CN106430075A - 一种传感器的制造方法 - Google Patents
一种传感器的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106430075A CN106430075A CN201611037812.9A CN201611037812A CN106430075A CN 106430075 A CN106430075 A CN 106430075A CN 201611037812 A CN201611037812 A CN 201611037812A CN 106430075 A CN106430075 A CN 106430075A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- conductive
- photosensitive resin
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
- B81B3/0029—Transducers for transforming light into mechanical energy or viceversa
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种传感器的制造方法,包括以下步骤:(1)提供第一衬底,所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面;(2)所述第一衬底的背面制作凹槽,所述凹槽深度小于或等于所述第一衬底的厚度的一半;(3)提供第二衬底,并将所述第二衬底固定于所述凹槽内,所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面,所述第二衬底的正面与所述第一衬底的背面共面。
Description
技术领域
本发明涉及敏感元器件的传感器领域,具体涉及一种传感器的制造方法。
背景技术
光敏传感器中最简单的电子器件是光敏电阻,它能感应光线的明暗变化,输出微弱的电信号,通过简单电子线路放大处理,可以控制LED灯具的自动开关。因此在自动控制、家用电器中得到广泛的应用,对于远程的照明灯具,例如:在电视机中作亮度自动调节,照相机种作自动曝光;另外,在路灯、航标等自动控制电路、卷带自停装置及防盗报警装置中等
光敏传感器是最常见的传感器之一,它的种类繁多,主要有:光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏三极管、太阳能电池、光线传感器、紫外线传感器、光纤式光电传感器、色彩传感器、CCD和CMOS图像传感器等。国内主要厂商有OTRON品牌等。光传感器是目前产量最多、应用最广的传感器之一,它在自动控制和非电量电测技术中占有非常重要的地位。最简单的光敏传感器是光敏电阻,当光子冲击接合处就会产生电流。
图1为一种常见的图像传感器的结构示意图,其包括具有光接收区11的衬底12,在光接收区周围具有间隔件14(Spacer),封装玻璃板13通过粘结层固定在间隔件14上。该传感器只能对正面的光进行感测,而无法对其背面的光进行感测,限制了传感器的应用范围。随着超大规模集成电路对高集成度和高性能的需求逐渐提高,如何实现传感器的双面感测,并保证传感器的尺寸小型化是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
基于解决上述问题,本发明提供了一种传感器的制造方法,包括以下步骤:
(1)提供第一衬底,所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面;
(2)所述第一衬底的背面制作凹槽,所述凹槽深度小于或等于所述第一衬底的厚度的一半;
(3)提供第二衬底,并将所述第二衬底固定于所述凹槽内,所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面,所述第二衬底的正面与所述第一衬底的背面共面。
根据本发明的实施例,还包括步骤(4):在所述第一衬底的正面上通过第一感光树脂层粘合第一光滤波片。
根据本发明的实施例,还包括步骤(5):在所述第二衬底的正面和第一衬底的背面上设置第二感光树脂层。
根据本发明的实施例,还包括步骤(6):光照固化所述第一和第二感光树脂层。
根据本发明的实施例,还包括步骤(7):制作第一导电通孔和第二导电通孔,第一导电通孔电连接在所述第一衬底的正面上的多个第一焊盘并穿过所述第一衬底和第二感光树脂层,第二导电通孔电连接在所述第二衬底的正面上的多个第二焊盘并穿过所述第二感光树脂层。
根据本发明的实施例,还包括步骤(8):将所述第一导电通孔和第二导电通孔通过焊球与第二光滤波片的导电图案电连接,并在第二感光树脂层和第二光滤波片之间填充透明填充层。
根据本发明的实施例,还包括步骤(8’):将所述第一导电通孔与所述第二导电通孔先电连接后,再通过焊球与所述第二光滤波片的导电图案电连接。
根据本发明的实施例,还包括制作第三导电通孔,其中,所述第一导电通孔与所述第二导电通孔通过在第二感光树脂层内横向延伸的第三导电通孔电连接。
根据本发明的实施例,所述第一感光树脂层和第二感光树脂层为感光环氧树脂。
根据本发明的实施例,所述第二衬底通过粘合胶固定在所述凹槽底部。
根据本发明的实施例,所述凹槽内填充有封装树脂以环绕所述第二衬底的侧面。
本发明的技术方案,具有如下优点:
(1)采用嵌入的第二衬底实现双面传感器的同时,保证器件的薄型化;
(2)上下两个衬底的焊盘通过通孔电连接之后,在经过横向的通孔将两个纵向通孔电连接,由于第二感光树脂层很薄,可以保证第二光接收区的接收光的能力,避免被焊球遮挡;
(3)第二光滤波片上具有导电图案,既有滤光保护的作用,也用作导电基板,保证薄型化,省去了电路板。
附图说明
图1为现有技术的图像传感器的剖面图;
图2为本发明第一实施例的传感器的剖面图;
图3为本发明第二实施例的传感器的剖面图;
图4-8为本发明的传感器的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
