CN106255893B - 电感性负载检测装置 - Google Patents
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Abstract
涉及一种感知电感性负载与驱动IC（集成电路）的连接地点是否开路的开路负载检测器，公开一种技术，其为感知负载的回流，当发生回流时，感知驱动IC的输出值是否大于电源的电压值，从而感知负载的开路。
Description
技术领域
本发明涉及电子装置，特别是涉及一种检测是否连接有电感性负载的装置。
背景技术
一般而言，诸如电动机或线圈的电感负载可以向一个方向旋转。为了使这种电感负载向正向及逆向旋转，变更施加于电感负载的电压的方向即可，在单纯电路中会很复杂。为了轻松变更这种电感负载的旋转方向，可以使用驱动IC。即，为了使用单一电源，使DC电动机、BLDC（无刷直流电机）电动机以及其它电感器（inductor）向正向及逆向旋转，可以使用驱动IC。作为可以使用单一电源而变更施加于电感负载的电压的方向的电路，有“H桥接电路”，所述“H桥接电路”可以内置于驱动IC。
发明内容
解决的技术问题
电感负载和驱动IC可以以诸如钎焊的方式连接于PCB（印刷电路板）基板上，在这种连接时，如果钎焊不好，则会在低温下出现钎焊熔化掉落的冷焊现象。
本发明为了解决所述问题，旨在提供一种能够检测钎焊不良导致的开路状态的开路负载检测器。
技术方案
本发明一种观点的电感性负载连接状态判别方法包括：驱动步骤，驱动半桥结构的驱动器，使得在正向模式与逆向模式间转换；感知步骤，感知所述驱动器的第一输出端子的第一电位或第二输出端子的第二电位是否存在小于所述驱动器的接地电位的时段或存在高于所述驱动器的驱动电位的时段；及判断步骤，在所述感知步骤中感知存在所述较小时段或所述较高时段的情况下，判断为在所述驱动器的输出端子连接有电感性负载，否则，判断为在所述驱动器的输出端子未连接有电感性负载。
本发明一种观点的电感性负载连接状态判断装置，其作为针对半桥结构的驱动器，连接于在正向模式与逆向模式间进行转换并驱动的所述驱动器的第一输出端子OUT1与第二输出端子OUT2，判断在所述驱动器的输出端子是否连接有电感性负载U3的电感性负载连接状态判断装置。此时，包括：回流感知部410，其生成关于所述第一输出端子的第一电位或所述第二输出端子的第二电位是否存在小于所述驱动器的接地电位（GND）的时段或存在高于所述驱动器的驱动电位（VM）的时段的感知信号（COMP）；及开路感知部420，其在感知存在所述较小时段或所述较高时段的情况下，生成代表在所述驱动器的输出端子连接有电感性负载的输出信号，否则，生成代表在所述驱动器的输出端子未连接有电感性负载的输出信号（OUT）。
此时，所述回流感知部可以包括：第一比较器U8，其把所述第一电位与所述驱动器的驱动电位或所述驱动器的接地电位进行比较；第二比较器U9，其把所述第二电位与所述驱动器的驱动电位或所述驱动器的接地电位进行比较；及与门（and gate）U13，其把所述第一比较器与所述第二比较器的输出以AND进行组合，提供所述感知信号。
此时，所述开路感知部可以包括：时钟发生部U14，其利用对所述驱动器包括的半桥所包含的晶体管的开启/关闭进行控制的控制电位HD1、HD2而发生时钟（CK_R）；及D触发器U15、U16，其接受所述时钟的输入，接受作为复位信号的所述感知信号的输入，生成所述输出信号。
本发明另一观点的电感性负载连接状态判断装置，作为用于感知对电感性负载与驱动所述电感性负载进行驱动的驱动IC的输出端之间的连接地点是否开路的电感性负载连接状态判断装置，包括用于感知所述电感性负载的回流的回流感知部。所述回流感知部包括：多个比较器，其使得分别通过正输入端子（+）接受来自所述驱动IC的第一输出端子的第一输出值及来自第二输出端子的第二输出值的输入，使得通过各个负输入端子（-）接受所述驱动IC的驱动电压（VM）的输入；及与门，其使得接受所述多个比较器的输出值的输入。而且，所述多个比较器分别把所述第一输出值或所述第二输出值与所述驱动IC的驱动电压进行比较，使得感知所述回流。
此时，在未感知所述回流的情况下，可以使得判断为所述电感性负载与所述驱动IC的输出端之间的连接地点开路。
此时，所述比较器可以包括：第一NMOS晶体管M1，其接受电流源IBIAS值的供应；第二NMOS晶体管M2，其具有供所述驱动IC的驱动电压（VM）接入的门；第三NMOS晶体管M3，其具有供所述第一输出值接入的门；及第一电阻及第二电阻，其串联连接，使得连接所述第一NMOS晶体管的漏极端子与所述第三NMOS晶体管的源极端子之间。而且，其特征可以在于，利用所述第一电阻、所述第二电阻及恒定电流，调节所述比较器的偏移。
此时，其特征可以在于，所述比较器还包括并联连接于所述第二电阻的第四NMOS晶体管M7，利用所述第二电阻、所述第四NMOS晶体管M7及所述恒定电流，调节所述比较器的滞后（HYSTERIS）。
此时，所述比较器可以还包括：第一PMOS晶体管M4及第二PMOS晶体管M5，其为了决定所述比较器的增益而连接于所述第二NMOS晶体管M2的漏极端子；第三PMOS晶体管M6，其连接于所述第三NMOS晶体管M3的漏极端子；及第五NMOS晶体管M9，其通过门端子接受所述电流源IBIAS值的输入。而且，所述第五NMOS晶体管M9可以电气连接所述第三PMOS晶体管M6的源极端子，使得通过漏极端子，接受所述多个比较器中包含的各个所述第三PMOS晶体管M6的源极端子的值的输入。
所述电感性负载连接状态判断装置可以还包括开路感知&抗尖峰脉冲部（以下可以简称“开路感知部”）。所述开路感知&抗尖峰脉冲部可以包括：抗尖峰脉冲电路部，其接受从所述回流感知部输出的输出值的输入；逻辑与门，其接受所述抗尖峰脉冲电路部的输出值和复位信号的输入；上升缘检测部；多个D触发器。此时，所述多个D触发器可以通过各个时钟端子接受所述上升缘检测部的输出值的输入，通过复位端子接受所述逻辑与门的输出值的输入，使得通过所述多个D触发器，感知所述比较器的迁移。
此时，所述上升缘检测部可以包括两个输入端子，所述两个输入端子分别连接于所述驱动IC包含的桥接电路的两个晶体管的门端子。
此时，所述多个D触发器中第一触发的输入端子接受电源的电压值（VM）的输入，第一触发的输出端子可以连接于第二触发的输入端子。
发明的有益效果
根据本发明，能够检测电感负载的开路状态。即，当把驱动电感负载的驱动IC与负载在PCB上相互连接时，可以感知因冷焊或不良而发生开路的情形。另外，把检测的信号提供给主（HOST）设备，从而能够采取适当措施，可以在制品验收阶段有用地使用。另外，根据本发明，可以调节比较器的偏移与滞后（hysteris）。
附图说明
图1是图示本发明一个实施例的半桥电动机驱动装置的框图的图。
图2是图示用于驱动本发明一个实施例的图1的附加要素的图。
图3以表显示了本发明一个实施例的逻辑电路不同输入输出下电动机的动作。
图4是显示本发明一个实施例的当正常运转时存在作为电感负载的电动机时，即，电感负载正常连接于驱动IC的输出端子时的输出端子OUT1、OUT2的波形的图。
图5显示了本发明一个实施例的开路负载检测器的框图。
图6显示了开路感知与抗尖峰脉冲部的框图。
图7显示了检测NMOS晶体管门输入的上升缘并形成D触发器时钟的CK_R的过程的图。
图8是电感负载正常连接于驱动IC的输出端子时的本发明一个实施例的开路负载检测器的运转波形。
图9是电感负载未正常连接于驱动IC的输出端子时的本发明一个实施例的开路负载检测器的运转波形。
图10是本发明一个实施例的回流感知部的比较器的构成图。
具体实施方式
下面参照附图，说明本发明的实施例。但是，本发明不限定于本说明书中说明的实施例，可以以多种其它形态体现。本说明书中使用的术语用于帮助实施例的理解，并非有意限定本发明的范围。另外，下面使用的单数形态只要语句未明确表现出与此相反的意义，则也包括复数形态。
图1是图示本发明一个实施例的半桥电动机驱动装置（HALF BRIDGE MOTORDRIVER）的框图的图。
半桥电动机驱动装置可以包括4个NMOS晶体管N1、N2、N3、N4、2个过电流保护元件（Over Current Protection, OCP）U1、U2及4个回流二极管D1、D2、D3、D4。4个NMOS晶体管N1、N2、N3、N4及4个回流二极管D1、D2、D3、D4构成1个半桥（HALF BRIDGE），可以驱动负载（LOAD）U3。在所述NMOS晶体管N1、N2的漏极端子，可以共同连接有电源（VM），在所述NMOS晶体管N3、N4的源极端子，可以共同连接有接地VSS。此时，在本发明中，负载U3可以为“电动机”或“线圈”。另外，“负载”也可以指称“电感负载（INDUCTIVE LOAD）”及“电感性负载”。
图2是图示了用于驱动本发明一个实施例的图1的附加要素的图。
在所述附加要素中，可以有电荷泵（CHARGE PUMP）U4、振荡器（OSCILLATOR）U5、过热切断电路（Thermal shut down, TSD）U6及逻辑电路（Logic circuit）U7等。电荷泵U4可以是用于驱动NMOS晶体管N1、N2的门。振荡器U5可以用作电荷泵U4及内部逻辑电路U7的计时（TIMING）所需的时钟（CLOCK）。过热切断电路U6为了防止芯片内部的温度过高导致芯片破坏，可以是用于如果芯片为既定温度以上，例如165度以上，则使芯片失效（Disable）的电路。OCP U1、U2可以是用于感知在NMOS晶体管N1、N2、N3、N4中流过过度电流的情形并使芯片失效（Disable）的电路。
逻辑电路U7可以包括EN、IN的输入端子与HD1、HD2、LD1及LD2的输出端子。根据所述输出端子的值，可以决定所述电动机驱动装置的输出端子OUT1与OUT2的值。即，逻辑电路U7的输出端子HD1、HD2、LD1、LD2的值可以是输入图1所示NMOS晶体管的控制电压值。在本发明的说明书中，所述电动机驱动装置的输出端子OUT1与OUT2可以分别指称“驱动器的第一输出端子”、“驱动器的第二输出端子”。
图3以表显示了本发明一个实施例的逻辑电路U7不同输入输出下电动机的动作。
当EN具有“L”值时，成为制动模式（BRAKE MODE），驱动器IC的输出端子OUT1、OUT2可以与IN的值无关地分别具有“L”值。此时，NMOS晶体管N1、N2门的控制电压值可以为HD1 =HD2 = “L”。
而且，NMOS晶体管N3、N4门LD1、LD2的控制电压值可以为LD1 =LD2 =“H”。
当EN具有“H”值时，根据IN值，逻辑电路U7的输出端子HD1、HD2、LD1、LD2的值会不同。当IN具有“H”值时，成为REVERSE模式。即，可以成为HD1 = “L”、LD1=“H”，OUT1成为“L”，成为HD2 = “H”、LD2 = “L”，OUT2成为“H”。当IN具有“L”值时，成为FORWARD模式。即，可以成为HD1 = “H”、LD1 = “L”，OUT1成为“H”，成为HD2=“L”、LD2=“H”，OUT2成为“L”。
在本发明的说明书中，逻辑电路U7的输出端子HD1、HD2的电位可以指称“控制电位”。
图4是显示本发明一个实施例的当正常运转时（EN=“H”）存在作为电感负载的电动机时，即，电感负载正常连接于驱动IC的输出端子时的输出端子OUT1、OUT2的波形的图。
所述“当存在电动机（电感负载）时”，可以意味着电动机电气连接于驱动IC的情形。
第一区间310是电动机从正向（FORWARD）变为逆向（REVERSE）的区间，第二区间320是电动机从逆向（REVERSE）变更为正向（FORWARD）的区间。在正向，电流（i）从图1的NMOS晶体管N1经电动机（LOAD）U3流入NMOS晶体管N4。在逆向，电流（i）从图1的NMOS晶体管N2经电动机U3流入NMOS晶体管N3。
可以把所述电动机为“正向”时称为“正向模式”，可以把所述电动机为“逆向”时称为“逆向模式”。
当电动机U3为正向时（IN=“L”），输出端子OUT1的电位借助于电动机U3的电阻及NMOS晶体管N1的ON电阻（导通电阻）而具有Vouth1（=VM - i*RN1）值，输出端子OUT2的电位具有Voutl1（i*RN4）值。当电动机U3为逆向时（IN=“H”），输出端子OUT1的电位成为Voutl1（=i*RN3），输出端子OUT2的电位借助于电动机U3的电阻及NMOS晶体管N2的ON电阻而成为Vouth1（=VM-i*RN2）。此时，“VM”代表“驱动电位”。
随着电动机从正向变更为逆向，即，从正向模式转换为逆向模式时，在输出端子OUT1的电位值从电位Vouth1下降为电位Voutl1期间，如区间311所示，依次下降到GND电压（=驱动器的接地电位）（VGND）下方。即，输出端子OUT1的电位值瞬间具有VGND-VDIODE（D3）值。就输出端子OUT2而言，如从Voutl1迁移至Vouth1之前区间312所示，具有高于VM电位的电位值。即，输出端子OUT2瞬间具有VM+VDIODE（D2）值。
当电动机从逆向迁移为正向时，即，从逆向模式转换为正向模式时，输出端子OUT1的电位从电位Voutl1上升为电位Vouth1期间，如区间321所示，瞬间高于VM。即，输出端子OUT1的电压瞬间具有VM+VDIODE（D1）值。输出端子OUT2的电位从电位Vouth1下降到电位Voutl1期间，瞬间低于GND。即，输出端子OUT2的电压具有VM-VDIODE（D4）值。
本发明涉及检测诸如电动机U3的电感性负载是否开路的开路负载检测器（OPENLOAD DETECTOR），所述开路负载检测器可以利用这种电感负载（INDUCTIVE LOAD）的电流方向转换时发生的回流（recirculation）效果。
图5显示了本发明一个实施例的开路负载检测器（OPEN LOAD DETECTOR）5的框图。
开路负载检测器5可以包括回流感知部（recirculation sense）410及开路感知&抗尖峰脉冲部（OPEN DETECTOR & DEGLITCH）420。
回流感知部410可以包括2个比较器U8、U9与1个OR门U10。比较器U8的正输入端子（+）可以连接于输出端子OUT1，负输入端子（-）可以连接于VM，比较器U8的输出端子可以连接于OR门U10的第一输入端子。比较器U9的正输入端子（+）可以连接于输出端子OUT2，负输入端子（-）可以连接于VM，比较器U9的输出端子可以连接于OR门U10的第二输入端子。OR门U10的输出端子（OUTK）可以连接于开路感知&抗尖峰脉冲部（OPEN DETECTOR &DEGLITCH）420的输入端子中的COMP端子。可以把输入所述COMP端子的信号指称为“感知信号（COMP）”。
图6显示了开路感知&抗尖峰脉冲部（OPEN DETECTOR & DEGLITCH）420的框图。“开路感知&抗尖峰脉冲部420”可以指称“开路感知部”。
开路感知&抗尖峰脉冲部420可以包括抗尖峰脉冲部（deglitch）电路U12、与门U13、上升缘检测部（Rising edge detector）U14及两个D触发器U15、U16。OUTK、RESETB、HD1、HD2及VM输入开路感知&抗尖峰脉冲部420，可以具有一个输出（OUT）。
回流感知部410的输出OUTK为了防止噪声导致的运转失灵，可以通过COMP端子，经抗尖峰脉冲（deglitch）电路U12反转后，连接于与门U13的第一端子。而且，RESETB信号可以连接于与门U13的第二端子。与门U13的输出RST可以连接于作为D触发器U15、U16的RESET端子的RSTB端子。
上升缘检测部（Rising edge detector）U14以作为NMOS晶体管门输入的HD1及HD2为输入，检测各个上升缘（rising edge），生成CK_R，生成的CK_R值可以输入到作为D触发器U15、U16的CLOCK输入端子的CK端子。所述“上升缘检测部”可以指称为“时钟发生部”。
D触发器U15的输入端子D可以连接于电源VM，可以连接得使输出端子Q输出D1，并输入D触发器U16的输入端子D。D触发器U15可以为下降缘型（negative edge type）触发器，D触发器U16可以为上升缘型（positive edge type）触发器。
图7是显示检测NMOS晶体管门输入HD1、HD2的上升缘（rising edge）并形成作为D触发器时钟的CK_R的过程的图。可以使得当HD1与HD2分别为上升缘时，CK_R也上升，在经过既定时间之后重新下降。
图8是电感负载（INDUCTIVE LOAD）正常连接于驱动IC的输出端子时的本发明一个实施例的开路负载检测器（OPEN LOADDETECTOR）的运转波形。
下面一同参照图2和图2进行说明。
根据作为图2所示逻辑电路U7输入的IN信号，即，根据IN的切换（SWITCHING），HD2与IN信号同相切换，HD1逆相切换。因此，输入比较器U8的OUT1，以相对于IN而延时的逆相输出，在切换时，出现因电感负载（INDUCTIVE LOAD）导致的电压峰值（PEAKING）。输入比较器U9的OUT2以相对于IN的切换（SWITCHING）而延时的同相输出，在切换时，出现因电感负载导致的电压峰值（PEAKING）。
OUT1的峰值（PEAKING）区间701被回流感知部410的比较器U8感知，作为回流感知部410输出的OUTK值从“L”迁移到“H”。OUT2的峰值（PEAKING）区间702被回流感知部410的比较器U9感知，作为回流感知部410输出的OUTK值从“L”迁移到“H”。D触发器U15的输出值D1在CK_R的下降缘（falling edge）具有“H”值。
当电感负载（INDUCTIVE LOAD）存在时，即，负载的钎焊连接地点未开路时，COMP值成为“H”，与门U13的输出RST成为“L”，D触发器U15、U16的输出端子（Q）的值分别成为“L”。因此，开路负载检测器（OPEN LOAD DETECTOR）5的最终输出值（OUT端子的值）保持“L”状态。
图9是电感负载（INDUCTIVE LOAD）正常连接于驱动IC的输出端子时的本发明一个实施例的开路负载检测器（OPENLOAD DETECTOR）的运转波形。
当电感负载（INDUCTIVE LOAD）不存在时，正如通过区间801可知，OUT1、OUT2的电位迁移时，不存在电压峰值（PEAKING）。
因此，通过回流感知部410的比较器U8、U9与OR门后的输出值（即，OUTK的值）保持“L”。而且，D触发器U15的输出值（D1）在CK_R的下降缘（falling edge）成为“H”，检测出开路负载（OPENLOAD）状态。
图10是本发明一个实施例的回流感知部410的比较器U8、U9的构成图。比较器可以由2个相同的比较器U8、U9在输出端以连线OR（wired or）结构连接。各个比较器U8、U9可以在内部包括调节人为偏移（OFFSET）及滞后（hysteris）的构成。
在比较器U8、U9中分别输入VM，此时，使得连接于各比较器的NMOS晶体管M2的门端子。另外，在比较器U8、U9中，分别输入OUT1、OUT2，此时，使得OUT1及OUT2分别连接于各比较器内的NMOS晶体管M3的门端子。M2的源极端子连接于使得供应恒定电流的NMOS晶体管M1的漏极端子。M3的源极端子连接于使得经过偏移（OFFSET）及滞后（hysteris）调节电阻R1、R2而供应恒定电流的M1的漏极端子。在电阻R2中，连接有调节滞后（hysteris）的NMOS开关M7。作为PMOS的M4、M5，作为有源负载（active load）进行作用，决定比较器的增益，最终经过作为PMOS的M6，共同连接于供应恒定电流的NMOS M9的漏极端子。
本发明的比较器U8、U9用于在回流（Recirculation）时感知OUT1或OUT2大于VM者，为此，在OUT1及OUT2连接的NMOS M3的源极端子，可以追加体现电阻R1、R2。即，在M3的源极端追加电阻，从而具有提高M3的门接通（TURN ON）电压的效果。该偏移电平（OFFSET LEVEL）可以调节电阻R1、R2的值及电流源IBIAS值而进行调节。
如果考查比较器U8、U9的运转，在回流（Recirculation）发生之前，为OUT1及OUT2< VM，因而恒定电流源NMOS M1的电流只流入M2， PMOS M5漏极成为“H”，PMOS M6成为关闭（OFF），输出成为“L”。
如果发生回流（Recirculation），则成为OUT1或OUT2 > VM，恒定电流源NMOS M1的电流只流入M3，PMOS M5的漏极降低，PMOS M6开启（ON），输出成为“H”。
比较器U8、U9的滞后（hysteris）可以通过电阻R2及NMOS M7而调节。即，当比较器U8、U9的输出（OUTK）为“L”时，NMOS M7关闭（OFF），比较器U8、U9的偏移（OFFSET）与IBIAS*（R1+R2）成比例。但是，当比较器U8、U9的输出（OUTK）为“H”时，NMOS M7开启（ON），比较器U8、U9的偏移（OFFSET）与IBIAS*R1成比例，与输出为“H”时相比，其值会较小。
比较器U8、U9具有能够通过电阻R1、R2及恒定电流IBIAS的值而调节偏移（OFFSET）及滞后电平（HYSTERIS LEVEL）而使得可变的优点。
利用所述本发明的实施例，本发明所属技术领域的技术人员在不超出本发明的本质特性的范围内，可以容易地实施多样的变形及修订。权利要求书的各权利要求项的内容在能够通过本说明书而理解的范围内，可以结合于无引用关系的其它权利要求要求项。
Claims (11)
1.一种电感性负载连接状态判断方法，其特征在于，包括：
驱动步骤，驱动包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管的驱动器以使得在正向模式与逆向模式间转换；
感知步骤，感知在从在其处驱动IC从正向模式切换到逆向模式的第一时间点到在其处驱动IC切换回正向模式的第二时间点的时间段期间所述驱动器的第一输出端子的第一电位是否存在小于所述驱动器的接地电位的时段，或者在所述时间段期间所述第一电位是否存在高于所述驱动器的驱动电位的时段；及
判断步骤，在所述感知步骤中感知为在所述时间段期间所述第一电位存在小于接地电位的时段或者在所述时间段期间所述第一电位存在高于驱动电位的时段的情况下，判断为在所述驱动器的第一输出端子和第二输出端子之间连接有电感性负载，否则，判断为在所述驱动器的第一输出端子和第二输出端子之间未连接有电感性负载，
其中，
驱动电位被施加到第一晶体管的第一端子，
接地电位被施加到第四晶体管的第二端子，
第一晶体管的第二端子连接到第三晶体管的第一端子，
第二晶体管的第二端子连接到第四晶体管的第一端子，
第一输出端子是第一晶体管的第二端子，以及
第二输出端子是第二晶体管的第二端子。
2.一种电感性负载连接状态判断装置，所述装置连接于在正向模式与逆向模式间进行转换并驱动的驱动器的第一输出端子与第二输出端子，判断在包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的所述驱动器的第一输出端子和第二输出端子之间是否连接有电感性负载，其特征在于，所述装置包括：
回流感知部，其生成关于在从在其处驱动IC从正向模式切换到逆向模式的第一时间点到在其处驱动IC切换回正向模式的第二时间点的时间段期间所述第一输出端子的第一电位是否存在小于所述驱动器的接地电位的时段，或者在所述时间段期间所述第一电位是否存在高于所述驱动器的驱动电位的时段的感知信号；及
开路感知部，其在感知为在所述时间段期间所述第一电位存在小于接地电位的时段或者在所述时间段期间所述第一电位存在高于驱动电位的时段的情况下，生成代表在第一输出端子和第二输出端子之间连接有电感性负载的输出信号，否则，生成代表在第一输出端子和第二输出端子之间未连接有电感性负载的输出信号，
其中，
驱动电位被施加到第一晶体管的第一端子，
接地电位被施加到第四晶体管的第二端子，
第一晶体管的第二端子连接到第三晶体管的第一端子，
第二晶体管的第二端子连接到第四晶体管的第一端子，
第一输出端子是第一晶体管的第二端子，以及
第二输出端子是第二晶体管的第二端子。
3.根据权利要求2所述的电感性负载连接状态判断装置，其特征在于，
所述回流感知部包括：
第一比较器，其把所述第一电位与所述驱动器的驱动电位或所述驱动器的接地电位进行比较；
第二比较器，其把第二输出端子的第二电位与所述驱动器的驱动电位或所述驱动器的接地电位进行比较；及
与门（and gate），其把所述第一比较器与所述第二比较器的输出以AND进行组合，提供所述感知信号。
4.根据权利要求3所述的电感性负载连接状态判断装置，其特征在于，
所述开路感知部包括：
时钟发生部，其利用控制电位而发生时钟，所述控制电位中的每个对第一晶体管和第二晶体管中的每个的开启/关闭进行控制；及
D触发器，其接受所述时钟的输入，接受作为复位信号的所述感知信号的输入，生成所述输出信号。
5.一种电感性负载连接状态判断装置，所述电感性负载连接状态判断装置用于感知电感性负载与驱动所述电感性负载的驱动IC的输出端之间的连接地点是否开路，其特征在于，
包括开路负载感知部，所述开路负载感知部包括用于感知所述电感性负载的回流的回流感知部，
其中驱动IC包括如下的驱动器：其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，
所述回流感知部包括：
比较器，其使得通过所述比较器的正输入端子接受来自所述驱动IC的第一输出端子的第一输出值的输入，并且使得通过所述比较器的负输入端子接受所述驱动IC的驱动电压的输入，
其中，
所述开路负载感知部被配置为：（1）在判断为在从在其处驱动IC从正向模式切换到逆向模式的第一时间点到在其处驱动IC切换回正向模式的第二时间点的时间段期间第一输出值存在高于驱动器的驱动电位的时段的情况下，或者在判断为在所述时间段期间第一输出值存在小于驱动器的接地电位的时段的情况下，输出指示在第一输出端子和第二输出端子之间连接有电感性负载的值；以及（2）在判断为在所述时间段期间第一值不存在高于驱动器的驱动电位的时段的情况下，并且在判断为在所述时间段期间第一值不存在小于驱动器的驱动电位的时段的情况下，不输出指示在第一输出端子和第二输出端子之间连接有电感性负载的值，
驱动电位被施加到第一晶体管的第一端子，
接地电位被施加到第四晶体管的第二端子，
第一晶体管的第二端子连接到第三晶体管的第一端子，
第二晶体管的第二端子连接到第四晶体管的第一端子，
第一输出端子是第一晶体管的第二端子，以及
第二输出端子是第二晶体管的第二端子。
6.根据权利要求5所述的电感性负载连接状态判断装置，其特征在于，
所述比较器包括：
第一NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管，其接受电流源IBIAS值的供应；
第二NMOS晶体管，其具有供所述驱动器的驱动电压接入的门；
第三NMOS晶体管，其具有供所述第一输出值接入的门；及
第一电阻及第二电阻，其串联连接，使得连接所述第一NMOS晶体管的漏极端子与所述第三NMOS晶体管的源极端子之间；
利用所述第一电阻、所述第二电阻及恒定电流，调节所述比较器的偏移。
7.根据权利要求6所述的电感性负载连接状态判断装置，其特征在于，
所述比较器还包括并联连接于所述第二电阻的第四NMOS晶体管，
利用所述第二电阻、所述第四NMOS晶体管及所述恒定电流，调节所述比较器的滞后。
8.根据权利要求7所述的电感性负载连接状态判断装置，其特征在于，
所述比较器还包括：
第一PMOS（P型金属氧化物半导体）晶体管及第二PMOS晶体管，其为了决定所述比较器的增益而连接于所述第二NMOS晶体管的漏极端子；
第三PMOS晶体管，其连接于所述第三NMOS晶体管的漏极端子；及
第五NMOS晶体管，其通过门端子接受所述电流源IBIAS值的输入；
所述第五NMOS晶体管电气连接所述第三PMOS晶体管的源极端子，使得通过漏极端子，接受所述比较器中包含的所述第三PMOS晶体管的源极端子的值的输入。
9.根据权利要求5所述的电感性负载连接状态判断装置，其特征在于所述开路负载感知部还包括开路感知部，
所述开路感知部包括：抗尖峰脉冲电路部，其接受从所述比较器输出的输出值的输入；
逻辑与门，其接受所述抗尖峰脉冲电路部的输出值和复位信号的输入；
上升缘检测部；及
多个D触发器；
所述多个D触发器通过各个时钟端子接受所述上升缘检测部的输出值的输入，通过复位端子接受所述逻辑与门的输出值的输入，使得通过所述多个D触发器，感知所述比较器的迁移。
10.根据权利要求9所述的电感性负载连接状态判断装置，其特征在于，
所述上升缘检测部包括两个输入端子，所述两个输入端子中的一个连接到第一晶体管的门端子，并且所述两个输入端子中的另一个连接到第二晶体管的门端子。
11.根据权利要求9所述的电感性负载连接状态判断装置，其特征在于，
所述多个D触发器中第一触发的输入端子接受驱动器的驱动电位的输入，第一触发的输出端子连接于第二触发的输入端子。
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