脂肪族环氧树脂或环氧化的丁二烯;干燥剂为酸酐类或酚树脂。
在本实施例中,环氧树脂必须含有较低的离子含量,以降低对微显示器件表面的腐蚀,同时要具有高的热变形温度,良好的耐热及耐化学性,以及对硬化剂具有良好的反应性。可选用单一树脂,也可以二种以上的树脂混合使用。这样易于实现且方便批量生产。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装工艺,其中,第二步包括:将封装树脂、干燥剂和填充料进行充分混合;将含有干燥剂和填充料的封装树脂填充在封装层结构2的封装区域边缘;对封装树脂、干燥剂和填充料进行加热,使得封装树脂快速硬化形成封装树脂层5,从而实现微显示器件的封装。
这样一方面通过干燥剂使得封装树脂硬化时间短,并且通过对封装树脂和干燥剂进行加热,使得封装树脂快速硬化形成封装树脂层5,从而实现微显示器件的封装。另一方面能减少封装树脂硬化后的收缩,降低封装树脂的热膨胀系数,改善封装树脂的热传导和吸收反应热,改善封装树脂的机械性质与电学性质,降低封装树脂的成本。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装工艺,其中,所述填充料的原料组分及重量配比为高纯度二氧化硅10份、氢氧化铝5份、氧化铝10份、云母粉5份、碳化硅10份、氮化硅15份、氮化硼10份、氧化镁5份、负离子粉5份。这样拥有较小的热膨胀系数,对热冲击的抵抗性较佳。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件封装结构包括:微显示器件背板1,覆盖微显示器件背板1的封装层结构2,以及设置于封装层结构2的封装区域边缘的封装树脂层5。
如图1所示,现有技术中,微显示器件封装要留出固定长度(边框总宽度为A)的边框4。如图2所示,在本实施例中,在微显示器件的边缘设置有树脂封装层,当该树脂封装层硬化后,就形成了如图3所示的无边框的微显示器件。这样通过在封装区域边缘使用含有干燥剂的封装树脂,从而在确保极低的水氧透过率的同时省去了金属掩模版的需求,并且不需要再产品边缘预留较宽的边框4。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。这样可提高生产效率降低设备投资。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装结构,其中,封装树脂层5为含有干燥剂的环氧树脂层;环氧树脂层为双酚A系、环状脂肪族环氧树脂或环氧化的丁二烯的环氧树脂;干燥剂为酸酐类或酚树脂。
在本实施例中,环氧树脂必须含有较低的离子含量,以降低对微显示器件表面的腐蚀,同时要具有高的热变形温度,良好的耐热及耐化学性,以及对硬化剂具有良好的反应性。可选用单一树脂,也可以二种以上的树脂混合使用。这样易于实现且方便批量生产。
实施例2
所述填充料的原料组分及重量配比为高纯度二氧化硅30份、氢氧化铝10份、氧化铝15份、云母粉10份、碳化硅15份、氮化硅20份、氮化硼20份、氧化镁10份、负离子粉10份。
应当理解的是,本发明的上述具体实施方式仅用于示例性说明或解释本发明的原理,而不构成对本发明的限制。因此,在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。此外,本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
Claims (9)
1.一种微显示器件封装工艺,其特征在于,所述微显示器件封装工艺包括以下步骤:
第一步,在微显示器件背板的显示区域上使用原子层沉积形成封装层结构;
第二步,对封装层结构的封装区域边缘使用含有干燥剂的封装树脂层进行封装,从而实现微显示器件的封装。
2.根据权利要求1所述的一种微显示器件封装工艺,其中,
所述微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。
3.根据权利要求1所述的一种微显示器件封装工艺,其中,所述第二步包括:
将封装树脂和干燥剂进行充分混合;
将含有干燥剂的封装树脂填充在封装层结构的封装区域边缘;
对封装树脂和干燥剂进行加热,使得封装树脂快速硬化形成封装树脂层,从而实现微显示器件的封装。
4.根据权利要求1所述的一种微显示器件封装工艺,其中,
所述封装树脂为环氧树脂;
所述环氧树脂为双酚A系、环状脂肪族环氧树脂或环氧化的丁二烯;
所述干燥剂为酸酐类或酚树脂。
5.根据权利要求1所述的一种微显示器件封装工艺,其中,所述第二步包括:
将封装树脂、干燥剂和填充料进行充分混合;
将含有干燥剂和填充料的封装树脂填充在封装层结构的封装区域边缘;
对封装树脂、干燥剂和填充料进行加热,使得封装树脂快速硬化形成封装树脂层,从而实现微显示器件的封装。
6.根据权利要求5所述的一种微显示器件封装工艺,其中,
所述填充料的原料组分及重量配比为高纯度二氧化硅10-30份、氢氧化铝5-10份、氧化铝10-15份、云母粉5-10份、碳化硅10-15份、氮化硅15-20份、氮化硼10-20份、氧化镁5-10份、负离子粉5-10份。
7.一种微显示器件封装结构,其特征在于,所述微显示器件封装结构包括:
微显示器件背板,覆盖所述微显示器件背板的封装层结构,以及设置于所述封装层结构的封装区域边缘的封装树脂层。
8.根据权利要求7所述的一种微显示器件封装结构,其中,
所述微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。
9.根据权利要求7所述的一种微显示器件封装结构,其中,
所述封装树脂层为含有干燥剂的环氧树脂层;
所述环氧树脂层为双酚A系、环状脂肪族环氧树脂或环氧化的丁二烯的环氧树脂;
所述干燥剂为酸酐类或酚树脂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610829949.1A CN106505139A (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 微显示器件封装结构和工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610829949.1A CN106505139A (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 微显示器件封装结构和工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106505139A true CN106505139A (zh) | 2017-03-15 |
Family