第一实施例
参见图2,一种双面图像传感器2,包括:
第一衬底21a,其可以是硅衬底,在其上形成电子元件(光接收区),所述第一衬底21a包括具有第一光接收区22a的正面和与所述正面相对的背面;
在所述第一衬底21a的背面的凹槽25,所述凹槽25深度小于或等于所述第一衬底的厚度的一半,所述凹槽25底部应远离所述第一光接收区22a;
固定于所述凹槽25底部的第二衬底21b,所述第二衬底21b包括具有第二光接收区22b的正面和与所述正面相对的背面,所述第二衬底21b的正面与所述第一衬底21a的背面共面。
在所述第一衬底21a的正面上具有通过第一感光树脂层28a粘合的第一光滤波片24a,所述第一光滤波片24a可以是具有光截止膜的玻璃片。
在所述第二衬底21b的正面和第一衬底21a的背面上具有通过第二感光树脂层28b、透明填充层29粘合的第二光滤波片24b,所述透明填充层可以是透明硅胶或环氧树脂。
在所述第一衬底21a的正面上具有多个第一焊盘23a,在所述第二衬底21b的正面上具有多个第二焊盘23b。
还包括电连接所述第一焊盘23a的、穿过所述第一衬底21a和第二感光树脂层28b的第一导电通孔27a,以及电连接所述第二焊盘23b的、穿过所述第二感光树脂层28b的第二导电通孔27b。
所述第一导电通孔27a和第二导电通孔27b分别通过第一焊球30a和第二焊球30b与所述第二光滤波片24b的导电图案电连接。
根据该实施例,所述第一感光树脂层28a和第二感光树脂层28b为感光环氧树脂。
根据该实施例,所述第二衬底21b通过粘合胶26固定在所述凹槽25底部。
根据该实施例,所述凹槽25内填充有封装树脂以环绕所述第二衬底21b的侧面。
本发明由此提供了一种传感器的制造方法,包括以下步骤:
(1)参见图4,提供第一衬底,所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面;
(2)所述第一衬底的背面制作凹槽,所述凹槽深度小于或等于所述第一衬底的厚度的一半;
(3)参见图5,提供第二衬底,并将所述第二衬底固定于所述凹槽内,所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面,所述第二衬底的正面与所述第一衬底的背面共面。
(4)参见图6,在所述第一衬底的正面上通过第一感光树脂层粘合第一光滤波片。
(5)在所述第二衬底的正面和第一衬底的背面上设置第二感光树脂层。
(6)光照固化所述第一和第二感光树脂层。
(7)参见图7,制作第一导电通孔和第二导电通孔,第一导电通孔电连接在所述第一衬底的正面上的多个第一焊盘并穿过所述第一衬底和第二感光树脂层,第二导电通孔电连接在所述第二衬底的正面上的多个第二焊盘并穿过所述第二感光树脂层。
(8)参见图8,将所述第一导电通孔和第二导电通孔通过焊球与第二光滤波片的导电图案电连接,并在第二感光树脂层和第二光滤波片之间填充透明填充层。
第二实施例
参见图3,一种双面图像传感器3,包括:
第一衬底21a,其可以是硅衬底,在其上形成电子元件(光接收区),所述第一衬底21a包括具有第一光接收区22a的正面和与所述正面相对的背面;
在所述第一衬底21a的背面的凹槽25,所述凹槽25深度小于或等于所述第一衬底的厚度的一半,所述凹槽25底部应远离所述第一光接收区22a;
固定于所述凹槽25底部的第二衬底21b,所述第二衬底21b包括具有第二光接收区22b的正面和与所述正面相对的背面,所述第二衬底21b的正面与所述第一衬底21a的背面共面。
在所述第一衬底21a的正面上具有通过第一感光树脂层28a粘合的第一光滤波片24a,所述第一光滤波片24a可以是具有光截止膜的玻璃片。
在所述第二衬底21b的正面和第一衬底21a的背面上具有通过第二感光树脂层28b、透明填充层29粘合的第二光滤波片24b,所述透明填充层可以是透明硅胶或环氧树脂。
在所述第一衬底21a的正面上具有多个第一焊盘23a,在所述第二衬底21b的正面上具有多个第二焊盘23b。
还包括电连接所述第一焊盘23a的、穿过所述第一衬底21a和第二感光树脂层28b的第一导电通孔27a,以及电连接所述第二焊盘23b的、穿过所述第二感光树脂层28b的第二导电通孔27b。所述第一导电通孔27a在第二导电通孔27b和凹槽25的外侧,
所述第一导电通孔27a与所述第二导电通孔27b通过在第二感光树脂层28b内横向延伸的第三导电通孔27c电连接。再通过第一导电通孔27a下方的焊球30与所述第二光滤波片24b的导电图案电连接。
上下两个衬底的焊盘通过通孔电连接之后,在经过横向的通孔将两个纵向通孔电连接,由于第二感光树脂层很薄,可以保证第二光接收区的接收光的能力,避免被焊球遮挡。
本发明由此提供了另一种传感器的制造方法,包括以下步骤:
(1)参见图4,提供第一衬底,所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面;
(2)所述第一衬底的背面制作凹槽,所述凹槽深度小于或等于所述第一衬底的厚度的一半;
(3)参见图5,提供第二衬底,并将所述第二衬底固定于所述凹槽内,所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面,所述第二衬底的正面与所述第一衬底的背面共面。
(4)参见图6,在所述第一衬底的正面上通过第一感光树脂层粘合第一光滤波片。
(5)在所述第二衬底的正面和第一衬底的背面上设置第二感光树脂层。
(6)光照固化所述第一和第二感光树脂层。
(7)参见图7,制作第一导电通孔和第二导电通孔,第一导电通孔电连接在所述第一衬底的正面上的多个第一焊盘并穿过所述第一衬底和第二感光树脂层,第二导电通孔电连接在所述第二衬底的正面上的多个第二焊盘并穿过所述第二感光树脂层。
(8)参见图3,在第二感光树脂层中制作第三导电通孔,其中,所述第一导电通孔与所述第二导电通孔通过在第二感光树脂层内横向延伸的第三导电通孔电连接;将所述第一导电通孔与所述第二导电通孔先电连接后,再通过焊球与所述第二光滤波片的导电图案电连。
最后应说明的是:显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种传感器的制造方法,包括以下步骤:
(1)提供第一衬底,所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面;
(2)所述第一衬底的背面制作凹槽,所述凹槽深度小于或等于所述第一衬底的厚度的一半;
(3)提供第二衬底,并将所述第二衬底固定于所述凹槽内,所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面,所述第二衬底的正面与所述第一衬底的背面共面。
2.根据权利要求1所述的传感器的制造方法,其特征在于,还包括步骤(4):在所述第一衬底的正面上通过第一感光树脂层粘合第一光滤波片。
3.根据权利要求2所述的传感器的制造方法,其特征在于,还包括步骤(5):在所述第二衬底的正面和第一衬底的背面上设置第二感光树脂层。
4.根据权利要求3所述的传感器的制造方法,其特征在于,还包括步骤(6):光照固化所述第一和第二感光树脂层。
5.根据权利要求4所述的传感器的制造方法,其特征在于,还包括步骤(7):制作第一导电通孔和第二导电通孔,第一导电通孔电连接在所述第一衬底的正面上的多个第一焊盘并穿过所述第一衬底和第二感光树脂层,第二导电通孔电连接在所述第二衬底的正面上的多个第二焊盘并穿过所述第二感光树脂层。
6.根据权利要求5所述的传感器的制造方法,其特征在于,还包括步骤(8):将所述第一导电通孔和第二导电通孔通过焊球与第二光滤波片的导电图案电连接,并在第二感光树脂层和第二光滤波片之间填充透明填充层。
7.根据权利要求5所述的传感器的制造方法,其特征在于,还包括步骤(8’):将所述第一导电通孔与所述第二导电通孔先电连接后,再通过焊球与所述第二光滤波片的导电图案电连接。
8.根据权利要求7所述的传感器的制造方法,其特征在于,还包括制作第三导电通孔,其中,所述第一导电通孔与所述第二导电通孔通过在第二感光树脂层内横向延伸的第三导电通孔电连接。
9.根据权利要求1所述的传感器的制造方法,其特征在于,所述第一感光树脂层和第二感光树脂层为感光环氧树脂。
10.根据权利要求1所述的传感器的制造方法,其特征在于,所述第二衬底通过粘合胶固定在所述凹槽底部。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611037812.9A CN106430075B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种传感器的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611037812.9A CN106430075B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种传感器的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106430075A true CN106430075A (zh) | 2017-02-22 |
CN106430075B CN106430075B (zh) | 2017-11-07 |
Family
ID=58221263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611037812.9A Active CN106430075B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种传感器的制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106430075B (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050262941A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gyro-sensor comprising a plurality of component units, and fabricating method thereof |
CN101188208A (zh) * | 2006-10-26 | 2008-05-28 | 全视科技有限公司 | 传感光电二极管上方具有曲面微镜的图像传感器及其制作方法 |
US20090200589A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Backside illuminated imaging sensor with improved infrared sensitivity |
CN102177585A (zh) * | 2008-10-16 | 2011-09-07 | 全视科技有限公司 | 具有多个感测层的图像传感器及其操作与制作方法 |
CN102804379A (zh) * | 2010-05-24 | 2012-11-28 | 全视科技有限公司 | 双面图像传感器 |
CN103000649A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-03-27 | 北京工业大学 | 一种cmos图像传感器封装结构及其制造方法 |
CN103066081A (zh) * | 2011-09-16 | 2013-04-24 | 全视科技有限公司 | 双向相机组合件 |
CN105609513A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-05-25 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 双面cmos图像传感器芯片及其制造方法 |
-
2016
- 2016-11-23 CN CN201611037812.9A patent/CN106430075B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050262941A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gyro-sensor comprising a plurality of component units, and fabricating method thereof |
CN101188208A (zh) * | 2006-10-26 | 2008-05-28 | 全视科技有限公司 | 传感光电二极管上方具有曲面微镜的图像传感器及其制作方法 |
US20090200589A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Backside illuminated imaging sensor with improved infrared sensitivity |
CN102177585A (zh) * | 2008-10-16 | 2011-09-07 | 全视科技有限公司 | 具有多个感测层的图像传感器及其操作与制作方法 |
CN102804379A (zh) * | 2010-05-24 | 2012-11-28 | 全视科技有限公司 | 双面图像传感器 |
CN103066081A (zh) * | 2011-09-16 | 2013-04-24 | 全视科技有限公司 | 双向相机组合件 |
CN103000649A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-03-27 | 北京工业大学 | 一种cmos图像传感器封装结构及其制造方法 |
CN105609513A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-05-25 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 双面cmos图像传感器芯片及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106430075B (zh) | 2017-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105679753B (zh) | 光学模块、其制造方法及电子装置 | |
CN103748626B (zh) | 透明显示屏及其制造方法 | |
CN101656259A (zh) | 影像感测器封装结构、封装方法及相机模组 | |
CN107086263B (zh) | 显示装置及其四面发光led | |
CN106409856B (zh) | 一种制造具有参考电容的传感器的方法 | |
TWI550835B (zh) | Light sensor device | |
CN203387598U (zh) | 摄像模组光传感组件及摄像模组 | |
CN102620822A (zh) | 光亮度和接近度多芯片集成传感器及其封装的方法 | |
CN210198573U (zh) | 一种智能化热释电红外传感器 | |
US8427576B2 (en) | Image sensor module and camera module | |
CN111965878A (zh) | 调光面板及其制作方法及智能窗玻璃 | |
CN103247650A (zh) | 一种板载芯片模组及其制造方法 | |
CN106409855B (zh) | 一种双面图像传感器 | |
CN106430075B (zh) | 一种传感器的制造方法 | |
CN106373973B (zh) | 一种抗干扰图像传感器 | |
CN201087784Y (zh) | 混合封装型发光装置 | |
CN106505074A (zh) | 一种图像传感器的制造方法 | |
CN100530573C (zh) | 光电传感器和用于光电传感器的检测端子模块 | |
CN106373974B (zh) | 一种具有参考电容的传感器件 | |
CN103000620A (zh) | 防潮全彩表面贴装器件 | |
CN205844710U (zh) | 移动终端及其液晶显示模组 | |
JP2004304643A (ja) | リモコンセンサユニット及びその製造方法 | |
CN108776407A (zh) | 一种显示模组及终端 | |
CN206301824U (zh) | 一种可见光传感器以及可见光感测电路 | |
CN108447880A (zh) | 一种图像传感器及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Fu Guanjun Inventor before: Wang Hanqing |
|
CB03 | Change of inventor or designer information | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170922 Address after: 253100 East County, Plain Economic Development Zone, Shandong, Dezhou Applicant after: Shandong Rong Rong Electronics Co., Ltd. Address before: 226300 Jiangsu science and technology zone, Nantong, New Century Avenue, No. 266 science and technology window Applicant before: Nantong Voight Optoelectronics Technology Co., Ltd. |
|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |