CN106410007B - 一种双层电极led芯片及其制作方法 - Google Patents
一种双层电极led芯片及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106410007B CN106410007B CN201610839234.4A CN201610839234A CN106410007B CN 106410007 B CN106410007 B CN 106410007B CN 201610839234 A CN201610839234 A CN 201610839234A CN 106410007 B CN106410007 B CN 106410007B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- substrate
- layer electrode
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种双层电极LED芯片及其制作方法，通过两层电极结构的设计，在第一层电极外形成高电极电位第二层电极，且第二层电极把第一层电极全覆盖，有效防止第一层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。此外，在第二层电极外形成钝化层，进一步防止环境中的水蒸气或者封装胶中残留的水蒸气进入芯片内部，有效地保护芯片的金属电极，防止在第一层电极或第二层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体照明制造领域，尤其涉及一种LED芯片及其的制作方法。
背景技术
LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。
LED芯片在长期点亮的过程中，与环境中的水蒸气或者封装胶中残留的水蒸气反应，引起电极水解，从而使LED芯片电极脱落、电压升高等异常现象。水解的主要原因是金属电极与水蒸气之间形成电解池结构，从而导致阳电极失去电子而发生溶解。现有技术中，LED芯片电极常为Cr、Al等电极电位较低的金属，因此容易导致LED芯片在使用中发生电极水解。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种双层电极LED芯片及其制作方法，以解决上述问题。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种双层电极LED芯片的制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底任意一表面形成发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的透明电极导电层，位于所述透明电极导电层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘，所述第一电极和第二电极统称为第一层电极；
在所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧形成第二层电极，所述第二层电极将第一层电极完全包覆，其中所述第二层电极的电极电位高于所述第一层电极的电极电位；
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二层电极、且延伸覆盖至所述透明电极导电层和第一半导体层。
优选的，所述透明电极导电层是采用磁控溅射或电子束蒸工艺在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成透明电极导电层。
优选的，所述第一电极或第二电极是采用电子束蒸镀、磁控溅射、电镀或化学镀工艺在所述在第一半导体层的预设区域、且背离衬底一侧形成第一电极，且在导电反射膜层背离衬底一侧形成第二电极。
优选的，所述第一层电极采用Cr、Al、Ti、Ni、Mg、Sn、Co等一种或者几种金属形成。
优选的，所述第二层电极采用Pt、Pd、Au等一种或者几种金属形成。
优选的，所述钝化层是采用等离子体增强化学气相工艺在所述第二层电极背离所述透明电极导电层一侧沉积形成。
优选的，所述钝化层对应所述第二层电极的预设区域设置有第一开口和第二开口，以用于连接第一电极和第二电极。
相应的，本发明还提供了一种双层电极LED芯片，所述LED芯片采用上述制作方法制作而成。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供的一种双层电极LED芯片及其制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的透明电极导电层，位于所述透明电极导电层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘，所述第一电极和第二电极统称为第一层电极；在所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧形成第二层电极，所述第二层电极将第一层电极完全包覆，其中所述第二层电极的电极电位高于所述第一层电极的电极电位；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二层电极、且延伸覆盖至所述透明电极导电层和第一半导体层。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过两层电极结构的设计，在第一层电极外形成高电极电位第二层电极，且第二层电极把第一层电极全覆盖，有效防止第一层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。
此外，在第二层电极外形成钝化层，进一步防止环境中的水蒸气或者封装胶中残留的水蒸气进入芯片内部，有效地保护芯片的金属电极，防止在第一层电极或第二层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种双层电极LED芯片的制作方法流程图；
图2a至图2d为图1制作方法流程图对应的结构流程图；
图3为本申请实施例提供的一种发光微结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
结合图1至图2d所示，图1为本申请实施例提供的一种双层电极LED芯片的制作方法的流程图，图2a至图2d为图1制作方法流程图对应的结构流程图；其中，制作方法包括：