ID=58290409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610829949.1A Pending CN106505139A (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 微显示器件封装结构和工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106505139A (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN203521480U (zh) * | 2013-10-12 | 2014-04-02 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性有机光电器件的封装结构 |
US20150349288A1 (en) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting display panel and manufacturing method thereof |
CN105284186A (zh) * | 2013-06-07 | 2016-01-27 | 株式会社爱发科 | 元件结构体及其制造方法 |
CN206076283U (zh) * | 2016-09-18 | 2017-04-05 | 深圳市核高基科技有限公司 | 微显示器件封装结构 |
-
2016
- 2016-09-18 CN CN201610829949.1A patent/CN106505139A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105284186A (zh) * | 2013-06-07 | 2016-01-27 | 株式会社爱发科 | 元件结构体及其制造方法 |
CN203521480U (zh) * | 2013-10-12 | 2014-04-02 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性有机光电器件的封装结构 |
US20150349288A1 (en) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting display panel and manufacturing method thereof |
CN206076283U (zh) * | 2016-09-18 | 2017-04-05 | 深圳市核高基科技有限公司 | 微显示器件封装结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5764432B2 (ja) | 硬化性エポキシ樹脂組成物 | |
KR101607108B1 (ko) | 광반도체 소자 밀봉용 수지 조성물 및 당해 조성물로 밀봉된 광반도체 장치 | |
CN104789186B (zh) | 一种单组份不出油型led灯丝触变胶及其制备方法 | |
JP5638812B2 (ja) | 硬化性エポキシ樹脂組成物 | |
WO2010001992A1 (ja) | 変性樹脂組成物、その製造方法及びそれを含む硬化性樹脂組成物 | |
CN105518076A (zh) | 可固化有机硅组合物、其固化产物以及光学半导体器件 | |
CN106684227B (zh) | 一种紫外led封装方法 | |
JP2007091960A (ja) | 光半導体素子封止用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置 | |
CN104449547A (zh) | Led用单组分脱醇型室温硫化有机硅灌封胶及制备方法 | |
JP6185703B2 (ja) | 硬化性エポキシ樹脂組成物及びその硬化物、並びに光半導体装置 | |
JP2013206895A (ja) | 光学半導体装置用基板とその製造方法、及び光学半導体装置とその製造方法 | |
CN206076283U (zh) | 微显示器件封装结构 | |
JP2007154064A (ja) | 光半導体素子封止用樹脂組成物の製法およびそれにより得られる光半導体素子封止用樹脂組成物ならびに光半導体装置 | |
JP5988791B2 (ja) | 硬化性エポキシ樹脂組成物 | |
JP6430787B2 (ja) | 光半導体装置 | |
CN106505139A (zh) | 微显示器件封装结构和工艺 | |
TWI739790B (zh) | 防止反射之材料 | |
WO2015083576A1 (ja) | 光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置 | |
TWI647276B (zh) | 一種led光源薄板封裝材料 | |
US20100213490A1 (en) | Sealing composition for light emitting device and light emitting device including the same | |
JP2016224338A (ja) | 反射防止材及びその製造方法 | |
JP5703153B2 (ja) | 硬化性エポキシ樹脂組成物 | |
JP5825650B2 (ja) | 光半導体リフレクタ用エポキシ樹脂組成物、光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置 | |
TW201527408A (zh) | 光半導體裝置用環氧樹脂組成物及使用其製得之光半導體裝置用引線框、密封型光半導體元件以及光半導體裝置 | |
SG172343A1 (en) | Liquid resin composition and semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20190118 Address after: 213200 168 Huacheng Road, Jintan District, Changzhou, Jiangsu Applicant after: Lakeside photoelectric technology (Jiangsu) Co., Ltd. Address before: 100176 Yueting 1-4-401, Liangshuihe Street, Yizhuang, Daxing District, Beijing Applicant before: Shenzhen nuclear high base Technology Co., Ltd. |
|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170315 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |