CN106445268A - 电容式触摸屏 - Google Patents

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Abstract

一种电容式触摸屏，包括感应层与显示面板，所述电容式触摸屏还包括屏蔽层，所述屏蔽层设置在所述感应层与所述显示面板之间，所述屏蔽层为超低电阻透明导电膜，所述超低电阻透明导电膜的可见光透过率为90％～97％，厚度大于0μm且小于80μm，方阻值为0.01～40欧姆；所述超低电阻透明导电膜的方阻值为0.01～8欧姆。本发明解决了现有技术中电容式触摸屏难以同时实现超薄及高信噪比的问题。

Description

电容式触摸屏
技术领域
本发明涉及电子触摸屏领域，特别是涉及一种电容式触摸屏。
背景技术
电容式触摸屏是一块四层复合玻璃屏，由上至下一般包括四层：1)基板；2)触控感应层；3)OCA胶层；4)显示面板。
电容式触摸屏是利用人体的电流感应进行工作的一种触摸屏技术。广泛应用于手机、GPS、平板电脑等电子产品上，正朝着大尺寸、超轻薄、高透明及低制造成本方向发展。但在电容式触摸屏的发展过程中也正遭遇一些技术开发的瓶颈：第一，驱动难度大，灵敏度较小；第二，工艺复杂，良率低，成本居高不下；第三，难以实现超薄。
电容式触摸屏的厚度主要由ITO感应层的厚度与隔离层的厚度决定。为了使电容式触摸屏实现超薄，需要减小ITO感应层的厚度与隔离层的厚度。ITO感应层是电容式触摸屏的关键层，它的厚度会影响光透过率、信噪比与电导率：ITO感应层的透光率随厚度增加而减小，信噪比(SNR)与电导率则随厚度增加而升高，为平衡ITO的光透过率、信噪比与电导率，得到一个综合性能较优的结果，ITO层的厚度不能取其允许厚度范围的下限，不利于电容式触摸屏实现超薄。
综上，现有技术中，为了保证电容式触摸屏的性能，ITO感应层的厚度与隔离层的厚度不能再进一步减小以实现电容式触摸屏的超薄；另外，现有技术中的隔离层使得电容式触摸屏的工艺更加复杂，成本更高。
发明内容
本发明旨在提供一种电容式触摸屏，以解决现有技术中电容式触摸屏难以同时实现超薄及高信噪比的问题。
一种电容式触摸屏，包括感应层与显示面板，所述电容式触摸屏还包括屏蔽层，所述屏蔽层设置在所述感应层与所述显示面板之间，所述屏蔽层为超低电阻透明导电膜，所述超低电阻透明导电膜的可见光透过率为90％～97％，厚度大于0μm且小于80μm，方阻值为0.01～40欧姆；所述超低电阻透明导电膜的方阻值为0.01～8欧姆。
进一步地，所述超低电阻透明导电膜包括：第一ITO导电层，设置在所述感应层上；第一抗氧化层，设置在所述第一ITO导电层的表面上；金属层，设置在所述第一抗氧化层的远离所述第一ITO导电层的表面上；第二抗氧化层，设置在所述金属层的远离所述第一抗氧化层的表面上；以及第二ITO导电层，设置在所述第二抗氧化层与所述显示面板之间。
进一步地，形成所述第一抗氧化层和所述第二抗氧化层的材料为抗氧化金属材料，所述第一抗氧化层和所述第二抗氧化层的金属材料相同或不同。
进一步地，所述抗氧化金属材料为锌或钛。
进一步地，所述第一抗氧化层与所述第二抗氧化层的厚度相同，所述厚度在1nm～4nm之间。
进一步地，所述金属层的厚度为5nm～10nm。
进一步地，所述第一ITO导电层与所述第二ITO导电层的光学厚度相等，所述第一ITO导电层与所述第二ITO导电层光学厚度总和为0.8～2.0个光学单位。
进一步地，所述第一ITO导电层与所述第二ITO导电层的折射率均大于2。
进一步地，所述感应层包括导电图形层，所述导电图形层与所述超低电阻透明导电膜的结构相同。
进一步地，所述感应层还包括与所述导电图形层相连的外部线路，所述外部线路采用方阻值在0.01～8欧姆之间的导线。
有益效果：
应用本发明的技术方案，上述结构的电容式触摸屏，在感应层与显示面板之间，用屏蔽层代替现有结构中的隔离层，大大降低了电容式触摸屏的厚度，实现了电容式触摸屏的超薄。由于屏蔽层为超低电阻透明导电膜，因此避免了现有技术中采用空气层作为隔离层所带来的问题；同时超低电阻透明导电膜的可见光透过率为90％～97％，避免采用光学胶层作为隔离层带来的问题，且利用超低电阻透明导电膜不仅能够提高电容式触摸屏的亮度与清晰度，还能有效改善PET直接与空气或OCA胶层接触视差，减少显示面板和电容式触摸屏之间的距离落差，增加亲近真实感，进而使得电容式触摸屏实现良好的视觉效果；进一步地，上述超低电阻透明导电膜仅需要≤80μm的厚度就可以达到比原来隔离层更好的效果，即厚度≤80μm的超低电阻透明导电膜可以快速导出显示面板与感应层之间产生的寄生电容，增加电容式触摸屏的灵敏度，获得高信噪比；另外，该屏蔽层的设置不仅可以降低整个电容式触摸屏的厚度，该屏蔽层的制作工艺可以借鉴感应层的制作工艺，甚至可以与感应层的制作工艺兼容，因此简化整个电容式触摸屏的制作工艺，降低电容式触摸屏的制作成本。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
一种电容式触摸屏，包括感应层与显示面板，所述电容式触摸屏还包括屏蔽层，所述屏蔽层设置在所述感应层与所述显示面板之间，所述屏蔽层为超低电阻透明导电膜，所述超低电阻透明导电膜的可见光透过率为90％～97％，厚度大于0μm且小于80μm，方阻值为0.01～40欧姆；所述超低电阻透明导电膜的方阻值为0.01～8欧姆。
