CN106449958A - 一种碲化铋基复合电热材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种碲化铋基复合电热材料的制备方法,该制备方法可以调节材料中Al的含量,可实现在制备纳米粉体的制备及与微米粉体的复合合二为一,最终使得材料的热电性能得到大幅度的提高,该方法直接利用SPS烧结进行原位反应,制备的材料致密度高、成分均匀、性能优异。
Description
技术领域
本发明涉及热电复合功能材料领域,具体涉及一种碲化铋基复合电热材料的制备方法。
背景技术
温差电材料(Thermoelectric Materials)也称为热电材料。温差电材料主要用于制备热电制冷器件和热电发电器件。温度梯度场热电转换原理简称温差电原理(Thermoe1ectric),它的发现可追溯到19世纪,1822年,ThomasAlebeck发现温差电动势效应(温差电材料发电原理,即Alebeck原理);1834年,Jean Peltier发现电流回路中两不同材料导体结界面处的降温效应(温差电材料制冷原理,即Peltier原理)。20世纪50年代发现一些半导体材料是良好的温差电材料。温差电器件的工作效率取决于材料的一个无量纲参数:ZT。TE器件要求ZT越大越好,ZT越大效率越高。通常把ZT>0.5的材料称为温差电材料。
在诸多种类的热电材料中,碲化铋基合金是目前室温附近性能最佳的热电转换材料,在微电子、计算机以及航天等诸多领域已广泛用于局部制冷与温度控制。碲化铋基热电材料包括非掺杂及元素掺杂型硒化铋、碲化铋、硒化锑、碲化锑等,其晶体结构大体相同。以碲化铋为例:其结构属R3m三方晶系,沿C轴方向可视为六面体层状结构,在同一层上具有相同的原子种类,层与层之间呈Te(1)-Bi-Te(2)-Bi-Te(1)的原子排布方式。其中,Bi-Te(1)之间以共价键和离子键相结合,Bi-Te(2)之间为共价键,而Te(1)-Te(1)之间则以范德华力结合。用传统熔融法制被的碲化铋基合金粉体粒径在微米数量级,以其为原料结合等离子体放电烧结(SPS)工艺制备的多晶碲化铋基合金的最优ZT值在1左右。
发明内容
本发明提供一种碲化铋基复合电热材料的制备方法,该制备方法可以调节材料中Al的含量,可实现在制备纳米粉体的制备及与微米粉体的复合合二为一,最终使得材料的热电性能得到大幅度的提高,该方法直接利用SPS烧结进行原位反应,制备的材料致密度高、成分均匀、性能优异。
为了实现上述目的,本发明提供了一种碲化铋基复合电热材料的制备方法,该方法包括如下步骤:
(1)制备碲化铋基复合热电材料粉体
提供微米尺度的碲化铋基热电材料粉体,所述碲化铋基热电材料粉体的组成式为:Bi2-ySbyAlxTe3-x,1≤x≤2,1≤y≤1.5
采用电化学法将Al插入所述碲化铋基热电材料粉体的C轴层间,控制所述电化学法中的电流大小及反应时间,得到所需插层量的Al插层碲化铋基热电材料粉体;
采用电化学法将Al从所述Al插层碲化铋基热电材料粉体的C轴层间全部或部分脱出,在此过程中由于Al的插入脱出使得原碲化铋基合金热电材料部分粉碎并纳米化,形成纳米/微米复合尺度碲化铋基热电材料粉体;
通过控制充放电条件控制锂插层量与脱层量的差值,从而控制残留的Al含量;
将所述纳米/微米复合尺度碲化铋基热电材料粉体在非极性溶剂中反复洗涤,并在非氧化气氛下烘干,得到碲化铋基复合热电材料粉体;
(2)将碲化铋基复合热电材料粉体装入石墨磨具中压实,连同磨具一起在<10Pa的真空条件下进行烧结,升温速度为25℃/min-50℃/min,烧结温度为600-900℃,压强为75-95MPa,烧结时间为10-20h分钟,原料在烧结的过程中进行原位反应生成目标物质,同时加压又可使其致密化,最终得到致密的块体碲化铋基复合热电材料。
具体实施方式
实施例一
提供微米尺度的碲化铋基热电材料粉体,所述碲化铋基热电材料粉体的组成式为:BiSbAlTe2。采用电化学法将Al插入所述碲化铋基热电材料粉体的C轴层间,控制所述电化学法中的电流大小及反应时间,得到所需插层量的Al插层碲化铋基热电材料粉体。
采用电化学法将Al从所述Al插层碲化铋基热电材料粉体的C轴层间全部或部分脱出,在此过程中由于Al的插入脱出使得原碲化铋基合金热电材料部分粉碎并纳米化,形成纳米/微米复合尺度碲化铋基热电材料粉体。
