CN106370317A - 一种复合热敏芯片及其制成的温度传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种复合热敏芯片及其制成的温度传感器,包括第一芯片和第二芯片,所述第一芯片和第二芯片串联或并联连接;所述第一芯片为第一热敏芯片,所述第二芯片为电阻芯片或电容芯片。相对于现有技术,本发明的复合热敏芯片能够改变原有的R‑T阻温特性,得到具有特异性的R‑T阻温特性的热敏芯片;并且,复合热敏芯片的温度系数α值和热敏常数B值可互补。

Description

一种复合热敏芯片及其制成的温度传感器
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域,尤其涉及一种复合热敏芯片及其制成的温度传感器。
背景技术
随着电子设备朝着智能化的方向不断快速发展,热敏元件作为测温、补偿、抑制浪涌电流的应用越来越广泛。随着电子技术的发展,对热敏电阻的阻值随温度变化的R-T阻温特性产生很多有别于常规的特异需求,例如要求负温度系数热敏电阻的末端高温电阻值要更高、正温度系数的初始电阻值要增加、热敏电阻的温度系数α值与热敏常数B值非线性、热敏电阻温度传感器要求能够吸收瞬间微浪涌电流以增加自身保护能力等等。但现有技术中的热敏芯片暂不能满足这种特异化的热敏参数的要求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的缺点和不足,提供一种复合热敏芯片及其制成的温度传感器,所述复合热敏芯片的温度系数α值和热敏常数B值可互补,并且具有特异化的R-T阻温特性。
本发明是通过以下技术方案实现的:一种复合热敏芯片,包括第一芯片和第二芯片,所述第一芯片和第二芯片串联或并联连接;所述第一芯片为第一热敏芯片,所述第二芯片为电阻芯片或电容芯片。
相对于现有技术,本发明的复合热敏芯片能够改变原有的R-T阻温特性,得到具有特异性的R-T阻温特性的热敏芯片;并且,复合热敏芯片的温度系数α值和热敏常数B值可互补。
进一步,所述电阻芯片为第二热敏芯片,所述第二热敏芯片与所述第一热敏芯片串联连接。电阻芯片为第二热敏芯片时,第二热敏芯片与第一热敏芯片串联连接,得到的复合热敏芯片的热敏常数B值介于第一热敏芯片的B值和第二热敏芯片的B值之间,并且所述复合热敏芯片的阻值为第一热敏芯片和第二热敏芯片的阻值之和。
或者,所述电阻芯片为固定电阻芯片,所述固定电阻芯片与所述第一热敏芯片串联连接。电阻芯片为固定电阻芯片时,固定电阻芯片与第一热敏芯片串联连接,通过选取不同的第一热敏芯片和固定电阻芯片复合,可以具有特异化R-T阻温特性的复合热敏芯片,并且可以提升复合热敏芯片的阻值,尤其是高温段阻值。
或者,所述电阻芯片为第二热敏芯片,所述第二热敏芯片与所述第一热敏芯片并联连接。电阻芯片为第二热敏芯片时,第二热敏芯片与第一热敏芯片并联连接,得到的复合热敏芯片的热敏常数B值介于第一热敏芯片的B值和第二热敏芯片的B值之间,并且所述复合热敏芯片的阻值为第一热敏芯片和第二热敏芯片的并联阻值。
或者,所述电阻芯片为固定电阻芯片,所述固定电阻芯片与所述第一热敏芯片并联连接。电阻芯片为固定电阻芯片时,固定电阻芯片与第一热敏芯片并联连接,通过选取不同的第一热敏芯片和固定电阻芯片复合,可以具有特异化R-T阻温特性的复合热敏芯片,并且可以调节复合热敏芯片的特定温度下的阻值。
进一步,所述第一热敏芯片为NTC热敏芯片或PTC热敏芯片。
进一步,所述第二热敏芯片为NTC热敏芯片,所述第二热敏芯片与第一热敏芯片并联连接。当所述第一热敏芯片为PCT热敏芯片时,PCT热敏芯片与NTC热敏芯片并联连接得到的复合热敏芯片,具有互补的温度系数α值和热敏常数B值,及特异化的R-T阻温特性。
进一步,所述第一热敏芯片、电阻芯片和电容芯片分别包括两个金属化电极和芯片陶瓷体,所述两个金属化电极分别覆于芯片陶瓷体相对的两侧;所述第一热敏芯片与电阻芯片或电容芯片串联时,所述第一热敏芯片的未覆有金属化电极的芯片陶瓷体一端与电阻芯片或电容芯片的未覆有金属化电极的芯片陶瓷体的一端连接;所述第一热敏芯片与电阻芯片或电容芯片并联时,所述第一热敏芯片一侧金属化电极与电阻芯片或电容芯片一侧金属化电极连接。
本发明还提供了一种温度传感器,包括热敏芯片、与热敏芯片连接的引线、封装层以及连接引线末端的连接器,所述封装层包覆热敏芯片。所述热敏芯片为上述任意一种复合热敏芯片。
相对于现有技术,本发明的复合热敏芯片具有特异性的R-T阻温特性的热敏芯片以及可互补的温度系数α值和热敏常数B值,使得所述温度传感器具有特异化的电气性能参数,满足不同的使用需求。
进一步,所述引线焊接连接于所述复合热敏芯片的两侧电极。
为了更好地理解和实施,下面结合附图详细说明本发明。
附图说明
图1是本发明实施例1中的复合热敏芯片的结构示意图。
图2是本发明实施例1中的复合热敏芯片与引线连接结构示意图。
图3是本发明实施例1中的温度传感器的结构示意图。
图4是本发明实施例2中的复合热敏芯片的结构示意图。
图5是本发明实施例2中的复合热敏芯片与引线连接结构示意图。
图6是本发明实施例2中的温度传感器的结构示意图。
具体实施方式
实施例1
请参阅图1,其是本实施例中复合热敏芯片的结构示意图。所述复合热敏芯片包括第一芯片10和第二芯片20,所述第一芯片10和第二芯片20串联连接。
所述第一芯片10为第一热敏芯片。所述第一热敏芯片为NTC热敏芯片或PTC热敏芯片。所述第一热敏芯片包括两个金属化电极11、12和芯片陶瓷体13。所述两个金属化电极11、12分别覆于芯片陶瓷体13相对的两侧。
所述第二芯片20为电阻芯片或电容芯片。所述第二芯片20包括两个金属化电极21、22和芯片陶瓷体23。所述两个金属化电极21、22分别覆于芯片陶瓷体23相对的两侧。在本实施例中,所述电阻芯片为第二热敏芯片或固定电阻芯片。
所述第一芯片10的未覆有金属化电极11、12的芯片陶瓷体13一端与第二芯片20的未覆有金属化电极21、22的芯片陶瓷体23一端连接,从而使所述第一芯片10与所述第二芯片20串联。
当所述第一热敏芯片为NTC热敏芯片,电阻芯片为第二热敏芯片,第二热敏芯片为NTC热敏芯片时,第二热敏芯片与第一热敏芯片串联连接,得到的复合热敏芯片的热敏常数B值介于第一热敏芯片的B值和第二热敏芯片的B值之间,并且所述复合热敏芯片的阻值为第一热敏芯片和第二热敏芯片的阻值之和。当第一热敏芯片为NTC热敏芯片,电阻芯片为固定电阻芯片时,固定电阻芯片与第一热敏芯片串联连接,通过选取不同的第一热敏芯片和固定电阻芯片复合,可以得到具有特异化R-T阻温特性的复合热敏芯片,并且可以提升复合热敏芯片的阻值,尤其是高温段阻值。当第一热敏芯片为PTC热敏芯片,电阻芯片为NTC热敏芯片时,所述复合热敏芯片的温度系数α值和热敏常数B值可互补,并具有特异性的R-T阻温特性。
相对于现有技术,本发明的复合热敏芯片能够改变原有的R-T阻温特性,得到具有特异性的R-T阻温特性的热敏芯片;并且,复合热敏芯片的温度系数α值和热敏常数B值可互补。
本实施例还提供了一种使用所述复合热敏芯片制成的温度传感器。请同时参阅图2和图3。所述温度传感器包括复合热敏芯片、与热敏芯片连接的引线40、封装层50以及连接于引线40末端的连接器(图未示)。所述引线40与复合热敏芯片的第一芯片10和第二芯片20的两侧的金属化电极11、12、21、22均焊接连接。所述封装层50为树脂封装层,其包覆所述复合热敏芯片及焊接处。
相对于现有技术,本发明的复合热敏芯片具有特异性的R-T阻温特性的热敏芯片以及可互补的温度系数α值和热敏常数B值,使得所述温度传感器具有特异化的电气性能参数,满足不同的使用需求。
实施例2
请参阅图4,其是本实施例中复合热敏芯片的结构示意图。所述复合热敏芯片包括第一芯片10和第二芯片20,所述第一芯片10和第二芯片20并联连接。
所述第一芯片10为第一热敏芯片。所述第一热敏芯片为NTC热敏芯片或PTC热敏芯片。所述第一热敏芯片包括两个金属化电极11、12和芯片陶瓷体13。所述两个金属化电极11、12分别覆于芯片陶瓷体13相对的两侧。
所述第二芯片20为电阻芯片或电容芯片。所述第二芯片20包括两个金属化电极21、22和芯片陶瓷体23。所述两个金属化电极21、22分别覆于芯片陶瓷体23相对的两侧。在本实施例中,所述电阻芯片为第二热敏芯片或固定电阻芯片。
所述第一芯片10的一侧金属化电极11与第二芯片20的一侧金属化电极21连接,从而使所述第一芯片10与所述第二芯片20并联连接。
当所述第一热敏芯片为NTC热敏芯片,电阻芯片为第二热敏芯片,第二热敏芯片为NTC热敏芯片时,第二热敏芯片与第一热敏芯片并联连接,得到的复合热敏芯片的热敏常数B值介于第一热敏芯片的B值和第二热敏芯片的B值之间,并且所述复合热敏芯片的阻值为第一热敏芯片和第二热敏芯片的并联阻值。当第一热敏芯片为NTC热敏芯片,电阻芯片为固定电阻芯片时,固定电阻芯片与第一热敏芯片并联连接,通过选取不同的第一热敏芯片和固定电阻芯片复合,可以得到具有特异化R-T阻温特性的复合热敏芯片,并且可以调节复合热敏芯片的特定温度下的阻值。当第一热敏芯片为PTC热敏芯片,电阻芯片为NTC热敏芯片时,所述复合热敏芯片的温度系数α值和热敏常数B值可互补,并具有特异性的R-T阻温特性。当电容芯片与第一热敏芯片并联连接得到复合热敏芯片时,电容芯片可吸收瞬间小浪涌电流,起到保护作用,如防止静电,并且使得所述复合热敏芯片具有特异化的阻容特性。
相对于现有技术,本发明的复合热敏芯片能够改变原有的R-T阻温特性,得到具有特异性的R-T阻温特性的热敏芯片;并且,复合热敏芯片的温度系数α值和热敏常数B值可互补。
本实施例还提供了一种使用所述复合热敏芯片制成的温度传感器。请同时参阅图5和图6。所述温度传感器包括复合热敏芯片、与热敏芯片连接的引线40、封装层50以及连接于引线40末端的连接器(图未示)。所述引线40与复合热敏芯片的第一芯片10和第二芯片20的外漏的两侧的金属化电极12和22均焊接连接。所述封装层50为树脂封装层,其包覆所述复合热敏芯片及焊接处。
相对于现有技术,本发明的复合热敏芯片具有特异性的R-T阻温特性的热敏芯片以及可互补的温度系数α值和热敏常数B值,使得所述温度传感器具有特异化的电气性能参数,满足不同的使用需求。
本发明并不局限于上述实施方式,如果对本发明的各种改动或变形不脱离本发明的精神和范围,倘若这些改动和变形属于本发明的权利要求和等同技术范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变形。

Claims (10)

1.一种复合热敏芯片,其特征在于:包括第一芯片和第二芯片,所述第一芯片和第二芯片串联或并联连接;所述第一芯片为第一热敏芯片,所述第二芯片为电阻芯片或电容芯片。
2.根据权利要求1所述的复合热敏芯片,其特征在于:所述电阻芯片为第二热敏芯片,所述第二热敏芯片与所述第一热敏芯片串联连接。
3.根据权利要求1所述的复合热敏芯片,其特征在于:所述电阻芯片为固定电阻芯片,所述固定电阻芯片与所述第一热敏芯片串联连接。
4.根据权利要求1所述的复合热敏芯片,其特征在于:所述电阻芯片为第二热敏芯片,所述第二热敏芯片与所述第一热敏芯片并联连接。
5.根据权利要求1所述的复合热敏芯片,其特征在于:所述电阻芯片为固定电阻芯片,所述固定电阻芯片与所述第一热敏芯片并联连接。
6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的复合热敏芯片,其特征在于:所述第一热敏芯片为NTC热敏芯片或PTC热敏芯片。
7.根据权利要求4所述的复合热敏芯片,其特征在于:所述第二热敏芯片为NTC热敏芯片,所述第二热敏芯片与第一热敏芯片并联连接。
8.根据权利要求1所述的复合热敏芯片,其特征在于:所述第一热敏芯片、电阻芯片和电容芯片分别包括两个金属化电极和芯片陶瓷体,所述两个金属化电极分别覆于芯片陶瓷体相对的两侧;所述第一热敏芯片与电阻芯片或电容芯片串联时,所述第一热敏芯片的未覆有金属化电极的芯片陶瓷体一端与电阻芯片或电容芯片的未覆有金属化电极的芯片陶瓷体的一端连接;所述第一热敏芯片与电阻芯片或电容芯片并联时,所述第一热敏芯片一侧金属化电极与电阻芯片或电容芯片一侧金属化电极连接。
9.一种温度传感器,其特征在于:包括热敏芯片、与热敏芯片连接的引线、封装层以及连接引线末端的连接器,所述封装层包覆热敏芯片;所述热敏芯片为权利要求1-8中任一权利要求所述的复合热敏芯片。
10.根据权利要求9所述的温度传感器,其特征在于:所述引线焊接连接于所述复合热敏芯片的两侧电极。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107275020A (zh) * 2017-07-03 2017-10-20 安徽晶格尔电子有限公司 一种ntc热敏电阻及其ntc热敏电阻的芯片加工方法
CN108109789A (zh) * 2017-12-20 2018-06-01 广东爱晟电子科技有限公司 一种复合热敏电阻芯片及其制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5146200A (en) * 1989-12-07 1992-09-08 Siemens Aktiengesellschaft High-capacitance varistor
JPH06283301A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Mitsubishi Materials Corp チップ型複合電子部品及びその製造方法
JPH08142638A (ja) * 1994-11-22 1996-06-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 温度制御装置
JPH08145809A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Kurabe Ind Co Ltd 複合温度検知器
JPH08306508A (ja) * 1995-05-08 1996-11-22 Nippondenso Co Ltd 薄膜型サーミスタ素子およびその製造方法
CN201160018Y (zh) * 2008-02-29 2008-12-03 西安市西无二电子信息集团有限公司 内串式热敏电阻器
CN201294125Y (zh) * 2008-10-20 2009-08-19 刘文磊 叠片式ptc热敏电阻器
US20100194522A1 (en) * 2010-03-29 2010-08-05 Jlj. Inc. Resettable fuse with temperature compensation
CN202602265U (zh) * 2012-05-09 2012-12-12 上海贺鸿电子有限公司 一种正温度系数热敏电阻和功率电阻热耦合器件
CN202749810U (zh) * 2012-07-27 2013-02-20 好利来(中国)电子科技股份有限公司 一种新型电路保护器的组合结构
CN203721411U (zh) * 2014-02-12 2014-07-16 东莞市东思电子技术有限公司 一种结合多层陶瓷电容的厚膜电阻rc组件

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5146200A (en) * 1989-12-07 1992-09-08 Siemens Aktiengesellschaft High-capacitance varistor
JPH06283301A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Mitsubishi Materials Corp チップ型複合電子部品及びその製造方法
JPH08145809A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Kurabe Ind Co Ltd 複合温度検知器
JPH08142638A (ja) * 1994-11-22 1996-06-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 温度制御装置
JPH08306508A (ja) * 1995-05-08 1996-11-22 Nippondenso Co Ltd 薄膜型サーミスタ素子およびその製造方法
CN201160018Y (zh) * 2008-02-29 2008-12-03 西安市西无二电子信息集团有限公司 内串式热敏电阻器
CN201294125Y (zh) * 2008-10-20 2009-08-19 刘文磊 叠片式ptc热敏电阻器
US20100194522A1 (en) * 2010-03-29 2010-08-05 Jlj. Inc. Resettable fuse with temperature compensation
CN202602265U (zh) * 2012-05-09 2012-12-12 上海贺鸿电子有限公司 一种正温度系数热敏电阻和功率电阻热耦合器件
CN202749810U (zh) * 2012-07-27 2013-02-20 好利来(中国)电子科技股份有限公司 一种新型电路保护器的组合结构
CN203721411U (zh) * 2014-02-12 2014-07-16 东莞市东思电子技术有限公司 一种结合多层陶瓷电容的厚膜电阻rc组件

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107275020A (zh) * 2017-07-03 2017-10-20 安徽晶格尔电子有限公司 一种ntc热敏电阻及其ntc热敏电阻的芯片加工方法
CN108109789A (zh) * 2017-12-20 2018-06-01 广东爱晟电子科技有限公司 一种复合热敏电阻芯片及其制备方法
CN108109789B (zh) * 2017-12-20 2020-01-21 广东爱晟电子科技有限公司 一种复合热敏电阻芯片及其制备方法
US10636550B2 (en) 2017-12-20 2020-04-28 Exsense Electronics Technology Co., Ltd. Composite thermistor chip and preparation method thereof

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