CN106405962A - 阵列基板及其走线和测试垫的制作方法、液晶面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板，其包括位于测试垫区域的测试垫以及位于走线区域走线，所述走线与所述测试垫连接，所述走线包括：依次在基板上且位于所述走线区域的第一金属层、第一绝缘层、第一钝化层、第二绝缘层、第二钝化层及透明电极层。本发明还提供了一种阵列基板的走线和测试垫的制作方法以及液晶面板。在本发明的阵列基板的走线结构中，将第二金属层(即薄膜晶体管的源漏极金属层)省去，而采用像素电极层与第一金属层跨接。由于像素电极层与第一金属层之间的膜层较多，二者之间距离较大，这样可以增加击穿的阈值电压，且可以降低寄生电容，从而降低静电放电的发生几率。

Description

阵列基板及其走线和测试垫的制作方法、液晶面板
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域，具体地讲，涉及一种阵列基板及其走线和测试垫的制作方法、液晶面板。
背景技术
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanel Display)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已被应用于生产生活的各个方面。
液晶显示器通常包括相对设置的液晶面板和背光模块，其中，由于液晶面板无法发光，因此需要背光模块向液晶面板提供均匀的光线，以使液晶面板显示影像。液晶面板通常包括对盒组装的彩色滤光片基板(CF基板)和阵列基板(Array基板)，其中，阵列基板包括显示区域和非显示区域。在显示区域中一般具有阵列排布的多个薄膜晶体管开关，而在非显示区域一般具有多个测试垫以及多条走线，每条走线与对应的一个测试垫连接。而现有的走线结构中，由于第一金属层(其与栅极金属层同时形成)与第二金属层(其与源漏极金属层同时形成)之间仅具有很薄的一层第一绝缘层(其与栅极绝缘层同时形成)，且第一金属层与第二金属层之间容易聚集大量的电荷，从而极易出现静电放电现象，进而损坏器件。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种将走线结构中的第二金属层省去，从而降低静电放电现象出现几率的阵列基板及其走线和测试垫的制作方法、液晶面板。
根据本发明的一方面，提供了一种阵列基板，包括位于测试垫区域的测试垫以及位于走线区域走线，所述走线与所述测试垫连接，所述走线包括：依次在基板上且位于所述走线区域的第一金属层、第一绝缘层、第一钝化层、第二绝缘层、第二钝化层及透明电极层。
进一步地，所述测试垫包括：依次在基板上且位于所述测试垫区域的第一金属层、第一绝缘层、第一钝化层、第二绝缘层、第二钝化层及透明电极层；位于所述测试垫区域的第一金属层与位于所述走线区域的第一金属层连接；位于所述测试垫区域的第一绝缘层与位于所述走线区域的第一绝缘层连接；位于所述测试垫区域的第一钝化层与位于所述走线区域的第一钝化层连接；位于所述测试垫区域的第二绝缘层与位于所述走线区域的第二绝缘层连接；位于所述测试垫区域的第二钝化层与位于所述走线区域的第二钝化层连接；位于所述测试垫区域的透明电极层与位于所述走线区域的透明电极层连接；其中位于所述测试垫区域的透明电极层依次穿过第二钝化层、第二绝缘层、第一钝化层及第一绝缘层，以与位于所述测试垫区域的第一金属层接触。
进一步地，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域环绕包围所述显示区域且与所述显示区域邻接，所述测试垫区域和所述走线区域均位于所述非显示区域中。
进一步地，所述第一金属层与阵列基板的薄膜晶体管的栅极金属层由同种材料同时形成，所述第一绝缘层与阵列基板的薄膜晶体管的栅极绝缘层由同种材料同时形成，所述第一钝化层与阵列基板的薄膜晶体管的第一钝化层由同种材料同时形成，所述第二绝缘层与阵列基板的薄膜晶体管的PFA层或者COA层由同种材料同时形成，所述第二钝化层与阵列基板的薄膜晶体管的第二钝化层由同种材料同时形成，所述透明电极层与阵列基板的薄膜晶体管的像素电极层由同种材料同时形成。
根据本发明的另一方面，提供了一种阵列基板的走线和测试垫的制作方法，所述阵列基板包括位于测试垫区域的测试垫以及位于走线区域走线，所述走线与所述测试垫连接，所述走线和所述测试垫的制作方法包括：
在基板上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第一金属层；
在所述第一金属层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第二钝化层；
在位于所述测试垫区域中的第二钝化层、第二绝缘层、第一钝化层及第一绝缘层中形成暴露出位于所述测试垫区域中的第一金属层的通孔；
在所述第二钝化层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的透明电极层；其中位于所述测试垫区域的透明电极层通过所述通孔与暴露出的第一金属层接触。
进一步地，利用同种材料同时形成所述第一金属层与阵列基板的薄膜晶体管的栅极金属层；利用同种材料同时形成所述第一绝缘层与阵列基板的薄膜晶体管的栅极绝缘层；利用同种材料同时形成所述第一钝化层与阵列基板的薄膜晶体管的第一钝化层；利用同种材料同时形成所述第二绝缘层与阵列基板的薄膜晶体管的PFA层或者COA层；利用同种材料同时形成所述第二钝化层与阵列基板的薄膜晶体管的第二钝化层；利用同种材料同时形成所述透明电极层与阵列基板的薄膜晶体管的像素电极层。
根据本发明的又一方面，又提供了一种液晶面板，包括对盒的彩膜基板和上述的阵列基板或者由上述的制作方法制作而成的阵列基板。
本发明的有益效果：在本发明的走线的结构中，将第二金属层(即薄膜晶体管的源漏极金属层)省去，而采用像素电极层与第一金属层跨接。由于像素电极层与第一金属层之间的膜层较多，二者之间距离较大，这样可以增加击穿的阈值电压，且可以降低寄生电容，从而降低静电放电的发生几率。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1根据本发明的实施例的液晶面板的结构示意图；
图2是根据本发明的实施例的阵列基板的平面图；
图3是图2中一条走线的A-A向的剖面图；
图4是图2中一个测试垫的B-B向的剖面图；
图5是根据本发明的实施例的阵列基板的走线和测试垫的制作方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在附图中始终表示相同的元件。
图1根据本发明的实施例的液晶面板的结构示意图。
参照图1，根据本发明的实施例的液晶面板包括：彩色滤光片基板(或称CF基板)100、阵列基板(或称Array基板)200、框胶300以及液晶400。
彩色滤光片基板100和阵列基板200对盒设置。液晶400填充于彩色滤光片基板100和阵列基板200之间。在彩色滤光片基板100和阵列基板200的两相对端部之间设置框胶300，从而将液晶400封闭于彩色滤光片基板100和阵列基板200之间。
在本实施例中，彩色滤光片基板100包括黑色矩阵、多个彩色滤光片等必要的元器件，更加具体的构造可以参照现有的相关技术，在此不再赘述。
以下对根据本发明的实施例的阵列基板200进行详细描述。图2是根据本发明的实施例的阵列基板的平面图。
参照图2，根据本发明的实施例的阵列基板200包括：显示区域200a、非显示区域200b，非显示区域200b环绕包围显示区域200a，并且非显示区域200b邻接于显示区域200a。
在显示区域200a中，具有阵列排布的多个薄膜晶体管220。在本实施例中，每个薄膜晶体管220顺序包括：栅极金属层、栅极绝缘层、源漏极金属层、第一钝化层、PFA层或COA层、第二钝化层以及像素电极层，其中像素电极层依次贯穿第二钝化层、PFA层或COA层和第一钝化层之后与漏极金属层接触。
在非显示区域200b中，具有测试垫区域200b1和走线区域200b2，测试垫区域200b1中具有多个测试垫230a，走线区域200b2中具有多条走线230b，其中每条走线230b与对应的一个测试垫230a连接。
图3是图2中一条走线的A-A向的剖面图。
参照图3，走线230b包括：依次在基板210上且位于对应的走线区域200b2中的第一金属层231、第一绝缘层232、第一钝化层233、第二绝缘层234、第二钝化层235及透明电极层236。应当理解的是，其他走线230b的结构与图3所示的走线230b的结构相同。
图4是图2中一个测试垫的B-B向的剖面图。
参照图4，测试垫230a包括：依次在基板210上且位于对应的测试垫区域200b1中的第一金属层231、第一绝缘层232、第一钝化层233、第二绝缘层234、第二钝化层235及透明电极层236；其中，位于测试垫区域200b1中的透明电极层236依次穿过第二钝化层235、第二绝缘层234、第一钝化层233及第一绝缘层232，以与位于测试垫区域200b1的第一金属层231接触。应当理解的是，其他测试垫230a的结构与图4所示的测试垫230a的结构相同。
位于测试垫区域200b1的第一金属层231与位于走线区域200b2的第一金属层231连接；位于测试垫区域200b1的第一绝缘层232与位于走线区域200b2的第一绝缘层232连接；位于测试垫区域200b1的第一钝化层233与位于走线区域200b2的第一钝化层233连接；位于测试垫区域200b1的第二绝缘层234与位于走线区域200b2的第二绝缘层234连接；位于测试垫区域200b1的第二钝化层235与位于走线区域200b2的第二钝化层235连接；位于测试垫区域200b1的透明电极层236与位于走线区域200b2的透明电极层236连接。
也就是说，走线230b和测试垫230a同时形成，并且二者与薄膜晶体管220同时形成。具体地，测试垫230a和走线230b的第一金属层231与薄膜晶体管220的栅极金属层由同种材料同时形成，测试垫230a和走线230b的第一绝缘层232与薄膜晶体管220的栅极绝缘层由同种材料同时形成，测试垫230a和走线230b的第一钝化层233与薄膜晶体管220的第一钝化层由同种材料同时形成，测试垫230a和走线230b的第二绝缘层234与薄膜晶体管220的PFA层或者COA层由同种材料同时形成，测试垫230a和走线230b的第二钝化层235与薄膜晶体管220的第二钝化层由同种材料同时形成，测试垫230a和走线230b的透明电极层236与薄膜晶体管220的像素电极层由同种材料同时形成。
综上，在本实施例的走线230b的结构中，将第二金属层(即薄膜晶体管220的源漏极金属层)省去，而采用像素电极层与第一金属层跨接。由于像素电极层与第一金属层之间的膜层较多，二者之间距离较大，这样可以增加击穿的阈值电压，且可以降低寄生电容，从而降低静电放电的发生几率。
以下对走线230b和测试垫230a的制作过程进行详细说明。图5是根据本发明的实施例的阵列基板的走线和测试垫的制作方法的流程图。
参照图3至图5，根据本发明的实施例的阵列基板的走线和测试垫的制作方法包括：
S510：在基板210上形成位于走线区域200b2和测试垫区域200b1中的第一金属层231。该第一金属层231与薄膜晶体管220的栅极金属层由同种材料同时形成。
S520：在第一金属层231上形成位于走线区域200b2和测试垫区域200b1中的第一绝缘层232。该第一绝缘层232与薄膜晶体管220的栅极绝缘层由同种材料同时形成。
S530：在第一绝缘层232上形成位于走线区域200b2和测试垫区域200b1中的第一钝化层233。该第一钝化层233与薄膜晶体管220的第一钝化层由同种材料同时形成。
S540：在第一钝化层233上形成位于走线区域200b2和测试垫区域200b1中的第二绝缘层234。该第二绝缘层234与薄膜晶体管220的PFA层或者COA层由同种材料同时形成。
S550：在第二绝缘层234上形成位于走线区域200b2和测试垫区域200b1中的第二钝化层235。该第二钝化层235与薄膜晶体管220的第二钝化层由同种材料同时形成。
S560：在位于测试垫区域200b1中的第二钝化层235、第二绝缘层234、第一钝化层233及第一绝缘层232中形成暴露出位于测试垫区域200b1中的第一金属层231的通孔237。
S570：在第二钝化层235上形成位于走线区域200b2和测试垫区域200b1中的透明电极层236；其中位于测试垫区域200b1的透明电极层236通过该通孔237与暴露出的第一金属层231接触。该透明电极层236与薄膜晶体管220的像素电极层由同种材料同时形成。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (8)

1.一种阵列基板，包括位于测试垫区域的测试垫以及位于走线区域走线，所述走线与所述测试垫连接，其特征在于，所述走线包括：依次在基板上且位于所述走线区域的第一金属层、第一绝缘层、第一钝化层、第二绝缘层、第二钝化层及透明电极层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述测试垫包括：依次在基板上且位于所述测试垫区域的第一金属层、第一绝缘层、第一钝化层、第二绝缘层、第二钝化层及透明电极层；
位于所述测试垫区域的第一金属层与位于所述走线区域的第一金属层连接；位于所述测试垫区域的第一绝缘层与位于所述走线区域的第一绝缘层连接；位于所述测试垫区域的第一钝化层与位于所述走线区域的第一钝化层连接；位于所述测试垫区域的第二绝缘层与位于所述走线区域的第二绝缘层连接；位于所述测试垫区域的第二钝化层与位于所述走线区域的第二钝化层连接；位于所述测试垫区域的透明电极层与位于所述走线区域的透明电极层连接；
其中位于所述测试垫区域的透明电极层依次穿过第二钝化层、第二绝缘层、第一钝化层及第一绝缘层，以与位于所述测试垫区域的第一金属层接触。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域环绕包围所述显示区域且与所述显示区域邻接，所述测试垫区域和所述走线区域均位于所述非显示区域中。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层与阵列基板的薄膜晶体管的栅极金属层由同种材料同时形成，所述第一绝缘层与阵列基板的薄膜晶体管的栅极绝缘层由同种材料同时形成，所述第一钝化层与阵列基板的薄膜晶体管的第一钝化层由同种材料同时形成，所述第二绝缘层与阵列基板的薄膜晶体管的PFA层或者COA层由同种材料同时形成，所述第二钝化层与阵列基板的薄膜晶体管的第二钝化层由同种材料同时形成，所述透明电极层与阵列基板的薄膜晶体管的像素电极层由同种材料同时形成。
5.一种阵列基板的走线和测试垫的制作方法，所述阵列基板包括位于测试垫区域的测试垫以及位于走线区域走线，所述走线与所述测试垫连接，其特征在于，所述走线和所述测试垫的制作方法包括：
在基板上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第一金属层；
在所述第一金属层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的第二钝化层；
在位于所述测试垫区域中的第二钝化层、第二绝缘层、第一钝化层及第一绝缘层中形成暴露出位于所述测试垫区域中的第一金属层的通孔；
在所述第二钝化层上形成位于所述走线区域和所述测试垫区域中的透明电极层；其中位于所述测试垫区域的透明电极层通过所述通孔与暴露出的第一金属层接触。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域环绕包围所述显示区域且与所述显示区域邻接，所述测试垫区域和所述走线区域均位于所述非显示区域中。
7.据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，利用同种材料同时形成所述第一金属层与阵列基板的薄膜晶体管的栅极金属层；
利用同种材料同时形成所述第一绝缘层与阵列基板的薄膜晶体管的栅极绝缘层；
利用同种材料同时形成所述第一钝化层与阵列基板的薄膜晶体管的第一钝化层；
利用同种材料同时形成所述第二绝缘层与阵列基板的薄膜晶体管的PFA层或者COA层；
利用同种材料同时形成所述第二钝化层与阵列基板的薄膜晶体管的第二钝化层；
利用同种材料同时形成所述透明电极层与阵列基板的薄膜晶体管的像素电极层。
8.一种液晶面板，包括对盒的彩膜基板和阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至4任一项所述的阵列基板，或者所述阵列基板由权利要求5至7任一项所述的制作方法制作而成。
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