CN106293169B - 触控装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及触控技术领域，提供了一种触控装置，包含一基板、多个桥接单元及一触控电路层。桥接单元彼此相间隔地设置在基板，且各包括一桥接层及至少一缓冲结构。缓冲结构分别由桥接层的侧壁延伸至基板而形成一斜坡。缓冲结构分别设置在各桥接层的两相反末端及两相反末端之间。触控电路层包括多个沿一第一方向间隔地设置在基板的第一触控电极。第一触控电极分别重叠于桥接层，并且覆盖于缓冲结构的斜坡。本发明透过设置缓冲结构，用以在桥接层的侧壁与基板之间形成斜坡，可避免第一触控电极因桥接层与基板之间的高低落差而断裂，进而导致触控装置的功能异常的问题。

Description

触控装置及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种触控技术，特别是指一种触控装置及其制造方法。

背景技术

现有的触控装置包含一基板、多个彼此相间隔设置在基板上的桥接层及一用以产生触控讯号的触控电路层。触控电路层包括多个沿一第一轴线方向设置在基板，且分别位于桥接层之间的第一触控电极。而每一第一触控电极的两端分别延伸至邻近的桥接层上，并藉由桥接层使得相邻的第一触控电极彼此电连接。然而由于桥接层的厚度远大于第一触控电极的厚度，使得第一触控电极容易在由基板向上延伸至桥接层的区域断裂，而导致触控装置的功能异常。

发明内容

为了解决上述问题，克服现有技术的不足，本发明的目的在于避免第一触控电极因桥接层与基板之间的高低落差而断裂，进而避免触控装置的功能产生异常。

本发明提供一种触控装置。

触控装置包含：一基板、多个桥接单元及一触控电路层。

该等桥接单元彼此相间隔地设置在该基板，且各包括一桥接层及至少一缓冲结构，各该缓冲结构分别由该桥接层的侧壁延伸至该基板而形成一斜坡。

该触控电路层包括多个沿一第一方向间隔地设置在该基板的第一触控电极，该等第一触控电极分别重叠于至少一桥接层，并且覆盖设于该缓冲结构的该斜坡。

在一些实施态样中，该等斜坡的斜率小于85度。

在一些实施态样中，各该缓冲结构还覆盖各该桥接层。

在一些实施态样中，该等桥接层的厚度范围各介于0.3微米至0.4微米之间，该等缓冲结构的斜坡厚度不小于0.5微米。

在一些实施态样中，该等桥接层是由导电材料所制成，且相邻之各该第一触控电极藉由各该桥接层电连接。

在一些实施态样中，该等桥接层呈长条状，且各该缓冲结构分别位于各该桥接层的至少一末端。

在一些实施态样中，该等桥接层呈长条状，且各该缓冲结构分别位于各该桥接层的两相反末端之间。

在一些实施态样中，该等桥接单元各包括多个缓冲结构，该等桥接层呈长条状，且该等缓冲结构分别设置在各该桥接层的两相反末端及两相反末端之间。

在一些实施态样中，该等桥接单元还各包括一间隔于该缓冲结构的绝缘结构，该绝缘结构横跨该桥接层且延伸至该基板；该触控电路层还包括多个分别沿一第二方向设置在该基板并跨越该绝缘结构上的第二触控电极。

在一些实施态样中，各该绝缘结构设置在各该桥接层与各该第二触控电极之间，使各该第一触控电极与各该第二触控电极彼此电性绝缘。

在一些实施态样中，该等缓冲结构及该等绝缘结构由绝缘材料所制成。

本发明另外提供一种触控装置的制造方法，用于制作前述触控装置，包含以下步骤：

在一基板上形成多个相互间隔的桥接层。

在各该桥接层上形成至少一缓冲结构及一绝缘结构，各该缓冲结构的其中部分分别由各该桥接层延伸至该基板而形成一斜坡，各该绝缘结构系间隔于各该缓冲结构并横跨各该桥接层而延伸至该基板。

在该基板上形成多个沿一第一方向间隔排列的第一触控电极与多个沿一第二方向间隔排列的第二触控电极，该等第一触控电极分别部分地重叠于至少一桥接层，并覆盖设于该缓冲结构的该斜坡；该等第二触控电极设置在该基板，且分别延伸迭置于各该绝缘结构上。

