CN106350767B - Oled基板蒸镀结构以及oled掩膜缺陷检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED基板蒸镀结构以及OLED掩膜缺陷检测方法,该结构包括:基板;贴合于基板表面的掩膜;以及设置于所述基板和所述掩膜之间的压电感测薄膜。本发明的OLED基板蒸镀结构可以在对基板蒸镀之前发现掩膜存在的缺陷。这种提前检测的方式可以避免在制作出成品之后发现掩膜存在的问题,从而产品的稳定性以及良率。
Description
技术领域
本发明涉及平面显示技术领域,尤指一种OLED基板蒸镀结构以及OLED掩膜缺陷检测方法。
背景技术
如图1所示,OLED显示面板制造工艺一般使用具有各种镂空图案的的掩膜11对基板10进行蒸镀。在基板10表面通过蒸镀工艺制作器件的过程中首先将掩膜11贴合于需要蒸镀的基板10的表面,随后对掩膜11遮罩的基板10进行蒸镀。
正常情况下如图1所示,掩膜11紧密贴合于基板10,这样在蒸镀的过程中基板10表面掩膜11镂空的位置会形成蒸镀薄膜。
如图2所示,在某些情况下掩膜11的局部发生变形,掩膜11无法完全贴合于基板10,致使掩膜11和基板10之间形成间隙12。间隙12的存在使得在蒸镀的过程中蒸镀薄膜会向间隙12的位置扩散,这种扩散导致实际制作出的蒸镀薄膜的形状和设计的形状不一致。这种不一致会导致制作出的显示面板的相邻像素之间产生混色的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED基板蒸镀结构以及OLED掩膜缺陷检测方法,其能够在对基板进行蒸镀之前检测出掩膜的缺陷。
为了解决上述问题,本发明的技术方案提供一种OLED基板蒸镀结构,其包括:
基板;
贴合于基板表面的掩膜;以及
设置于所述基板和所述掩膜之间的压电感测薄膜。
本发明的OLED基板蒸镀结构的进一步改进在于:其还包括压电信号转换装置,所述压电信号转换装置连接于所述压电感测薄膜,用于将所述压电感测薄膜检测到的压力信号转换为电信号。
本发明的OLED基板蒸镀结构的进一步改进在于:所述基板沿水平方向设置,所述掩膜贴合于所述基板的表面。
本发明的OLED基板蒸镀结构的进一步改进在于:所述压电感测薄膜的材质为氮化铝。
本发明的OLED基板蒸镀结构的进一步改进在于:所述压电感测薄膜通过物理气相沉积的方式制备于所述掩膜的表面。
本发明的OLED基板蒸镀结构的进一步改进在于:所述的掩膜为金属掩膜。
本发明的技术方案还提供一种OLED掩膜缺陷检测方法,该方法包括:
1)提供一基板;
2)提供一掩膜,以及压电信号转换装置,在所述掩膜表面制备压电感测薄膜,并将所述压电信号转换装置连接于所述压电感测薄膜;
3)将所述掩膜制备有压电感测薄膜的侧面贴合于所述基板,使用所述压电信号转换装置检测所述压电感测薄膜产生的压电信号。
本发明的OLED掩膜缺陷检测方法的进一步改进在于:所述压电感测薄膜通过物理气相沉积的方式制备于所述掩膜的表面。
本发明的OLED基板蒸镀结构以及OLED掩膜缺陷检测方法可以在对基板蒸镀之前发现掩膜存在的缺陷。这种提前检测的方式可以避免在制作出成品之后发现掩膜存在的问题,从而产品的稳定性以及良率。
附图说明
图1为本现有技术中正常蒸镀过程中掩膜以及基板的剖视图;
图2为本现有技术中使用具有缺陷的掩膜进行蒸镀的过程中掩膜以及基板的剖视图;以及
图3为本发明OLED基板蒸镀结构使用过程中的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施方式对本发明的OLED基板蒸镀结构作进一步详细的说明:
如图3所示,本发明的OLED基板蒸镀结构包括掩膜11、压电感测薄膜13、压电信号转换装置以及基板10,其中:
压电感测薄膜13设置于掩膜11和所述基板之间。在本实施例中压电感测薄膜13的材质为氮化铝。压电感测薄膜13通过物理气相沉积(PVD)的方式制备于掩膜11的表面。在本实施例中掩膜11为金属掩膜。
掩膜11贴合有压电感测薄膜13的一侧贴合于基板10。压电感测薄膜13位于掩膜11和基板10之间。在本实施例中基板10基板10位于位于掩膜11的上方,压电感测薄膜13制备于掩膜11的上表面。当掩膜11没有缺陷时,掩膜11紧密贴合于基板10的基板10,此时压电感测薄膜13的每一处均受到压力。当掩膜11存在缺陷时,掩膜11和基板10的基板10之间存在部分间隙12,处于间隙12位置的压电感测薄膜13没有承受压力,因此间隙12处的压电感测薄膜13不会产生压电效应。
压电信号转换装置连接于压电感测薄膜13,压电信号转换装置将压电感测薄膜13检测到的压力信号转换为电信号。当掩膜11和基板10之间存在间隙12时,位于间隙12处的压电感测薄膜13不受到压力,因此压电信号转换装置在间隙12处检测不到压电信号。当掩膜11和基板10之间不存在间隙时,位于掩膜11和基板10之间的压电感测薄膜13受到均匀压力,因此压电信号转换装置在可以检测到压电信号。综上所述,当压电信号转换装置检测到压电感测薄膜13产生的压电信号时,掩膜11紧密贴合于基板10。当压电信号转换装置检测不到压电感测薄膜13产生的压电信号时,掩膜11和基板10之间存在间隙12。
下面结合附图介绍本发明的OLED掩膜缺陷检测方法:
如图3所示,本发明的OLED掩膜缺陷检测方法包括以下步骤:
1)提供一基板10;
2)提供一掩膜11以及压电信号转换装置,在掩膜11表面制备压电感测薄膜13,并将压电信号转换装置连接于压电感测薄膜13。压电感测薄膜13通过物理气相沉积的方式制备于掩膜10的表面。
3)将掩膜11制备有压电感测薄膜13的侧面贴合于基板10,使用压电信号转换装置检测压电感测薄膜13产生的压电信号。掩膜11完全贴合于基板10时,压电信号感测薄13在压力作用下产生压电信号,因此当压电信号转换装置检测到压电信号感测薄13产生的压电信号时,表明掩膜11没有缺陷。当掩膜11存在缺陷时,掩膜11和基板10之间存在空隙12,空隙12的存在使得压电感测薄膜13无法产生压电信号,因此当压电信号转换装置检测到不压电信号感测薄13产生的压电信号时,表明掩膜11存在缺陷使得基板10和掩膜11之间存在空隙12。
本发明的OLED基板蒸镀结构以及OLED掩膜缺陷检测方法可以在对基板蒸镀之前发现掩膜存在的缺陷。这种提前检测的方式可以避免在制作出成品之后发现掩膜存在的问题,从而产品的稳定性以及良率。
以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明,本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而,实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定,本发明将以所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种OLED基板蒸镀结构,其特征在于包括:
基板;
贴合于基板表面的掩膜;
设置于所述基板和所述掩膜之间的压电感测薄膜;以及
压电信号转换装置,所述压电信号转换装置连接于所述压电感测薄膜,用于将所述压电感测薄膜检测到的压力信号转换为电信号。
2.如权利要求1所述的OLED基板蒸镀结构,其特征在于:所述基板沿水平方向设置,所述掩膜贴合于所述基板的表面。
3.如权利要求1所述的OLED基板蒸镀结构,其特征在于:所述压电感测薄膜的材质为氮化铝。
4.如权利要求1所述的OLED基板蒸镀结构,其特征在于:所述压电感测薄膜通过物理气相沉积的方式制备于所述掩膜的表面。
5.如权利要求1所述的OLED基板蒸镀结构,其特征在于:所述的掩膜为金属掩膜。
6.一种OLED掩膜缺陷检测方法,其特征在于包括以下步骤:
1)提供一基板;
2)提供一掩膜,以及压电信号转换装置,在所述掩膜表面制备压电感测薄膜,并将所述压电信号转换装置连接于所述压电感测薄膜;
3)将所述掩膜制备有压电感测薄膜的侧面贴合于所述基板,使用所述压电信号转换装置检测所述压电感测薄膜产生的压电信号。
7.如权利要求6所述的OLED掩膜缺陷检测方法,其特征在于:所述压电感测薄膜通过物理气相沉积的方式制备于所述掩膜的表面。
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