CN106340794A - 热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器 - Google Patents

热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN106340794A
CN106340794A CN201610212364.5A CN201610212364A CN106340794A CN 106340794 A CN106340794 A CN 106340794A CN 201610212364 A CN201610212364 A CN 201610212364A CN 106340794 A CN106340794 A CN 106340794A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gold
heat sink
region
pole pin
electrically connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610212364.5A
Other languages
English (en)
Inventor
温永阔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Dongfeiling Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Dongfeiling Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Dongfeiling Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Dongfeiling Technology Co Ltd
Priority to CN201610212364.5A priority Critical patent/CN106340794A/zh
Publication of CN106340794A publication Critical patent/CN106340794A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/04—Arrangements for thermal management
    • H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器，所述热沉垫片包括竖直设置在管座上的热沉本体、设置在热沉本体表面的镀金区域、设置在镀金区域的焊料层，以及设置在热沉本体上且与镀金区域相互绝缘的过渡区域，焊料层上设置有激光器芯片，镀金区域通过多根并列设置的键合金丝与管座负极管脚电性连接，激光器芯片的焊盘通过多根并列设置的键合金丝与所述过渡区域电性连接，过渡区域通过多根并列设置的键合金丝与管座正极管脚电性连接。本发明通过增加过渡区域，使得组成电路的金丝长度更短，金丝可并列的数量增加，从而降低了电路的阻抗，使电路的可调制带宽更宽，可使电路达到10Gbps或者25Gbps的高速数字信号传输。

Description

热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器
技术领域
本发明属于光纤通信技术领域，尤其涉及一种热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器。
背景技术
目前，光纤通信行业迅猛发展，对网络带宽要求越来越高，相应地，对信号光源-激光器管芯(TO-CAN)的封装要求越来越高。目前为激光器芯片提供导热、导电及固定作用的热沉垫片仅能满足2.5Gbps及以下速率的产品封装。该常规热沉结构导致金丝键合长度过长且无空间容纳并列金丝，以至于封装电路引入的阻抗过大，阻碍TO-CAN封装形式向更高速率发展。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种热沉垫片，其使得组成电路的金丝长度更短，金丝可并列的数量增加，从而降低了电路的阻抗，使电路的可调制带宽更宽。
本发明的技术方案是：提供一种热沉垫片，包括竖直设置在管座上的热沉本体、设置在所述热沉本体表面的镀金区域、设置在所述镀金区域的焊料层，以及设置在所述热沉本体上且与所述镀金区域相互绝缘的过渡区域，所述焊料层上设置有激光器芯片，所述镀金区域通过多根并列设置的键合金丝与管座负极管脚电性连接，所述激光器芯片的焊盘通过多根并列设置的所述键合金丝与所述过渡区域电性连接，所述过渡区域通过多根并列设置的所述键合金丝与管座正极管脚电性连接。
本发明还提供了一种激光器，包括如上述所述的热沉垫片。
实施本发明的一种热沉垫片，具有以下有益效果：其通过在热沉本体远离镀金区域的一侧设置与镀金区域相互绝缘的过渡区域，并且镀金区域通过多根并列设置的键合金丝与管座负极管脚电性连接，激光器芯片的焊盘通过多根并列设置的键合金丝与过渡区域电性连接，过渡区域通过多根并列设置的键合金丝与管座正极管脚电性连接，使得组成电路的金丝长度更短，金丝可并列的数量增加，从而降低了电路的阻抗，使电路的可调制带宽更宽，可使电路达到10Gbps或者25Gbps的高速数字信号传输。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一个实施例提供的热沉垫片的结构示意图；
图2是本发明一个实施例提供的热沉垫片的装配示意图；
图3是本发明另一个实施例提供的热沉垫片的结构示意图；
图4是本发明另一个实施例提供的热沉垫片的装配示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接或间接在另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接或间接连接到另一个元件。
还需要说明的是，本发明实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。
如图1至图4所示，本发明实施例提供的热沉垫片，其可应用于光纤通信激光器的晶体管式封装(TO-CAN)、蝶形封装(butterfly)、COB封装(chipon board)。具体地，该热沉垫片包括热沉本体11、镀金区域12、焊料层13和过渡区域14。其中，热沉本体11竖直设置在管座上，镀金区域12设置在热沉本体11的表面，焊料层13设置在镀金区域12，过渡区域14设置在热沉本体11上，且该过渡区域14与镀金区域12相互绝缘。在发明实施例中，镀金区域12和过渡区域14分设在热沉本体11的两侧。具体地，镀金区域12设置在热沉本体11靠近管座负极管脚2的一侧，而过渡区域14设置在热沉本体11靠近管座正极管脚3的一侧。
另外，在焊料层13上设置有激光器芯片4，上述镀金区域12通过多根并列设置的键合金丝5与管座负极管脚2电性连接，上述激光器芯片4的焊盘通过多根并列设置的键合金丝5与过渡区域14电性连接，上述过渡区域14通过多根并列设置的键合金丝5与管座正极管脚3电性连接，进而实现激光器芯片4的正负极分别与管座正极管脚3和管座负极管脚2电性连接。可以理解的是，管座正负极管脚可以互换，即图中左侧为正极，右侧为负极。
本发明实施例通过增加过渡区域14，使得组成电路的金丝长度更短，金丝可并列的数量增加，从而降低了电路的阻抗，使电路的可调制带宽更宽，可使电路达到10Gbps或者25Gbps的高速数字信号传输。
进一步地，如图1和图2所示，在本发明的一个实施例中，过渡区域14靠近管座正极管脚3的一侧向下延伸至与管座正极管脚3的下端面齐平，且过渡区域14通过多根水平设置的键合金丝5与管座正极管脚3电性连接。此外，在本实施例中，镀金区域12靠近管座负极管脚2的一侧向下延伸至与管座负极管脚2的下端面齐平，且镀金区域12通过多根水平设置的键合金丝5与管座负极管脚2电性连接。此时，镀金区域12与管座负极管脚2之间的距离缩短，且过渡区域14与管座正极管脚3的距离缩短，进而缩短了键合金丝5的长度，镀金区域12和过渡区域14也同时提供了足够的并列键合金丝5的空间。在本实施例中，镀金区域12和过渡区域14均呈多边形，键合金丝5的根数可根据实际情况确定。
进一步地，如图3和图4所示，在本发明的另一个实施例中，镀金区域12靠近管座负极管脚2的一侧向下延伸至与管座负极管脚2的中部齐平，且镀金区域12的边缘通过多根倾斜设置的键合金丝5与管座负极管脚2电性连接。此外，在本实施例中，镀金区域12靠近管座负极管脚2的一侧向下延伸至与管座负极管脚2的中部齐平，且镀金区域12的边缘通过多根倾斜设置的键合金丝5与管座负极管脚2电性连接。此时，镀金区域12与管座负极管脚2之间的距离缩短，且过渡区域14与管座正极管脚3的距离缩短，进而缩短了键合金丝5的长度，镀金区域12和过渡区域14也同时提供了足够的并列键合金丝5的空间。在本实施例中，镀金区域12和过渡区域14均呈长方形，键合金丝5的根数可根据实际情况确定。
可以理解的是，在本发明的其它实施例中，镀金区域12靠近管座负极管脚2的一侧向下延伸至与管座负极管脚2的下端面齐平，且镀金区域12通过多根水平设置的键合金丝5与管座负极管脚2电性连接，而过渡区域14靠近管座正极管脚3的一侧向下延伸至与管座正极管脚3的中部齐平，且过渡区域14的边缘通过多根倾斜设置的键合金丝5与管座正极管脚3电性连接。或者过渡区域14靠近管座正极管脚3的一侧向下延伸至与管座正极管脚3的下端面齐平，且过渡区域14通过多根水平设置的键合金丝5与管座正极管脚3电性连接，而镀金区域12靠近管座负极管脚2的一侧向下延伸至与管座负极管脚2的中部齐平，且镀金区域12的边缘通过多根倾斜设置的键合金丝5与管座负极管脚2电性连接。
进一步地，镀金区域12与过渡区域14相对的一侧均竖直设置，激光器芯片4的焊盘通过多根水平设置的键合金丝5与过渡区域14电性连接。
优选地，上述焊料层13为金锡焊料层，以便于连接激光器芯片4。
进一步优选地，激光器芯片4共晶贴装到焊料层13上。
本发明还提供了一种激光器，其包括上述所述的热沉垫片。
综上所述，本发明实施例提供的热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器，其通过在热沉本体11远离镀金区域12的一侧设置与镀金区域12相互绝缘的过渡区域14，并且镀金区域12通过多根并列设置的键合金丝5与管座负极管脚2电性连接，激光器芯片4的焊盘通过多根并列设置的键合金丝5与过渡区域14电性连接，过渡区域14通过多根并列设置的键合金丝5与管座正极管脚3电性连接，使得组成电路的金丝长度更短，金丝可并列的数量增加，从而降低了电路的阻抗，使电路的可调制带宽更宽，可使电路达到10Gbps或者25Gbps的高速数字信号传输。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种热沉垫片，其特征在于，包括竖直设置在管座上的热沉本体、设置在所述热沉本体表面的镀金区域、设置在所述镀金区域的焊料层，以及设置在所述热沉本体上且与所述镀金区域相互绝缘的过渡区域，所述焊料层上设置有激光器芯片，所述镀金区域通过多根并列设置的键合金丝与管座负极管脚电性连接，所述激光器芯片的焊盘通过多根并列设置的所述键合金丝与所述过渡区域电性连接，所述过渡区域通过多根并列设置的所述键合金丝与管座正极管脚电性连接。
2.如权利要求1所述的热沉垫片，其特征在于，所述过渡区域靠近所述管座正极管脚的一侧向下延伸至与所述管座正极管脚的下端面齐平，且所述过渡区域通过多根水平设置的所述键合金丝与所述管座正极管脚电性连接。
3.如权利要求2所述的热沉垫片，其特征在于，所述镀金区域靠近所述管座负极管脚的一侧向下延伸至与所述管座负极管脚的下端面齐平，且所述镀金区域通过多根水平设置的所述键合金丝与所述管座负极管脚电性连接。
4.如权利要求1所述的热沉垫片，其特征在于，所述过渡区域靠近所述管座正极管脚的一侧向下延伸至与所述管座正极管脚的中部齐平，且所述过渡区域的边缘通过多根倾斜设置的所述键合金丝与所述管座正极管脚电性连接。
5.如权利要求4所述的热沉垫片，其特征在于，所述镀金区域靠近所述管座负极管脚的一侧向下延伸至与所述管座负极管脚的中部齐平，且所述镀金区域的边缘通过多根倾斜设置的所述键合金丝与所述管座负极管脚电性连接。
6.如权利要求1-5任一项所述的热沉垫片，其特征在于，所述镀金区域与所述过渡区域相对的一侧均竖直设置，所述激光器芯片的焊盘通过多根水平设置的所述键合金丝与所述过渡区域电性连接。
7.如权利要求1所述的热沉垫片，其特征在于，所述镀金区域和/或所述过渡区域呈多边形。
8.如权利要求1所述的热沉垫片，其特征在于，所述焊料层为金锡焊料层。
9.如权利要求1所述的热沉垫片，其特征在于，所述激光器芯片共晶贴装到所述焊料层上。
10.一种激光器，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的热沉垫片。
CN201610212364.5A 2016-04-07 2016-04-07 热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器 Pending CN106340794A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610212364.5A CN106340794A (zh) 2016-04-07 2016-04-07 热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610212364.5A CN106340794A (zh) 2016-04-07 2016-04-07 热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106340794A true CN106340794A (zh) 2017-01-18

Family

ID=57826116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610212364.5A Pending CN106340794A (zh) 2016-04-07 2016-04-07 热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106340794A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108075350A (zh) * 2017-12-19 2018-05-25 深圳市东飞凌科技有限公司 同轴封装激光器
CN111403346A (zh) * 2020-03-12 2020-07-10 中航海信光电技术有限公司 一种自由空间二维阵列探测器
CN113471808A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 青岛镭创光电技术有限公司 一种封装热沉、半导体激光器和半导体激光器模组

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202423821U (zh) * 2011-11-21 2012-09-05 武汉华工正源光子技术有限公司 高速激光二极管封装结构
CN105182548A (zh) * 2015-10-30 2015-12-23 山东华光光电子有限公司 一种便于光纤整形的高性能半导体激光器及其封装方法
CN205583364U (zh) * 2016-04-07 2016-09-14 深圳市东飞凌科技有限公司 热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202423821U (zh) * 2011-11-21 2012-09-05 武汉华工正源光子技术有限公司 高速激光二极管封装结构
CN105182548A (zh) * 2015-10-30 2015-12-23 山东华光光电子有限公司 一种便于光纤整形的高性能半导体激光器及其封装方法
CN205583364U (zh) * 2016-04-07 2016-09-14 深圳市东飞凌科技有限公司 热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108075350A (zh) * 2017-12-19 2018-05-25 深圳市东飞凌科技有限公司 同轴封装激光器
CN111403346A (zh) * 2020-03-12 2020-07-10 中航海信光电技术有限公司 一种自由空间二维阵列探测器
CN113471808A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 青岛镭创光电技术有限公司 一种封装热沉、半导体激光器和半导体激光器模组

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100541783C (zh) 具有接口模块的lsi封装及用在该封装中的传输线端子
CN202423821U (zh) 高速激光二极管封装结构
CN108039643B (zh) 同轴封装的激光器及具有该激光器的光模块
CN106340794A (zh) 热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器
CN103984066B (zh) 用于高速传输的多路并行光组件及其组装方法
CN205583364U (zh) 热沉垫片及包括该热沉垫片的激光器
CN108988120A (zh) 同轴封装的激光器以及光模块
WO2017092220A1 (zh) 一种光模块
CN205213227U (zh) 一种cob的散热结构
CN107452815A (zh) 一种同轴封装的光器件及光模块
DE112013007722T5 (de) Optoelektronische Packungsbaugruppen
CN106443912B (zh) 一种光互联模块
CN206848527U (zh) 一种基于柔性电路板的垂直腔面发射光器件
CN105226037B (zh) 一种带有光接口的封装上光电集成结构及其制作方法
CN113764971A (zh) 电吸收调制激光器制冷封装结构
CN102130277A (zh) 一种发光二极管封装
CN111708132A (zh) 一种高带宽和低反射的同轴光发射器件
CN204696445U (zh) 用于激光器同轴封装的新型底座
CN217406549U (zh) 一种光模块
CN115113345B (zh) 一种光模块
CN107195624B (zh) 一种小间距led器件及其封装方法和由其制造的显示屏
CN105954840B (zh) 一种光发射组件
CN212010956U (zh) 一种芯片封装的键合线结构
CN210775923U (zh) 一种光模块
CN212848471U (zh) 一种小角度发光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170118

RJ01 Rejection of invention patent application after publication