进一步地，所述超低电阻透明导电膜包括：第一ITO导电层，设置在所述感应层上；第一抗氧化层，设置在所述第一ITO导电层的表面上；金属层，设置在所述第一抗氧化层的远离所述第一ITO导电层的表面上；第二抗氧化层，设置在所述金属层的远离所述第一抗氧化层的表面上；以及第二ITO导电层，设置在所述第二抗氧化层与所述显示面板之间。
进一步地，形成所述第一抗氧化层和所述第二抗氧化层的材料为抗氧化金属材料，所述第一抗氧化层和所述第二抗氧化层的金属材料相同或不同。
进一步地，所述抗氧化金属材料为锌或钛。
进一步地，所述第一抗氧化层与所述第二抗氧化层的厚度相同，所述厚度在1nm～4nm之间。
进一步地，所述金属层的厚度为5nm～10nm。
进一步地，所述第一ITO导电层与所述第二ITO导电层的光学厚度相等，所述第一ITO导电层与所述第二ITO导电层光学厚度总和为0.8～2.0个光学单位。
进一步地，所述第一ITO导电层与所述第二ITO导电层的折射率均大于2。
进一步地，所述感应层包括导电图形层，所述导电图形层与所述超低电阻透明导电膜的结构相同。
进一步地，所述感应层还包括与所述导电图形层相连的外部线路，所述外部线路采用方阻值在0.01～8欧姆之间的导线。
应用本发明的技术方案，上述结构的电容式触摸屏，在感应层与显示面板之间，用屏蔽层代替现有结构中的隔离层，大大降低了电容式触摸屏的厚度，实现了电容式触摸屏的超薄。由于屏蔽层为超低电阻透明导电膜，因此避免了现有技术中采用空气层作为隔离层所带来的问题；同时超低电阻透明导电膜的可见光透过率为90％～97％，避免采用光学胶层作为隔离层带来的问题，且利用超低电阻透明导电膜不仅能够提高电容式触摸屏的亮度与清晰度，还能有效改善PET直接与空气或OCA胶层接触视差，减少显示面板和电容式触摸屏之间的距离落差，增加亲近真实感，进而使得电容式触摸屏实现良好的视觉效果；进一步地，上述超低电阻透明导电膜仅需要≤80μm的厚度就可以达到比原来隔离层更好的效果，即厚度≤80μm的超低电阻透明导电膜可以快速导出显示面板与感应层之间产生的寄生电容，增加电容式触摸屏的灵敏度，获得高信噪比；另外，该屏蔽层的设置不仅可以降低整个电容式触摸屏的厚度，该屏蔽层的制作工艺可以借鉴感应层的制作工艺，甚至可以与感应层的制作工艺兼容，因此简化整个电容式触摸屏的制作工艺，降低电容式触摸屏的制作成本。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电容式触摸屏，包括感应层与显示面板，其特征在于，所述电容式触摸屏还包括屏蔽层，所述屏蔽层设置在所述感应层与所述显示面板之间，所述屏蔽层为超低电阻透明导电膜，所述超低电阻透明导电膜的可见光透过率为90％～97％，厚度大于0μm且小于80μm，方阻值为0.01～40欧姆；所述超低电阻透明导电膜的方阻值为0.01～8欧姆。
2.根据权利要求1所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述超低电阻透明导电膜包括：第一ITO导电层，设置在所述感应层上；第一抗氧化层，设置在所述第一ITO导电层的表面上；金属层，设置在所述第一抗氧化层的远离所述第一ITO导电层的表面上；第二抗氧化层，设置在所述金属层的远离所述第一抗氧化层的表面上；以及第二ITO导电层，设置在所述第二抗氧化层与所述显示面板之间。
3.根据权利要求2所述的电容式触摸屏，其特征在于，形成所述第一抗氧化层和所述第二抗氧化层的材料为抗氧化金属材料，所述第一抗氧化层和所述第二抗氧化层的金属材料相同或不同。
4.根据权利要求3所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述抗氧化金属材料为锌或钛。
5.根据权利要求2所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述第一抗氧化层与所述第二抗氧化层的厚度相同，所述厚度在1nm～4nm之间。
6.根据权利要求5所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述金属层的厚度为5nm～10nm。
7.根据权利要求6所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述第一ITO导电层与所述第二ITO导电层的光学厚度相等，所述第一ITO导电层与所述第二ITO导电层光学厚度总和为0.8～2.0个光学单位。
8.根据权利要求7所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述第一ITO导电层与所述第二ITO导电层的折射率均大于2。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述感应层包括导电图形层，所述导电图形层与所述超低电阻透明导电膜的结构相同。
10.根据权利要求9所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述感应层还包括与所述导电图形层相连的外部线路，所述外部线路采用方阻值在0.01～8欧姆之间的导线。
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