S1、提供衬底。
参考图2a所示，本申请实施例提供的衬底100为透光材料衬底，其中，本申请实施例提供的衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底；除上述材质衬底外，在本申请其他实施例中衬底还可以为其他材质，对此本申请不做具体限制。
S2、在衬底任意一表面制作氮化镓基。
参考图2b所示，在衬底100任意一表面形成发光微结构200，发光微结构200包括位于衬底100表面的第一半导体层201，位于第一半导体层201背离衬底100一侧的有源层202和第一电极205，位于有源层202背离衬底100一侧的第二半导体层203，位于第二半导体层203背离衬底100一侧的透明电极导电层204，位于导透明电极导电层204背离衬底100一侧的第二电极206，第一电极205与第二电极206之间相互绝缘，第一电极205和第二电极206统称为第一层电极210。
具体的，参考图3所示，为本申请实施例提供的一种发光微结构的制作方法的流程图，其中，发光微结构的形成过程为：
S21、在衬底任意一表面形成第一半导体层。
S22、在第一半导体层背离衬底一侧形成有源层。
S23、在有源层背离衬底一侧形成第二半导体层。
具体的，本申请实施例提供的第一半导体层和第二半导体层均为氮化镓基半导体层，有源层为氮化镓基有源层；或者，第一半导体层和第二半导体层均为砷化镓基半导体层，有源层为砷化镓基有源层；此外，本申请实施例提供的第一半导体层、第二半导体层和有源层的材质还可以为其他材质，对此本申请不做具体限制。
其中，第一半导体层可以为N型半导体层，则第二半导体层为P型半导体层；或者，第一半导体层为P型半导体层，而第二半导体层为N型半导体层，对于第一半导体层和第二半导体层的导电类型，需要根据实际应用进行设计，对此本申请不做具体限制。
此外，在形成第二半导体层后，且刻蚀裸露第一半导体层的预设区域前，即在步骤S23后，且在步骤S24前，制作方法还包括：
在第二半导体层背离衬底一侧形成欧姆接触层，其中，透明电极导电层位于欧姆接触层背离衬底一侧。
S24、采用刻蚀工艺将第一半导体层背离衬底一侧的预设区域裸露。
预设区域即为形成第一电极的区域，其中，第一电极的面积小于预设区域的面积，避免第一电极与有源层、第二半导体层等叠层接触。本申请实施例提供的刻蚀工艺可以为干法刻蚀工艺，也可以为湿法刻蚀工艺，对此本申请不做具体限制，需要根据实际应用进行选取。
S25、采用磁控溅射或电子束蒸工艺在第二半导体层背离衬底一侧形成透明电极导电层。
S26、采用电子束蒸镀、磁控溅射、电镀或化学镀工艺在在第一半导体层的预设区域、且背离衬底一侧形成第一电极，且在导电反射膜层背离衬底一侧形成第二电极，第一电极与第二电极之间相互绝缘，第一电极和第二电极统称为第一层电极。具体的，第一层电极采用Cr、Al、Ti、Ni、Mg、Sn、Co等一种或者几种金属形成。
S3、形成第二层电极。
参考图2c所示，采用电子束蒸发工艺，在第一层电极210，即在第一电极205和第二电极206背离衬底100一侧形成第二层电极300。其中，第二层电极300将第一层电极210完全包覆。
具体的，第二层电极的电极电位高于第一层电极的电极电位；优选的，第二层电极采用Pt、Pd、Au等一种或者几种金属形成。第二层电极把第一层电极全覆盖，有效防止第一层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。由于第一层电极必须使用低电极电位的金属做电极才能获得良好的欧姆接触，但金属电极的电极电位低，在极性水分子的环境下，金属电极表面的金属离子容易离开金属电极的表面进入到水环境中。本实施例在第一层电极表面覆盖形成高电极电位的第二层电极，把第一层电极与水环境隔离开来，同时，提高金属电极的稳定性，又能获得良好的欧姆接触，有效防止第一层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。
S4、形成钝化层。
参考图2d所示，采用等离子体增强化学气相工艺，在第二层电极300背离衬底100一侧、且延伸覆盖至透明电极导电层204和第一半导体层201背离衬底100一侧形成钝化层400。
其中，钝化层对应第二层电极的预设区域设置有第一开口和第二开口，以用于连接第一电极和第二电极。在第二层电极外形成钝化层，进一步防止环境中的水蒸气或者封装胶中残留的水蒸气进入芯片内部，有效地保护芯片的金属电极，防止在第一层电极或第二层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。
相应的，本申请实施例还提供了一种双层电极LED芯片，双层电极LED芯片采用上述实施例提供的制作方法制作而成。
本申请实施例提供的一种双层电极LED芯片及其制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的透明电极导电层，位于所述透明电极导电层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘，所述第一电极和第二电极统称为第一层电极；在所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧形成第二层电极，所述第二层电极将第一层电极完全包覆，其中所述第二层电极的电极电位高于所述第一层电极的电极电位；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二层电极、且延伸覆盖至所述透明电极导电层和第一半导体层。
由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，通过两层电极结构的设计，在第一层电极外形成高电极电位第二层电极，且第二层电极把第一层电极全覆盖，有效防止第一层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。
此外，在第二层电极外形成钝化层，进一步防止环境中的水蒸气或者封装胶中残留的水蒸气进入芯片内部，有效地保护芯片的金属电极，防止在第一层电极或第二层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (6)