在一些实施态样中，该等缓冲结构及该等绝缘结构是藉由同一图案化成型程序制作。

本发明透过设置缓冲结构，用以在桥接层的侧壁与基板之间形成斜坡，可避免第一触控电极因桥接层与基板之间的高低落差而断裂，进而导致触控装置的功能异常的问题。

为让本发明的特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1是一立体图，说明本发明触控装置的一实施例；

图2是关于图1中触控装置的一局部放大图；

图3是依据本发明一实施例的触控装置的一部分剖面示意图；

图4是依据本发明另一实施态样的触控装置的一部分剖面示意图；

图5是依据本发明另一实施例的触控装置的一部分剖面示意图；及

图6至图10是说明本发明触控装置的制造方法的一实施例。

具体实施方式

参阅图1、2与3，为本发明触控装置的一实施例，其中，图1是一立体图，说明本发明触控装置的一实施例；图2是关于图1中触控装置的一局部放大图；图3是依据本发明的实施例的触控装置的一部分剖面示意图。本发明触控装置包含一基板1、一遮蔽层2、多个桥接单元3、一触控电路层4及一讯号传送层5。

基板1的材质选自于由玻璃、聚碳酸酯、聚对苯二酸乙二脂、聚甲基丙烯酸甲脂、聚砜，及其他环烯共聚物所组成的群体，但不以此为限。此外，为了确保生产过程中基板1的结构强度与耐用性，亦可对基板1的表面进行强化处理，使基板1具有较佳的结构强度及耐用程度。

遮蔽层2设置在基板1周围，且通常是由有色光阻或有色油墨所制成，并用以形成触控装置周围部分的非可视区。且遮蔽层2上还形成一个或多个图案21，图案21可依据需求设计成首页键、返回键、窗口切换键等功能键的图标(Icon)。

桥接单元3彼此相间隔地设置在基板1，并各包括一桥接层31、一绝缘结构32及多个缓冲结构33(此处缓冲结构33的数量是以四个为例，但不以此为限)。桥接层31主要是由金属或金属氧化物(例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO))等导电材料所制成，可提供电传导的路径。缓冲结构33与绝缘结构32主要是由例如聚亚酰胺(Polyimide)的高分子绝缘材料所制成。每一缓冲结构33覆盖部分桥接层31，并由桥接层31的侧壁延伸至基板1而形成一斜坡331，该斜坡331具体来说为缓冲结构33由较高的桥接层31的顶面延伸至较低的基板1的顶面而成，因此形成介于桥接层31与基板1之间的高度渐变结构(见图3)。并且，在一些实施态样中，斜坡331的斜率小于85度。优选的，斜坡331的斜率可以是75度、60度、45度、30度、15度或10度。每一绝缘结构32则横跨桥接层31且延伸至基板1，并相间隔于缓冲结构33。在本实施例中，桥接层31呈长条状，并以数组方式排列于基板1上；缓冲结构33同样为长条状，并分别位于桥接层31的两相反末端及两相反末端之间；绝缘结构32概呈矩形，并覆盖于桥接层31的中央位置。但在不同的实施态样中，桥接层31、绝缘结构32、缓冲结构33的形状、数量、设置位置均可视需要而对应调整，不以此处揭露的内容为限。

触控电路层4主要是由透明导电材料所制成，较常见的透明导电材料为氧化铟锡、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)、氧化铝锌(Aluminum Zinc Oxide,AZO)、氧化锌(ZincOxide)、氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)、纳米碳管(Carbon Nano Tube,CNT)、纳米银、纳米铜，或是其他透明导电材质与金属或非金属的合成物。

触控电路层4用以产生触控讯号，包括多个第一触控电极41及多个第二触控电极42。第一触控电极41沿一第一方向A间隔地设置在基板1，且两端分别重叠于桥接层31而藉由桥接层31形成电连接，并同时覆盖设于各桥接层31的缓冲结构33。由于第一触控电极41通常是由ITO等具有透明导电特性的金属氧化物制作，此种金属氧化物不像金属材料具有良好的延展性，因此制作在高低落差较大的表面容易产生断裂、破裂等问题。但本实施例在桥接层31与基板1之间铺设形成斜坡331的缓冲结构33，使得第一触控电极41能够在基板1、缓冲结构33与桥接层31上连续延伸，而能避免结构断裂的问题。且在本实施例中，桥接层31的厚度范围介于0.3微米至0.4微米之间，而缓冲结构33的厚度不小于0.5微米，也就是说缓冲结构33的厚度大于桥接层31的厚度，如此能确保缓冲结构33完整地覆盖桥接层31并在桥接层31的侧壁形成斜坡331，进而避免第一触控电极41在由基板1向上延伸至桥接层31的区域断裂，而影响触控装置的功能。

第二触控电极42沿一第二方向B设置在基板1并跨越绝缘结构32，且藉由绝缘结构32避免了第二触控电极42与桥接层31直接接触，进而使第二触控电极42与第一触控电极41彼此电性绝缘。

讯号传送层5设置于遮蔽层2之上，并且，讯号传送层5与触控电路层4电连接以传送触控电路层4所产生的触控讯号。且讯号传送层5通常藉由金属材质制作，并透过遮蔽层2遮蔽以避免被使用者看见。

参阅图4，为一剖面示意图，说明本发明触控装置的另一实施态样。本实施态样与上述实施例的差别在于每一桥接单元3仅包括二缓冲结构33，且缓冲结构33分别位于桥接层31的两相反末端。由于在桥接层31的两相反末端分别具有一缓冲结构33，使得邻近此两末端的第一触控电极41能藉由此缓冲结构33延伸至桥接层31上，同样避免了第一触控电极41在由基板1向上延伸至桥接层31的区域断裂。

参阅图5，为一剖面示意图，说明本发明触控装置的另一实施态样。本实施态样与上述实施例的差别在于每一桥接单元3仅包括一缓冲结构33。此缓冲结构33位于桥接层31的一末端，并仅在桥接层31侧壁与基板1之间形成一个斜坡331，且并无覆盖桥接层31，因此缓冲结构33与桥接层31的厚度相近。而由于在桥接层31的一末端具有一缓冲结构33，使得邻近此末端的第一触控电极41能藉由此缓冲结构33延伸至桥接层31上。

由上述的实施例与实施态样可得知，缓冲结构33的数目可为一、二或四，但缓冲结构33的数目并不以此为限，意即缓冲结构33的数目亦可为三或五以上，且缓冲结构33设置的位置亦可依用户在制程上的需求而位于桥接层31的两相反末端、两相反末端之间或是同时存在于两相反末端与两相反末端之间。

以下参阅图6至图10，说明本发明触控装置的制造方法，其中，图6至图10为本发明触控装置的制造方法的一实施例的剖面示意图。

参阅图1、6，首先，在基板1上形成多个相互间隔的桥接层31，且桥接层31主要是由例如金属或氧化铟锡等导电材料所制成。以下为方便说明起见，在图6至图10中皆以单一桥接层31为例进行说明，但本实施例的制造方法实际上可在基板1同时进行多个桥接层31的制作，而不以后续说明内容为限。

参阅图7，接着，在基板1与桥接层31上形成一绝缘层6，该绝缘层6系整面地覆盖在基板1及各个桥接层31上。在本实施例中，此绝缘层6主要是由聚亚酰胺所制成，并利用旋涂的方式形成于基板1表面。但在不同的实施态样中，绝缘层6的材质及制作方式都可以视需要而调整，不以此处揭露的内容为限。

参阅图8，随后，藉由同一图案化成型程序在每一桥接层31上形成四个缓冲结构33及一绝缘结构32。缓冲结构33覆盖部分桥接层31，并由桥接层31的侧壁延伸至基板1而形成一斜坡331。斜坡331具体来说为缓冲结构33由较高的桥接层31的顶面延伸至较低的基板1的顶面而成，因此形成介于桥接层31与基板1之间的高度渐变结构。而该图案化成型程序系包含微影、蚀刻等步骤，因此能同时制作出缓冲结构33及绝缘结构32的结构。然而，在不同的实施态样中，缓冲结构33、绝缘结构32也可以藉由网印技术制作，而不以图7、图8的实施态样为限。

参阅图9，再来，在基板1、桥接层31、绝缘结构32及缓冲结构33上藉由溅镀等镀膜技术形成一透明导电层7，而此透明导电层7主要是由例如氧化铟锡等透明导电材料所组成。

参阅图1与10，最后，利用微影与蚀刻制程对透明导电层7进行图案化处理，而制得第一触控电极41及第二触控电极42。第一触控电极41分别部分地重叠于桥接层31，并覆盖缓冲结构33的斜坡331。第二触控电极42设置在基板1，且分别延伸迭置于各个绝缘结构32上，且藉由绝缘结构32使第二触控电极42不接触桥接层31，进而使第一触控电极41与第二触控电极42彼此电性绝缘。而在镀覆透明导电层7(见图9)的过程中，由于透明导电层7能藉由缓冲结构33的斜坡331由基板1延伸至桥接层31上，因而避免了后续定义出的第一触控电极41在由基板1向上延伸至桥接层31的区域断裂。

综上所述，透过缓冲结构33的斜坡331避免了第一触控电极41在由基板1向上延伸至桥接层31的区域断裂，故确实能达成本发明的目的。

惟以上所述者，仅为本发明的实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明申请专利范围及专利说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。

Claims (11)

1.一种触控装置，其特征在于，包含：

一基板；

多个桥接单元，彼此相间隔地设置在该基板，该等桥接单元各包括一桥接层及至少一缓冲结构，各该缓冲结构分别由该桥接层的一顶面延伸至该基板的一顶面之间铺设形成一斜坡；其中，该斜坡是形成介于该桥接层与该基板之间的一高度渐变结构；及

一触控电路层，包括多个沿一第一方向间隔地设置在该基板的第一触控电极，该等第一触控电极分别重叠于至少一该桥接层，并且覆盖该缓冲结构的该斜坡，该第一触控电极在该基板、该缓冲结构与该桥接层上连续延伸；及

该桥接层是由导电材料所制成，且相邻的各该第一触控电极藉由该桥接层电连接，并且该等桥接层的厚度范围各介于0.3微米至0.4微米之间，该等缓冲结构的斜坡厚度不小于0.5微米；其中，

各该缓冲结构的该斜坡被各该第一触控电极覆盖，在该斜坡的该高度渐变结构在该第一方向与各该第一触控电极的重叠处边缘，包含一不小于0.1微米的隆起部分，且各该第一触控电极的一端与各该桥接层的该顶面是直接接触的。

2.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，该斜坡的斜率小于85度。

3.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，各该缓冲结构还覆盖各该桥接层。

4.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，该等桥接层呈长条状，且各该缓冲结构分别位于各该桥接层的至少一末端。

5.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，该等桥接层呈长条状，且各该缓冲结构分别位于各该桥接层的两相反末端之间。

6.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，该等桥接单元各包括多个该缓冲结构，该等桥接层呈长条状，且该等缓冲结构分别设置在各该桥接层的两相反末端及两相反末端之间。

7.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，该等桥接单元还各包括一间隔于该缓冲结构的绝缘结构，该绝缘结构横跨该桥接层且延伸至该基板；该触控电路层还包括多个分别沿一第二方向设置在该基板并跨越该绝缘结构上的第二触控电极。

8.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于，各该绝缘结构设置在各该桥接层与各该第二触控电极之间，使各该第一触控电极与各该第二触控电极彼此电性绝缘。

9.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于，该等缓冲结构及该等绝缘结构由绝缘材料所制成。

10.一种触控装置的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

在一基板上形成多个相互间隔的桥接层；

在各该桥接层上形成至少一缓冲结构及一绝缘结构，各该缓冲结构的其中部分分别由各该桥接层延伸至该基板而形成一斜坡，其中，该斜坡是形成介于该桥接层与该基板之间的一高度渐变结构；各该绝缘结构系间隔于各该缓冲结构并横跨各该桥接层而延伸至该基板；及

在该基板上形成多个沿一第一方向间隔排列的第一触控电极与多个沿一第二方向间隔排列的第二触控电极，该等第一触控电极分别部分地重叠于至少一该桥接层，并覆盖设于该缓冲结构的该斜坡，该第一触控电极在该基板、该缓冲结构与该桥接层上连续延伸；该等第二触控电极设置在该基板，且分别延伸迭置于各该绝缘结构上；

该桥接层是由导电材料所制成，且相邻的各该第一触控电极藉由该桥接层电连接，并且该等桥接层的厚度范围各介于0.3微米至0.4微米之间，该等缓冲结构的斜坡厚度不小于0.5微米；其中，

各该缓冲结构的该斜坡被各该第一触控电极覆盖，在该斜坡的该高度渐变结构在该第一方向与各该第一触控电极的重叠处边缘，包含一不小于0.1微米的隆起部分，且各该第一触控电极的一端与各该桥接层的顶面是直接接触的。

11.根据权利要求10所述的触控装置的制造方法，其特征在于，该等缓冲结构及该等绝缘结构是藉由同一图案化成型程序制作。