CN106295049A - 多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法 - Google Patents

Abstract

一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，包括：第一步骤：产品数据导入；第二步骤：产生产品平面布置图和划片区数据；第三步骤：确定划片区的切割起始点与切割提取范围；第四步骤：确定各共乘产品的切割起始点与切割提取范围；第五步骤：对划片区按照第三步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第六步骤：对各共乘产品按照第四步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第七步骤：将第五步骤和第六步骤中产生的独立提取几何信息按照一定关系进行合并，以产生与合并数据提取相同的提取几何信息；第八步骤：将第七步骤中产生的合并几何信息用于可制造性热点检测。

Description

多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，更具体地说，本发明涉及一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法。

背景技术

新产品导入大规模量产之前，通常需要进行产品验证，其中最省成本的方式为搭乘代工厂提供的多产品共晶圆(Multi-Product-Wafer)服务(如图1所示)。

在针对多产品共晶圆流片前的可制造性(DFM)检测中，为了提取检测点的有效几何信息即引入检测点周围一定范围内的环境影响，以往通常将所有搭乘产品与划片区按照产品平面布置图(Floor plan)(如图2所示)中的排布合并成整体数据进行检测(如图3所示)。

但是，随着工艺节点向28纳米及以下推进，单个产品流片(Tape out)数据的大小通常达到几十Gbyte，将所有共乘产品合并之后的数据的大小可以达到百G以上，一方面合并后的数据占用大量额外的磁盘存储空间，另一方面在几何信息提取过程中耗费大量内存，极易造成系统不稳定。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够避免因数据合并所产生的额外存储空间以及后续提取过程中的大量内存耗费造成的系统不稳定的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，包括：

第一步骤：产品数据导入；

第二步骤：产生产品平面布置图和划片区数据；

第三步骤：确定划片区的切割起始点与切割提取范围；

第四步骤：确定各共乘产品的切割起始点与切割提取范围；

第五步骤：对划片区按照第三步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；

第六步骤：对各共乘产品按照第四步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；

第七步骤：将第五步骤和第六步骤中产生的独立提取几何信息按照一定关系进行合并，以产生与合并数据提取相同的提取几何信息；

第八步骤：将第七步骤中产生的合并几何信息用于可制造性热点检测。

优选地，所述划片区的切割起始点和切割范围与合并数据切割的切割起始点和切割范围相同。

优选地，所述各共乘产品的切割起始点与切割范围在其各自坐标系内满足如下关系：

切割起始点为：{x-[(X_c-L/2)-A_LB*S]，y-[(Y_c-W/2)-B_LB*S]}

切割范围为：以顶点{x-[(X_c-L/2)-A_LB*S]，y-[(Y_c-W/2)-B_LB*S]}和{x+L+[A_RT*S-(X_c+L/2)]，y+w+[(B_RT+1)*S-(Y_c+W/2)]}定义的矩形；

其中x,y为共乘产品左下顶点在自身坐标系内的坐标；

X_c,Y_c为共乘产品的中心相对于划片区中心的相对坐标；

L,W为共乘产品的长度和宽度；

S为切割格点大小；

(A_LB,B_LB)为共乘产品左下顶点在划片区坐标系中的格点坐标，A_LB,B_LB为整数且大于等于0；

(A_RT,B_RT)为共乘产品右上顶点在划片区坐标系中的格点坐标，A_RT,B_RT为整数且大于等于0。

优选地，所述格点内提取几何信息包括密度、周长以及权重线宽，其满足如下关系：

密度Den＝∑A_n/A_grid

周长Per＝∑P_n

权重线宽LW_weighted＝∑LW_n*A_n/∑A_n

其中：

A_n P_n为单位格点内线宽为LW_n的图形的面积和周长；A_grid为单位格点的面积。

优选地，所述独立提取几何信息与合并数据提取几何信息之间满足如下关系：

密度Den＝(∑A_i+∑∑A_j,k)/A_grid＝∑A_i/A_grid+∑∑A_j,k/A_grid＝Den_f+∑Den_k

周长Per＝∑P_i+∑∑P_j,k＝Per_f+∑Per_k

权重线宽LW_W＝(∑LW_i*A_i+∑∑LW_j,k*A_j,k)/(∑A_i+∑∑A_j,k)

＝(LW_f*Den_f*A_grid+∑LW_k*Den_k*A_grid)/(Den_f*A_grid+∑Den_k*A_grid)

其中Den、Per和LW_W为合并数据提取中的格点提取密度、周长和权重线宽；Den_f、Per_f和LW_f为独立提取中划片区内的格点提取密度、周长和权重线宽；Den_k、Per_k和LW_k为独立提取中共乘产品的格点提取密度、周长和权重线宽；A_i P_i为独立提取划片区中单位格点内线宽为LW_i的图形的面积和周长；A_j,k P_j,k为独立提取共乘产品k中单位格点内线宽为LW_j,k的图形的面积和周长；A_grid为单位格点的面积。

优选地，所述方法用于集成电路制造。

优选地，对划片区以其左下角为切割起始点，切割范围为自身大小按照格点大小进行切割以及几何信息提取。

优选地，对各共乘产品以计算得出的各自切割起始点以及切割范围按照格点大小进行切割以及各自几何信息提取。

本发明针对多产品共晶圆流片提出一种独立几何信息提取方法，将划片区以及各共乘产品逐个按照特定切割起始点和切割范围独立进行几何信息提取，然后将划片区与各共乘产品所提取的几何信息进行合并替换，产生与合并数据提取相同的几何信息，从而可以避免因数据合并所产生的额外存储空间以及后续提取过程中的大量内存耗费造成的系统不稳定。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了多产品共乘流片可制造性热点检测流程。

图2示意性地示出了多产品共乘流片产品平面布置图示意图。

图3示意性地示出了根据现有技术的多产品共乘流片合并数据几何信息切割提取示例。

图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法的流程图。

图5至图13示意性地示出了根据本发明优选实施例的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法的各个步骤。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

本发明针对多产品共晶圆流片提出一种独立几何信息提取方法，将划片区以及各共乘产品逐个按照特定切割起始点和切割范围独立进行几何信息提取，然后将划片区与各共乘产品所提取的几何信息进行合并替换，产生与合并数据提取相同的几何信息，从而可以避免因数据合并所产生的额外存储空间以及后续提取过程中的大量内存耗费造成的系统不稳定。

如图4所示，与现有直接根据产品平面布置图将划片区与各共乘产品数据合并进行几何信息提取不同，本发明首先依据平面布置图计算并产生划片区以及各共乘产品的切割起始点以及切割提取范围，其次分别对划片区和各共乘产品按照各自的切割起始点以及提取范围进行几何信息提取，然后将各共乘产品提取的几何信息与划片区的提取几何信息进行合并替换以得到与合并数据提取相同的几何信息，最后将合并后的几何信息用于可制造型热点检测，从而可以避免大量额外存储空间的占用以及提取过程中大量内存使用造成的系统不稳定。

图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法的流程图。

如图4所示，根据本发明优选实施例的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法包括：

第一步骤S1：产品数据导入；

第二步骤S2：产生产品平面布置图和划片区数据(如图5所示)；

第三步骤S3：确定划片区的切割起始点与切割提取范围(如图6和图7所示)；

第四步骤S4：确定各共乘产品的切割起始点与切割提取范围(如图8和图9所示)；

第五步骤S5：对划片区按照第三步骤S3中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；

第六步骤S6：对各共乘产品按照第四步骤S4中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取(如图10、图11、图12和图13所示)；

第七步骤S7：将第五步骤S5和第六步骤S6中产生的独立提取几何信息按照一定关系进行合并，以产生与合并数据提取相同的提取几何信息；

第八步骤S8：将第七步骤S7中产生的合并几何信息用于可制造性热点检测。

优选地，所述划片区的切割起始点和切割范围与合并数据切割的切割起始点和切割范围相同。

具体地，各共乘产品均被划片区所包围即处于划片区当中，当各共乘产品与划片区合并后进行几何信息提取，其切割起始点与对划片区单独提取的切割起始点相同，都为划片区左下角，同时由于各共乘产品均包括在划片区当中，所以合并后数据的提取范围与划片区单独的提取范围相同。所以在独立几何信息提取中，划片区的切割起始点和提取范围与合并数据提取相同。

优选地，所述各共乘产品的切割起始点与切割范围在其各自坐标系内满足如下关系：

切割起始点为：{x-[(X_c-L/2)-A_LB*S]，y-[(Y_c-W/2)-B_LB*S]}

切割范围为：以顶点{x-[(X_c-L/2)-A_LB*S]，y-[(Y_c-W/2)-B_LB*S]}和{x+L+[A_RT*S-(X_c+L/2)]，y+w+[(B_RT+1)*S-(Y_c+W/2)]}定义的矩形。

其中x,y为共乘产品左下顶点在自身坐标系内的坐标；

X_c,Y_c为共乘产品的中心相对于划片区中心的相对坐标；

L,W为共乘产品的长度和宽度；

S为切割格点大小；

(A_LB,B_LB)为共乘产品左下顶点在划片区坐标系中的格点坐标，A_LB,B_LB为整数且大于等于0；

(A_RT,B_RT)为共乘产品右上顶点在划片区坐标系中的格点坐标，A_RT,B_RT为整数且大于等于0；

优选地，所述格点内提取几何信息包括密度、周长以及权重线宽，其满足如下关系：

密度Den＝∑A_n/A_grid

周长Per＝∑P_n

权重线宽LW_weighted＝∑LW_n*A_n/∑A_n

其中：

A_n P_n为单位格点内线宽为LW_n的图形的面积和周长；

A_grid为单位格点的面积。

优选地，所述独立提取几何信息与合并数据提取几何信息之间满足如下关系：

密度Den＝(∑A_i+∑∑A_j,k)/A_grid＝∑A_i/A_grid+∑∑A_j,k/A_grid＝Den_f+∑Den_k

周长Per＝∑P_i+∑∑P_j,k＝Per_f+∑Per_k

权重线宽LW_W＝(∑LW_i*A_i+∑∑LW_j,k*A_j,k)/(∑A_i+∑∑A_j,k)

＝(LW_f*Den_f*A_grid+∑LW_k*Den_k*A_grid)/(Den_f*A_grid+∑Den_k*A_grid)

其中Den、Per和LW_W为合并数据提取中的格点提取密度、周长和权重线宽；Den_f、Per_f和LW_f为独立提取中划片区内的格点提取密度、周长和权重线宽；Den_k、Per_k和LW_k为独立提取中共乘产品的格点提取密度、周长和权重线宽；A_i P_i为独立提取划片区中单位格点内线宽为LW_i的图形的面积和周长；A_j,k P_j,k为独立提取共乘产品k中单位格点内线宽为LW_j,k的图形的面积和周长；A_grid为单位格点的面积。

另外，产生的产品平面布置图包括各共乘产品相对于划片区的坐标，例如：共乘产品n的中心相对于划片区中心的相对坐标为(X_c,Y_c),其大小为长L，宽为W，其左下顶点在自身坐标系中的坐标为(x，y)，则计算得出其4个顶点在以划片区中心为原点的坐标系里的坐标为：

左下坐标为(X_c-L/2,Y_c-W/2)，

左上坐标为(X_c-L/2,Y_c+W/2)，

右下坐标为(X_c+L/2,Y_c-W/2)，

右上坐标为(X_c+L/2,Y_c+W/2)。

以划片区左下角为切割起始点，设格点大小为S(S<L)，将共乘产品左下顶点坐标除以格点大小并取其整数值得到其左下角所在格点在划片区坐标系中的格点坐标(A_LB，B_LB)，以同样方法获得其右上顶点的在划片区中的格点坐标(A_RT，B_RT)，其中：

A_LB＝Int{(X_c-L/2)/S}-1,B_LB＝Int{(Y_c-W/2)/S}-1；

A_RT＝Int{(X_c+L/2)/S}-1,B_RT＝Int{(Y_c+W/2)/S}-1，Int为取整数值操作。

格点(A_LB，B_LB)的左下顶点在划片区中的坐标为：{A_LB*S，B_LB*S}

格点(A_RT，B_RT)的右上顶点在划片区中的坐标为：{(A_RT+1)*S，(B_RT+1)*S}

则共乘产品在其自身的坐标系中独自提取的切割起始点定义为：

{x-[(X_c-L/2)-A_LB*S]，y-[(Y_c-W/2)-B_LB*S]}

格点(A_RT，B_RT)的右上顶点在共乘产品自身坐标系中的坐标为：

{x+L+[(A_RT+1)*S-(X_c+L/2)]，y+w+[(B_RT+1)*S-(Y_c+W/2)]}

其切割范围在其自身坐标系中为以顶点{x-[(X_c-L/2)-A_LB*S]，y-[(Y_c-W/2)-B_LB*S]}和{x+L+[A_RT*S-(X_c+L/2)]，y+w+[(B_RT+1)*S-(Y_c+W/2)]}定义的矩形范围。

根据以上计算公式计算得出各共乘产品的在各自坐标系中的切割起始点以及切割范围。

对划片区以其左下角为切割起始点，切割范围为自身大小按照格点大小S进行切割以及几何信息提取。

对各共乘产品以计算得出的各自切割起始点以及切割范围按照格点大小S进行切割以及各自几何信息提取。

如图10中所示，在合并数据几何信息提取过程中，提取格点可以分为三大类：一、产品提取格点，即其提取几何信息来源于共乘产品内；二、划片区提取格点，即其提取数据仅来源于划片区内；三、混合提取格点，即其提取几何信息既来源于划片区数据也包含共乘产品数据。

对比合并数据几何信息提取与划片区独立几何信息提取可以看出，只要将划片区提取几何信息中处于合并数据几何信息提取中产品格点的几何信息替换为对应共乘产品同样位置的格点提取几何信息，处于合并数据几何信息提取中混合格点位置的几何信息替换为对应共乘产品与划片区自身同样位置格点几何信息的合并结果，则最终可以通过以划片区提取几何信息为基准，以共乘产品格点提取几何信息直接替换或与划片区格点提取几何信息进行运算产生和合并数据提取相同的提取几何信息。

由于在合并数据几何信息提取中处于产品格点位置的格点在划片区独立几何信息系提取中为空，所可以视产品格点是由一个提取几何信息为空的划片区格点和一个共乘产品对应位置的格点合并而成的，这样对于合并数据几何信息提取中的产品格点和混合格点，都可以按照同样的计算规则由独立几何信息提取中划片区和共乘产品的格点提取几何信息计算得来。

如图11、12和13所示，对于合并数据提取几何信息内的混合格点，其提取几何信息为：

Den＝(∑A_i+∑A_j+∑A_k)/A_grid

Per＝∑P_i+∑P_j+∑P_k

LW_W＝(∑LW_i*A_i+∑LW_j*A_j+∑LW_k*A_k)/(∑A_i+∑A_j+∑A_k)

其中Den、Per和LW_W分别为混合格点的提取密度、周长和权重线宽

A_i P_i为共乘产品n在该格点内线宽为LW_i的图形面积和周长

A_j P_j为共乘产品m在该格点内线宽为LW_j的图形面积和周长

A_k P_k为划片区在该格点内线宽为LW_k的图形面积和周长

A_grid为单位格点的面积；

对于独立提取中混合格点对应位置的格点在划片区及共乘产品内的提取几何信息为：

共乘产品n内：

Den_n＝∑A_i/A_grid→∑A_i＝Den_n*A_grid

Per_n＝∑P_i

LW_n＝∑LW_i*A_i/∑A_i→∑LW_i*A_i＝LW_n*∑A_i＝LW_n*Den_n*A_grid

共乘产品m内：

Den_m＝∑A_j/A_grid→∑A_i＝Den_m*A_grid

Per_m＝∑P_j

LW_m＝∑LW_j*A_j/∑A_j→∑LW_i*A_i＝LW_j*∑A_i＝LW_m*Den_m*A_grid

Frame内：

Den_f＝∑A_k/A_grid→∑A_i＝Den_f*A_grid

Per_f＝∑P_k

LW_f＝∑LW_k*A_k/∑A_k→∑LW_k*A_k＝LW_k*∑A_k＝LW_f*Den_f*A_grid

由此得出混合数据提取几何信息与独立提取几何信息之间的关系为：

Den＝(∑A_i+∑A_j+∑A_k)/A_grid＝∑A_i/A_grid+∑A_j/A_grid+∑A_k/A_grid＝Den_n+Den_m+Den_f

Per＝∑P_i+∑P_j+∑P_k＝Per_n+Per_m+Per_f

LW_W＝(∑LW_i*A_i+∑LW_j*A_j+∑LW_k*A_k)/(∑A_i+∑A_j+∑A_k)＝(LW_n*Den_n*A_grid+LW_m*Den_m*A_grid+LW_f*Den_f*A_grid)/(Den_n*A_grid+Den_m*A_grid+Den_f*A_grid)

同样对于合并数据提取几何信息内的产品格点，其提取几何信息可以视为由一个独立提取几何信息为空的划片区格点以及一个独立提取的共乘产品格点合并而成的。由此对于产品格点，其在混合数据几何信息提取中的提取几何信息与独立几何信息提取中划片区与共乘产品几何信息之间也满足上述如混合数据提取几何信息与独立提取几何信息之间的关系。

将各共乘产品各自的提取格点坐标转换为划片区坐标系内的格点坐标，按照如上方式将所有共乘产品各格点的提取几何信息与其对应划片区内的格点提取几何信息进行合并替换，最终产生的合并几何信息与合并数据几何信息提取即直接合并共乘产品与划片区后进行提取所得的几何信息相同。从而实现了各共乘产品与划片区独自的几何信息提取，从而可以避免因数据合并所产生的额外存储空间以及后续提取过程中的大量内存耗费造成的系统不稳定。

此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。

可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (8)

1.一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于包括：

第一步骤：产品数据导入；

第二步骤：产生产品平面布置图和划片区数据；

第三步骤：确定划片区的切割起始点与切割提取范围；

第四步骤：确定各共乘产品的切割起始点与切割提取范围；

第五步骤：对划片区按照第三步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；

第六步骤：对各共乘产品按照第四步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；

第七步骤：将第五步骤和第六步骤中产生的独立提取几何信息按照一定关系进行合并，以产生与合并数据提取相同的提取几何信息；

第八步骤：将第七步骤中产生的合并几何信息用于可制造性热点检测。

2.根据权利要求1所述的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于，所述划片区的切割起始点和切割范围与合并数据切割的切割起始点和切割范围相同。

3.根据权利要求1或2所述的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于，所述各共乘产品的切割起始点与切割范围在其各自坐标系内满足如下关系：

切割起始点为：{x-[(X_c-L/2)-A_LB*S]，y-[(Y_c-W/2)-B_LB*S]}

切割范围为：以顶点{x-[(X_c-L/2)-A_LB*S]，y-[(Y_c-W/2)-B_LB*S]}和{x+L+[A_RT*S-(X_c+L/2)]，y+w+[(B_RT+1)*S-(Y_c+W/2)]}定义的矩形；

其中x,y为共乘产品左下顶点在自身坐标系内的坐标；

X_c,Y_c为共乘产品的中心相对于划片区中心的相对坐标；

L,W为共乘产品的长度和宽度；

S为切割格点大小；

(A_LB,B_LB)为共乘产品左下顶点在划片区坐标系中的格点坐标，A_LB,B_LB为整数且大于等于0；

(A_RT,B_RT)为共乘产品右上顶点在划片区坐标系中的格点坐标，A_RT,B_RT为整数且大于等于0。

4.根据权利要求1或2所述的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于，所述格点内提取几何信息包括密度、周长以及权重线宽，其满足如下关系：

密度Den＝∑A_n/A_grid

周长Per＝∑P_n

权重线宽LW_weighted＝∑LW_n*A_n/∑A_n

其中：

A_nP_n为单位格点内线宽为LW_n的图形的面积和周长；A_grid为单位格点的面积。

5.根据权利要求1或2所述的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于，所述独立提取几何信息与合并数据提取几何信息之间满足如下关系：

密度Den＝(∑A_i+∑∑A_j,k)/A_grid＝∑A_i/A_grid+∑∑A_j,k/A_grid＝Den_f+∑Den_k

周长Per＝∑P_i+∑∑P_j,k＝Per_f+∑Per_k

权重线宽LW_W＝(∑LW_i*A_i+∑∑LW_j,k*A_j,k)/(∑A_i+∑∑A_j,k)

＝(LW_f*Den_f*A_grid+∑LW_k*Den_k*A_grid)/(Den_f*A_grid+∑Den_k*A_grid)

其中Den、Per和LW_W为合并数据提取中的格点提取密度、周长和权重线宽；Den_f、Per_f和LW_f为独立提取中划片区内的格点提取密度、周长和权重线宽；Den_k、Per_k和LW_k为独立提取中共乘产品的格点提取密度、周长和权重线宽；A_iP_i为独立提取划片区中单位格点内线宽为LW_i的图形的面积和周长；A_j,kP_j,k为独立提取共乘产品k中单位格点内线宽为LW_j,k的图形的面积和周长；A_grid为单位格点的面积。

6.根据权利要求1或2所述的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于，所述方法用于集成电路制造。

7.根据权利要求1或2所述的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于，其中对划片区以其左下角为切割起始点，切割范围为自身大小按照格点大小进行切割以及几何信息提取。

8.根据权利要求1或2所述的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于，其中对各共乘产品以计算得出的各自切割起始点以及切割范围按照格点大小进行切割以及各自几何信息提取。