1.一种双层电极LED芯片的制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底任意一表面形成发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的透明电极导电层，位于所述透明电极导电层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘，所述第一电极和第二电极统称为第一层电极；
在所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧形成第二层电极，所述第二层电极将第一层电极完全包覆，其中所述第二层电极的电极电位高于所述第一层电极的电极电位；
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二层电极、且延伸覆盖至所述透明电极导电层和第一半导体层；
所述第一层电极由Cr、Al、Ti、Ni、Mg、Sn、Co中的一种或者几种金属制成；
所述第二层电极由Pt、Pd、Au中的一种或者几种金属制成。
2.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述透明电极导电层是采用磁控溅射或电子束蒸工艺在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成透明电极导电层。
3.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一电极或第二电极是采用电子束蒸镀、磁控溅射、电镀或化学镀工艺在所述第一半导体层的预设区域、且背离衬底一侧形成第一电极，且在透明电极导电层背离衬底一侧形成第二电极。
4.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述钝化层是采用等离子体增强化学气相工艺在所述第二层电极背离所述透明电极导电层一侧沉积形成。
5.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述钝化层对应所述第二层电极的预设区域设置有第一开口和第二开口，以用于连接第一电极和第二电极。
6.一种双层电极LED芯片，其特征在于，所述双层电极LED芯片采用权利要求1～5任意一项所述的制作方法制作而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610839234.4A CN106410007B (zh) | 2016-09-22 | 2016-09-22 | 一种双层电极led芯片及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610839234.4A CN106410007B (zh) | 2016-09-22 | 2016-09-22 | 一种双层电极led芯片及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106410007A CN106410007A (zh) | 2017-02-15 |
| CN106410007B true CN106410007B (zh) | 2019-07-19 |
Family
ID=57997185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610839234.4A Active CN106410007B (zh) | 2016-09-22 | 2016-09-22 | 一种双层电极led芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106410007B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109004076A (zh) * | 2017-06-21 | 2018-12-14 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
| CN107863425B (zh) * | 2017-11-13 | 2024-05-31 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种具有高反射电极的led芯片及其制作方法 |
| CN110554300B (zh) * | 2019-09-05 | 2024-03-29 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种用于检测led芯片抗水解能力的检测装置及检测方法 |
| CN112951964B (zh) * | 2021-02-23 | 2022-07-15 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
| CN114497308B (zh) * | 2022-01-27 | 2023-11-28 | 宁波安芯美半导体有限公司 | 一种半导体结构及制备方法与应用 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102246326A (zh) * | 2008-12-15 | 2011-11-16 | 昭和电工株式会社 | 半导体发光元件 |
| CN102812566A (zh) * | 2010-03-23 | 2012-12-05 | 丰田合成株式会社 | 半导体发光元件制造方法 |
| CN103238223A (zh) * | 2010-12-08 | 2013-08-07 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物系半导体发光元件 |
| CN103325913A (zh) * | 2013-05-27 | 2013-09-25 | 江苏晶瑞半导体有限公司 | 具有复合透明导电层的发光二极管及其制备方法 |
| CN103426990A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-12-04 | 晶元光电股份有限公司 | 具有反射电极的发光装置 |
| CN103474542A (zh) * | 2012-06-05 | 2013-12-25 | 华新丽华股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| CN103594575A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-02-19 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种双叠层电极的发光器件 |
| CN105552180A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-05-04 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种新型高压led的制作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192782A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | 電極及びそれを有するｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| JP5332882B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2013-11-06 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
-
2016
- 2016-09-22 CN CN201610839234.4A patent/CN106410007B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102246326A (zh) * | 2008-12-15 | 2011-11-16 | 昭和电工株式会社 | 半导体发光元件 |
| CN102812566A (zh) * | 2010-03-23 | 2012-12-05 | 丰田合成株式会社 | 半导体发光元件制造方法 |
| CN103238223A (zh) * | 2010-12-08 | 2013-08-07 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物系半导体发光元件 |
| CN103426990A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-12-04 | 晶元光电股份有限公司 | 具有反射电极的发光装置 |
| CN103474542A (zh) * | 2012-06-05 | 2013-12-25 | 华新丽华股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| CN103325913A (zh) * | 2013-05-27 | 2013-09-25 | 江苏晶瑞半导体有限公司 | 具有复合透明导电层的发光二极管及其制备方法 |
| CN103594575A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-02-19 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种双叠层电极的发光器件 |
| CN105552180A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-05-04 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种新型高压led的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106410007A (zh) | 2017-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106410007B (zh) | 一种双层电极led芯片及其制作方法 | |
| CN107546303B (zh) | 一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法 | |
| CN106340576B (zh) | 发光元件及发光装置 | |
| CN207097853U (zh) | 一种倒装led芯片 | |
| CN208400886U (zh) | 一种倒装led芯片和led器件 | |
| CN109216515A (zh) | 一种倒装led芯片及其制作方法 | |
| CN107863434A (zh) | 一种具有绝缘保护结构的高亮倒装led芯片及其制作方法 | |
| CN104393139B (zh) | 反射电极结构、led器件及制备方法 | |
| CN106159057B (zh) | Led芯片及其制作方法 | |
| CN108987557A (zh) | 一种倒装led芯片及其制作方法、led器件 | |
| CN104300065A (zh) | 具有新型扩展电极结构的发光二极管及其制造方法 | |
| CN105742450B (zh) | 可照射出特定平面几何图形光斑led芯片的制备方法及结构 | |
| CN104037294B (zh) | GaN基发光二极管及其制作方法 | |
| JP2024054270A (ja) | 発光デバイス及びその製造方法 | |
| CN108878599A (zh) | 一种倒装led芯片及其制作方法 | |
| CN104934514B (zh) | 一种复合绝缘层及制备方法 | |
| CN109449271A (zh) | 一种具有焊料电极的led芯片及其制作方法 | |
| CN111312872A (zh) | 一种垂直结构led芯片及其制作方法 | |
| CN108336207B (zh) | 一种高可靠性led芯片及其制作方法 | |
| CN109768137A (zh) | 垂直结构led芯片及其制备方法 | |
| CN208400865U (zh) | 一种倒装led芯片 | |
| CN103000777B (zh) | 发光元件 | |
| TW201110419A (en) | Light emitting semiconductor device and method for manufacturing | |
| CN106848006A (zh) | 倒装led芯片及其制备方法 | |
| CN104733577A (zh) | 垂直结构led芯片及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |