CN106238402B - 一种法拉第小粒的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及清洗领域。本发明公开了一种法拉第小粒的清洗方法，包括如下步骤：A1，将划片后的法拉第小粒放入装有中性清洗剂的超声波清洗槽内进行超声波清洗40‑45分钟；A2，将法拉第小粒依次放入3个装有DI水的超声波清洗槽内各进行超声波清洗10分钟、5分钟和3分钟；A3，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗3‑5分钟；A4，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20‑30分钟；A5，将法拉第小粒的正反面分别在干净硅胶上粘1‑2次；A6，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗2‑3分钟；A7，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20‑30分钟。本发明清洗效果好，合格率高，对法拉第小粒无损伤，成本低，对环境污染小，安全性高。

Description

一种法拉第小粒的清洗方法
技术领域
本发明属于清洗领域，具体地涉及一种法拉第小粒的清洗方法。
背景技术
光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件，其工作原理是基于法拉第旋转的非互易性，通过光纤回波反射的光能够被光隔离器很好的隔离。光隔离器的一个核心部件是法拉第小粒。法拉第小粒是由上下两面抛光的法拉第大片进行划片切割得到的。在划片切割过程中，上下两抛光面则需涂覆保护漆进行光洁度保护，因此，划片切割后的法拉第小粒含有保护漆、红油、冷却水、碎屑、油污等脏污，在进行下一步加工时，需将脏污处理干净。而常用的且比较快速有效的方法是采用超声波清洗。
超声波清洗广泛应用于表面喷涂处理行业、机械行业、电子行业、医疗行业、半导体行业、钟表首饰行业、光学行业、纺织印染行业等。超声波清洗机的原理是由超声波发生器发出的高频振荡信号，通过换能器转换成高频机械振荡而传播到介质－－清洗溶剂中，超声波在清洗液中疏密相间的向前辐射，使液体流动而产生数以万计的直径为50-500μm的微小气泡，存在于液体中的微小气泡在声场的作用下振动。这些气泡在超声波纵向传播的负压区形成、生长，而在正压区，当声压达到一定值时，气泡迅速增大，然后突然闭合。并在气泡闭合时产生冲击波，在其周围产生上千个大气压，破坏不溶性污物而使他们分散于清洗液中，当团体粒子被油污裹着而黏附在清洗件表面时，油被乳化，固体粒子及脱离，从而达到清洗件净化的目的。在这种被称之为“空化”效应的过程中，气泡闭合可形成几百度的高温和超过1000个气压的瞬间高压，从而达到物件表面清洗净化的目的。
法拉第小粒划片切割后如果采用碱性清洗剂进行超声波清洗，虽然清洗效果较好，但容易造成上下抛光面腐蚀，且使用的清洗剂对环境污染较大，如果采用中性清洗剂，虽然不容易造成上下抛光面腐蚀，但清洗时间短时，脏污清洗不干净，清洗效果较差，虽然延长超声波清洗时间，可以将脏污清洗干净，但又会使切割面的碎屑被超声波振落，由于上下抛光面吸附性强而将新振落的碎屑返吸附在上下抛光面，使得清洗合格率低。
发明内容
本发明的目的在于为解决上述问题而提供一种清洗效果好，合格率高，对法拉第小粒无损伤，成本低，对环境污染小，安全性高的法拉第小粒的清洗方法。
为此，本发明公开了一种法拉第小粒的清洗方法，包括如下步骤
A1，将划片后的法拉第小粒放入装有中性清洗剂的超声波清洗槽内进行超声波清洗40-45分钟，进入步骤A2；
A2，将法拉第小粒依次放入3个装有DI水的超声波清洗槽内各进行超声波清洗10分钟、5分钟和3分钟，进入步骤A3；
A3，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗3-5分钟，进入步骤A4；
A4，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20-30分钟，进入步骤A5；
A5，将法拉第小粒的正反面分别在干净硅胶上粘1-2次，进入步骤A6；
A6，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗2-3分钟，进入步骤A7；
A7，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20-30分钟。
进一步的，所述步骤A1中，法拉第小粒还同时进行左右摇摆。
进一步的，所述超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C。
进一步的，所述中性清洗剂的温度为60度。
进一步的，所述DI水温度为50-55度。
进一步的，所述步骤A6中，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm，烘烤时间为25min。
本发明的有益技术效果：
本发明清洗效果好，合格率高，对法拉第小粒无损伤，成本低，对环境污染小，安全性高。
附图说明
图1为本发明的清洗流程图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
发明人为了提高划片切割后的法拉第小粒的清洗效果，对超声波清洗时间、超声波清洗功率、溶剂类型进行了调整变换，做了大量实验，但效果提升不明显，如果采用碱性清洗剂，虽然清洗效果较好，但容易造成上下抛光面腐蚀；如果采用中性清洗剂，虽然不容易造成上下抛光面腐蚀，但清洗时间短时，脏污清洗不干净，超声波清洗时间长时，虽然可以将脏污清洗干净，但上下抛光面又会产生新的碎屑。偶然有一次，发明人上下抛光面具有很多碎屑的法拉第小粒放在硅胶上，取下来后发现碎屑基本都被硅胶粘走，且硅胶不会残留在法拉第小粒上，为此，发明人进行了大量实验研究优化，从而得出下面的清洗方法。
如图1所示，本发明公开了一种法拉第小粒的清洗方法，包括如下步骤：
A1，将划片后的法拉第小粒放入装有中性清洗剂的超声波清洗槽内进行超声波清洗40-45分钟，进入步骤A2。本具体实施例中，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，中性清洗剂采用山之风公司的中性光学清洗剂，用DI水稀释至浓度为3％-5％，温度为60摄氏度，当然，在其他实施例中，也可以采用其他的中性清洗剂，采用中性清洗剂不容易对法拉第小粒的上下表面造成腐蚀，且不会对环境造成破坏。超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，既可以使清洗时间缩短，又不会对法拉第小粒的光洁度造成破坏。
进一步的，在进行中性清洗剂超声波清洗过程中，法拉第小粒还同时进行左右摇摆，摇摆频率为50-60次每秒。这样既可以加快脏污脱落，又使法拉第小粒上下表面不容易吸附新产生的碎屑。
A2，将法拉第小粒依次放入3个装有DI水的超声波清洗槽内各进行超声波清洗10分钟、5分钟和3分钟，漂洗掉中性清洗剂和部分脏污，进入步骤A3。本具体实施例中，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，DI水温度为50-55度。DI水的超声波清洗时间依次递减，是由于刚开始，法拉第小粒携带的中性清洗剂和部分脏污较多，所以DI水的超声波清洗时间刚开始要长一点，随着中性清洗剂和部分脏污的减少，DI水的超声波清洗时间也可以逐步减少，避免产生很多新碎屑。
A3，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗3-5分钟，进入步骤A4。本具体实施例中，工业酒精的纯度为99％，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C。
A4，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20-30分钟，进入步骤A5。本具体实施例中，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm。采用红外灯烘烤，烘干效果好，法拉第小粒表面没有水印残留。与热风烘干或烘箱烘干相比，装置简单，成本低。且经过大量实验发现，当法拉第小粒距离红外灯20cm时，烘干效率高，且效果好。
A5，将法拉第小粒的正反面分别在干净硅胶上粘1-2次，以粘掉法拉第小粒上下表面吸附的碎屑，粘的力度要适中，力度过大，会使碎屑划伤法拉第小粒上下表面，力度太小，则可能碎屑没有完全粘掉，进入步骤A6。
A6，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗2-3分钟，法拉第小粒的正反面粘在硅胶上，会吸附少量硅胶油，用工业酒精超声波清洗2-3分钟以洗掉硅胶油，又不会产生新碎屑，进入步骤A7；本具体实施例中，工业酒精的纯度为99％，，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C。
A7，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20-30分钟。本具体实施例中，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm。
实施例1：
取100个划片切割后的法拉第小粒，按以下步骤进行清洗：
A1，将划片后的法拉第小粒放入装有中性清洗剂的超声波清洗槽内进行超声波清洗40分钟，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，中性清洗剂用DI水稀释至浓度为3％，温度为60摄氏度，同时进行左右摇摆，摇摆频率为50次每秒,进入步骤A2。
A2，将法拉第小粒依次放入3个装有DI水的超声波清洗槽内各进行超声波清洗10分钟、5分钟和3分钟，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，DI水温度为50度,，进入步骤A3。
A3，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗3分钟，工业酒精的纯度为99％，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，进入步骤A4。
A4，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20分钟，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm，进入步骤A5。
A5，将法拉第小粒的正反面分别在干净硅胶上粘1次，以粘掉法拉第小粒上下表面吸附的碎屑，进入步骤A6。
A6，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗2分钟，工业酒精的纯度为99％，，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，进入步骤A7
A7，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20分钟，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm。
然后在30倍光学显微镜下进行目检，合格率(看不到脏污作为合格)94％。
实施例2：
取100个划片切割后的法拉第小粒，按以下步骤进行清洗：
A1，将划片后的法拉第小粒放入装有中性清洗剂的超声波清洗槽内进行超声波清洗45分钟，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，中性清洗剂用DI水稀释至浓度为5％，温度为60摄氏度，同时进行左右摇摆，摇摆频率为60次每秒,进入步骤A2。
A2，将法拉第小粒依次放入3个装有DI水的超声波清洗槽内各进行超声波清洗10分钟、5分钟和3分钟，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，DI水温度为55度,，进入步骤A3。
A3，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗5分钟，工业酒精的纯度为99％，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，进入步骤A4。
A4，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤30分钟，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm，进入步骤A5。
A5，将法拉第小粒的正反面分别在干净硅胶上粘2次，以粘掉法拉第小粒上下表面吸附的碎屑，进入步骤A6。
A6，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗3分钟，工业酒精的纯度为99％，，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，进入步骤A7
A7，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤30分钟，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm。
然后在30倍光学显微镜下进行目检，合格率(看不到脏污作为合格)96％。
实施例3：
取100个划片切割后的法拉第小粒，按以下步骤进行清洗：
A1，将划片后的法拉第小粒放入装有中性清洗剂的超声波清洗槽内进行超声波清洗43分钟，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，中性清洗剂用DI水稀释至浓度为4％，温度为60摄氏度，同时进行左右摇摆，摇摆频率为55次每秒,进入步骤A2。
A2，将法拉第小粒依次放入3个装有DI水的超声波清洗槽内各进行超声波清洗10分钟、5分钟和3分钟，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，DI水温度为53度,，进入步骤A3。
A3，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗4分钟，工业酒精的纯度为99％，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，进入步骤A4。
A4，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤25分钟，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm，进入步骤A5。
A5，将法拉第小粒的正反面分别在干净硅胶上粘2次，以粘掉法拉第小粒上下表面吸附的碎屑，进入步骤A6。
A6，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗3分钟，工业酒精的纯度为99％，，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，进入步骤A7
A7，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤25分钟，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm。
然后在30倍光学显微镜下进行目检，合格率(看不到脏污作为合格)96％。
对比例：
取100个划片切割后的法拉第小粒，按以下步骤进行清洗：
A1，将划片后的法拉第小粒放入装有中性清洗剂的超声波清洗槽内进行超声波清洗45分钟，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，中性清洗剂用DI水稀释至浓度为5％，温度为60摄氏度，进入步骤A2。
A2，将法拉第小粒依次放入3个装有DI水的超声波清洗槽内各进行超声波清洗5分钟，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，DI水温度为55度,，进入步骤A3。
A3，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗5分钟，工业酒精的纯度为99％，超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C，进入步骤A4。
A4，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤30分钟，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm。
然后在30倍光学显微镜下进行目检，合格率(看不到脏污作为合格)67％。
综上所述，本发明清洗效果好，合格率高，对法拉第小粒无损伤，成本低，对环境污染小，安全性高。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种法拉第小粒的清洗方法，其特征在于：包括如下步骤
A1，将划片后的法拉第小粒放入装有中性清洗剂的超声波清洗槽内进行超声波清洗40-45分钟，进入步骤A2；
A2，将法拉第小粒依次放入3个装有DI水的超声波清洗槽内各进行超声波清洗10分钟、5分钟和3分钟，进入步骤A3；
A3，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗3-5分钟，进入步骤A4；
A4，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20-30分钟，进入步骤A5；
A5，将法拉第小粒的正反面分别在干净硅胶上粘1-2次，进入步骤A6；
A6，将法拉第小粒放入工业酒精中，进行超声波清洗2-3分钟，进入步骤A7；
A7，将法拉第小粒放在红外灯下烘烤20-30分钟。
2.根据权利要求1所述的法拉第小粒的清洗方法，其特征在于：所述步骤A1中，法拉第小粒还同时进行左右摇摆。
3.根据权利要求1所述的法拉第小粒的清洗方法，其特征在于：所述超声波清洗的振动频率为60kHz，功率密度为1.0W/C。
4.根据权利要求1所述的法拉第小粒的清洗方法，其特征在于：所述中性清洗剂的温度为60度。
5.根据权利要求1所述的法拉第小粒的清洗方法，其特征在于：所述DI水温度为50-55度。
6.根据权利要求1所述的法拉第小粒的清洗方法，其特征在于：所述步骤A6中，红外灯功率为200W，光学零件距离红外灯20cm，烘烤时间为25min。
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