CN106477583A - 一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,包括一个筒状的容器本体、以及与容器本体相匹配的容器底,在容器本体内设置有一层内衬,容器底与容器本体形成可拆卸结构,在容器底上至少设置有一个通孔、以及与通孔连通的可拆卸的导流管。本发明在容器底设置通孔,并安装导流管,使得硅液可以从导流管有序地注入到冷却池,落入冷却池的硅水由于导流孔的直径是固定的,因此可以使得硅水形成球形结构,且直径均匀,解决了现有技术中因倾倒导致的硅块成型不规则、大小不一致的问题,由于容器底和导流管为可拆卸的结构,作为易损件,通过设置为可拆卸的容器底和导流管结构,可以快速的拆卸安装更换新的容器底和导流管,不影响生产。

Description

一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置
技术领域
本发明涉及硅渣的重复利用加工领域,具体涉及一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置。
背景技术
硅渣一般是指原矿提炼之后的剩余部分,还含有一定量的硅。硅渣分很多种,工业硅渣,太阳能硅渣,半导体硅渣等等。硅渣可以用来回炉重新结晶、提纯、现在硅料紧缺,价格不菲。硅锰渣也叫硅锰冶炼渣,是冶炼硅锰合金时排放的一种工业废渣,其结构疏松,外观常为浅绿色的颗粒,由一些形状不规则的多孔非晶质颗粒组成。硅锰渣性脆易碎,通过破碎机可以将大块的硅锰渣破碎成小块,然后进入细碎机将粗碎后的物料进一步粉碎,确保进入料仓的物料能够达到单体解离的程度,然后通过振动给料机和皮带输送机均匀的将物料给入梯形跳汰机进行分选。破碎的主要目的在于打破连生体结构,跳汰的主要目的在于从硅锰渣中回收硅锰合金。硅锰渣和硅锰合金存在较大的比重差,通过跳汰机的重选作用可以将金属和废渣分离,获得纯净的合金和废渣,最后可以通过脱水筛的脱水作用分别将精矿和尾矿进行脱水。
目前的硅渣处理,大部分还是依靠人工选取的方式,在一定的粉碎条件下,通过人工选取的方式来选择纯度较高的硅块,这样做的优点是成本较低,但是效率非常差,而且硅渣的利用率也很低;而采用梯形跳汰机进行分选的方式,选出来的硅纯度低,成本也高,硅渣的利用率也很低。
硅在熔炼以后成为硅液,也叫硅水,其熔点1414℃,一般工艺中,硅熔炼的温度会达到1700℃,在硅液熔炼后,会将硅液倒入冷却系统中形成硅丸或者硅块,这些单质硅作为工业硅的原料进行保存但是现有技术中,硅液的倾倒过程中很容易发生爆炸事件,为了防止爆炸,一般都采用延长倾倒时间的方式来防止爆炸。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,解决现有技术中硅液的成型时间长、容易产生爆炸的问题。
本发明通过下述技术方案实现:
一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,包括一个筒状的容器本体、以及与容器本体相匹配的容器底,在容器本体内设置有一层内衬,容器底与容器本体形成可拆卸结构,在在容器底上至少设置有一个通孔、以及与通孔连通的可拆卸的导流管。根据现有的硅熔炼工艺以及硅液的成型工艺,申请人发明了一个用于硅水成型的中转容器,包括一个筒状的容器本体,容器本体的下部配置有一个可以拆卸的容器底,在容器底设置有一个或者多个通孔,在通孔处安装可以拆卸的导流管,容器本体内侧设置有一层内衬,由于硅液的熔炼温度高达1700℃,为了避免容器本体收到损坏,通过在容器内侧设置一层内衬保护好容器本体,通过在容器底设置通孔,并安装导流管,使得硅液可以从导流管有序地注入到冷却池,如此避免了硅液倾倒时,方向、速度均不易控制的问题,使得硅水的流动方向受到限制,同时,落入冷却池的硅水由于导流孔的直径是固定的,因此可以使得硅水形成球形结构,且直径均匀,解决了现有技术中因倾倒导致的硅块成型不规则、大小不一致的问题,由于容器底和导流管为可拆卸的结构,作为易损件,通过设置为可拆卸的容器底和导流管结构,可以快速的拆卸安装更换新的容器底和导流管,不影响生产。
所述容器本体的底部向下凹陷形成弧形结构。通过将容器本体的底部设置成向下凹陷的弧形结构,可以对硅液进行引导,避免硅液在容器本体底部堆积形成固体,有效防止了爆炸。
在所述的容器本体与内衬之间还设置有一层保温层。通过设置保温层,可以有效的对容器本体进行保护,防止其在高温下损坏。
所述保温层的下端与容器本体之间间隔形成空腔结构,在该空腔内安装有密封环。进一步讲,将容器底拆除以后,容器本体、保温层、内衬之间在拆卸处形成阶梯状结构,而容器底的外侧端面也呈阶梯状结构,在配合以后,容器底的外部壳体与容器本体连接形成整体,容器底上的内衬与容器本体内侧的内衬连接形成整体结构,保温层与容器底之间形成一个空腔,在该空腔内安装有一个密封环,通过将容器本体、保温层、内衬的端面设置成阶梯状,同时在空腔内安装一个密封环,可以使得容器本体和容器底的连接更加紧密,保证了其在连接过程中的密闭性,有效地起到了防漏的问题。
所述的容器本体外侧设置有多个挂齿,在容器底上设置有与挂齿相匹配的挂钩,容器本体与容器底通过挂齿与挂钩的配合连接。通过设置相互匹配的挂钩和挂齿,可以通过旋转容器底,将容器底与容器本体分离或者连接成整体;优选的情况下,可以将挂齿或挂钩的接触面设置成斜面,通过斜面的配合作用对密封环进行压紧固定,从而完成密封动作。
在所述容器本体的外侧至少设置有三个在同一水平位置均匀分布的吊耳。通过设置三个或三个以上的吊耳在同一水平位置,可以使得在倾倒硅液的时候,容器受到的外力均匀一致,避免因容器的倾斜而导致的硅水外溅。
在所述导流管上设置有截止阀。通过设置截止阀,可以选择性的使得部份导流管工作,从而调整硅液的成型速度和流量,从而优化生产过程。
本发明与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:
1、本发明一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,在容器内侧设置一层内衬保护好容器本体,通过在容器本体的底部设置通孔,并安装导流管,使得硅液可以从导流管有序地注入到冷却池,如此避免了硅液倾倒时,方向、速度均不易控制的问题,使得硅水的流动方向受到限制,同时,落入冷却池的硅水由于导流孔的直径是固定的,因此可以使得硅水形成球形结构,且直径均匀,解决了现有技术中因倾倒导致的硅块成型不规则、大小不一致的问题,由于容器底和导流管为可拆卸的结构,作为易损件,通过设置为可拆卸的容器底和导流管结构,可以快速的拆卸安装更换新的容器底和导流管,不影响生产;
2、本发明一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,通过设置相互匹配的挂钩和挂齿,可以通过旋转容器底,将容器底与容器本体分离或者连接成整体;优选的情况下,可以将挂齿或挂钩的接触面设置成斜面,通过斜面的配合作用对密封环进行压紧固定,从而完成密封动作;
3、本发明一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,将容器底拆除以后,容器本体、保温层、内衬之间在拆卸处形成阶梯状结构,而容器底的外侧端面也呈阶梯状结构,在配合以后,容器底的外部壳体与容器本体连接形成整体,容器底上的内衬与容器本体内侧的内衬连接形成整体结构,保温层与容器底之间形成一个空腔,在该空腔内安装有一个密封环,通过将容器本体、保温层、内衬的端面设置成阶梯状,同时在空腔内安装一个密封环,可以使得容器本体和容器底的连接更加紧密,保证了其在连接过程中的密闭性,有效地起到了防漏的问题。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本发明实施例的限定。在附图中:
图1为本发明结构示意图。
附图中标记及对应的零部件名称:
1-容器本体,2-内衬,3-导流管,4-保温层,5-吊耳,6-截止阀,7-容器底,8-密封环,9-挂齿,10-挂钩。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本发明作进一步的详细说明,本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明,并不作为对本发明的限定。
实施例
如图1所示,本发明一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,包括一个筒状的容器本体1,以及与容器本体1相匹配的容器底7,在容器本体1内设置有一层内衬2,容器底7与容器本体1形成可拆卸结构,在容器底7上至少设置有一个通孔、以及与通孔连通的可拆卸的导流管3,容器本体1的下部封闭形成容器的底部,在底部设置有一个或者多个通孔,在通孔处安装可以拆卸的导流管3,容器本体1内侧设置有一层内衬2,容器本体1与内衬2之间还设置有一层保温层4,容器本体1、保温层4、内衬2之间在拆卸处形成阶梯状结构,而容器底7的外侧端面也呈阶梯状结构,在配合以后,容器底7的外部壳体与容器本体1连接形成整体,容器底7上的内衬2与容器本体内侧的内衬2连接形成整体结构,保温层4与容器底7之间形成一个空腔,在该空腔内安装有一个密封环8,通过将容器本体1、保温层4、内衬2的端面设置成阶梯状,同时在空腔内安装一个密封环8,可以使得容器本体1和容器底7的连接更加紧密;容器本体1外侧设置有多个挂齿9,在容器底7上设置有与挂齿9相匹配的挂钩10,容器本体1与容器底7通过挂齿9与挂钩10的配合连接;优选的情况下,可以将挂齿9或挂钩10的接触面设置成斜面,通过斜面的配合作用对密封环8进行压紧固定,从而完成密封动作;由于硅液的熔炼温度高达1700℃,为了避免容器本体收到损坏,通过在容器内侧设置一层内衬2保护好容器本体,容器本体1的底部设置成向下凹陷的弧形结构,可以对硅液进行引导,在容器本体1的底部设置通孔,并安装导流管3,使得硅液可以从导流管有序地注入到冷却池,导流管3上设置有截止阀6,可以控制流量和流速,在容器本体1的外侧设置有三个在同一水平位置均匀分布的吊耳5,吊耳5的数量可以适当增加。
以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,其特征在于:包括一个筒状的容器本体(1)、以及与容器本体(1)相匹配的容器底(7),在容器本体(1)内设置有一层内衬(2),容器底(7)与容器本体(1)形成可拆卸结构,在容器底(7)上至少设置有一个通孔、以及与通孔连通的可拆卸的导流管(3)。
2.根据权利要求1所述的一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,其特征在于:所述容器底(7)向下凹陷形成弧形结构。
3.根据权利要求1所述的一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,其特征在于:在所述的容器本体(1)与内衬(2)之间还设置有一层保温层(4)。
4.根据权利要求3所述的一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,其特征在于:所述保温层(4)的下端与容器本体(1)之间间隔形成空腔结构,在该空腔内安装有密封环(8)。
5.根据权利要求1所述的一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,其特征在于:所述的容器本体(1)外侧设置有多个挂齿(9),在容器底(7)上设置有与挂齿相匹配的挂钩(10),容器本体(1)与容器底(7)通过挂齿(9)与挂钩(10)的配合连接。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,其特征在于:在所述容器本体(1)的外侧至少设置有三个在同一水平位置均匀分布的吊耳(5)。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置,其特征在于:在所述导流管(3)上设置有截止阀(6)。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101321696A (zh) * 2005-12-06 2008-12-10 新日铁高新材料株式会社 高纯度硅的制造装置以及制造方法
US20110198336A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Masahiro Hoshino Apparatus for purifying metallurgical silicon for solar cells
CN103043665A (zh) * 2013-01-24 2013-04-17 厦门大学 一种硅粉的制备方法
CN105734833A (zh) * 2016-02-04 2016-07-06 河北国美新型建材有限公司 一种硅酸铝甩丝纤维板及其制备方法
CN206244418U (zh) * 2016-12-09 2017-06-13 永平县泰达废渣开发利用有限公司 一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101321696A (zh) * 2005-12-06 2008-12-10 新日铁高新材料株式会社 高纯度硅的制造装置以及制造方法
US20110198336A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Masahiro Hoshino Apparatus for purifying metallurgical silicon for solar cells
CN103043665A (zh) * 2013-01-24 2013-04-17 厦门大学 一种硅粉的制备方法
CN105734833A (zh) * 2016-02-04 2016-07-06 河北国美新型建材有限公司 一种硅酸铝甩丝纤维板及其制备方法
CN206244418U (zh) * 2016-12-09 2017-06-13 永平县泰达废渣开发利用有限公司 一种用于硅熔炼的改进型硅液中转装置

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