通过控制充放电条件控制锂插层量与脱层量的差值,从而控制残留的Al含量; 将所述纳米/微米复合尺度碲化铋基热电材料粉体在非极性溶剂中反复洗涤,并在非氧化气氛下烘干,得到碲化铋基复合热电材料粉体。
将碲化铋基复合热电材料粉体装入石墨磨具中压实,连同磨具一起在<10Pa的真空条件下进行烧结,升温速度为25℃/min,烧结温度为600℃,压强为75MPa,烧结时间为10分钟,原料在烧结的过程中进行原位反应生成目标物质,同时加压又可使其致密化,最终得到致密的块体碲化铋基复合热电材料。
实施例二
提供微米尺度的碲化铋基热电材料粉体,所述碲化铋基热电材料粉体的组成式为:Bi0.5Sb1.5Al2Te。采用电化学法将Al插入所述碲化铋基热电材料粉体的C轴层间,控制所述电化学法中的电流大小及反应时间,得到所需插层量的Al插层碲化铋基热电材料粉体。
采用电化学法将Al从所述Al插层碲化铋基热电材料粉体的C轴层间全部或部分脱出,在此过程中由于Al的插入脱出使得原碲化铋基合金热电材料部分粉碎并纳米化,形成纳米/微米复合尺度碲化铋基热电材料粉体。
通过控制充放电条件控制锂插层量与脱层量的差值,从而控制残留的Al含量; 将所述纳米/微米复合尺度碲化铋基热电材料粉体在非极性溶剂中反复洗涤,并在非氧化气氛下烘干,得到碲化铋基复合热电材料粉体。
将碲化铋基复合热电材料粉体装入石墨磨具中压实,连同磨具一起在<10Pa的真空条件下进行烧结,升温速度为50℃/min,烧结温度为900℃,压强为95MPa,烧结时间为20分钟,原料在烧结的过程中进行原位反应生成目标物质,同时加压又可使其致密化,最终得到致密的块体碲化铋基复合热电材料。
Claims (1)
1.一种碲化铋基复合电热材料的制备方法,该方法包括如下步骤:
(1)制备碲化铋基复合热电材料粉体
提供微米尺度的碲化铋基热电材料粉体,所述碲化铋基热电材料粉体的组成式为:Bi2-ySbyAlxTe3-x,1≤x≤2,1≤y≤1.5
采用电化学法将Al插入所述碲化铋基热电材料粉体的C轴层间,控制所述电化学法中的电流大小及反应时间,得到所需插层量的Al插层碲化铋基热电材料粉体;
采用电化学法将Al从所述Al插层碲化铋基热电材料粉体的C轴层间全部或部分脱出,在此过程中由于Al的插入脱出使得原碲化铋基合金热电材料部分粉碎并纳米化,形成纳米/微米复合尺度碲化铋基热电材料粉体;
通过控制充放电条件控制锂插层量与脱层量的差值,从而控制残留的Al含量;
将所述纳米/微米复合尺度碲化铋基热电材料粉体在非极性溶剂中反复洗涤,并在非氧化气氛下烘干,得到碲化铋基复合热电材料粉体;
(2)将碲化铋基复合热电材料粉体装入石墨磨具中压实,连同磨具一起在<10Pa的真空条件下进行烧结,升温速度为25℃/min-50℃/min,烧结温度为600-900℃,压强为75-95MPa,烧结时间为10-20h分钟,原料在烧结的过程中进行原位反应生成目标物质,同时加压又可使其致密化,最终得到致密的块体碲化铋基复合热电材料。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110190177A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-08-30 | 清华大学 | 一种硒化铋基有机插层热电材料及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101597034A (zh) * | 2009-07-13 | 2009-12-09 | 北京工业大学 | 一种碲化铋纳米晶块体材料及其制备方法 |
CN102024899A (zh) * | 2010-09-22 | 2011-04-20 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种纳米颗粒复合碲化铋基热电材料及其制备方法 |
CN102381683A (zh) * | 2010-09-03 | 2012-03-21 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种采用电化学法制备层片合金热电材料的方法及其材料 |
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Application publication date: 20170222 |
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